立体封装模块

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sic模块封装类型

sic模块封装类型

SIC模块封装类型SIC(Silicon Carbide)模块,即碳化硅模块,是近年来随着功率电子技术的不断发展而崛起的一种先进半导体器件。

由于其具有高温工作能力、高开关频率、低损耗等显著优势,SIC模块在电动汽车、风力发电、太阳能逆变器、工业电机驱动及高能效数据中心等领域有着广泛的应用前景。

为了确保SIC模块能够稳定、可靠地工作在各种恶劣环境下,封装技术显得尤为重要。

本文将详细介绍SIC模块的几种主要封装类型及其特点。

一、分立器件封装分立器件封装是指将单个SIC芯片封装在独立的封装体中,然后通过外部电路将其与其他器件连接起来。

这种封装方式具有结构简单、成本低廉的优点,适用于一些功率等级较低、对散热要求不高的应用场合。

常见的分立器件封装类型有TO-247、TO-220等。

这些封装体通常采用塑料或金属材质,具有良好的绝缘性能和散热性能。

二、功率模块封装功率模块封装是指将多个SIC芯片以及与之相关的驱动电路、保护电路等集成在一个封装体内,形成一个功能完整的功率电子单元。

这种封装方式可以显著提高功率密度,减少外部连线,提高系统的可靠性和稳定性。

功率模块封装类型繁多,常见的有IPM(智能功率模块)、PIM(功率集成模块)等。

这些模块通常采用多层陶瓷基板或金属基板作为电路载体,具有良好的导热性能和电气性能。

三、混合封装混合封装是指将SIC芯片与其他类型的半导体芯片(如硅基IGBT、MOSFET等)共同封装在一个封装体内,以充分发挥各类芯片的优势,实现性能互补。

这种封装方式可以显著提高系统的整体性能,拓宽应用范围。

混合封装的设计和实现较为复杂,需要充分考虑不同芯片之间的电气连接、热匹配以及封装体的可靠性等问题。

常见的混合封装类型有SiC-Si混合功率模块等。

四、定制化封装除了上述几种常见的封装类型外,还有一些特殊应用场合需要定制化的封装解决方案。

定制化封装可以根据具体的应用需求和系统环境,量身定制封装结构、材料选择、散热设计等方面的参数,以实现最佳的性能和可靠性。

3d封装原理

3d封装原理

3d封装原理3D封装原理3D封装是一种将电子元件和电路连接技术应用于三维空间的封装技术。

它是二维封装技术的升级版,可以将更多的功能集成到更小的封装体积中,提高电路的性能和可靠性。

本文将介绍3D封装的基本原理和应用。

一、背景介绍随着电子设备的迅速发展,对于电路的集成度和性能要求越来越高。

传统的二维封装技术已经难以满足这些需求,因此3D封装技术应运而生。

3D封装技术通过将电子元件和电路堆叠在三维空间中,实现更高的集成度和更小的封装体积,从而实现更高的性能和更低的功耗。

二、3D封装的基本原理1. 堆叠封装:3D封装技术的核心是将多个封装层通过堆叠的方式进行连接。

在每个封装层中,可以集成不同的电子元件和电路,例如处理器、存储器、传感器等。

通过堆叠封装,可以将多个封装层之间的连接长度缩短,减少信号传输的延迟和功耗。

2. 互联技术:3D封装中,需要通过互联技术将不同封装层中的电子元件和电路连接起来。

目前常用的互联技术包括焊接、金线连接、微球连接等。

这些互联技术需要高精度的加工和组装技术,以确保连接的可靠性和稳定性。

3. 散热技术:由于3D封装中电子元件和电路的集成度非常高,会产生大量的热量。

为了保证电子元件的正常工作,需要采用散热技术来有效地降低温度。

常用的散热技术包括热传导材料、散热片、风扇等。

三、3D封装的应用1. 移动设备:随着移动设备的普及,对于电池续航时间和性能要求越来越高。

3D封装技术可以将处理器、存储器和其他电路集成在一起,实现更高的性能和更低的功耗,从而延长电池续航时间。

2. 人工智能:人工智能技术的发展对电子设备的性能提出了更高的要求。

3D封装技术可以将处理器、神经网络和其他电路集成在一起,实现更高的计算性能和更低的功耗,从而提高人工智能设备的性能和效率。

3. 无线通信:无线通信设备对于尺寸和功耗有较高的要求。

3D封装技术可以将射频芯片和其他电路集成在一起,实现更小的尺寸和更低的功耗,从而提高无线通信设备的性能和可靠性。

基于GX8002的超低功耗语音控制技术

基于GX8002的超低功耗语音控制技术

1前言带电池的手持电子设备因其易于携带、使用方便,越来越受到消费者青睐。

语音识别技术的发展使得语音控制成为普遍技术,语音控制的电器得以广泛应用。

便携风扇也成为一种流行设备。

已有电路设计在便携风扇中增加了语音控制功能[1]。

但是由于语音识别技术的功耗很大且手持风扇或挂脖风扇使用基于GX8002的超低功耗语音控制技术梁骏,凌云,陈树杭州国芯科技股份有限公司摘要:本文基于GX8002设计了一款语音控制的风扇。

GX8002集成度高,只需要供电与麦克风即可实现语音控制功能。

在语音待机时电路工作电流小于600uA。

本文提出电路也可以用于其它类型的电池供电的全天待机的语音控制电器。

关键词:GX8002;VAD;语音控制;超低功耗;风扇Ultra Low Power Voice Control Technology Based on GX8002LIANG Jun,LING Yun,CHEN ShuHangzhou Nationalchip S&T Co.,Ltd.Abstract:This paper designs a voice controlled fan based on GX8002.GX8002is highly integrated,and only needs power supply and a microphone to realize voice control function.The working current of the circuit is less than600uA when the speech recognition is working.The proposed circuit can also be used in other types of battery powered voice control systems.Keywords:GX8002;VAD;Voice Control;Ultra Low Power;Fan电池供电,高功耗的传统语音识别技术在手持设备中使用会造成减少设备工作时间的不良影响。

芯片封装分类

芯片封装分类

芯⽚封装分类芯⽚封装分类⼤全【1】双列直插封装(DIP)20世纪60年代,由于IC集成度的提⾼,电路引脚数不断增加,有了数⼗个I/O引脚的中、⼩规模集成电路(MSI、SSI),相应的封装形式为双列直插(DIP)型,并成为那个时期的主导产品形式。

70年代,芯⽚封装流⾏的是双列直插封装(DIP)、单列直插封装(SIP)、针栅阵列封装(PGA)等都属于通孔插装式安装器件。

通孔插装式安装器件的代表当属双列直插封装,简称DIP(Dualln-LinePackage)。

这类DIP从封装结构形式上可以分为两种:其⼀,军品或要求⽓密封装的采⽤陶瓷双例直插DIP;其⼆,由于塑料封装具有低成本、性价⽐优越等特点,因此,封装形式⼤多数采⽤塑料直插式PDIP。

塑料双便直插封装(PDIP)是上世纪80年代普遍使⽤的封装形式,它有⼀个矩形的塑封体,在矩形塑封体⽐较长的两侧⾯有双列管脚,两相邻管脚之间的节距是2.54mm,引线数为6-84,厚度约为2.0~3.6,如表2所⽰。

两边平等排列管脚的跨距较⼤,它的直插式管脚结构使塑封电路可以装在塑料管内运输,不⽤接触管脚,管脚从塑封体两⾯弯曲⼀个⼩⾓度⽤于插孔式安装,也便于测试或器件的升级和更换。

这种封装形式,⽐较适合印制电路板(PCB)的穿孔安装,具有⽐50年代的TO型圆形⾦属封装,更易于对PCB布线以及操作较为⽅便等特点。

这种封装适合于⼤批量低成本⽣产,便于⾃动化的线路板安装及提供⾼的可靠性焊接。

同时,塑料封装器件在尺⼨、重量、性能、成本、可靠性及实⽤性⽅⾯也优于⽓密性封装。

⼤部分塑封器件重量⼤约只是陶瓷封装的⼀半。

例如:14脚双列直插封装(DIP)重量⼤约为1g,⽽14脚陶瓷封装重2g。

但是双列直插封装(DIP)效率较低,⼤约只有2%,并占去了⼤量有效安装⾯积。

我们知道,衡量⼀个芯⽚封装技术先进与否的重要指标是芯⽚⾯积与封装⾯积之⽐,这个⽐值越接近1越好。

【2】四边引线扁平封装(QFP)20世纪80年代,随着计算机、通讯设备、家⽤电器向便携式、⾼性能⽅向的发展;随着集成电路技术的进步,⼤规模集成电路(LSI)I/O引脚数已达数百个,与之相适应的,为了缩⼩PCB板的体积进⽽缩⼩各种系统及电器的体积,解决⾼密度封装技术及所需⾼密度引线框架的开发,满⾜电⼦整机⼩型化,要求集成电路封装在更⼩的单位⾯积⾥引出更多的器件引脚和信号,向轻、薄、短、⼩⽅向发展。

《集成电路封装技术》期末复习

《集成电路封装技术》期末复习

p.1封装/组装定义Packaging PKG是指利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或者基板上布置,粘贴固定及连接,引出接线端子,并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。

广义上的封装指的是:将封装体及基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。

将基板技术,芯片封装体,分立器件等全部要素,按照电子设备整机要求进行连接和装配,实现电子的,物理的功能,使之转变为适用于整机或者系统的形式,称为整机装置或设备的工程称为电子封装工程。

2-3封装功能传递电能传递电路信号提供散热途径结构保护与支持4-5封装/组装分级第零层次:芯片级封装是指把芯片与封装基板或者引脚架之间的粘贴固定,电路连线与封装保护的工艺第一层次:器件级封装将多个芯片层次封装体组成基本器件第二层次:电路板级封装将多个器件层次封装体与其他电子元器件组成电路板第三层次:子系统级封装将多个电路板级封装体组成的电路卡组合在一个主电路板成为一个子系统第四层次:系统级封装将数个子系统组装成一个完整的电子产品的工艺过程。

11封装发展的几个阶段(按年代、接合方式和典型封装体分)20世纪50-60年代是TO的时代 70年代是DIP的时代80年代是QFP和SMT的时代 90年代是BGA和MCM的时代20世纪末是SIP的时代12-13集成电路发展的主要特征芯片尺寸越来越大工作频率越来越高发热量日趋增大引脚越来越多13-14对集成电路封装的要求小型化适应高发热集成度提高同时适应大芯片要求高密度化适应多引脚适应高温环境适应高可靠性考虑环保要求15-18我国封装业的发展和分类。

目前我国半导体封装测试主要集中在长三角珠三角京津环渤海湾地区第一类:国际大厂整合组件制造商第二类:国际大厂整合组件制造商与本土业者合资第三类:台资封装第四类:国内本土封装5-6封装分类:笔记-封装标准笔记-各种封装体EDEC 联合电子器件工程委员会美国 DIP双列直插式封装EIAJ日本电子工程委员会日本 PLCC塑封有引线芯片载体IEC国际电工委员会瑞士本部 QFP四边有引脚的扁平封装GB/T 中国国家技术标准研究所 PGA针栅阵列按封装外壳材料: BGA球栅阵列气密封装:金属壳封装陶瓷封装 CSP芯片尺寸封装非气密性封装:塑料封装 MCM多芯片组件86-93 印制电路板(PCB)硬式印制电路板:绝缘材料(高分子树脂和玻璃纤维强化材料)导体材料(铜)软式印制电路板:FR—4环氧树脂金属夹层电路板:射出成型电路板:聚亚硫胺,多元脂类,氩硫酸纤维,强化复合纤维,及氟碳树脂---聚乙烯对苯二甲酯101-108元器件与电路板的的接合引脚假材料:42%铁—58%镍的Alloy42(ASTMF30)最多常见方式:引脚插入式结合引脚与电路板导孔结合可区分为:弹簧固定与针脚焊接(波峰焊)p.39电磁兼容性设计任务抑制干扰的产生和传播,确保信号有效而不失真地传输,使电路能稳定可靠地工作40-42内部干扰源数字电路(内部干扰源)抗干扰能力优于模拟电路(外部干扰源)接地线噪声电源线噪声传输线反射线间串扰42-44减少干扰方法降低谐振电路Q值提供去耦电容解决匹配问题47-50减少(数字电路内部)噪声措施减小连接线电感用接地栅网减小地线电感减小环路面积来减小电感电源去耦51-59辐射形式和减少辐射措施差模辐射(电流流过电路中导线形成环路造成)减小电流I的幅度减小环路面积降低电源频率F及其谐波分量差模辐射(电路中存在不希望的电压降造成)减小共模电压屏蔽与去耦电缆中串入共模扼流圈p.60三级热阻器件级热阻(内热阻) 表示从发热芯片或其他电路元件的结至元器件外壳之间的热阻组装级热阻(外热阻)表示热流从元器件外壳流向某个参考点的热阻系统级热阻(最终的热阻)表示冷却剂至终端热沉的热阻61牛顿冷却方程对流的换热量可用牛顿冷却方程表示:Φ=h*A*Δt (W) A-----参与对流的换热面积m²h------对流换热系数W/(m²*k) 62传热形式、导热方程传热形式有:导热对流换热辐射换热导热方程:Φ=—λ* A* dT/dx (W)Φ垂直于换热面积的导热热量W λ是导热系数W/(m*k) dT/dx 是温度梯度C/m63-64热阻式导热热阻:R=l/(λ*A) λ材料导热系数对流热阻:R=1/(h*A) h对流换热系数(66导热分析法):目的是在已知边界条件下,求的介质内部的温度分布及其热阻值:67-70对流的无量纲数Nu----努谢尔特数 Re—雷诺数 Pr---普朗特数 Gr—格拉晓夫数72热测试目的:检测组装内的温度或温度分布75-76热控制措施使热源至耗热空间的热阻降至最小措施:散热制冷恒温热管传热p.81腐蚀定义和腐蚀因素材料 + 环境介质(化学反应/电化学反应)变质性破坏腐蚀因素:潮湿空气污染物质温度太阳辐射生物因素82-83引起电化学腐蚀的条件金属材料 + 潮湿空气----------形成原电池83-84电极电位溶液 + 金属界面---------双电层--电位差—电池85-86腐蚀原电池及其基本工作过程;腐蚀原电池(异种金属接触电池和氧浓度差电池)阳极金属溶解阴极物质还原电流流动86-87吸氧腐蚀和析氢腐蚀吸氧腐蚀:----以氧还原反应作为阴极析氢腐蚀:-----以氢离子还原反应作为阴极87-92腐蚀类型均匀腐蚀电偶腐蚀应力腐蚀外加电压下腐蚀缝隙腐蚀94-95聚合物材料的劣化变质:化学腐蚀和自然腐蚀老化:高聚物变软变粘变脆变硬开裂影响因素:太阳辐射水汽大气中的化学物质96微生物侵蚀合适生长条件:水分合适的温度营养物质97-99微电子设备的防潮方法有机材料 + 无机材料—------器件表面钝化防潮三防:防潮防霉防雾p.101-104结构动应力主要由振动,冲击时结构的惯性电荷,基板弯曲或扭转变形,运载工具做曲线运动引起的惯性静荷产生的静应力组成108-110基板的动态特性基板的动态特性主要由固有频率fn和传递率η在工程中,基板和支承结构件的连接方式有螺旋连接,插座,带有波状弹簧板边导轨,槽形导轨连接,某一边的无支承等p.132互连与连接互连(2点或2点以上,具有一定距离之间的电器连同)---------厚膜互连与薄膜互连连接(紧邻2点之间具有接触内涵的电器连通)----钎焊(软/硬450)熔焊绕接压接键合倒装焊133印制板制造工艺的三种方法加成法减成法多线法167常用的线缆电力电话多芯屏蔽多芯同轴双绞线扁扁平挠性印制光学纤维 ------电缆144 #布线原则所有的走线尽可能短,敏感的信号线先走尽量近以减小回路电阻数字电路与模拟电路在布局布线上应尽量分隔开,以避免相互干扰设计开始时要估算功耗及温升,在性能允许的条件下尽量选用低功耗器件电路元器件接地,接电源应尽量短,尽量近以减小回路电阻敏感的高频的信号线采用共平面线结构或带状结构,以避免与其他电路耦合,产生干扰XY层走线应互相垂直以减少耦合,切忌上层走线与下层走线对齐或平行高速门电路的多根输入线的长度应相等,以避免产生不必要的延迟差分/平衡放大器,I/O通道的输入输出线的长度要求相等,以免产生不必要的延迟和相移为了生产,测试方便,设计上应设置必要的断点和测试点笔记/19 传统塑料封装工艺流程硅片减薄---硅片切割---芯片贴装---芯片互连---成型技术---去飞边毛刺—切筋成形---上焊锡---打码20晶圆切割对硅片进行背面减薄,然后对硅片进行划片加工20芯片贴装贴装的方式有:(共晶焊接导电胶玻璃胶)+ 粘贴法23芯片互连芯片互连常见方法:(打线载带自动倒装芯片)+ 键合24引线键合主要的打线键合技术:(超声波热超声波热压)+ 键合41~42成型技术塑料封装的成型技术:(转移喷射预)+ 成型技术, 主要的成型技术是转移成型技术42去飞边毛刺去飞边毛刺工序工艺有:(介质溶剂水) + 去飞边毛刺28上焊锡对封装后框架外引脚的后处理可以是电镀或是浸锡工艺焊锡的成分一般是63Sn/37Pb, 它是一种低共熔合金,共熔点在183-184 C之间,也有使用成分为85Sn/15Pb,90Sn/10Pb,95Sn/5Pb的焊锡,有的日本公司甚至用 98Sn/2Pb的焊料。

功率模块封装结构及其技术

功率模块封装结构及其技术

功率模块封装结构及其技术摘要:本文从封装角度评估功率电子系统集成的重要性。

文中概述了多种功率模块的封装结构形式及主要研发内容。

另外还讨论了模块封装技术的一些新进展以及在功率电子系统集成中的地位和作用。

1 引言功率(电源或电力)半导体器件现有两大集成系列,其一是单片功率或高压集成电路,英文缩略语为PIC 或HIVC,电流、电压分别小于10A、700V的智能功率器件/电路采用单片集成的产品日益增多,但受功率高压大电流器件结构及制作工艺的特殊性,弹片集成的功率/高压电路产品能够处理的功率尚不足够大,一般适用于数十瓦的电子电路的集成;另一类是将功率器件、控制电路、驱动电路、接口电路、保护电路等芯片封装一体化,内部引线键合互连形成部分或完整功能的功率模块或系统功率集成,其结构包括多芯片混合IC封装以及智能功率模块IPM、功率电子模块PEBb、集成功率电子模块等。

功率模块以为电子、功率电子、封装等技术为基础,按照最优化电路拓扑与系统结构原则,形成可以组合和更换的标准单元,解决模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、各类封装(导热、填充、绝缘)的选择、植被的工艺流程的国内许多问题,使系统中各种元器件之间互连所产生的不利寄生参数少到最小,功率点楼的热量更易于向外散发,其间更能耐受环境应力的冲击,具有更大的电流承载能力,产品的整体性能、可能性、功率密度得到提高,满足功率管理、电源管理、功率控制系统应用的需求。

2 功率模块封装结构功率模块的封装外形各式各样,新的封装形式日新月异,一般按管芯或芯片的组装工艺及安装固定方法的不同,主要分为压接结构、焊接结构、直接敷铜DBC基板结构,所采用的封装形式多为平面型以及,存在难以将功率芯片、控制芯片等多个不同工艺芯片平面型安装在同一基板上的问题。

为开发高性能的产品,以混合IC封装技术为基础的多芯片模块MCM封装成为目前主流发展趋势,即重视工艺技术研究,更关注产品类型开发,不仅可将几个各类芯片安装在同一基板上,而且采用埋置、有源基板、叠层、嵌入式封装,在三维空间内将多个不同工艺的芯片互连,构成完整功能的模块。

3d封装芯片的分类

3d封装芯片的分类

3d封装芯片的分类3D封装芯片是一种新型的封装技术,它不仅可以提高芯片性能和可靠性,还可以实现更小尺寸和更高集成度的芯片设计。

根据封装方式的不同,3D封装芯片可以分为以下几类。

一、堆叠封装(Stacked Package)堆叠封装是将多个芯片垂直堆叠在一起,通过金属间连线连接各个芯片的引脚,形成一个整体。

堆叠封装可以实现多芯片的高集成度,提高系统性能。

由于堆叠封装的芯片间距很小,因此需采用先进的封装技术和精密的制程工艺,以确保芯片之间的电性能和热性能不受影响。

二、层叠封装(Fan-out Wafer Level Packaging,简称FOWLP)层叠封装是将多个芯片封装在同一个封装基板上,通过金属线连接各个芯片的引脚。

与传统的封装方式相比,层叠封装具有更小的封装尺寸和更高的集成度,可以在有限的空间内实现更多的功能。

此外,层叠封装还可以提供更好的电性能和热性能,提高芯片的可靠性。

三、系统级封装(System-in-Package,简称SiP)系统级封装是将多个不同功能的芯片封装在同一个封装基板上,并通过金属线连接起来。

系统级封装可以实现不同芯片之间的直接通信,减少芯片之间的功耗和延迟。

此外,系统级封装还可以减少封装尺寸,提高系统的集成度和性能。

四、多芯片模块封装(Multi-Chip Module,简称MCM)多芯片模块封装是将多个芯片封装在同一个封装基板上,并通过金属线连接起来。

多芯片模块封装可以实现不同功能的芯片在同一个封装中,提高系统的集成度和性能。

此外,多芯片模块封装还可以减少封装尺寸,提高系统的可靠性和稳定性。

五、片上封装(System-on-Chip,简称SoC)片上封装是将多个不同功能的芯片封装在同一个芯片上,通过内部连接实现芯片之间的通信。

片上封装可以实现更高的集成度和性能,减少系统复杂度和功耗。

此外,片上封装还可以减少封装尺寸,提高系统的可靠性和稳定性。

六、立体封装(Through Silicon Via,简称TSV)立体封装是利用硅通孔技术将芯片内部的引脚连接到封装基板上,实现芯片与封装之间的直接连接。

功率模块封装类型

功率模块封装类型

功率模块封装类型功率模块封装主要分为以下几种类型:1. 引线框架型:将电子元件组装在引线框架上,然后通过焊接将引线框架与电路板相连。

2. 表面贴装型:将电子元件直接贴装在电路板上,并通过回流焊或波峰焊进行焊接。

3. 塑料封装型:将电子元件组装在塑料外壳内,并通过注塑或压塑等方式将外壳封装成型。

4. 金属封装型:将电子元件组装在金属外壳内,并通过焊接、铆接等方式将外壳封装成型。

5. DIP封装:是双列直插式封装(Dual Inline Package)的缩写,功率模块主要应用在通信、计算机、电器等领域。

优点是易于安装和维护,使用丝印标记方便读取,成本低,通用性强,但是封装体积较大,耐热性较差,不适合高功率应用。

6. 陶瓷封装型:将电子元件组装在陶瓷外壳内,并通过烧结或玻璃密封等方式将外壳封装成型。

这种封装类型主要用于高可靠性、高耐热性的应用场景,如航空航天、汽车电子等领域。

7. 金属外壳阵列封装型:将多个电子元件组装在一个金属外壳阵列中,并通过焊接、铆接等方式将外壳封装成型。

这种封装类型具有高集成度、高可靠性、易于散热等优点,但成本较高,主要用于高功率、高可靠性要求的应用场景,如电力电子、通信等领域。

8. 功率模块热沉封装型:将电子元件和热沉材料一起组装在封装外壳中,并通过焊接、铆接等方式将外壳封装成型。

这种封装类型主要用于高功率、高可靠性要求的应用场景,如电力电子、通信等领域。

热沉材料能够有效地将热量传导出去,提高功率模块的散热性能和可靠性。

9. 扁平封装型:将电子元件扁平封装在基板上,具有体积小、重量轻、传热性好等优点,但成本较高,主要用于高密度、高可靠性要求的应用场景,如微电子等领域。

10. 球栅阵列封装型:将电子元件安装在具有球形触点的基板上,具有高密度、高可靠性、低成本等优点,但焊接难度较大,主要用于高可靠性、高密度封装的应用场景,如微电子、汽车电子等领域。

11. 功率模块外壳阵列封装型:将多个电子元件和外壳阵列组装在一起,具有高集成度、高可靠性、易于散热等优点,但成本较高,主要用于高功率、高可靠性要求的应用场景,如电力电子、通信等领域。

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水,比如:去离子水 1000ml, SJ-202 为 30~50ml。使用工具为量杯。 4.3 清洗
将清洗槽清洁干净,向槽内加入兑配好的清洗剂,用玻璃棒轻轻搅拌使清洗液均匀。清洗液温度在 40℃ 左右。
1) 手工清洗
清洗时要正确合理摆放清洗工件,且避免相互重叠损伤模块; 戴上防静电乳胶手套,用防静电刷子浸取清洗液在模块表面颜色异常的地方轻轻刷洗 6 个回合左
3.1.3 水分吹干
使用气枪和洁净空气将组件和模块表面的水分吹干净(适当气压),如无洁净空气也可以使用吹风筒 (但要避免温度过高)。如果模块表面的水分没有吹干就使用烤箱烘烤,模块表面可能会出现水印等现象, 虽然不影响使用,但会影响模块表面外观的美观性。
3.1.4 组件烘烤
将组件水分吹干净后进行水分烘烤(根据条件选择以下的其中一种烘烤方法)。 1) 对流烤箱烘烤:烘烤温度 80℃,烘烤时间 8 小时。 2) 真空烤箱真空烘烤:烘烤温度 100℃,烘烤时间 96 小时。
适合浸泡或刷洗,不适合气相、超声波清洗。 3) 因清洗剂挥发快,下班时或长时间不再使用的情况下,应密封保存,避免挥发(放置阴凉干燥处)。 4) 无论使用何种清洗方法,拿取模块时都要做好静电的防护措施,清洗时戴上耐酸碱胶手套。
4.0 关于解决立体封装模块电装后模块出现颜色异常等的建议
4.1 欧比特公司推荐的清洗剂:型号 SJ-202。 4.2 使用去离子水,按照清洗剂配比要求兑配,清洗液调配比例为:SJ-202 为 3%~5%,其余为去离子
文件编号 ORBITA/SIPWI-000-010
生效日期
2017.10.18
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4.6 组件烘烤
将组件水分吹干净后进行水分烘烤(根据条件选择以下的其中一种烘烤方法)。 1) 对流烤箱烘烤:烘烤温度 80℃,烘烤时间 8 小时。 2) 真空烤箱真空烘烤:烘烤温度 100℃,烘烤时间 96 小时。 以上 2 种方法是模块水分烘烤的最低要求,航空航天产品推荐的是第二种方法(真空烘烤)。
立体封装模块 焊接后清洗建议
(版本:A3) 只适用于欧比特公司立体封装模块的清洗
文件编号:ORBITA/SIPWI-000-010-A3 2017.10.18
文件名称
珠海欧比特公司
ORBITA
立体封装模块焊接后清洗建议
文件编号 ORBITA/SIPWI-000-010
生效日期
2017.10.18
版次 A3 页码 第 2 页,共 4 页
3.1.2 清洗建议: 1) 清洗剂清洗 最简单实用的方法是用浸有微量乙醇或异丙醇的医用脱脂棉轻轻擦洗管脚,将管脚上的助焊剂清 洗干净。 使用防静电毛刷浸取乙醇或异丙醇轻轻刷洗模块侧面焊接部位,直到干净为止。如不干净可增加 刷洗次数。如果模块与模块的间距比较小,要选用特定的刷子。 2) 去离子水清洗 使用以上清洗剂完成后再用去离子水把组件和模块冲洗干净,或使用喷淋、漂洗方式洗干净。也可 直接浸入去离子水中轻轻刷洗模块引脚焊接部位和模块表面,直到干净为止。一般使用 2~3 道去 离子水清洗,确保器件清洗干净。
右,力度要适中,避免损伤模块,完成后尽快进行下一道工序的冲洗或喷淋洗。
2) 去离子水冲洗
使用去离子水冲洗或喷淋洗的方式将整个组件和模块清洗干净。为了避免冲洗或喷淋洗不彻底,一般 使用 2~3 道去离子水清洗,确保模块清洗干净,完成后尽快进行下一道工序的水分吹干。 4.4 注意事项
型号 SJ-202 的清洗剂只适用于立体封装模块电装后模块出现颜色异常的清洗,不能作为其它部件的清 洗。清洗时器件不能长时间浸泡在液体中,连续浸泡时间不要超过 5 分钟。
1.0 目的
指导操作员掌握正确的清洗要求及工艺流程,使焊接区域获得良好的清洗效果,达到品质之要求。
2.0 适应范围
适用于欧比特公司立体封装模块焊接后的清洗。
3.剂应无腐蚀性和非导电性,不降解部件或材料。
3.1.1 建议使用的清洗剂有: 乙醇(纯度 95%或 99.5%); 异丙醇(纯度 99%); 去离子水; 如需要其它清洗剂可咨询欧比特公司。
4.5 水分吹干
使用气枪和洁净空气将组件和模块表面的水分吹干净(适当气压),如无洁净空气也可以使用吹风筒 (但要避免温度过高)。如果模块表面的水分没有吹干就使用烤箱烘烤,模块表面可能会出现水印等现象, 虽然不影响使用,但会影响模块表面外观的美观性。
文件名称
珠海欧比特公司
ORBITA
立体封装模块焊接后清洗建议
5.0 其它
如果需要欧比特公司提供相关清洗剂,可向欧比特公司咨询。
6.0 变更记录
6.1 新版本文件发布后,所有规定或者建议以新版本为准,对应的旧版本规定和建议作废。 6.2 如有可能,请将旧版本回收给欧比特公司。 6.3 本规范的最终解释权归欧比特公司所有。
文件名称
珠海欧比特公司
ORBITA
立体封装模块焊接后清洗建议
文件编号 ORBITA/SIPWI-000-010
生效日期
2017.10.18
版次 A3 页码 第 3 页,共 4 页
以上 2 种方法是模块水分烘烤的最低要求,航空航天产品推荐的是第二种方法(真空烘烤)。
3.1.5 注意事项
1) 无论使用何种清洗方法,清洗时器件不能长时间浸泡在液体中,连续浸泡时间不要超过 5 分钟。 2) 低闪点易燃清洗剂的使用环境和工作场所应通风良好,远离火源及明火,禁止火花和禁止吸烟。只
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