#半导体术语
半导体术语
离?子注?入机 ion implanter
LSS理理论 Lindhand Scharff and Schiott theory，?又称“林林汉德-斯卡夫-斯?高特理理论”。沟道效应 channeling effect
射程分布 range distribution
深度分布 depth distribution
投影射程 projected range
阻?止距离 stopping distance
阻?止本领 stopping power
标准阻?止截?面 standard stopping cross section
退?火 annealing
激活能 activation energy
等温退?火 isothermal annealing
激光退?火 laser annealing
应?力力感?生缺陷 stress-induced defect
择优取向 preferred orientation
制版?工艺 mask-making technology
图形畸变 pattern distortion
初缩 ?rst mini?cation
精缩 ?nal mini?cation
?母版 master mask
铬版 chromium plate
?干版 dry plate
乳胶版 emulsion plate
透明版 see-through plate
?高分辨率版 high resolution plate, HRP
超微粒?干版 plate for ultra-microminiaturization
掩模 mask
掩模对准 mask alignment
对准精度 alignment precision
光刻胶 photoresist，?又称“光致抗蚀剂”。
负性光刻胶 negative photoresist
正性光刻胶 positive photoresist
?无机光刻胶 inorganic resist
多层光刻胶 multilevel resist
电?子束光刻胶 electron beam resist
X射线光刻胶 X-ray resist
刷洗 scrubbing
甩胶 spinning
涂胶 photoresist coating
后烘 postbaking
光刻 photolithography
X射线光刻 X-ray lithography
电?子束光刻 electron beam lithography
离?子束光刻 ion beam lithography
深紫外光刻 deep-UV lithography
光刻机 mask aligner
投影光刻机 projection mask aligner
曝光 exposure
接触式曝光法 contact exposure method
接近式曝光法 proximity exposure method
光学投影曝光法 optical projection exposure method 电?子束曝光系统 electron beam exposure system
分步重复系统 step-and-repeat system
显影 development
线宽 linewidth
去胶 stripping of photoresist
氧化去胶 removing of photoresist by oxidation
等离?子［体］去胶 removing of photoresist by plasma 刻蚀 etching
?干法刻蚀 dry etching
反应离?子刻蚀 reactive ion etching, RIE
各向同性刻蚀 isotropic etching
各向异性刻蚀 anisotropic etching
反应溅射刻蚀 reactive sputter etching
离?子铣 ion beam milling，?又称“离?子磨削”。
等离?子［体］刻蚀 plasma etching
钻蚀 undercutting
剥离技术 lift-off technology，?又称“浮脱?工艺”。
终点监测 endpoint monitoring
?金金属化 metallization
互连 interconnection
多层?金金属化 multilevel metallization
电迁徙 electromigration
回流 re?ow
磷硅玻璃 phosphorosilicate glass
硼磷硅玻璃 boron-phosphorosilicate glass
钝化?工艺 passivation technology
多层介质钝化 multilayer dielectric passivation
划?片 scribing
电?子束切?片 electron beam slicing
烧结 sintering
印压 indentation
热压焊 thermocompression bonding
热超声焊 thermosonic bonding
冷焊 cold welding
点焊 spot welding
球焊 ball bonding
楔焊 wedge bonding
内引线焊接 inner lead bonding
外引线焊接 outer lead bonding
梁梁式引线 beam lead
装架?工艺 mounting technology
附着 adhesion
封装 packaging
?金金属封装 metallic packaging
陶瓷封装 ceramic packaging
扁平封装 ?at packaging
塑封 plastic package
玻璃封装 glass packaging
微封装 micropackaging，?又称“微组装”。
管壳 package
管芯 die
引线键合 lead bonding
引线框式键合 lead frame bonding
带式?自动键合 tape automated bonding, TAB 激光键合 laser bonding
超声键合 ultrasonic bonding 红外键合 infrared bonding
微电?子辞典?大集合
（按?首字?母顺序排序）
A
Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主
Acceptor atom 受主原?子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区
Active component 有源元 Active device 有源器?件 Activation 激活
Activation energy 激活能 Active region 有源（放?大）区 Admittance 导纳
Allowed band 允带
Alloy-junction device
合?金金结器?件 Aluminum(Aluminium) 铝
Aluminum – oxide 铝氧化物
Aluminum passivation 铝钝化
Ambipolar 双极的
Ambient temperature 环境温度
Amorphous ?无定形的，?非晶体的
Ampli?er 功放扩?音器?放?大器?
Analogue(Analog) comparator 模拟?比较器? Angstrom 埃 Anneal 退?火
Anisotropic 各向异性的
Anode 阳极
Arsenic (AS) 砷
Auger 俄歇
Auger process 俄歇过程
Avalanche 雪崩
Avalanche breakdown 雪崩击穿
Avalanche excitation雪崩激发
B
Background carrier 本底载流?子
Background doping 本底掺杂
Backward 反向
Backward bias 反向偏置
Ballasting resistor 整流电阻
Ball bond 球形键合
Band 能带
Band gap 能带间隙
Barrier 势垒
Barrier layer 势垒层
Barrier width 势垒宽度
Base 基极
Base contact 基区接触
Base stretching 基区扩展效应
Base transit time 基区渡越时间
Base transport ef?ciency基区输运系数
Base-width modulation基区宽度调制
Basis vector 基?矢
Bias 偏置
Bilateral switch 双向开关
Binary code ?二进制代码
Binary compound semiconductor ?二元化合物半导体 Bipolar 双极性的
Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 Bloch 布洛洛赫
Blocking band 阻挡能带
Blocking contact 阻挡接触
Body - centered 体?心?立?方
Body-centred cubic structure 体?立?心结构 Boltzmann 波尔兹曼
Bond 键、键合
Bonding electron 价电?子
Bonding pad 键合点
Bootstrap circuit ?自举电路路
Bootstrapped emitter follower ?自举射极跟随器?
Boron 硼
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电?子 Breadboard 模拟板、实验板 Break down 击穿
Break over 转折
Brillouin 布?里里渊
Brillouin zone 布?里里渊区
Built-in 内建的
Build-in electric ?eld 内建电场 Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 Bulk generation 体产?生
Bulk recombination 体复合
Burn - in ?老老化
Burn out 烧毁
Buried channel 埋沟
Buried diffusion region 隐埋扩散区 C
Can 外壳
Capacitance 电容
Capture cross section 俘获截?面 Capture carrier 俘获载流?子 Carrier 载流?子、载波
Carry bit 进位位
Carry-in bit 进位输?入
Carry-out bit 进位输出
Cascade 级联
Case 管壳
Cathode 阴极
Center 中?心
Ceramic 陶瓷（的）
Channel 沟道
Channel breakdown 沟道击穿
Channel current 沟道电流
Channel doping 沟道掺杂
Channel shortening 沟道缩短
Channel width 沟道宽度
Characteristic impedance 特征阻抗
Charge 电荷、充电
Charge-compensation effects 电荷补偿效应
Charge conservation 电荷守恒
Charge neutrality condition 电中性条件
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 Chemmical etching 化学腐蚀法
Chemically-Polish 化学抛光
Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯?片
Chip yield 芯?片成品率
Clamped 箝位
Clamping diode 箝位?二极管
Cleavage plane 解理理?面
Clock rate 时钟频率
Clock generator 时钟发?生器?
Clock ?ip-?op 时钟触发器?
Close-packed structure 密堆积结构
Close-loop gain 闭环增益
Collector 集电极
Collision 碰撞
Compensated OP-AMP 补偿运放
Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏漏/源连接
Common-mode gain 共模增益
Common-mode input 共模输?入
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制?比
Compatibility 兼容性
Compensation 补偿
Compensated impurities 补偿杂质
Compensated semiconductor 补偿半导体
Complementary Darlington circuit 互补达林林顿电路路
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
互补?金金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementary error function 余误差函数
Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制 造
Compound Semiconductor 化合物半导体
Conductance 电导
Conduction band (edge) 导带(底)
Conduction level/state 导带态
Conductor 导体
Conductivity 电导率
Con?guration 组态
Conlomb 库仑
Conpled Con?guration Devices 结构组态
Constants 物理理常数
Constant energy surface 等能?面
Constant-source diffusion恒定源扩散
Contact 接触
Contamination 治污
Continuity equation 连续性?方程
Contact hole 接触孔
Contact potential 接触电势
Continuity condition 连续性条件
Contra doping 反掺杂
Controlled 受控的
Converter 转换器?
Conveyer 传输器?
Copper interconnection system 铜互连系统
Couping 耦合
Covalent 共阶的
Crossover 跨交
Critical 临界的
Crossunder 穿交
Crucible坩埚
Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶?面/晶向/晶 格
Current density 电流密度
Curvature 曲率
Cut off 截?止
Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 Current Sense 电流取样
Curvature 弯曲
Custom integrated circuit 定制集成电路路
Cylindrical 柱?面的
Czochralshicrystal 直?立单晶
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） D
Dangling bonds 悬挂键
Dark current 暗电流
Dead time 空载时间
Debye length 德拜?长度
De.broglie 德布洛洛意
Decderate 减速
Decibel (dB) 分?贝
Decode 译码
Deep acceptor level 深受主能级
Deep donor level 深施主能级
Deep impurity level 深度杂质能级
Deep trap 深陷阱
Defeat 缺陷
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度
Degradation 退化
Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄?氏/开?氏温度
Delay 延迟 Density 密度
Density of states 态密度
Depletion 耗尽
Depletion approximation 耗尽近似
Depletion contact 耗尽接触
Depletion depth 耗尽深度
Depletion effect 耗尽效应
Depletion layer 耗尽层
Depletion MOS 耗尽MOS
Depletion region 耗尽区
Deposited ?lm 淀积薄膜
Deposition process 淀积?工艺
Design rules 设计规则
Die 芯?片（复数dice）
Diode ?二极管
Dielectric 介电的
Dielectric isolation 介质隔离
Difference-mode input 差模输?入
Differential ampli?er 差分放?大器?
Differential capacitance 微分电容
Diffused junction 扩散结
Diffusion 扩散
Diffusion coef?cient 扩散系数
Diffusion constant 扩散常数
Diffusivity 扩散率
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 Digital circuit 数字电路路
Dipole domain 偶极畴
Dipole layer 偶极层
Direct-coupling 直接耦合
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁
Discharge 放电
Discrete component 分?立元件 Dissipation 耗散
Distribution 分布
Distributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 Displacement 位移 Dislocation 位错 Domain 畴 Donor 施主
Donor exhaustion 施主耗尽
Dopant 掺杂剂
Doped semiconductor 掺杂半导体
Doping concentration 掺杂浓度
Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. Drift 漂移 Drift ?eld 漂移电场
Drift mobility 迁移率
Dry etching ?干法腐蚀
Dry/wet oxidation ?干/湿法氧化
Dose 剂量量
Duty cycle ?工作周期
Dual-in-line package （DIP）双列列直插式封装 Dynamics 动态
Dynamic characteristics 动态属性
Dynamic impedance 动态阻抗
E
Early effect 厄利利效应
Early failure 早期失效
Effective mass 有效质量量
Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系
Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) ?一次性电可擦除只读存储器? Electrode 电极
Electrominggratim 电迁移
Electron af?nity 电?子亲和势
Electronic -grade 电?子能
Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电?子束曝光
Electron gas 电?子?气
Electron-grade water 电?子级纯?水
Electron trapping center 电?子俘获中?心
Electron Volt (eV) 电?子伏
Electrostatic 静电的
Element 元素/元件/配件
Elemental semiconductor 元素半导体
Ellipse 椭圆
Ellipsoid 椭球
Emitter 发射极
Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑
Emitter-coupled pair 发射极耦合对
Emitter follower 射随器?
Empty band 空带
Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应 Endurance test =life test 寿命测试
Energy state 能态
Energy momentum diagram 能量量-动量量(E-K)图 Enhancement mode 增强型模式
Enhancement MOS 增强性
MOS Ente?c (低)共溶的
Environmental test 环境测试
Epitaxial 外延的
Epitaxial layer 外延层
Epitaxial slice 外延?片
Expitaxy 外延
Equivalent curcuit 等效电路路
Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流?子 Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器? Error function complement 余误差函数
Etch 刻蚀
Etchant 刻蚀剂
Etching mask 抗蚀剂掩模
Excess carrier 过剩载流?子
Excitation energy 激发能
Excited state 激发态
Exciton 激?子
Extrapolation 外推法
Extrinsic ?非本征的
Extrinsic semiconductor 杂质半导体
F
Face - centered ?面?心?立?方
Fall time 下降时间
Fan-in 扇?入
Fan-out 扇出
Fast recovery 快恢复
Fast surface states 快界?面态
Feedback 反馈
Fermi level 费?米能级
Fermi-Dirac Distribution 费?米-狄拉克分布 Femi potential 费?米势
Fick equation 菲克?方程（扩散）
Field effect transistor 场效应晶体管
Field oxide 场氧化层
Filled band 满带
Film 薄膜
Flash memory 闪烁存储器?
Flat band 平带
Flat pack 扁平封装
Flicker noise 闪烁（变）噪声
Flip-?op toggle 触发器?翻转
Floating gate 浮栅
Fluoride etch 氟化氢刻蚀
Forbidden band 禁带
Forward bias 正向偏置
Forward blocking /conducting正向阻断/导通
Frequency deviation noise频率漂移噪声 Frequency response 频率响应 Function 函数
G
Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾 Gamy ray r 射线
Gate ?门、栅、控制极
Gate oxide 栅氧化层
Gauss（ian）?高斯
Gaussian distribution pro?le ?高斯掺杂分布Generation-recombination 产?生-复合 Geometries ?几何尺?寸
Germanium(Ge) 锗
Graded 缓变的
Graded (gradual) channel 缓变沟道 Graded junction 缓变结
Grain 晶粒
Gradient 梯度
Grown junction ?生?长结
Guard ring 保护环
Gummel-Poom model 葛谋-潘模型 Gunn - effect 狄?氏效应
H
Hardened device 辐射加固器?件
Heat of formation 形成热
Heat sink 散热器?、热沉
Heavy/light hole band 重/轻空?穴带
Heavy saturation 重掺杂
Hell - effect 霍尔效应
Heterojunction 异质结
Heterojunction structure 异质结结构
Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体 High ?eld property ?高场特性
High-performance MOS.( H-MOS)?高性能
MOS. Hormalized 归?一化
Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器?
Hot carrior 热载流?子
Hybrid integration 混合集成
I
Image - force 镜象?力力
Impact ionization 碰撞电离
Impedance 阻抗
Imperfect structure 不不完整结构
Implantation dose 注?入剂量量
Implanted ion 注?入离?子
Impurity 杂质
Impurity scattering 杂志散射
Incremental resistance 电阻增量量（微分电阻）
In-contact mask 接触式掩模
Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物
Induced channel 感应沟道
Infrared 红外的
Injection 注?入
Input offset voltage 输?入失调电压 Insulator 绝缘体
Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅
FET Integrated injection logic集成注?入逻辑 Integration 集成、积分 Interconnection 互连 Interconnection time delay 互连延时 Interdigitated structure 交互式结构 Interface 界?面
Interference ?干涉
International system of unions国际单位制 Internally scattering ?谷间散射 Interpolation 内插法
Intrinsic 本征的
Intrinsic semiconductor 本征半导体 Inverse operation 反向?工作
Inversion 反型
Inverter 倒相器?
Ion 离?子
Ion beam 离?子束
Ion etching 离?子刻蚀
Ion implantation 离?子注?入
Ionization 电离
Ionization energy 电离能
半导体行业的英文单词和术语
半导体行业的英文单词和术语 A 安全地线safe ground wire 安全特性security feature 安装线hook-up wire 按半周进行的多周期控制multicycle controlled by half-cycle 按键电话机push-button telephone set 按需分配多地址demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务demand telecommunication service 按组编码encode by group B 八木天线Yagi antenna 白噪声white Gaussian noise 白噪声发生器white noise generator 半波偶极子halfwave dipole 半导体存储器semiconductor memory 半导体集成电路semiconductor integrated circuit 半双工操作semi-duplex operation 半字节Nib 包络负反馈peak envelop negative feed-back 包络延时失真envelop delay distortion 薄膜thin film 薄膜混合集成电路thin film hybrid integrated circuit 保护比（射频）protection ratio (RF) 保护时段guard period 保密通信secure communication 报头header 报文分组packet 报文优先等级message priority 报讯alarm 备用工作方式spare mode 背景躁声background noise 倍频frequency multiplication 倍频程actave 倍频程滤波器octave filter 被呼地址修改通知called address modified notification 被呼用户优先priority for called subscriber 本地PLMN local PLMN 本地交换机local exchange 本地移动用户身份local mobile station identity ( LMSI) 本地震荡器local oscillator
半导体行业专业词汇
半导体行业专业词汇 . acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
半导体专业术语英语..
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
半导体名词解释
1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低 200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um ->
0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？ 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？ 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而 光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）. 10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何？ 答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。 ②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。 11. 为何需要zero layer? 答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。 12. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义? 答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。 13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分？ 答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。 ②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation） 14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份? 答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)
半导体一些术语的中英文对照
离子注入机 ion implanter LSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。 沟道效应 channeling effect 射程分布 range distribution 深度分布 depth distribution 投影射程 projected range 阻止距离 stopping distance 阻止本领 stopping power 标准阻止截面 standard stopping cross section 退火 annealing 激活能 activation energy 等温退火 isothermal annealing 激光退火 laser annealing 应力感生缺陷 stress-induced defect 择优取向 preferred orientation
制版工艺 mask-making technology 图形畸变 pattern distortion 初缩 first minification 精缩 final minification 母版 master mask 铬版 chromium plate 干版 dry plate 乳胶版 emulsion plate 透明版 see-through plate 高分辨率版 high resolution plate, HRP 超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization 掩模 mask 掩模对准 mask alignment 对准精度 alignment precision 光刻胶 photoresist 又称“光致抗蚀剂”。 负性光刻胶 negative photoresist
半导体常用英语词汇-
MFG 常用英文单字 Semiconductor半导体 导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小，决定了电子的移动速度。 导体：金、银、铜、铁、人、水……导电系数大，传导容易 绝缘体：塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不容易 半导体：硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆：原意为法国的松饼，饼干上有格子状的饰纹，与FAB内生产的芯片图形类似。 Lot 批；一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。 ID Identification的缩写。用以辨识各个独立的个体，就像公司内每一个人有自己的识别证。 Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号，叫Wafer ID。 Lot ID 每一批芯片有自己的批号，叫Lot ID。 Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号，叫Part ID。 WIP Work In Process，在制品。从芯片投入到芯片产品，FAB内各站积存了相当数量的芯片，统称为FAB内的WIP 。 一整个制程又可细分为数百个Stage和Step，每一个Stage所堆积的芯片， 称为Stage WIP。 Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。 Super Hot Run的优先级为1，视为等级最高，必要时，当Lot在 上一站加工时，本站便要空着机台等待Super Hot Run。 Hot Run的优先级为2，紧急程度比Super Hot Run次一级。 Normal的优先级为3，视为正常的等级，按正常的派货原则，或 视常班向生产指令而定。 Cycle time 生产周期，FAB Cycle Time 定义为：从芯片投入到芯片产生的这一段时间。 Stage Cycle Time：Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截止。Spec. 规格Specification的缩写。产品在机台加工过程中，每一站均设定规格。 机台加工后，产品或控片经由量测机台量测，该产品加工后，是否在规格 内。若超出规格﹝Out of SPEC﹞，必须通知组长将产品Hold，并同时通知 制程工程师前来处理，必要时机台要停工，重新monitor，确定量测规格， 藉以提升制程能力。 SPC Statistics Process Control统计制程管制；透过统计的手法，搜集分析资料，然后调整机台参数设备改善机台状况或请让机台再处理每一批产品时，都
半导体术语
Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device 合金结器件Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum –oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 B Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒
半导体行业专业术语
半导体行业专业术语.txt都是一个山的狐狸，你跟我讲什么聊斋，站在离你最近的地方，眺望你对别人的微笑，即使心是百般的疼痛只为把你的一举一动尽收眼底．刺眼的白色，让我明白什么是纯粹的伤害。悬赏太少了吧~嘎嘎不过尽管如此还是分享下俺的资料（有19800个字，这里发不下，如果还需要就给我小消息~~~）：） 移动通讯词汇（中英） A 安全地线 safe ground wire 安全特性 security feature 安装线 hook-up wire 按半周进行的多周期控制 multicycle controlled by half-cycle 按键电话机 push-button telephone set 按需分配多地址 demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务 demand telecommunication service 按组编码 encode by group B 八木天线 Yagi antenna 白噪声 white Gaussian noise 白噪声发生器 white noise generator 半波偶极子 halfwave dipole 半导体存储器 semiconductor memory 半导体集成电路 semiconductor integrated circuit 半双工操作 semi-duplex operation 半字节 Nib 包络负反馈 peak envelop negative feed-back 包络延时失真 envelop delay distortion 薄膜 thin film 薄膜混合集成电路 thin film hybrid integrated circuit 保护比（射频） protection ratio (RF) 保护时段 guard period 保密通信 secure communication 报头 header 报文分组 packet 报文优先等级 message priority 报讯 alarm 备用工作方式 spare mode 背景躁声 background noise 倍频 frequency multiplication 倍频程 actave 倍频程滤波器 octave filter 被呼地址修改通知 called address modified notification
半导体词汇汇总
半导体词汇 半导体词汇 1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 39. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。 40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬
半导体专业术语英语讲解学习
半导体专业术语英语
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
半导体用语
半导体用语
————————————————————————————————作者: ————————————————————————————————日期： ?
Silicｏniｎgot 硅锭 Wafer晶片 Mirror ｗａｆer 镜面晶圆 Pattｅｒ晶圆片 ＦAＢ：fabrication 制造 Fabricａtiｏn Facｉlｉty 制造wafer生产工厂 Pｒobe ｔｅsｔ探针测试 Probe ｃａrd探针板 Contact连接 ProbｅTｉp 探头端部 Ｃhｉｐ Funｃtion 功能 ＥPM:Elｅcｔrical Pａrametｅr Mｏｎitorinｇ Sｕmmａry总结 R&D:Rｅsearｃｈaｎd Developmｅｎｔ研究和开发MCP:Ｍulｔi Ｃhｉp Paｃkage 多芯片封装 POP:Pａcｋage on Pacｋａge e-MMC:ｅmｂedｄｅd Multi Medｉa cａｒd 嵌入式多媒体卡WＬP：Wafer Ｌevel Pａcｋage 晶圆级封装 ＳDP 一层 DDP 两层 QDP 四层
OＤＰ八层 Pad ouｔ BacｋGrｉｎd背研磨 WafeｒGｒinｄBack Ｇrind 磨片 Oｖerｖｉew 概述 TPM：Tｏｔal Prｏfit Ｍａnageｍent ＳＫTPM Operatiｏn 操作 Eｒase 消除 Ｋey Pａra.：Keｙｐaｒameter 关键参数 Cｙcｌing 写入次数、循环次数 Reｔenｔion 保留时间 Non-V olaｔｉｌe meｍｏry Ｖolａtile meｍｏry Reａｄ读 Wｒiｔe写 Reｆｒesh 更新 Spｅed速度、速率、转速 Resｔoｒe 修复、恢复 Electrｉｃal Signal 电信号 WＦBI:ＷafeｒBurn-In ＰT1H:Prｏbe Teｓｔ１HoｔＴｅｓt PＴ１C:Proｂe Ｔest 1 CｏlｄTｅst
半导体名词解释
1.何谓PIE PIE的主要工作是什幺？ 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2.200mm，300mm Wafer 代表何意义？ 答：8寸硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12寸. 3.目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4.我们为何需要300mm？ 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低 200→300 面积增加倍,芯片数目约增加倍 5. 所谓的 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6.从>>>> 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从 -> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7.一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer？ 答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？ 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9.一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？ 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而
半导体物理--专业术语英汉对照-复习版
1 acceptor 受主 2 allowed energy band允带 3 binary semiconductor 二元半导体 4 charge neutrality condition 电中性条件 5 compensated semiconductor 补偿半导体 6 conduction band and valence band 导带和价带 7 effective mass 有效质量 8 density of states function状态密度函数 9 diamond structure金刚石结构 10 diffusion coefficient扩散系数 11 donor施主 12 drift velocity 漂移速度 13 electron and hole电子和空穴 14 elemental semiconductor 元素半导体 15 equilibrium carrier concentration热平衡载流子浓度 16 expitaxy外延 17 extrinsic semiconductor非本征半导体 18 Fermi energy (or level)费米能级 19 Forbidden energy band禁带 20 indirect bandbap semiconductor非直接带隙半导体 21 intrinsic semiconductor本征半导体 22 majority carrier多数载流子 23 MBE分子束外延 24 Miller indices密勒指数 25 minority carrier少数载流子 26 mobility迁移率 27 MOCVD金属有机气相沉积 28 nondegenerate semiconductor非简并半导体 29 n-type material n型材料 30 Pauli exclusion principle 泡利不相容原理 31 phonon声子 32 photon光子 33 primitive cell原胞 34 quantum state量子态 35 quaternary semiconductor四元半导体 36 scattering散射 37 substrate衬底 38 thermal motion热运动 39 unit cell单胞 40 wave-particle duality波粒二相性 41 continuity equations连续性方程 42 diffusion length扩散长度 43 diffusion coefficient扩散系数 44 Einstein relationship爱因斯坦关系 45 p-n junction p-n结 46 built-in voltage 内建电势差 47 carrier lifetime 载流子寿命 48 space charge region 空间电荷区 49 depletion width 耗尽宽度 50 saturation drift velocity 饱和迁移速度
电气的专业术语 英文
电气的专业术语英文（一） 11. interfere with 有害于。。。 12. indicating needle仪表指针 13. hazardous 危险的 14. pivot 支点 15. terminal 端子 16. spiral 螺旋形的 17. spring 弹簧 18. shunt 分流，分路，并联，旁路 19. rectifier 整流器 20. electrodynamometer 电测力计 21. strive for 争取 22. vane 机器的叶，叶片 23. strip 条，带，(跨接)片 24. crude 不精细的，粗略的 25. polarity 极性 26. fuse 保险丝，熔丝 27. rugged 坚固的 28. depict 描绘，描写 29. cartridge 盒式保险丝 30. blow (保险丝)烧断
31. plug fuse 插头式保险丝 32. malfunction 故障 33. deenergize 不给… 通电 34. insulation 绝缘 35. generator 发电机 36. magneto 磁发电机 37. humidity 湿度 38. moisture 潮湿湿气 39. abbreviate 缩写，缩写为 40. transformer 变压器 41. thumb 检查，查阅 42. milliammeter 毫安表 43. multimeter 万用表 44. dynamometer 测力计，功率计 45. aluminum 铝 46. deteriorate 使….恶化 47. eddy current 涡流 48. gear 齿轮，传动装置 49. dial 刻度盘 50. semiconductor 半导体 51. squirrel 鼠笼式
半导体英文词汇
1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。 2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5. 允许浓度1000PPM。 3 ADI 显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之。 4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。 5 AIR SHOWER 空气洗尘室进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。 6 ALIGNMENT 对准 1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2. 目的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。 7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。 8 AL/SI 铝/硅靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用
半导体材料英文缩略语
[材料科学] 半导体材料英文缩略语 材料科学2008-03-24 16:18:46 阅读37 评论0 字号：大中小订阅 援引：MEMC Electronic Materials, Inc. A . -- Angstrom A-defects -- Dislocation loops in Silicon formed by agglomeration of interstitials AA -- Atomic absorption AE -- Acid Etch AFM -- Atomic Force Microscopy ALCVD -- Atomic Layer Chemical Vapor Deposition AMC -- Barrel or batch type Epi reactor (Applied Materials) APCVD -- Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Furnace ASIC -- Application Specific Integrated Circuit ASM -- a single-chamber Epi reactor (ASM America) ASTM -- American Standard Test Method ASTM -- American Society for Testing and Materials B BESOI -- Bonded and Etch Back SOI BGSOI -- Bonded and Grind Back SOI BJT -- Bipolar Junction Transistor BMD -- Bulk Micro-Defects or Bulk Microdefect Density (used almost exclusively as a measure of the oxygen precipitate density) BOE -- Buffered Oxide Etch BOX -- Buried Oxide Layer
#半导体术语
半导体术语 离?子注?入机 ion implanter LSS理理论 Lindhand Scharff and Schiott theory，?又称“林林汉德-斯卡夫-斯?高特理理论”。沟道效应 channeling effect 射程分布 range distribution 深度分布 depth distribution 投影射程 projected range 阻?止距离 stopping distance 阻?止本领 stopping power 标准阻?止截?面 standard stopping cross section 退?火 annealing 激活能 activation energy 等温退?火 isothermal annealing 激光退?火 laser annealing 应?力力感?生缺陷 stress-induced defect 择优取向 preferred orientation 制版?工艺 mask-making technology 图形畸变 pattern distortion 初缩 ?rst mini?cation 精缩 ?nal mini?cation ?母版 master mask 铬版 chromium plate ?干版 dry plate 乳胶版 emulsion plate 透明版 see-through plate ?高分辨率版 high resolution plate, HRP
超微粒?干版 plate for ultra-microminiaturization 掩模 mask 掩模对准 mask alignment 对准精度 alignment precision 光刻胶 photoresist，?又称“光致抗蚀剂”。 负性光刻胶 negative photoresist 正性光刻胶 positive photoresist ?无机光刻胶 inorganic resist 多层光刻胶 multilevel resist 电?子束光刻胶 electron beam resist X射线光刻胶 X-ray resist 刷洗 scrubbing 甩胶 spinning 涂胶 photoresist coating 后烘 postbaking 光刻 photolithography X射线光刻 X-ray lithography 电?子束光刻 electron beam lithography 离?子束光刻 ion beam lithography 深紫外光刻 deep-UV lithography 光刻机 mask aligner 投影光刻机 projection mask aligner 曝光 exposure 接触式曝光法 contact exposure method 接近式曝光法 proximity exposure method 光学投影曝光法 optical projection exposure method 电?子束曝光系统 electron beam exposure system