模拟电路基础试题

模拟电路基础测试题
一：填空题(每题1分，共15分)
1.PN特性。

2.双极型晶体管(BJT)下降为1时的频率。

3. 某放大器的电压增益A V =倍。

该增益换算成分贝应为
4.当N沟道结型场效应管(JFET)内的沟道预夹断时，V GS 和V DS 。

5. 作负载。

6.
7.
8. 。

9.
10.
11.
12.
13.
14.
15. 当集成放大器内部需要微电流时，采用微电流恒流源要优于采用基本镜像恒流源。

原因之一是：
三：单项选择题（每题1分，共10分）
1. 图1所示硅二极管电路中的v i(t)是振幅等于2v的低频正弦电压。

该电路中，电阻R L上的电压v o(t)的波形应该为( )。

.
.
2. 测得某放大器中一支BJT的三个电极的直流电压为：,+和。

由此可以判断，该管是( )。

A. NPN硅管
B. NPN锗管
C. PNP硅管
D. PNP锗管
3. 在下面关于放大器的四钟说法中，只有( )是肯定正确的。

A. 放大器有功率放大功能
B. 放大器有电压放大功能
C. 放大器有电流放大功能
D. 放大器的增益带宽积为常数
4. FET共漏(CD)放大器与BJT放大器中的（）组态性能相似。

A. CC C. CB
5. 图2是OTL功放原理电路，该电路最大输出功率的理论值为（）W。

.9. .
6. 接上题。

在选择功率管T1和T2时，每管的集电极最大耗散功率P CM必须大于（）W。

A.3.6
B. 1.8
C. .
7. 接5题。

在静态时，OTL功放中与负载串联的电容中的电压应该为( )伏。

A. 1.5a
B. 3
C. 6 a
D. 12
8. 将图3电路中的电阻( )换成电容，电路的功能改变为微分电路。

2
9. 如果用电压比表示用信号流图画出的反馈放大器（图4）的环路传输T,则T=( )。

A. v i/ v f
B. v f / v i
C. v s / v f
D. v f /v s
10. 在下面4种基本放大器组态中，电路( )的小信号范围最小。

A. CE放大器
B. CS放大器
C. CE差动放大器
D. CS差动放大器
11.晶体管特性曲线不能用来( )。

A.判断管子的质量
B. 估算晶体管的一些参数
C.分析放大器的频率特性
D.图解分析放大器的指标
12.通用集成运算放大器内部电路不具有( )的特性。

A.开环增益高
B. 输入电阻大
C.深度负反馈
D.输出电阻小
13.在图3所示运放应用电路中，称为“虚地”的点是（）点。

14.在以下关于深负反馈的论述中，( )是错误的。

A. 深负反馈，放大器增益与晶体管参数几乎无关
B. 深负反馈，放大器不易自激
C. 深负反馈，放大器中频段增益稳定性很高
D. 深负反馈，放大器的通频带展宽
15.差动放大器一端的输入电压Δv=1mV，且差模输入电压等于共模输入电压，则另一端输入电压Δv=( )mV
2
3
一.选择题（60分）
1.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12千欧的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为__。

A:10千欧；
B:2千欧；
C:4千欧；
D:3千欧。

2.某共射放大电路如图8.1.1所示，其中Rb=470千欧，Rc=2千欧，若已知Ic=1mA，
V CE=7V,V BE= ,r be =千欧，ß=50，则说明__.
A:Av=Vo/Vi=V CE/V BE=7/=10;
B:Av=Vo/Vi=-IcRc/V BE=-1*2/=-3;
C:Av=Vo/Vi=-IcRc/IbRi=;
D:Av=Vo/Vi=-ßRc/r be=。

3.为了提高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入__。

A:共射电路；
B:共基电路：
C:共集电路：
D:共集-共基串联电路。

4.在考虑放大电路的频率失真时，若Vi为正弦波，则Vo__。

A:有可能产生相位失真；
B:有可能产生幅度失真和相位失真；
C:一定会产生非线性失真；
D:不会产生非线性失真。

5.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在__
A:开环或正反馈状态；
B:深度负反馈状态；
C:放大状态；
D:线性工作状态。

6.多级负反馈放大电路在下列情况下容易引起自激
A:回路增益|AF|大；
B:反馈系数太小；
C:闭环放大倍数很大；
D:放大器的级数少。

7.某电路有用信号频率为2kHz,可选用___。

A:低通滤波器；
B:高通滤波器；
C:带通滤波器；
D:带阻滤波器。

8.某传感器产生的是电压信号(几乎不能提供电流），经放大后希望输出电压与信号成正比，这放大电路应选__。

A:电流串联负反馈；B:电压并联负反馈；C:电流并联负反馈；D:电压串联负反馈。

正弦波振荡电路如图所示，___。

A:该电路由于无选频网络不能产生正弦波振荡；
B:该电路由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡；
C:该电路由于满足条件能产生正弦波振荡；
D:该电路由于满足条件能产生正弦波振荡；
10.图所示电路出现故障，经测量得知VE=0,Vc=Vcc,故障得可能原因是___。

A:Rc开路；B:Rc短路；C:Re短路；D:Rb1开路。

11.与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放得主要优点是___。

A:不用输出变压器B:不用输出端大电容；C:效率高；
D:无交越失真。

二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。

如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等）
1.在三极管多级放大电路中，已知Av1=20,Av2=-10,Av3=1，总得的电压增益Av=___。

答案：
2.在差动放大电路中,若Vs1=-8mV,Vs2=10mV,则输入差模电压Vsd为___mV。

答案：
3.单相桥式整流电路中,若输出电压V=30V,则输出电压Vo为___V。

答案：
4.如图8.1.4所示电路中,静态时Vo为零.三极管为硅管,VBE=,ß=100,试计算Rc的值为___。

答案：
5.如图8.1.5所示电路中,已知v1=10mV,v2=30mV,求vo=___.
答案：
6.如图8.1.6所示差动放大电路中，调零电位器RP的动端处在中点位置,已知ß1=ß2=50,VBE1=VBE2=, 其他参数如图所示.求静态工作点IB=____。

答案：
7.如图8.1.6所示差动放大电路中，调零电位器RP的动端处在中点位置,已知ß1=ß2=50,VBE1=VBE2=,其他参数如图所示.当Vs1=Vs2=-10mV时,求Vo=___。

答案：
8.在差动放大电路中,若Vs1=-8mV,Vs2=10mV,若差模电压增益Avd=-10,共模电压增益Avd=,则差动放大电路单端输出电压
Vo1=__mV.
答案：
有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的
A:输入电阻大；B:输入电阻小；C:输出电阻大；D:输出电阻小。