电光调制基础
光电子技术(电光调制的物理基础)

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前言——历史回顾6
1917年,Albert Einstein提出了受激辐射的概念,预示了激光的存在。 1960年,第一台激光器诞生。 1962年,第一台半导体激光器出现。 20世纪60年代, “光电线”出现了,这就是光学纤维(简称光纤)。 1966年,高锟等人预言了SiO2光纤作为通信传输介质的可行性; 1967年,人们首次进行了相干光通信实验,并于1974年又一次使用气体激光器在自由空间做 了相同的实验,但传输距离都很短,大气干扰。 1970年,是光纤通信取得重要进展的一年,美国康宁公司制造出了第一根低损耗光导纤维。 光纤的损耗降到了20dB/km,半导体激光器的寿命也到达了一千小时以上。 1976年,英国哈德福郡的赫清与斯蒂夫尼奇之间铺设了一条光缆,这个光纤系统能同时提供 1920条电话通路。 1976-1977年,光纤损耗降低到4dB/km,半导体激光器的寿命达到106小时,各种通信系统 出现; 1977年,美国在芝加哥市建立了一条光纤市话中继线路。光纤的抗拉强度大,能达到 7.2×108帕,它的弯曲直径为1.6毫米。 1979-1980年,光纤通信系统投入市话网的局间线路使用,第一代光纤通信系统投入使用。
3
4
前言——历史回顾2
公元前200年左右,古希腊的Poybios发明了一种传输
系统,不仅可以传递一些固定信息,还可以传递字母。 每分钟大约传输8个字母。而现代通信系统的传输速率 为每秒几个G(109)字节。
1 2 3 4
1 2 α δ β ε γ ω δ η
3 4 λ π μ ρ ν σ ξ τ
5
前言——历史回顾3
17世纪初的一天,荷兰密特尔堡镇一家眼
光电子技术王俊波电光调制.ppt

L (c / n)
激光通过长度为L的晶体所需时间。
对电光调制器来说,总是希望获得高的调制效率及满足要求的 调制带宽。
前面对电光调制的分析,均认为调制信号频率远远低于光波频
率(也就是调制信号波长远远大于光波波长),并且入远大于晶体的
长度L,因而在光波通过晶体L的渡越时间 d
L (c / n)
内,调制信号
由此可见,输出的调制光中含有高次诣波分量,使 调制光发生畸变。为了获得线性调制,必须将高次
2019/10/15 共29页 9
UP
DOWN
BACK
谐波控制在允许的范围内。设基频波和高次谐波的幅 值分别为I1和I2n+1, 则高次谐波与基频波成分的比值为
(3.2-33)
若取 =1rad, 则J1 (1)=0.44, J3(1)=0.02, 所以I3 /I 1
UP
DOWN
BACK
其一,除了施加信号电压之外,再附加一个 Vλ/4 的固定偏压, 但会增加电路的复杂性,且工作点的稳定性也差。
其二,在光路上插入一个1/4波片(3.2-5图)其快慢轴与晶体 主轴x成45o 角,使E x’和E y’二分量间产生 /2 的固定相位差。 (3.2-30)式中的总相位差
UP
DOWN
BACK
1.外电路对调制带宽的限制
调制带宽:调制信号占据的频带的宽度。
调制信号频率高时大部分电压降在电源内阻上,致使晶体无法 工作。若要调制信号在较高频状况下工作时(实现阻抗匹配必须在 晶体两端并联一电感和分流电阻)其频带宽度就要受到约束:
当调制频率与谐振频率相同时电压全降在晶体上。
于是,通过两块晶体之后的总相位差
(3.2-37) 因此,若两块晶体的尺寸、性能及受外界影响完全相同,则自 然双折射的影响即可得到补偿。
第3讲-调制及电光调制.ppt

AcJ0(m)c osc(tc)
Ac Jn(m) c osc(nm)tc (1)nc o(sc nm)tc
n1
8
可见,在单频正弦波调制时,其角度调制波的频谱是由光载频与
第三章 激光调制技术
3.1 调制的基本概念
3.1.1 振幅调制 3.1.2 频率调制和相位调制━━调频和调相 3.1.3 强度调制 3.1.4 脉冲调制 3.1.5 脉冲编码调制(一般了解)
3.2 电光调制
3.2.1 电光调制的物理基础 3.2.2 电光强度调制 3.2.3 电光相位调制 3.2.4 电光调制器的电学性能 3.2.5 设计电光调制器应考虑的问题
s isn i n 1 2 c o s ) c ( o s )(c o cs o 1 2 s c o s ) c ( o s )
可得:e(t)AcJ0(m)c osc(tc)J1(m)c os(c m)tc J1(m)c os(c m)tc J2(m)c os(c 2m)t c J2(m)c os(c 2m)tc
这种将信息加载于激光的过程称之为调制
完成这一过程的装置称为
x(t)
调制器。其中激光称为载
波;起控制作用的低频信
息称为调制信号。
t
解调:调制的反过程,即
把调制信号还原成原来的
信息。
2
激光光波的电场强度是: ec(t)A ccocts (c)
其中 Ac 振幅 c 角频率c 相位角
因激光具有振幅、率、相位、强度等参量,如使其中某一参 量按调制信号的规律变化,则激光受到信号的调制,达到运载 信息的目的。
利用 c o )s c(c oo s ss isn i三n 角公式展开,得:
e(t)A cc o cts(c)c o m ssi (n m t)
电光调制原理

电光调制原理电光调制是一种利用电场调制光的强度的技术,它在光通信、光传感和光调制器件等领域有着广泛的应用。
电光调制原理是指利用外加电场对光的折射率进行调制,从而改变光的传播性质。
电光调制器件是实现电光调制原理的关键组成部分,其性能直接影响了整个系统的工作效果。
本文将从电光调制原理的基本概念、工作原理和应用领域等方面进行介绍。
电光调制原理的基本概念。
电光调制原理是利用外加电场改变介质的折射率,从而改变光的传播性质。
在电光调制器件中,通过外加电场使介质的折射率发生变化,进而改变光的相位和强度。
一般来说,电光调制器件采用的是电光效应,即在外加电场的作用下,介质的折射率会发生变化。
这种原理使得光信号能够被电信号控制,从而实现光信号的调制。
电光调制原理的工作原理。
电光调制器件一般采用的是电光效应,其中最常见的是Kerr效应和Pockels效应。
Kerr效应是指在介质中加入电场后,介质的折射率与电场的平方成正比而改变,这种效应通常用于强光的调制。
Pockels效应是指在晶体中加入电场后,晶体的折射率与电场成线性关系而改变,这种效应通常用于弱光的调制。
通过这些电光效应,可以实现对光信号的调制,从而实现光通信、光传感等应用。
电光调制原理的应用领域。
电光调制原理在光通信、光传感和光调制器件等领域有着广泛的应用。
在光通信中,电光调制器件可以实现光信号的调制和解调,从而实现光通信系统中的信号传输和处理。
在光传感中,电光调制原理可以实现对光信号的调制,从而实现对光信号的探测和测量。
在光调制器件中,电光调制原理可以实现对光信号的调制,从而实现光调制器件的功能。
总结。
电光调制原理是利用外加电场对光的折射率进行调制,从而改变光的传播性质。
电光调制器件是实现电光调制原理的关键组成部分,其性能直接影响了整个系统的工作效果。
电光调制原理在光通信、光传感和光调制器件等领域有着广泛的应用,可以实现光信号的调制和解调,光信号的探测和测量,以及光调制器件的功能。
第3讲_调制及电光调制[1]
![第3讲_调制及电光调制[1]](https://img.taocdn.com/s3/m/8250d363b84ae45c3b358c56.png)
3.2 电光调制 电光调制的物理基础是电光效应,即某些晶体在外加电场 的作用下,其折射率将发生变化,当光波通过此介质时,其传 输特性就受到影响而改变。 可做成光调制器件、光偏转器件和电光滤波器件。 3.2.1 电光调制的物理基础 光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约,而 折射率的分布又与其介电常量(电容率)密切相关。晶体折射率 可用施加电场E的幂级数表示,即 n n0 E bE 2 或写成
c c c
2
c
c
m
c
ma Ac cos( c m )t c 2 式中,ma Am Ac 称为调幅系数。可见调幅波的频谱是由三
个频率成分组成的,其中,第一项是载频分量,第二、三项 是因调制而产生的新分量,称为边频分量 。 调 A
ma Ac 2
c
ma Ac 2
幅
波
n 1
sin(m sin m t ) 2 J 2 n 1 (m) sin(2n 1) m t
知道了调制系数m,就可得各阶贝塞尔函数的值。 将以上两式代入利用三角函数关系式:
sin sin 1 cos( ) cos( ) 2
cos cos 1 cos( ) cos( ) 2
e(t ) Ac cos( c t c ) cos(m sin m t ) sin( c t c ) sin(m sin m t )
将式中 cos(m sin m t )和 sin(m sin m t ) 两项按贝塞尔函数展开:
cos(m sin mt ) J 0 ( m) 2 J 2 n ( m) cos(2nmt ) n1
电光调制

为实现线性调制,可引入固定的π /2相位延迟,使调制器 的电压偏置在T=50%的工作点上(B点)
17
电光调制的基本原理及公式推导-强度调制
改变工作点的常用方法 1 在调制晶体上除了施加信号电压之外,再附加一个半波电压,但此法增 加了电路的复杂性,而且工作点的稳定性也差。 2 在调制器的光路上插入一个1/4波片,使其快慢轴与晶体主轴x成45角, 从而使 Ex’和Ey’二分量间产生π /2的固定相位差。
n1 n2 n0, n3 ne KDP为四方晶系,负单轴晶体, 电光张量为
KDP晶体独立的电光系数只有 41和 63
4
电光调制的基本原理及公式推导
KDP的纵向运用
外加电场的方向平行于Z轴,即
折射率椭球方程为
Ex Ey 0
x2 y 2 z 2 2 2 2 63 xyEz 1 2 n0 n0 ne
2 2
调制器的透过率为
15
I out 2 2 V T sin ( ) sin Ii 2 2 V
电光调制的基本原理及公式推导-强度调制
强度调制图
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电光调制的基本原理及公式推导-强度调制
调制器的透过 率与外加电压 呈非线性关系 若调制器工作 在非线性电压 部分,调制光 将发生畸变
Z m 1/ c(1/ CC0 )1/ 2
式中:c为真空中的光速 C为电极每单位长度的电容 C0为用空气代替所有波导材料的电极每单位长度电容。 要获得好的特性阻抗就要减小电极和波导材料的电容。
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电光调制器的技术参数
调制器在微波系统里是一个负载,它有自己的特性阻抗,通常 微波输入端的匹配阻抗是50Ω ,如果两者不相等,即阻抗不匹 配,会在调制器电极的输入端引起微波反射,驱动功率并不能 完全进入调制器。微波驱动功率与进入调制器的功率之间的关 系是 2
光电子技术 电光调制

本章内容: §3.1光束调制原理 §3.3 声光调制 §3.5 直接调制
§3.2 电光调制 §3.4 磁光调制 §3.6 光束扫描技术
本章要求: 1 了解光调制的一般概念. 2 掌握各种调制与扫描的原理与特点.(重点与难
点)
§3.2电光调制
一、电光强度调制 利用纵向电光效应和横向电光效应均可实现电光强 度调制。
2
m
2
si n m t )
1 [1 sin( sin t)]
2
m
m
(3 19)
§3.2电光调制
T
sin2
4
m
2
si n m t
1
cos(
2
m
2
si n m t )
1 [1 sin( sin t)]
2
m
m
(3 19)
可证(P79), 若
m
Vm V
1rad
(3 - 22)
(3-19)式可表示成线性关系:
1 纵向电光调制器及其工作原理
x
P1
Ii
z
y
x y
L
起偏器
~
/4波片
V
图3-4 纵向电光强度调制
P2
调制光 Io
检偏器
§3.2电光调制
x
P1
Ii
z y
L
x y
起偏器
~
/4波片
V
设通过起偏器P1后的偏振光振幅为Ex
刚进入晶体(z=0)被分解为沿x和y
方向的两个分量,其振幅和相位都相
同,分别为:
Ex (0)
L
调制光
~V
3.2 电光调制

怎么来的?
3 2 n 63 0
33
一、强度调制
1. 纵向电光调制
V 1 V T sin ( ) [ 1 cos ]
2
2 V
2
V
T (%)
T称为调制器的透过率。从而
可以画出光强调制特性曲线。
0 V
32
一、强度调制
1. 纵向电光调制 在一般情况下,输出的光强和调制电压并不是线性关系-波形失真。
Vm sinωmt 是外加调制信号电压。
27
一、强度调制
把
V m sin t sin t m m m 2 V 2
1. 纵向电光调制
代入到调制的透过率中
T
I 2 1 m T sin ( sin t ) [ 1 sin( sin t )] m m m I 42 2 i
利用贝塞尔函数恒等式展开
I 2 sin ( ) Ii 2
1 cos 2 x 2 sin x 2
sin( sin t ) 2 J ( ) sin ( 2 n 1 ) t m m 2 n m 1 m
n 1
26
一、强度调制
1. 纵向电光调制 得
《光电子技术》
Photoelectronic Technique
电光调制 周自刚
本讲主要内容
纵向电光调制
一、强度调制
横向电光调制
二、相位调制
40
电光调制的物理基础是电光效应,即某些晶体在外加电场的作用 下,其折射率将发生变化,当光波通过此介质时,其传输特性就受 到影响而改变,这种现象称为电光效应。 泡克耳斯效应(Pockels):平面偏振光沿着处 在外电场内的压电晶体的光轴传播时发生双折射现 象,且两个主折射率之差与外电场强度成正比的电 1. 纵向电光调制 将出射光强与入射光强相比,得:
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电光调制• 基础EOM (Electrooptic Modulator )将信息加载于激光的过程称之为调制,完成这一过程的装置称为调制器,激光称为载波,起控制作用的低频信息称为调制信号。
电光在激光器外的光路中进行调制,为外调制。
(内调制:加载调制信号在激光振荡过程中进行,调制信号改变激光器的震荡参数,从而改变激光输出。
激光谐振腔内放置元件。
)• 分类调幅、调频、调相、强度调制1. 振幅调制使载波的振幅随调制信号而变化,简称调幅。
produces an output signal that has twice the bandwidth of the original baseband signal.激光载波的电场强度为:0000()cos()E t A t ωφ=+ 调制信号()m m co a t A s t ω=A m 和m ω分别是调制信号的振幅和角频率。
调制之后,激光振幅0A 与调制信号成正比。
其调幅波的表达式为:000000000000()[1cos ]cos()()cos()cos[()cos[]]()22a a am m m t t m m t A A E t A m E t A t t ωωφωφωωφωωφ=+=-+++++++ 0/m a m A A =为调幅系数。
调幅波的频谱三个频率成分:第一项是载频分量,二、三项是因调制而产生的新分量,为边频分量。
PS:Single-sideband modulationArefinement of amplitude modulation uses transmitter power and bandwidth more efficiently.Single -sideband modulation avoids the bandwidth doubling and takes advantage of the fact that the entire original signal is encoded in either one of these sidebands.00()()cos( 2)()sin(2)()ssb s t s t t s t t f f quadrature amplitude modulation ππ=- 单边带调制最常用的是滤波法是分双边带信号形成和无用边带抑制两步完成的。
双边带信号由平衡调制器形成。
由于调制器的平衡作用,载频电平被抑制到很低。
无用边带的抑制,是由紧跟在平衡调制器后面的边带滤波器完成的。
边带滤波器是一带通滤波器,若下边带为无用边带,则恰当地选择其中心频率和通带宽度,让上边带信号通过而抑制下边带。
当需要形成多路独立边带信号时,就需要有相应数目的单边带信号产生器,它们具有不同的载频和不同中心频率的边带滤波器。
然后把这些占有不同频段的单边带信号线性相加,便可得到多路独立边带信号。
0m0m2. 频率调制(FM )和相位调制(PM )光载波的频率或相位随着调制信号的变化规律而改变。
两种调制波都表现为总相角()t φ的变化,统称角度调制。
将瞬时频率(瞬时相位)在原有基础上新增随调制信号线性变化的频率(相位)分量。
角度调制相比幅度调制抗干扰能力强、载波功率利用系数高、占有频带宽。
单频正弦波调制时,其角度调制波的频谱是由光载频与在它两边对称分布的无穷多对边频所组成的。
边频间的频率间隔是m ω,幅度的大小()n J m 由贝塞尔函数决定。
3. 强度调制光载波的强度(光强)随调制信号变化。
激光调制通常多采用强度调制形式,因为接收器(探测器)一般直接地响应其所接收的光强度变化。
激光的光强:222000()()cos ()I t e t A t ωφ==+强度调制的光强表达式可写为 : 22000()[1()]cos ()2p A I t k a t t φω=++p k 为比例系数。
设调制信号是单频余弦波()cos()m m a t A t ω=将其代入上式, 并令p m p k A m = (称为强度调制系数)22()[1cos ]cos ()2c p m c c A I t m t t ωωϕ=++4. 脉冲调制以上调制得到的调制波都是连续振荡的波,称为模拟式调制。
不连续状态下进行调制的脉冲调制和数字式调制(也称为脉冲编码调制)。
它们一般是先进行电调制(模拟脉冲调制或数字脉冲调制),再对光载波进行光强度调制。
脉冲调制是用一种间歇的周期性脉冲序列作为载波,这种载波的某一参量按调制信号规律变化的调制方法。
1. 先用模拟调制信号对电脉冲序列的某参量(幅度、宽度、频率、位置等)进行电调制;(按调制信号规律变化,成为已调脉冲序列)2. 然后再用这已调电脉冲序列对光载波进行强度调制,就可以得到相应变化的光脉冲序列。
周期脉冲序列载波• 电光效应晶体中在某一方向上加调制电压(外加电场),晶体折射率发生相应改变。
而在双折射作用下,导致光场通过该介质后传输特性发生改变。
线性电光效应 1. 折射率椭球通式有6个分量2222222221234561111112221x y z yz xz xy n n n n n n ⎛⎫⎛⎫⎛⎫⎛⎫⎛⎫⎛⎫+++++= ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭ 当晶体加上电场E 后折射率各分量都有一个附加折射率变化,考虑E 为线性关系31122332111~6ij j i i i j i E E E E i n γγγγ=⎛⎫∆==++= ⎪⎝⎭∑ij γ---电光系数,有18个分量,矩阵表示111213212223313233414243515253616263ij γγγγγγγγγγγγγγγγγγγ⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎡⎤=⎢⎥⎣⎦⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦2. KDP 晶体——复四方偏三角面体41526300γγγ=≠≠31415263000000000000000ij j j x y z E E E E γγγγ=⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎡⎤⎢⎥⎢⎥=⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦∑ 222632221o e z x y E z y n n x γ+++=222222''''''1x y z x y z n n n ++= 2'2'632063022'2121111x y z e z z E n E n n n n n γγ===+-232121d d dn n n n n -=-='3'6363'322zy o o o z x o ez n n n E n n n E n n γγ===+-电致折射率变化。
3. 电光相位延迟()33''63632222y x o z o n n L n E L n V πππϕγγλλλπϕλ∆=-===半波电压:光程差()''y x n n L -为半个波长(相位差为π):/230632n V πλγ=4. 偏振态 相位延迟:一线偏光,垂直''x y -平面入射,分解为相互垂直的'x 、'y 两个偏振分量:3'0006330'000631':exp{[}':exp{[}()21()2x z y z x E A i E c y E A i E c t n n L t n n L ωωγωωγ=-=--+3063c z n E cωγϕ∆=输出:2222'''22'22112cos sin 2y x y x E E E A A E A A ϕϕ+-∆=∆1. 0''tan 2y x n V E E ϕπθ=∆=由线偏转为线偏2. 22''/421221(2)12y x E E n V A A πϕπ∆=++=12A A =为圆偏光 3. /2''(21ta ()n )y x V E n E πϕπθ∆==-+由线偏转为线偏偏振旋转2θ5. 电光强度调制产生相位差''exp()x y E AE A i ϕ=-∆=在y方向上的分量之和1)]y i E ϕ-∆-=(偏振引起!) 输出光强:*222sin ()2y y I E A E ϕ=∆∝ 输入输出1x 2x 3x 电压x '¼玻片 1x '2慢轴x '起偏器P 11()x 检偏器P 21()⊥x 2透射率22()sin ()2sin 2i V T I I V πϕπ∆===在T=0.5调制线性不失真m ϕ∆需要在4π附近震荡,则ϕ∆需要在2π左右震荡。
总相位差:2sin m m t πϕϕω∆=+∆m m VV πϕπ∆=为相应于外加调制信号电压m V 的相位差。
2210()si 1sin sin [1sin(n 4()si )n[(2]2211)]2m m m m i n m m n I t t T J n t I πϕωϕωϕω∞+===+∆=++∆=+∆∑为避免高阶谐波产生畸变,应满足1rad mm V V πϕπ∆≤= 强度调制器主要以Mach-Zehnder 干涉式强度调制器。
6. 电光相位调制偏振器的偏振轴平行于晶体的感应主轴,则入射光线不分解到两个轴上,即外加电场只改变相位不改变偏振态。
''030063cos[1()s 2in ]x x in o outo o m m n c cos t E t LE A A E n n t L c ωϕωωωγω=-==∆-∆-0透过率/%调制电压。