大学模拟电路答案第一章
模拟电子技术题库 答案资料
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
模拟电子技术题库答案
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。
2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。
3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。
9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。
10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。
13、结具有单向导电特性。
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。
16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。
18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。
19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。
22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。
2019华南理工模拟电子技术平时作业答案-
教材模拟电子技术基础（第四版）清华大学模拟电子技术课程作业第1章半导体器件1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。
(a)变宽(b)变窄(c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。
(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN结的死区电压(b)正向电压等于零(c)必须加反向电压4电路如图 1所示，设D1，D2均为理想元件，已知输入电压u i=150sintV如图2所示，试画出电压u O的波形。
D1D2++u i/V15040k 40ku Ou I+ +20V 100V t - - - -图1 图2u i/V150100600 tu i/V100600 t 答：5电路如图1所示，设输入信号uI1,uI2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O的波形，并说明t 时间内二极管D，D2的工作状态。
1,t2 1uI1/V D12uI1+ 0t1tD2t2R Lu I2 uO -2u I2/V- 2图10 t-2图2答：u O/V0t1t t2-2t1:D1导通，D2截止t2:D2导通，D1截止第2章基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。
+ U CC+ U CC+ ++ + + ++u o+u i u i u o-- - -(a)(b)+ U CC+ U CC+ ++ ++ ++ +u ou i u ou i----(c) (d)2图示电路，已知晶体管60，UBE0.7V ，R C 2k，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。
(a)480k (b)120k(c)240k(d)360kRC 12VRB + C1C 2 + + + u iu o--3固定偏置放大电路中，晶体管的 β＝50，若将该管调换为 β=80的另外一个晶体管，则该 电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。
2020年智慧树知道网课《模拟电子技术(山东联盟—中国石油大学(华东))》课后章节测试满分答案1
第一章测试1【单选题】(10分)稳压二极管只有工作在()区才能够起稳定电压的作用。
A.不确定B.反向击穿区C.正向导通区D.反向截止区2【单选题】(10分)已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为()。
A.基极B.不确定C.集电极D.发射极3【判断题】(10分)二极管两端加上正向电压就一定会导通。
A.错B.对4【判断题】(10分)PNP管放大电路中，UCC的极性为负，说明发射结反偏，集电结正偏。
A.错B.对5【判断题】(10分)如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM，则该管立刻被击穿。
A.错B.对6【判断题】(10分)晶体管工作在截止区的条件是发射结反偏，集电结反偏。
A.错B.对7【判断题】(10分)二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。
A.对B.错8【判断题】(10分)PN结具有电流放大作用。
A.错B.对9【判断题】(10分)截止状态的三极管，发射结、集电结均加反向偏置电压。
A.对B.错10【判断题】(10分)在P型半导体中，当温度升高时，自由电子浓度会增加，而空穴浓度保持不变。
A.对B.错第二章测试1【单选题】(10分)某多级放大电路由两个参数相同的单级放大电路组成，在组成它的单级放大电路的截止频率处，放大倍数下降了()dB 。
A.B.3C.6D.0.7072【单选题】(10分)某电压放大电路输出端接500Ω负载电阻时输出电压为5V，接1.5kΩ负载电阻时输出电压为7.5V，该放大电路的输出电阻为()Ω。
A.100B.1100C.1000D.5003【单选题】(10分)某运算放大器的开环增益为80dB，上限截止频率为8Hz，把它接成同相比例放大电路后电路的放大倍数为100，则此电路的上限截止频率为()Hz。
A.80B.800C.100D.80004【判断题】(10分)计算多级放大电路的增益时，总增益等于每级电路开路增益的积。
A.对B.错5【单选题】(10分)放大电路的输入电阻越大，从信号源索取的电流就()。
模拟电子技术题库-答案分解
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为，锗二极管的死区电压约为。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_mg ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
模拟电路第一章习题答案
工作在放大区。
题1－13a）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
b）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
工作在截止区。
c）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
工作在放大区。
d）发射结和集电结均正偏，故BJT工作在饱和区。
工作在饱和区。
e）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
工作在截止区。
f）发射结正偏，集电结电压为0，故BJT处于临界饱和状态。
处于临界饱和状态。
g）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
工作在放大区。
h）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
工作在放大区。
大学模电题库模拟电路考试试题10套和答案
、填空（本题共20分，每空1分）：1. _________________________________________________ 整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电 __________________ ;滤波电路的任务是—滤除脉动直流电中的交流成分 ______________________ 。
2. 在PN 结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于 ____________ _载流子的浓度差 而产生的，漂移运动是 ______ 内电场的电场力 —作用下产生的。
3. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 _____ _线性 失真和非线性 失真。
4. 在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容 _________ 的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容 __________ 的影响。
5. _________________________________________________________________ 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是 _稳定静态工作点 _______________________________________________________________________ ;引入交流负反馈的作用是 —稳定增益、抑制非线性失真、—改变输入输岀电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声 __。
6. _______________________________________ 正弦波振荡电路一般由 选频网络 ________________ 、__放大电路 __________ 、正反馈网络 ______________________________________________ 、__稳幅电路 _________ 这四个部分组成。
7. ______________________________________________________________________________________________________ 某多级放大器中各级电压增益为：第一级 25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为 _100 ________________________________ ，总的放大倍数为 __________ 。
模拟电子技术知到章节答案智慧树2023年广州大学
模拟电子技术知到章节测试答案智慧树2023年最新广州大学绪论单元测试1.在电子电路中将信号分为模拟信号和（）。
参考答案:数字信号2.（）是对模拟信号最基本的处理。
参考答案:滤波第一章测试1.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（）参考答案:错2.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）参考答案:对3.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）参考答案:错4.在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
（）参考答案:对5.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
参考答案:变窄6.稳压管的稳压区是其工作在（）。
参考答案:反向击穿7.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
参考答案:前者正偏、后者反偏8.uGS=0V时，能工作在恒压区的场效应管有（）。
参考答案:耗尽型MOS管;结型管第二章测试1.某放大器电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）。
参考答案:4 K2.在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平失真，则这种失真是（）。
参考答案:截止失真3.在典型的稳定静态工作点电路中，稳定Q点采取的主要措施是（）。
参考答案:引入直流负反馈4.在晶体管构成的基本放大电路中，具有电压放大作用的电路是（）。
参考答案:基本共基放大电路;基本共射放大电路5.下面放大电路中，输入、输出电压波形具有反相关系的电路是（）。
参考答案:共射放大电路;共源放大电路6.放大电路的放大倍数是指输出与输入之间的变化量之比，因此它与静态工作点无关。
（）参考答案:错7.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）参考答案:对8.共发射极放大电路产生截止失真的原因是它的静态工作点设置的偏高。
（）参考答案:错9.晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故与电路的静态工作点无关。
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第一章半导体材料及二极管习题类型1．1半导体材料的导电特性；1．2～1.9简单二极管电路的分析、计算；1．10、1．11二极管限幅电路的分析、计算；1．12～1.16稳压二极管电路的分析、计算；1．17、1．18稳压管稳压电路的设计。
1.1 某N型Si材料的施主密度/cm3。
在T=300K和T=550K时Si的本征浓度分别为/cm3和1015/cm3。
计算在这两种温度下的自由电子浓度和空穴浓度，并说明材料导电特性的变化。
解：（1）T=300K，肯定成立/cm3，/cm3。
（2）T=550K，应联立求解和。
将，代入上二方程可得：由上式解出/cm3/cm3。
结论：在T=300K时，，材料呈现杂质导电特性。
在T=550K时，，材料已呈现本征导电特性。
1.2当T＝300K时，Ge和Si二极管的反向饱和电流分别为1μA和0.5pA。
如果将此两个二极管串联连接，有1mA的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：，两管已充分导通，故伏安关系近似为，由此，取mV（T=300K）VV。
题图1.21.3 在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下估算：（1）若反向饱和电流A，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。
（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？（3）若正、反向电压均为0.05V，求正向电流与反向电流比值的绝对值。
解：（1）V=0.1V时，A；V=0.2V时，mA；V=0.3V时，A；（2）按题意由上式解出V（3）1.4二极管的伏安特性可用来表示，设。
如果用一个的干电池正向接在该二极管的两端，试计算将有多大电流通过？电流值是否与实际情况相符？解：计算值，实际上，电流一旦超过允许的最大整流电流，管子就因过热而烧毁。
1.5题图1.5中所有二极管的反向饱和电流均为，求输出电压时相应的输入电压。
题图1.5解：1.6二极管电路如题图1.6所示，判断各图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压。
设二极管的导通压降为0.7V。
(a)(b)(c)(d)题图1.6解：(a)首先将二极管D断开，求二极管两端将承受的电压V D＝－6-(-12)=6V>V D(ON)＝0.7V，二极管D导通V AO＝－6-0.7=－6.7V(b)断开二极管D，二极管两端将承受的电压V D＝－15-(-12)=－3V<V D(ON)＝0.7V，二极管D截止V AO＝－12V(c)两个二极管D1、D2未接入时所承受的电压分别为两个二极管D1、D2接入后，由于，故二极管导通，故二极管截止则(d) 两个二极管D1、D2未接入时所承受的电压分别为两个二极管D1、D2接入后，由于，故二极管截止，故二极管截止则1.7二极管电路如图1.7所示，偏置电流为I，正弦信号与和C串联。
设C足够大，在正弦信号作用下可视为短路。
（1）证明：（2）当T＝300K，，且时，分别计算。
题图1.7解：（1）二极管D的交流电阻，由交流通路可知题图1.7.1（2）当时，1.8二极管电路如题图1.8所示，设二极管的正向导通电压为0.7V，电容和容量足够大，对信号可视为短路，。
(1)试画出直流等效电路和交流等效电路；(2)求输出电压的值。
题图1.8解：（1）直流等效电路图1.8.1由节点方程可知（2）交流等效电路图1.8.2由于，则1.9题图1.9所示电路中，是振幅为10V的低频正弦电压，二极管视为恒压器件（V）。
试画出的波形。
题图1.9解一：二极管在回路中有2V正偏，又D导通电压为0.7V，V时，D导通。
当V时，D截止，。
的波形为题图1.9.1。
题图1.9.1解二：，V时，D导通，。
V时，D截止，。
波形为题图1.9.2。
题图1.9.21.10题图1.10（a）和（b）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压的波形。
题图1.10解：(a)输入正半周时，D1导通，D2截止。
输入负半周时，D2导通，D1截止。
(b)输入正半周时，D1、D3导通，D2、D4截止。
输入负半周时，D2、D4导通，D1、D3截止。
（a）（b）两整流电路波形相同，如题图1.10.1所示。
题图1.10.11.11题图1.11所示的二极管单向限幅电路，已知，二极管视为恒压器件（V）。
试画出的波形。
题图1.11解：当时，D截止，当时，D导通，题图1.11.11.12并联型二极管双限幅电路如题图1.12所示，已知，二极管视为恒压器件（）。
（1）试画出的波形。
（2）试总结:要使上限幅电压为V max和下限幅电压为V min的并联型二极管双限幅电路构成原则以及对输入电压的要求。
题图1.12解：（1）当时，截止，导通，当时，均截止，当时，导通，截止，的波形如题图1.12.1所示。
题图1.12.1（2）构成电路如题图1.12.1所示。
题图1.12.1要求，两电压均可正负。
对的要求：，。
1.13题图1.13为串联型二极管双向限幅电路。
假设D1和D2为理想开关，试分析并画出与的电压关系曲线。
题图1.13解：状态1 D1、D2均截止，此时V，V。
，D2不能截止。
此状态不存在。
状态2：D1导通，D2截止。
此时，V，但要求V，V。
状态3：D1截止，D2导通。
此时V，但要求，V。
状态4：D1、D2均导通。
由状态2、3可知，时D1、D2均导通，故此时。
由上述分析可画出与关系曲线如图1.13.1所示。
题图1.13.11.14题图1.14所示的二极管箝位电路中，设二极管是理想二极管，t=0时，电容两端电压为0,已知其输入信号。
（1）试画出输出电压的波形。
（2）试总结：要使底部电压箝位于V min和顶部电压箝位于V max的原则以及对输入电压的要求。
题图1.14解：（1）设定电压的参考极性如图1.14.1所示题图1.14.1在期间，v i<0，则，二极管D正偏导通，v o=0，电容C被快速充电至。
从开始，，二极管D一直反偏截止，电容C无放电回路，基本保持不变，则当时，v o=0当时，当时，当时，画出v o的波形如题图1.14.2所示。
题图1.14.2可见，v o的波形是v i的波形向上平移V m，v o的负向最大值被箝位在0V。
如果把二极管D 反接，则v o的正向最大值被箝位在0V。
（2）构成电路如题图1.14.3所示。
题图1.14.3底部箝位于的电路，可正可负。
顶部箝位于的电路，可正可负。
对的要求：要求：。
1.15题图1.15所示电路中，低频正弦电压V，Si稳压管V。
试画出稳压管两端的电压的波形。
题图1.15解：V时，击穿，V。
V时，导通，V。
时，截止，。
波形如题图1.15.1.题图1.15.11.16题图1.16所示电路中，已知，和为稳压二极管，其稳定工作电压分别为7V和6V，且具有理想的特性，求输出电压。
题图1.16解：未接入电路时，则，故稳压，故稳压由于，则较先稳压此时故此时稳压，则1.17设硅稳压管和的稳定电压分别为5V和10V，求题图1.17中各电路的输出电压。
已知稳压管的正向压降为0.7V。
(a)(b)(c)(d)题图1.17解：(a)(b)(c)(d)1.18稳压二极管电路如题图 1.18所示，已知稳压管的稳定电压，动态电阻，输入电压的标称值为10V，但有的波动。
(1)当时，试求标称电压下流过稳压管的电流和输出电压。
在输入电压波动时，输出电压的变化量有多大？(2)当时，＝？＝？题图1.18解：（1）由于，故稳压此时题图1.18.1 增量等效电路由增量等效电路可知，（2）由于，故不能稳压此时1.19稳压二极管电路如题图 1.19所示，已知稳压管的。
(1)若，试求允许的变化范围；(2)若，试求允许的变化范围。
题图1.19解：(1)代入上述数值可得：(2)由可得代入上述数值可得：1.20由稳压管2DW12D构成的稳压电路如题图1.20，已知2DW12D的参数为：，，。
输入直流电压变化范围为，负载电阻。
试正确选取限流电阻R的值，并要求开路时不会烧管。
题图1.20解：已知则限流电阻的取值范围代入上述数值可得:1.21设计一稳压管稳压电路，要求其中的直流输入电压由汽车上铅酸电池供电，电压在之间波动。
负载为一移动式9V半导体收音机，当它的音量最大时，需供给的功率为0.5W。
稳压管的主要参数为：稳定电压，稳定电流的范围为，试选择合适的限流电阻R。
解：设计的稳压管稳压电路如题图1.21所示。
题图1.21当音量最大时，负载上电流的最大值及的最小值分别为。