第二章电子技术基础解析
《电子技术基础》第五版高教康华光版部分课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+（A ⊕B ）=AB+AB 解：真值表如下A B A B ⊕ABAB A B ⊕AB +AB0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
电子技术基础(电工Ⅱ)李春茂主编_机械工业出版社_课后习题答案
1-9 有 A、B、C 3 只晶体管，测得各管的有关参数与电流如题表 1-2 所示，试填写表中空白的栏目。
表 1-2 题 1-9 表
电流参数
管号
iE / mA iC / mA iB / μA ICBO / μA ICEO / μA
A
1
0.982
18
2
111
0.982
B
0.4
0.397
3
1
132.3 0.99
目录
第一章 双极型半导体器件∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙1 第二章 基本放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙7 第三章 场效应晶体管放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙18 第四章 多级放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙23 第五章 集成运放电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙33 第七章 直流稳压电源∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙46 第九章 数字电路基础知识∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙51 第十章 组合逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙61 第十一章 时序逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙73 第十二章 脉冲波形的产生和整形∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙90 第十三章 数/模与模/数转换电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙96
《电子技术基础》第五版(数字部分)高教版课后答案
1．1 数字电路与数字信号第一章 数字逻辑习题1.1.2 图形代表的二进制数MSBLSB 0 1 211 12（ms ）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10% 数制1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于 2 （2）127 （4）解：（2）（127）D=27-1=（）B-1=（1111111）B =（177）O=（7F ）H （4）（）D=B=O=H 二进制代码1.4.1 将下列十进制数转换为 8421BCD 码： （1）43 （3） 解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣 ASC Ⅱ码的表示：P28 （1）+ （2）@ （3）yo u (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的 ASC Ⅱ码，然后将二进制码转换为十六进制 数表示。
（1）“+”的 ASC Ⅱ码为 0101011，则（00101011）B=（2B ）H （2）@的 ASC Ⅱ码为 1000000,(01000000)B=(40)H(3)you 的 ASC Ⅱ码为本 1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43 的 ASC Ⅱ码为 0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为 34,33 逻辑函数及其表示方法解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式(3) A⊕B AB AB（A⊕B）=AB+AB解：真值表如下A B A⊕BAB AB A⊕BAB+AB0 0 1 11111111111A (1BC ) ACDCDEA ACDCDEACD CDEACD E2.1.4 用代数法化简下列各式(3) ABC B C)A⋅B A⋅B(A B)(A B)1BAB ABABBABAB(9) ABC DABD BC D ABCBD BC解： ABC DABDBC DABCBD BCB ( ACD )L D ( AC)2(3)(L AB)(C D)2.2.2 已知函数 L（A，B，C，D）的卡诺图如图所示，试写出函数 L 的最简与或表达式解：L( A, B, C, D) BC D BCD B C D ABD2.2.3 用卡诺图化简下列个式（1）ABCD ABCD AB AD ABC3解：ABCD ABCD AB AD ABCABCD ABCD AB CC DDAD B B CCABC D D)()()()()(ABCD ABCD ABC D ABCD ABC D ABC D ABC D（6）L( A, B, C, D ) ∑m解：(0, 2, 4, 6,9,13)∑d(1, 3, 5, 7,11,15)L AD（7）L( A, B, C , D )∑m 解: (0,13,14,15)∑d(1, 2, 3, 9,10,11)L AD AC AB42.2.4 已知逻辑函数L AB BC C A，试用真值表,卡诺图和逻辑图（限用非门和与非门）表示解:1>由逻辑函数写出真值表A11112>由真值表画出卡诺图B1111C1111L1111113>由卡诺图,得逻辑表达式L AB BC AC 用摩根定理将与或化为与非表达式L AB BC AC AB⋅B C⋅AC4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图5第三章习题MOS逻辑门电路3.1.1 根据表题所列的三种逻辑门电路的技术参数，试选择一种最合适工作在高噪声环境下的门电路。
数字电子技术基础第三版第二章答案
第二章逻辑门电路第一节重点与难点一、重点：1．TTL与非门外特性（1）电压传输特性及输入噪声容限：由电压传输特性曲线可以得出与非门的输出信号随输入信号的变化情况，同时还可以得出反映与非门抗干扰能力的参数U on、U off、U NH和U NL。
开门电平U ON是保证输出电平为最高低电平时输入高电平的最小值。
关门电平U OFF 是保证输出电平为最小高电平时，所允许的输入低电平的最大值。
（2）输入特性：描述与非门对信号源的负载效应。
根据输入端电平的高低，与非门呈现出不同的负载效应，当输入端为低电平U IL时，与非门对信号源是灌电流负载，输入低电平电流I IL通常为1～1.4mA。
当输入端为高电平U IH时，与非门对信号源呈现拉电流负载，输入高电平电流I IH通常小于50μA。
（3）输入负载特性：实际应用中，往往遇到在与非门输入端与地或信号源之间接入电阻的情况，电阻的取值不同，将影响相应输入端的电平取值。
当R≤关门电阻R OFF时，相应的输入端相当于输入低电平；当R≥ 开门电阻R ON时，相应的输入端相当于输入高电平。
2．其它类型的TTL门电路（1）集电极开路与非门（OC门）多个TTL与非门输出端不能直接并联使用，实现线与功能。
而集电极开路与非门（OC 门）输出端可以直接相连，实现线与的功能，它与普通的TTL与非门的差别在于用外接电阻代替复合管。
（2）三态门TSL三态门即保持推拉式输出级的优点，又能实现线与功能。
它的输出除了具有一般与非门的两种状态外，还具有高输出阻抗的第三个状态，称为高阻态，又称禁止态。
处于何种状态由使能端控制。
3．CMOS逻辑门电路CMOS反相器和CMOS传输门是CMOS逻辑门电路的最基本单元电路，由此可以构成各种CMOS逻辑电路。
当CMOS反相器处于稳态时，无论输出高电平还是低电平，两管中总有一管导通，一管截止，电源仅向反相器提供nA级电流，功耗非常小。
CMOS器件门限电平U TH近似等于1/2U DD，可获得最大限度的输入端噪声容限U NH和U NL=1/2U DD。
电子技术基础》正式教案
《电子技术基础》正式教案一、教学目标1. 了解电子技术的基本概念、发展和应用。
2. 掌握电子元件的基本原理和特性，包括电阻、电容、电感等。
3. 学习基本的电子电路分析方法，包括串联、并联、混联电路等。
4. 学会使用常用的电子仪器仪表，如万用表、示波器等。
5. 培养学生的实验操作能力和团队协作精神。
二、教学内容第一章：电子技术概述1.1 电子技术的定义和发展1.2 电子技术的应用领域1.3 电子技术的基本电路元素第二章：电子元件2.1 电阻2.2 电容2.3 电感2.4 二极管2.5 晶体管第三章：基本电路分析3.1 串联电路3.2 并联电路3.3 混联电路3.4 电路的功率和能量第四章：常用电子仪器仪表4.1 万用表的使用4.2 示波器的使用4.3 信号发生器和频率计的使用第五章：实验操作与团队协作5.1 电子实验的基本操作5.2 电子实验的安全注意事项5.3 团队协作与沟通技巧三、教学方法1. 讲授法：讲解电子技术的基本概念、原理和分析方法。
2. 实验法：通过实验操作，让学生亲手实践，加深对电子技术的理解和掌握。
3. 案例分析法：分析实际应用中的电子技术案例，提高学生的应用能力。
4. 小组讨论法：鼓励学生相互交流、讨论，培养团队合作精神。
四、教学评价1. 平时成绩：包括课堂表现、作业完成情况等，占总评的30%。
3. 期末考试：包括理论知识、电路分析和实际操作，占总评的40%。
五、教学资源1. 教材：《电子技术基础》正式教案。
2. 实验设备：电阻、电容、电感、二极管、晶体管等元件，万用表、示波器等仪器仪表。
3. 辅助材料：教案、PPT课件、实验指导书等。
六、教学进度安排1. 第一章：2课时2. 第二章：3课时3. 第三章：4课时4. 第四章：3课时5. 第五章：2课时七、教学注意事项1. 注重学生的安全意识和实验操作规范。
2. 鼓励学生提问，及时解答学生疑问。
3. 关注学生的学习进度，适时调整教学难度和节奏。
(完整版)电子技术基础教学大纲
电子技术基础教学大纲电子技术基础是入门性质的技术基础课，它既有自身的理论体系，又有很强的实践性。
本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养分析问题和解决问题的能力，为今后进一步学习、研究、应用电子技术打下基础。
本课程是我院工科电类专业的必修课。
模拟部分教学大纲学时：55 学分:4适用专业：电子类、自控类、计算机类专业（高职高专）先修课程：《大学物理》、《电工技术基础》一、课程内容和基本要求第一章半导体器件1、正确理解PN结的形成及其单向导电作用，熟练掌握二极管、稳压管的外特性和主要参数。
2、正确理解半导体三极管的结构及工作原理，熟练掌握外特性和主要参数。
第二章基本放大电路1、正确理解放大的基本概念，放大电路的主要指标，掌握放大电路的组成特点。
2、掌握放大电路定性分析方法及静态工作点的估算方法。
3、熟练掌握放大电路的等效电路法，会计算静态工作点，能用微变等效电路计算放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻。
4、正确理解放大器失真产生的原因及解决的办法，放大电路频率特性的概念及其频率特性。
5、了解级间耦合放大电路的工作原理及指标的估算，选频放大电路。
第三章场效应管放大电路1、正确理解结型场效应管和绝缘栅场效应管的结构、工作原理，掌握特性曲线和主要参数。
2、确理解场效应管放大电路结构，工作原理。
第四章集成运算放大电器1、熟练掌握集成运算放大器的组成、性能特点和基本单元电路。
2、正确理解差动放大器的组成、工作原理及应用，了解通用型集成运算放大器的主要性能指标。
3、了解集成运放的应用及两种基本电路。
第五章负反馈放大电路1、练掌握反馈的基本概念和分类，会判断反馈放大电路的类型和极性。
2、熟练掌握负反馈的四种组态及其对放大电路性能的影响。
第六章集成运算放大器的应用1、练掌握由集成运放组成线性电路和非线性应用电路的方法和应用知识。
2、练掌握由集成运算放大器组成的比例、加减法和积分运算电路、信号处理电路等的结构及分析方法。
《电子技术基础与技能》张金华主编-第二章
三极管输出特性曲线及测量
2.1.4 三极管的使用常识
一、三极管器件手册查阅 1.三极管型号命名
2.1.4 三极管的使用常识
一、三极管器件手册查阅 2.常用三极管主要参数查阅
1）电流放大系数
（21）共射极交直流电流放大系数
三极管共射接法时，当UUCEC为E 为规规定定值值时时，，集集电电极极直直流流电电流流变I化C 和量基极iC电和流IB
叠加了一个随ui 变化而变化
的交流量，这时电路处于交 流状态或动态工作状态，简 称为动态。电路及波形如图 所示。
2.2.2 静态工作点和放大原理
三、静态工作点对放大电路的影响 观在察放到大的电输路出的波输形入端送入f =1kHz，幅度适当的正弦信号，输出端用示波 器观如察图输所出示电。压波形。实验示意如图所示。
多级放大电路中级与级之间的连接称为耦合，耦合方式就是指连接方式。 常用的耦合方式有阻容、变压器和直接耦合三种。 如表所示。
常用的耦合方式
2.3.1 多极放大电路的耦合方式
一、电压放大倍数
电路如图所示。
前级电压放大倍数为
Au1
U o1 U i1
级联后的总电压放大倍数为
后级电压放大倍数为
Au
Uo Ui
2. 输出电阻
Ri Ri1
多级放大电路的输出级就是电路的最后一级，其作用是推动负载工作。
多级放大电路的输出电阻就是输出级的输出电阻，即
Ro Ron
2.3.1 多级放大电路的耦合方式
2.2.1 共射极基本放大电路
一、电路组成 如图所示。
2.2.1 共发射极基本放大电路
二、元器件的作用
元器件的作用如图所示
元器件的作用
2.2.2 静态工作点和放大原理
电子技术基础(数字)康华光课后答案
（A）
（B）
（C）
（D）
解：对于图题 3.1.12（a）所示的 CMOS 电路，当 EN =0 时， TP2 和TN 2 均导通，
TP1 和 TN1 构成的反相器正常工作，L= A ，当 EN =1 时，TP2 和TN 2 均截止，无论
A 为高电平还是低电平，输出端均为高阻状态，其真值表如表题解 3.1.12 所示， 该电路是低电平使能三态非门，其表示符号如图题解 3.1.12（a）所示。
A
L
00Βιβλιοθήκη 1010
1
0
1
1
高阻
3.1.12（a）
A
L
0
0
0
0
1
1
1
0
高阻
1
1
高阻
3.1.12（b）
EN A
0
0
L 高阻
0
1
高阻
1
0
0
1
1
1
3.1.12（c
A
L
0
0
1
0
1
0
1
0
高阻
1
1
高阻
3.1.12（d）
3.2.2 为什么说 TTL 与非门的输入端在以下四种接法下，都属于逻辑 1：（1）输 入端悬空；（2）输入端接高于 2V 的电源；（3）输入端接同类与非门的输出高电 压 3.6V；（4）输入端接 10kΩ 的电阻到地。 解：（1）参见教材图 3.2.4 电路，当输入端悬空时，T1 管的集电结处于正偏，Vcc 作用于 T1 的集电结和 T2，T3 管的发射结，使 T2，T3 饱和，使 T2 管的集电极 电 位 Vc2=VcEs2+VBE3=0.2+0.7=0.9V ， 而 T4 管 若 要 导 通 VB2=Vc2≥VBE4+VD=0.7+0.7=1.4V，故 T4
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DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-电感器
电感器简称电感，用符号L表示，通常是将绝缘的 导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。 电感器和电容器一样，也是一种储能元件，它能把 电能转变为磁场能，并在磁场中储存能量。
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一、常用电子器件-电感器
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一、常用电子器件-三极管
三极管简称晶体管，在电路中常用“Q”加数字表示，如 Q7表示编号为7的三极管。 晶体管最基本的作用是放大作用，它把电源的能量转换 成信号的能量，从而可以把微弱的电信号变成一定强度 的信号。当晶体管的基极上加一个微小的电流时，在集 电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极 电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极 电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就 是晶体管的放大作用。
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-电容器
由于电容有“通交流，隔直流”的作用，因此在电子电路中用作 耦合、旁路、滤波等。小容量的电容，通常在高频电路中使用，用 于通过交流信号而阻隔直流信号。大容量的电容往往是作滤波和存 储电荷使用。 电容的基本单位为法拉 (F) 。常用的电容单位有微法(μF)、纳法 (nF)和皮法(pF)等，它们的关系是：1法拉(F)= 1000000微法(μF) 1 微法(μF)= 1000纳法 (nF)= 1000000 皮法 (pF)。一般 1μF以上的 电容均为电解电容，而1μF以下的电容多为瓷片电容。 在瓷片电容上经常看到103，224等这样的标注。它的容量应为前两 位 读 数 后 加 上 第 3 位 数 字 表 示 的 “ 0 ” 的 个 数 。 103=10*1000=10000pF=0.01μF,224=22*10000=220000pF=0.22μF ，因此103是0.01uF， 104是0.1uF，而224是0.22uF。 电解电容有正负极的区分。负极通常在圆周上 以一窄条与其他部分明显不同的颜色标识。
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-电源
独立电源是二端元件，有电压源和电流源两种。实际电 压源模型是由理想电压源和内阻串联而成，实际电流源 模型是由理想电流源池常见参数 。 电池的容量指的是容纳多少电量，用放电电流和放电时
电感基本单位是亨利(H)，常用毫亨(mH)和微亨（μH）。 1H=103mH=106uH。电感的感抗单位也为Ω（欧姆）。 电感具有阻交流、通直流的特性，且其感抗随着信号频率 的增加而变大。电感在电路中主要起谐振、耦合、延迟、 滤波、扼流抗干扰等作用。 电感常和电容一起工作，构成LC滤波器、LC振荡器。另外 利用电感的特性，制造扼流圈、变压器、继电器等。
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一、常用电子器件-二极管
二极管是具有单向导电特性的元器件，在正向电压的作 用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极 大或无穷大。在电路中用“D”加数字表示。
利用二极管的单向导电性和反向击穿特性，可以构成整 流、稳压等各种功能电路。点接触型二极管的工作频率 高，不能承受较高的电压和通过较大的电流，多用于检 波、小电流整流或高频开关电路。面接触型二极管的工 作电流和能承受的功率都较大，但适用的频率较低，多 用于整流、稳压、低频开关电路等方面。
例如若5色环颜色依次为：红黑黑橙金，那么阻值应为200乘以1000， 即200KΩ，且允许误差为±5%。
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一、常用电子器件-电容器
电容器是由两片平行金属板，其间填充绝缘介质（ 如云母、绝缘纸、空气等）而构成的器件。 电容分为容量固定的与容量可变的。常见的是固定 容量的电容，其中电解电容和瓷片电容最为常见。
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-电阻
电阻的阻值和允许偏差的标注通常采用5色环标法，其中前3个色环标 示电阻的有效数，第4位代表倍乘数，第5位代表允许误差（通常为金 5%银10%棕1%）。 电阻色环表记忆口决：棕一红二橙是三，四黄五绿六为蓝，七紫八灰 九对白，黑是零，金五银十表误差。
单片机原理及应用
（第二章 电子技术基础）
教学内容
常用电子元器件 集成电路
数字电路
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-电阻
电阻器主要用于控制和调节电路中的电流和电压，或 用作消耗电能的负载。 电阻的单位是欧姆Ω（简称为欧），其它常用单位还 有千欧(kΩ)，兆欧(MΩ)。 电阻通常分为固定电阻，可变电阻，特种电阻三大类
间的乘积表示。例如容量为 500mAh 的电池，是指该电池 用500mA的电流放电，能使用1个小时。
DATE: 2019/1/5
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二、集成电路
集成电路是一种采用特殊工艺，将晶体管、电阻、电容 等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件， 英文缩写为IC。
TTL 集成电路由晶体管为基础构成 , 使用 5V 的电压，逻辑 “0”输出电压小于等于 0.2V ，逻辑“1”输出电压约为 3V。 CMOS 集成电路由 MOS 型场效应管为基础构成 , 工作电压范 围为 3-18V ，不必像 TTL 集成电路那样要用确定的 5V 电压 。CMOS集成电路的输入阻抗很高，能耗很低。
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-场效应晶体管
场效应管是较新型的半导体材料,利用电场效应来控制晶 体管的电流。它的外型也是一个三极管,因此又称场效应 三极管。
场效应管是电压控制元件，由输入端电压控制输出电流 的大小，输入电阻很大，可达 109 ～ 1014Ω。和普通晶体 管比较，场效应管的源极、漏极和栅极相当于普通晶体 管的发射极、集电极和基极，两者的放大电路也类似。 由于场效应管具有制造工艺简单、占用芯片面积小、器 件特性便于控制等特点，从而可以用于制造高密度超大 规模集成电路。