BZT52C3V0S贴片稳压二极管SOD-323
BZT52C3V3S
IZT (mA)
5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 2 2
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总机：025-52188228 技术支持：025-84712971 客服：400-888-5058 传真：025-84710486 电邮：Tech@
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2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
3. f = 1kHz.
Unit V
mW ℃/W
℃
B,Aug,2012
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
Electrical Characteristics(Ta = 25℃ unless otherwise specified )
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稳压二极管bzt52c参数
稳压二极管BZT52C参数1. 引言稳压二极管（Zener Diode）是一种特殊的PN结二极管，主要用于电源稳压和电压参考。
BZT52C是一种常见的稳压二极管型号，本文将对其参数进行详细介绍。
2. BZT52C概述BZT52C是一种表面贴装稳压二极管，采用玻璃封装。
它具有快速响应、可靠性高、功耗低等特点，广泛应用于电子设备中。
3. 参数说明3.1 额定功率额定功率是指在规定条件下，稳压二极管能够持续工作的最大功率。
对于BZT52C系列而言，其额定功率通常为0.5W。
3.2 额定电流额定电流是指在规定条件下，稳压二极管能够承受的最大电流。
对于BZT52C系列而言，其额定电流通常为200mA。
3.3 工作温度范围工作温度范围指的是稳压二极管能够正常工作的温度范围。
对于BZT52C系列而言，其工作温度范围通常为-65°C至+150°C。
3.4 稳定电压稳定电压是指稳压二极管在正向工作时，其两端的电压保持相对恒定的值。
对于BZT52C系列而言，其稳定电压通常为3.3V或5.1V。
3.5 动态电阻动态电阻是指稳压二极管在正向工作时，其两端电压变化一个单位时所引起的电流变化。
对于BZT52C系列而言，其动态电阻通常在5Ω以下。
4. BZT52C应用4.1 电源稳压由于BZT52C具有稳定的特性，可以用作电源稳压元件。
当输入电压波动时，BZT52C能够保持输出电压恒定，有效保护后续电路不受过高或过低的输入电压影响。
4.2 参考电压源由于BZT52C具有固定的稳定电压值，因此可以用作参考电压源。
通过合适的接线和外部元件配合使用，可以实现精确的参考电压输出。
4.3 限流保护BZT52C在正向工作时具有较低的电阻，可以起到限流保护的作用。
当电路中出现过流时，BZT52C会自动调整其两端的电压，从而限制电流的大小。
5. BZT52C选型建议5.1 根据稳定电压需求选择型号根据实际应用需求，选择合适的BZT52C型号。
BZT52C2V0T和BZT52C36T表面挂载正电极胶囊晶体管商品说明书
Features∙ Small, Low Profile Surface Mount Package∙ Flat Lead Package Design for Low Profile and High Power Dissipation∙ Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ∙ Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ∙ Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability ∙ PPAP Capable (Note 4)Mechanical Data∙ Case: SOD523∙ Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 ∙ Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 ∙ Terminal Connections: Cathode Band∙ Terminals: Finish - Matte Tin Annealed over Alloy 42 Leadframe.∙Weight: 0.001 grams (Approximate)Ordering Information (Note 5)*For (Type Number), please see the Electrical Characteristics Table. Example: 6.2V Zener = BZT52C6V2T-7.Notes: 1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. 2. See /quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Hal ogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free. 3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds. 4. Automotive products are AEC-Q101 qualified and are PPAP capable. Automotive, AEC-Q101 and standard products are electrically and thermallythe same, except where specified. For more information, please refer to https:///quality/product-compliance-definitions/.5. For packaging details, go to our website at https:///design/support/packaging/diodes-packaging/.6. Dispensed in every other cavity of the tape.Marking InformationTop ViewXX = Product Type Marking Code(See Electrical Characteristics Table)x x SOD523XXMaximum Ratings(@T A = +25°C, unless otherwise specified.)Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.Thermal Characteristics(@T = +25°C, unless otherwise specified.)Notes: 7. Part mounted on FR-4 PC board, single-sided, 2oz. copper with pad area 1.92mm2.8. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.0.150.30P,POWERDISSIPATION(W)DT, AMBIENT TEMPERATURE (C)Fig. 1 Power Derating CurveA°0.457I,ZENERCURRENT(mA)ZV, ZENER VOLTAGE (V)Fig. 2 Typical Zener Breakdown CharacteristicsZI,ZENERCURRENT(mA)ZV, ZENER VOLTAGE (V)Fig. 3 Typical Zener Breakdown CharacteristicsZC,TOTALCAPACITANCE(pF)T1001V, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)Fig. 4 Typical T otal Capacitance vs. Nominal Zener VoltageZPackage Outline DimensionsPlease see /package-outlines.html for the latest version.SOD523Suggested Pad LayoutPlease see /package-outlines.html for the latest version.SOD523c c。
稳压二极管bzt52c参数
稳压二极管bzt52c参数一、稳压二极管BZT52C的基本概念稳压二极管BZT52C是一种半导体器件，具有稳定的电压输出特性。
它主要用于电压稳压、电源保护等电子电路中，以确保电路的正常工作。
BZT52C 是该稳压二极管的型号，代表着其具有特定的电压、电流等参数。
二、稳压二极管BZT52C的参数解析1.静态参数静态参数主要包括额定电压、额定电流、功率等。
这些参数决定了稳压二极管的电压稳定性能和电流承受能力。
例如，BZT52C的额定电压为5.0V，额定电流为100mA，功率为500mW。
2.动态参数动态参数包括开关速度、输出电压纹波等。
这些参数影响稳压二极管的响应速度和输出电压的稳定性。
BZT52C的开关速度较快，能够应对高频开关电源的需求；输出电压纹波较低，有助于提高电路的性能。
3.温度特性温度特性反映了稳压二极管在不同温度下的性能变化。
BZT52C的温度范围为-55℃至150℃，在正常工作范围内，温度对稳压性能的影响较小。
三、BZT52C稳压二极管的应用领域BZT52C稳压二极管广泛应用于各类电子产品，如电源适配器、充电器、通信设备、家电控制电路等。
它可以为电路提供稳定的电压，保护电路免受电压波动的影响，保证设备的正常运行。
四、如何选择合适的BZT52C稳压二极管1.了解需求在选择BZT52C稳压二极管时，首先要了解电路的需求，包括工作电压、工作电流、稳定性要求等。
2.比较参数根据电路需求，挑选具有合适静态参数、动态参数和温度特性的BZT52C 稳压二极管。
注意比较不同品牌、不同型号的参数差异，以确保性能满足要求。
3.考虑品质与价格在满足性能要求的基础上，考虑品质和价格。
选择知名品牌、信誉良好的供应商，以确保产品质量和售后服务。
同时，合理控制成本，选用性价比高的BZT52C稳压二极管。
五、使用BZT52C稳压二极管的注意事项1.焊接时，注意焊接温度和时间，避免损坏稳压二极管。
2.安装时，确保接触良好，避免松动导致性能下降。
稳压二极管bzt52c参数
稳压二极管bzt52c参数（最新版）目录1.稳压二极管的概念与作用2.稳压二极管的特性3.BZT52C5V1S 型号的稳压二极管参数4.稳压二极管的使用方法与注意事项5.稳压二极管在实际应用中的优势正文一、稳压二极管的概念与作用稳压二极管，又称齐纳二极管，是一种利用 PN 结反向击穿状态工作的半导体器件。
稳压二极管的主要作用是提供稳定的电压，以保证电路中其他元件正常工作。
在电路中，稳压二极管可以作为稳压器或电压基准元件使用。
二、稳压二极管的特性稳压二极管具有以下特性：1.击穿电压：稳压二极管有一个临界反向击穿电压，当电压超过这个值时，二极管将进入击穿状态。
2.陡特性：在击穿电压范围内，稳压二极管的电压基本保持不变，即使电流变化很大。
3.温度稳定性：稳压二极管的击穿电压和陡特性受温度影响较小。
三、BZT52C5V1S 型号的稳压二极管参数BZT52C5V1S 是一款常见的稳压二极管型号，其参数如下：1.击穿电压：5V2.额定电流：50mA3.动态电阻：100MΩ4.静态电阻：500MΩ5.漏电流：小于 1nA四、稳压二极管的使用方法与注意事项1.稳压二极管应在直流电路中使用，不能直接用于交流电路。
2.稳压二极管的击穿电压应根据电路需求选择，以保证其在工作状态下具有稳定的电压。
3.稳压二极管在电路中可串联使用，以获得更高的稳定电压。
4.稳压二极管在使用过程中，应注意其最大电流和额定功率，避免超过其承受范围。
五、稳压二极管在实际应用中的优势1.结构简单：稳压二极管结构简单，制作工艺成熟，使用方便。
2.稳定性高：稳压二极管具有较高的电压和电流稳定性，可提供可靠的电压参考。
3.耐压能力强：稳压二极管具有较强的耐压能力，可保护电路免受电压波动的影响。
稳压二极管bzt52c参数
稳压二极管BZT52C参数引言稳压二极管是一种常见的电子元件，用于稳定电压并限制电压波动。
BZT52C是一种常见的稳压二极管型号，本文将对其参数进行全面详细地介绍。
BZT52C概述BZT52C是一种低功耗表面贴装稳压二极管。
它采用了硅材料制造，具有快速响应和高稳定性的特点。
该二极管适用于各种电子设备，如电源、稳压器、逆变器等。
参数一：额定反向电压（Vr）BZT52C的额定反向电压是指二极管能够承受的最大反向电压。
对于BZT52C，其额定反向电压一般为5V。
当反向电压超过额定值时，二极管会发生击穿，可能导致损坏。
参数二：额定电流（If）BZT52C的额定电流是指二极管在正向导通时的最大电流。
对于BZT52C，其额定电流一般为200mA。
当正向电流超过额定值时，二极管可能会过热，导致损坏。
参数三：导通电压（Vf）BZT52C的导通电压是指二极管在正向导通时的电压降。
对于BZT52C，其导通电压一般为0.7V。
当正向电压超过导通电压时，二极管开始导通。
参数四：温度系数（TC）BZT52C的温度系数是指二极管在不同温度下反向电压的变化率。
对于BZT52C，其温度系数一般为-2mV/℃。
温度系数越小，二极管的稳定性越好。
参数五：封装类型BZT52C有多种封装类型可供选择，常见的封装类型有SOD-123、SOD-323、SOT-23等。
不同封装类型适用于不同的应用场景，用户可以根据自己的需求选择合适的封装类型。
参数六：工作温度范围BZT52C的工作温度范围是指二极管能够正常工作的温度范围。
对于BZT52C，其工作温度范围一般为-55℃至+150℃。
超出工作温度范围的温度可能导致二极管性能下降或损坏。
参数七：功耗BZT52C的功耗是指二极管在正常工作时消耗的功率。
功耗可以通过正向电流和导通电压计算得出。
对于BZT52C，其功耗一般较低，适用于低功耗应用。
参数八：响应时间BZT52C的响应时间是指二极管从关闭到完全导通所需的时间。
二极管 sod323封装 引脚定义
二极管 sod323封装引脚定义文章标题：深度解析二极管SOD323封装的引脚定义在电子领域中，二极管是一种重要的电子元件，常用于整流、开关和放大等功能。
SOD323封装作为一种常见的封装类型，其引脚定义对于二极管的性能和应用具有重要影响。
本文将深入解析二极管SOD323封装的引脚定义，旨在帮助读者更全面地理解这一领域的知识。
一、SOD323封装介绍SOD323封装是一种表面贴装型的封装结构，其尺寸小巧、安装方便，在现代电子设备中得到了广泛应用。
SOD323封装通常应用于低功率、低电压的二极管元件，具有较好的导热性能和耐压性能。
二、SOD323封装的引脚定义SOD323封装通常具有三个引脚，其中包括两个极性引脚和一个中间引脚。
在具体的封装规范中，这些引脚通常被标记为1、2和3，其具体定义如下：1. 引脚1：阳极（Anode），用于连接二极管的阳极，一般为正向电压端。
2. 引脚2：阴极（Cathode），用于连接二极管的阴极，一般为负向3. 引脚3：标识引脚（Identification），用于标识二极管的型号和相关信息。
三、SOD323封装引脚定义的应用在实际电路设计中，正确理解和应用SOD323封装的引脚定义对于保证二极管元件的正常工作至关重要。
在进行电路布局时，需要保证引脚1与阳极连接、引脚2与阴极连接，并正确连接到相应的电源电路中。
在焊接过程中需要注意引脚的方向，并严格按照封装规范进行布局，以避免因引脚连接错误导致的不良影响。
四、对SOD323封装引脚定义的个人理解作为一名电子工程师，我个人对SOD323封装引脚定义有着深刻的理解。
在实际应用中，正确的引脚连接和布局对于保证电路的稳定性、可靠性和性能具有至关重要的作用。
我建议在实际操作中需要对SOD323封装引脚定义进行认真学习和理解，以确保电路设计和制造的质量和稳定性。
五、总结与回顾通过本文的深度解析，我们对SOD323封装的引脚定义有了全面而深入的理解。
长电开关二极管SOD-323封装规格书
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAV16WS/1N4148WS FAST SWITCHING DIODEFEATURESMARKING: T6, T4Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T a =25℃Parameter SymbolLimitUnitNon-Repetitive Peak R everse V oltage V RM 100 V Peak Repetitive Peak R everse V oltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRM V RWM V R100 VRMS Reverse Voltage V R(RMS) 71 VForward Continuous Current I FM 300mA Average Rectified Output Current I O 150 mA Peak F orward S urge C urrent @t =1.0μs@t =1.0s I FSM2.0 1.0APower DissipationPd 200 mW Thermal Resistance Junction to AmbientR θJA625 ℃/WJunction T emperature T j 150 Storage T emperatureT STG -55~+150℃ Electrical Ratings @T a =25℃ParameterSymbol MinTypMaxUnit Conditions V F1 0.715V I F =1mA V F2 0.855VI F =10mA V F3 1.0 V I F =50mA Forward voltageV F4 1.25 VI F =150mAI R1 1 μA V R =75V Reverse currentI R2 25 nA V R =20V Capacitance between terminals C T2 pF V R =0V,f=1MHz Reverse r ecovery t imet rr4 ns I F =I R =10mA Irr=0.1XI R ,R L =100ΩSOD-323℃2550751001251500.010.111010051015200.81.01.2Reverse CharacteristicsAMBIENT TEMPERATURE T a ()℃1N4148WSTypical CharacteristicsF O R W A R D C U R R E N T I F (m A )REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes1N4448WS FAST SWITCHING DIODEFEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High ConductanceMARKING: T5Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T a =25℃Parameter SymbolLimitUnitNon-Repetitive Peak R everse V oltage V RM 100 V Peak Repetitive Peak R everse V oltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRM V RWM V R75 VRMS Reverse Voltage V R(RMS) 53VForward Continuous Current I FM 500 mAAverage Rectified Output Current I O 250 mA Peak F orward S urge C urrent @t =1.0μs @t =1.0s I FSM4.0 1.5APower DissipationPd 200 mW Thermal Resistance Junction to AmbientR θJA 625 ℃/WStorage T emperature T STG -55~+150 ℃Electrical Ratings @T a =25℃ParameterSymbol MinTypMaxUnitConditionsReverse b reakdown v oltage V (BR)75 V I R =10μA V F1 0.62 0.72 VI F =5mA V F2 0.855VI F =10mA V F3 1.0 V I F =100mA Forward voltageV F4 1.25 VI F =150mAI R1 2.5 μA V R =75V Reverse currentI R2 25 nA V R =20V Capacitance between terminals C T4 pF V R =0V,f=1MHzReverse r ecovery t imet rr4 ns I F =I R =10mA0.60.81.01.21.41.60.1110100REVERSE VOLTAGE V R (V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )AMBIENT TEMPERATURE T a ()℃0.3330300F O R W A R D C U R R E N T I F (m A )1N4448WSTypical CharacteristicsJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes1SS355 FAST SWITCHING DIODEFEATURES1) Small surface mounting type 2) High speed3) High reliability with high surge current handling capabilityMARKING: AMaximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃Parameter SymbolLimitUnitNon-repetitive peak reverse voltage V RM 90 VDC blocking voltage V R 80 V Peak forword currentI FM 225 mAAverage rectified output current I O 100mA Surge current (@t=1s) I surge 500 mA Junction temperature Tj 150 ℃ Storage temperatureT STG -55~+150 ℃Electrical Ratings @T a =25℃ParameterSymbol MinTypMaxUnitConditions Forward voltage V F1.2 V I F =100mA Reverse currentI R0.1 µA V R =80VCapacitance between terminalsC T3 pF V R =0.5V,f=1MHz Reverse r ecovery t ime t rr4 ns I F =10mA ,V R =6V,R L =100Ω2550751001251500.010.111010051015200.81.01.2AMBIENT TEMPERATURE Ta ()℃ 1SS355Typical CharacteristicsF O R W A R D C U R R E N T I F (m A )REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )A,Jun,2012JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAS16WX HIGH-SPEED SWITCHING DIODEFEATURES z Fast Switching Speedz For General Purpose Switching Applications z High ConductanceMARKING: T4MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted )Symbol Parameter Value Unit V RM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 85VV RRM V RWM Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage 75 VV R(RMS)RMS Reverse Voltage 53 V I OForward Current100mAP D Power Dissipation 200 mW R θjA Thermal Resistance from Junction to Ambient 625 ℃/W T JJunction Temperature150℃ T stg Storage Temperature-55~+150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T a =25℃ unless otherwise specified)Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max UnitReverse voltageV (BR)I R =10μA 75 VI F =1mA 0.715I F =10mA0.855I F =50mA 1 Forward voltageV FI F =150mA1.25VReverse current I R V R =75V 1 μA Total capacitance C tot V R =0V,f =1MHz 2 pFReverse recovery timet rrI F = I R =10mA, I rr =0.1×I R,R L =100Ω6 nsJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAS316 SWITCHING DIODEFEATURES● Very Small Plastic Package ● High Switching Speed APPLICATIONS● High-Speed Switching in e.g. Surface Mounted CircuitsMARKING: A6·MAXIMUM RATINGS ( T a =25℃ unless otherwise noted )Symbol ParameterValue Unit V RRM Peak Repetitive Reverse Voltage 85 V R DC Blocking Voltage 75 V I O Continuous Forward Current 250 mA P D Power Dissipation250 mW R θJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 500 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stgStorage Temperature-55~+150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta =25℃ unless otherwise specified)ParameterSymbol Test conditionsMin Typ Max Unit Reverse voltage V (BR) I R =100μA 100 V V R =25V 30 nA Reverse currentI RV R =75V 1 μAI F =1mA0.715 I F =10mA 0.855 I F =50mA 1 Forward voltageV FI F =150mA1.25 V Total capacitance C tot V R =0V,f=1MHz 1.5 pF Reverse recovery time t rrI F = I R =10mA, I rr =0.1×I R4nsSOD-3232550751001251500501001502002503000.00.20.40.60.81.01.220406080110100100010000Power Derating CurveP O W E R D I S S I P A T I O N P D (m W )AMBIENT TEMPERATURE T a ()℃BAS316Typical CharacteristicsF O R W A R D C U R R E N T I F (m A )FORWARD VOLTAGE V F (V)R E V E R S E C U R R E N T I R (n A )REVERSE VOLTAGE V R (V)REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAV19WS~BAV21WS SWITCHING DIODEFEATURESz Low Reverse Currentz Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertionz Fast Switching Speedz For General Purpose Switching ApplicationsMARKING:BAV19WS: A8BAV20WS: T2BAV21WS: T3MAXIMUM RATINGS ( T a=25℃unless otherwise noted )Value Symbol ParameterBAV19WS BAV20WS BAV21WSUnit V RM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 120 200 250 VV RRM Peak Repetitive Reverse Voltage V RWM Working Peak Reverse Voltage 100 150 200VV R(RMS)RMS Reverse Voltage 71 106 141 VI O Average Rectified Output Current 200 mAI FSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t=8.3ms 1.7 AP D Power Dissipation 250 mWRΘJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 500 ℃/WT j Junction Temperature 150 ℃T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T a=25℃unless otherwise specified)Parameter Symbol Testconditions MinTyp Max UnitV R=100V BAV19WS0.1V R=150V BAV20WS0.1Reverse current I RV R=200V BAV21WS0.1uAI F=100mA1Forward voltage V FI F=200mA1.25VTotal capacitance C tot V R=0V,f=1MHz5 pF Reverse recovery time t rr I F= I R =30mA, I rr=0.1*I R50 ns25507510012515011010051015200.40.60.81.01.21.4Forward CharacteristicsReverse CharacteristicsAMBIENT TEMPERATURE Ta ()℃400BAV19WSTypical Characteristics303F O R W A R D C U R R E N T I F (m A )REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )B,Sep,2013。
元器件封装sod323与523的区别
元器件封装sod323与523的区别文章标题：揭秘元器件封装SOD323与SOD523的区别一、引言在电子元器件领域，封装是一个至关重要的环节。
不同的封装类型对于元器件的性能和适用范围有着不同的影响。
今天，我们就来探讨一下SOD323和SOD523这两种常见的元器件封装类型，它们之间究竟有何区别和联系。
二、SOD323封装概述1. 什么是SOD323封装SOD323封装是一种表面贴装(SMD)封装形式，属于小尺寸的电子元器件封装之一。
它具有体积小、质量轻、高密度安装等特点，适用于PCB板贴装以及电子设备的微型化和轻量化设计。
2. SOD323封装特点SOD323封装的主要特点包括：- 尺寸小巧：适合轻薄化、小型化电子产品的设计需求。
- 适用性广泛：通常用于二极管、稳压二极管、TVS管等元器件的封装。
- 表面贴装：易于自动化生产，提高生产效率。
3. SOD323封装应用领域SOD323封装广泛应用于移动通信设备、消费类电子产品、医疗电子器件等领域，为这些领域的轻量化、微型化设计提供了可能。
三、SOD523封装概述1. SOD523封装简介SOD523封装也属于SMD封装形式，与SOD323封装相似，但尺寸略大。
它也是一种常见的小尺寸封装形式，在现代电子产品中应用广泛。
2. SOD523封装特点SOD523封装的特点包括：- 与SOD323相比，尺寸适中：在满足一定尺寸要求的情况下，其承载能力更强。
- 适用性广泛：通常用于二极管、稳压二极管、TVS管等元器件的封装，与SOD323在应用范围上有所重叠。
- 表面贴装：便于自动化组装，提高生产效率。
3. SOD523封装应用领域SOD523封装与SOD323类似，广泛应用于移动通信设备、消费类电子产品、医疗电子器件等领域，为这些领域的轻量化、微型化设计提供了可能。
四、SOD323与SOD523的区别与联系1. 尺寸区别SOD323封装的尺寸较小，适合对尺寸要求严格的设计；而SOD523封装的尺寸适中，在满足一定尺寸要求的情况下，其承载能力更强。
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Z字头-贴片稳压二极管标示1 2 3 4 5 6 7 8 9 0A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z贴片元件标示代码表示查询DuQ838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号表示符号实际元件生产厂结构封装类型参数及代换型号Z0 SST310 Tem F SOT23 J310 n-ch jfetZ0 PDZ2.4B Phi I SOD323 2.4V 0.4W zenerZ08 SST308 Sil F SOT23 J308 n-ch jfetZ09 SST309 Sil F SOT23 J309 n-ch jfetZ10 SST310 Sil F SOT23 J310 n-ch jfetZ1 BZX84-C4V7 Phi C SOT23 0.3W zener 4.7VZ1 SSTJ211 Sil F SOT23 J211 n-ch jfetZ1 PDZ2.7B Phi I SOD323 2.7V 0.4W zenerZ1 IMZ1A Roh DE 2SC2414 npn,2SA1037AK pnpZ1 BZV49C4V7 Zet O SOT89 1W ±5% zener 4.7VZ2 BZX84-C5V1 Phi C SOT23 0.3W zener 4.7VZ2 SSTJ212 Sil F SOT23 J212 n-ch jfetZ2 IMZ2A Roh DF 2SC2414 npn,2SA1037AK pnpZ2 PDZ3.0B Phi I SOD323 3.0V 0.4W zenerZ2 BZV49C5V1 Zet O SOT89 1W ±5% zener 5.1VZ2U FMMTA63 Zet N SOT23 MPSA63Z2V FMMTA64 Zet N SOT23 MPSA64Z3 BZX84-C5V6 Phi C SOT23 0.3W zener 5.6VZ3 PDZ3.3B Phi I SOD323 3.3V 0.4W zenerZ3 2SK1078 Tos T SOT89 n-ch mosfet 60V 0.8AZ3 BZV49C5V6 Zet O SOT89 1W ±5% zener 5.6VZ4 BZX84-C6V2 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NS 2N4123ZF 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C12 PH3 SOT-23 MMBT4126 NS 2N4126ZFD 3 SOT-23 BCV26 ZE BC516ZFE 3 SOT-23 BCV46 ZEZFF 3 SOT-23 BCV27 ZE BC517ZFG 3 SOT-23 BCV47 ZEZG 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C13 PH3 SC-59 2SA1182GR TO3 SC-70 2SA1588GR TO3 SOT-23 BCX70RG TFK BC547AZH 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C15 PH 3 SOT-23 BCX70RH TFK BC547BZHK 2 DO-214AC SM2Z5V1 STZHL 2 DO-214AC SM2Z5V6 STZHN 2 DO-214AC SM2Z6V2 STZHQ 2 DO-214AC SM2Z7V5 STZHU 2 DO-214AC SM2Z10 STZHW 2 DO-214AC SM2Z12 STZHZ 2 DO-214AC SM2Z15 STZI 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C16 PH ZJ 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C18 PH 3 SOT-23 BCX70RJ TFK BC547BZJF 2 DO-214AC SM2Z18 STZJG 2 DO-214AC SM2Z20 STZJK 2 DO-214AC SM2Z22 STZJL 2 DO-214AC SM2Z24 STZJN 2 DO-214AC SM2Z27 STZJQ 2 DO-214AC SM2Z30 STZJS 2 DO-214AC SM2Z36 STZJT 2 DO-214AC SM2Z39 STZJV 2 DO-214AC SM2Z47 STZK 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C20 PH 3 SOT-23 BCX70RK TFK BC547C3 SOT-89 2SB1114ZK NEZKM 2 DO-214AC SM2Z68 STZKQ 2 DO-214AC SM2Z100 STZKR 2 DO-214AC SM2Z150 STZKW 2 DO-214AC SM2Z200 STZL 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C22 PH 3 SOT-89 2SB1114ZL NEZL– 3 SOT-23 PDTA123TT PH PDTA123TS ZLp 3 SOT-23 PDTA123TT PH PDTA123TS ZLt 3 SOT-23 PDTA123TT PH PDTA123TS ZLW 3 SOT-23 PDTA123TT PH PDTA123TS ZM 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C24 PH 3 SOT-89 2SB1114ZM NEZM– 3 SOT-23 PDTC123TT PH PDTC123TS ZMp 3 SOT-23 PDTC123TT PH PDTC123TS ZMt 3 SOT-23 PDTC123TT PH PDTC123TS ZMW 3 SOT-23 PDTC123TT PH PDTC123TS ZN 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C27 PH ZO 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C30 PH 3 SC-59 2SA1182O TO3 SC-70 2SA1588O TOZP 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C33 PHZQ 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C36 PH3 SC-59 2PD601AQ PH3 SC-75 2PC4617Q PHZR 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C39 PH3 SC-59 2PD601AR PH3 SC-75 2PC4617R PHZS 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C43 PH3 SC-59 2PD601AS PH3 SC-75 2PC4617S PHZT 2 SOD-110 稳压二极管BZX284-C47 PHZT2222 4 SOT-223 PZT2222 SM 2N2222ZT2222A 4 SOT-223 PZT2222A PH SM 2N2222A ZT2907 4 SOT-223 PZT2907 SM 2N2907ZT2907A 4 SOT-223 PZT2907A PH SM 2N2907A ZT3904 4 SOT-223 PZT3904 PH SM 2N3904ZT3906 4 SOT-223 PZT3906 SM 2N3906ZTA42 4 SOT-223 PZTA42 PH 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BZT52C2V4S-BZT52C39S
ZENER DIODE
Case : Molded plastic body
Terminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity : Polarity symbols marked on case
FEATURES
MECHANICAL DATA
Planar die construction
Ultra-Small surface mount package
Ideally suited for automated assembly processes
STAR SEA
0.9200625-65 to +150
Maximum ratings (Tamb=25C unless otherwise specified)SYMBOLS
UNITS V F P d T J ,T STG
V mW C/W C
Limits PARAMETER
R ΘJA Forward voltage (Note 2) @I F =10mA Power dissipation (Note1)
Thermal resistance, Junction to ambient air (Note1)Operating and storage temperature range
NOTES: 1.Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature. 2.Short duration test pulse used in minimize self-heating effect. 3.f=1KHz.
SOD-323
Dimensions in millimeters and (inches)
【领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@ TA=25C unless otherwise specified)
Note:
1.Valid prvided device terminals are kept at ambient temperatrue
2.Test with pluses, period=5ms,pluse width=300u s.
3.f=1KHz
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BZT52C2V4S-BZT52C39S
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
V Z,ZENER VOLTAGE (V)
FIG. 2-ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
FIG. 1- POWER DERATING CURVE
P d , P O W E R D I S S P A T I O N (m W )
I z , Z E N E R C U R R E N T (m A )
0 100 200
T A, AMBIENT TEMPERATURE( C )500
400
300
200
100
V z , NOMINAL ZENER VOLTAGE(V)
FIG. 4-JUNCTION CAPACITANCE VS NOMINAL
ZENER VOLTAGE
V z , Z E N E R C U R R E N T (m A )
0 10 20 30 40
FIG. 3-ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
C J , J U N C T I O N C A P A C I T A N C E (p F )
0 10 100
1000
100
10
See Note1
V Z,ZENER VOLTAGE (V)
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