第1章 半导体器件习题及答案教学总结
第1章半导体器件习题及答案教学总结
第 1 章半导体器件习题及答案第1章半导体器件一、是非题（注：请在每小题后［］内用” V"表示对，用” X "表示错）1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（）2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（）3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。
（）4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（）6半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（）10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（）11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。
（）13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（）15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（）16、有人测得某晶体管的U BE=0.7V, I B=20^A,因此推算出r be=U BE/|B=0.7V/20 卩A=35k Q（）17、 有人测得晶体管在U BE =0.6V , I B =5^A,因此认为在此工作点上的r be 大约为 26mV/l B =5.2k ◎（）18、 有人测得当U BE =0.6V , I B =10^A O 考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到、选择题（注：在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处.1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中 __________ 载流子A.有B.没有C.少数D.多数2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生 ___________ F很大关系。
半导体器件(附答案)
第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
半导体课后习题答案1-8
6.625 × 10 −34 h 1 h = = (h / F )dk = F 2a 2aqE 2 × 0.25 × 10 −9 × 1.6 × 10 −19 × 10 7
=8.28 × 10-13s
第二章 2．以 As 掺入 Ge 中为例，说明什么是施主杂质，施主杂质电离过程和 n 型半导 体。 答：在 Ge 中掺入 As 时，某个 As 原子占据了 Ge 原子的位置。As 原子有 五个价电子，其中四个与周围四个 Ge 原子形成共价键，还剩一个价电子。 同时 As 原子所在处也多余一个正电荷。所以 As 原子代替 Ge 原子以后，其 效果是形成一个正电中心和一个多余的价电子。 但是这个正点中心对多余的 价电子的束缚很弱， 只需要很小的能量就可以成为导电电子在晶格中自由运 动。这个价电子挣脱束缚的过程叫作施主杂质电离过程，As 在这个过程中 释放一个价电子，被称为施主杂质。该半导体在加上电场时主要依靠施主释 放的电子导电，被称为 n 型半导体。 4．以 Si 在 GeAs 中的行为为例，说明Ⅳ族杂质在Ⅲ-Ⅴ族化合物中可能出现的双 性行为。 答：Si 原子比 Ge 多一个价电子，比 As 少一个价电子。实验表明，当 Si 掺入 GeAs 中时，Si 原子既能取代 Ge 原子表现为施主杂质，又能取代 As 原子表现为受主杂质。Si 的这种性质称为双性行为。 7 ． 锑 化 铟 的 禁 带 宽 度 Eg=0.18eV ， 相 对 介 电 常 数 εr=17 ， 电 子 有 效 质 量 mn*=0.015m0，m0 为电子的惯性质量，求(1)施主杂质电离能；(2)施主的弱束 缚电子基态轨道半径。 解：(1)施主杂质电离能
椭球的体积为 V=4 π abc/3=
3．当 E-EF 为 1.5k0T，4 k0T ，10 k0T 时，分别用费米分布函数和波耳兹曼分 布函数计算电子占据该能级的概率。
半导体物理习题答案完整版
半导体物理习题答案 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】第一章半导体中的电子状态例1.证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。
即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。
解：K状态电子的速度为：（1）同理，－K状态电子的速度则为：（2）从一维情况容易看出：（3）同理有：（4）（5）将式（3）（4）（5）代入式（2）后得：（6）利用（1）式即得：v(－k)= －v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关，即：E(k)=E(－k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同，且v(k)=－v(－k)故这两个状态上的电子电流相互抵消，晶体中总电流为零。
例2.已知一维晶体的电子能带可写成：式中，a为晶格常数。
试求：（2）能带底部和顶部电子的有效质量。
解：（1）由E(k)关系（1）（2）令得：当时，代入（2）得：对应E(k)的极小值。
当时，代入（2）得：对应E(k)的极大值。
根据上述结果，求得和即可求得能带宽度。
故：能带宽度（3）能带底部和顶部电子的有效质量：习题与思考题：1 什么叫本征激发温度越高，本征激发的载流子越多，为什么试定性说明之。
2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。
3 试指出空穴的主要特征。
4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。
5 某一维晶体的电子能带为其中E0=3eV，晶格常数a=5×10-11m。
求：（2）能带底和能带顶的有效质量。
6原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同7晶体体积的大小对能级和能带有什么影响？8描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念？用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性？9 一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此为什么10有效质量对能带的宽度有什么影响？有人说：“有效质量愈大，能量密度也愈大，因而能带愈窄。
半导体物理第一章习题答案
半导体物理第一章习题答案半导体物理第一章习题答案在半导体物理学的学习中，习题是非常重要的一部分。
通过解答习题，我们可以加深对理论知识的理解，巩固所学内容，并培养解决问题的能力。
下面是一些关于半导体物理第一章的习题及其答案，希望对大家的学习有所帮助。
1. 什么是半导体？答：半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。
它的导电性介于导体和绝缘体之间，可以通过施加外界电场或温度的变化来改变其电导率。
2. 半导体的能带结构有哪些特点？答：半导体的能带结构具有以下特点：- 价带和导带之间存在禁带，禁带宽度决定了材料的导电性能。
- 价带和导带中的能级数目与电子数目之间存在关联，即保持电中性。
- 价带和导带中的电子分布符合费米-狄拉克分布。
3. 什么是载流子？答：载流子是指在半导体中参与电流传输的带电粒子。
在半导体中，载流子主要有电子和空穴两种类型。
4. 什么是固有载流子浓度？答：固有载流子浓度是指在材料中由于温度引起的自发激发和热激发所产生的载流子浓度。
它与材料的能带结构和温度有关。
5. 什么是掺杂？答：掺杂是指向纯净的半导体中加入少量杂质，通过改变杂质的电子结构来改变半导体的电导性能。
掺杂分为n型和p型两种。
6. 什么是pn结？答：pn结是由n型和p型半导体通过扩散或外加电场形成的结构。
在pn结中，n型半导体中的自由电子会扩散到p型半导体中，而p型半导体中的空穴会扩散到n型半导体中，形成电子-空穴复合区域。
7. 什么是势垒？答：势垒是指pn结两侧带电粒子所形成的电场引起的电位差。
势垒的存在导致了电子和空穴的扩散和漂移，从而产生电流。
8. 什么是正向偏置和反向偏置？答：正向偏置是指在pn结上施加外加电压，使得p区的正电荷和n区的负电荷相吸引，势垒减小，电流得以流动。
反向偏置是指在pn结上施加外加电压，使得p区的负电荷和n区的正电荷相吸引，势垒增大，电流被阻断。
9. 什么是击穿？答：击穿是指在反向偏置下，当外加电压达到一定值时，pn结中的电场强度足够大，使得势垒被完全破坏，电流急剧增大的现象。
半导体物理习题答案.
第一章半导体中的电子状态例1.证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。
即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。
解：K状态电子的速度为：（1）同理，－K状态电子的速度则为：（2）从一维情况容易看出：（3）同理有：（4）（5）将式（3）（4）（5）代入式（2）后得：（6）利用（1）式即得：v(－k)= －v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关，即：E(k)=E(－k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同，且v(k)=－v(－k)故这两个状态上的电子电流相互抵消，晶体中总电流为零。
例2.已知一维晶体的电子能带可写成：式中，a为晶格常数。
试求：（1）能带的宽度；（2）能带底部和顶部电子的有效质量。
解：（1）由E(k)关系（1）（2）令得：当时，代入（2）得：对应E(k)的极小值。
当时，代入（2）得：对应E(k)的极大值。
根据上述结果，求得和即可求得能带宽度。
故：能带宽度（3）能带底部和顶部电子的有效质量：习题与思考题：1 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。
2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。
3 试指出空穴的主要特征。
4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。
5 某一维晶体的电子能带为其中E0=3eV，晶格常数a=5×10-11m。
求：（1）能带宽度；（2）能带底和能带顶的有效质量。
6原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同？原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同？7晶体体积的大小对能级和能带有什么影响？8描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念？用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性？9 一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此？为什么？10有效质量对能带的宽度有什么影响？有人说：“有效质量愈大，能量密度也愈大，因而能带愈窄。
第一章__半导体的物质结构和能带结构课后题答案
第一章 半导体的物质结构和能带结构1、参照元素周期表的格式列出可直接构成或作为化合物组元构成半导体的各主要元素，并按共价键由强到弱的顺序写出两种元素半导体和八种化合物半导体，并熟记之。
共价键由强到弱的两种元素半导体，例如：Si ，Ge共价键由强到弱的八种化合物半导体：例如：SiC ，BN ，AlN ，GaN ，GaAs ，ZnS ，CdS ，HgS2、何谓同质异晶型？举出4种有同质异晶型的半导体，并列举其至少两种异晶型体的名称和双原子层的堆垛顺序。
答：化学组成完全相同的不同晶体结构称为同质异晶型。
1． SiC ，其多种同质异型体中，3C-SiC 为立方结构的闪锌矿型晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而2H-SiC 为六方结构的纤锌矿型晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；4H-SiC 为立方与六方相混合的晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABACABAC ⋅⋅⋅2． GaN ，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Ga-N 双原子层的堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而纤锌矿结构的Ga-N 双原子层的堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；3． ZnS ，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Zn-S 双原子层堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而纤锌矿结构的Zn-S 双原子层堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；4． ZnSe ，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Zn-Se 双原子层堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而纤锌矿结构的Zn-Se 双原子层堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；3、室温下自由电子的热速度大约是105m/s ，试求其德布洛意波长。
解：该自由电子的动量为：s m kg v m p /1011.9101011.9265310⋅⨯=⨯⨯==--由德布洛意关系，可知其德布洛意波长nm p h k 27.71027.71011.910625.6192634=⨯=⨯⨯===---λ4、对波矢为k 的作一维运动的电子，试证明其速度dk k dE )(1 =υ解：能量E 和动量P 波频率ν和波矢k 之间的关系分别是：ων ==h E ； P = k根据能量和动量的经典关系：20021,v m E v m P ==由以上两个公式可得：0222m kE =对这个结论求导可得：02)(m kdk k dE η=，进一步得：dk k dE m k )(10ηη= 根据动量的关系：v m k P 0==η可得：=v dkk dE m k)(10ηη=5、对导带底电子，试证明其平均速度和受到外力f 作用时的加速度可分别表示为*/n m k =υ 和 */nm f a = 解：将E （k ）在k=0出按泰勒级数展开取至k 2项，得到....)(21)()0()(20220+++===k dkEd k dk dE E k E k k 因为，k=0时能量取极小值，所以0)(0==k dk dE ，因而2022)(21)0()(k dkEd E k E k ==-令*02221)(1nk m dk E d == 代入上式得*222)0()(nm k E k E =- 根据量子力学概念，波包中心的运动速度为dkd v ω=式中，k 为对应的波矢。
半导体物理第1章习题答案
第一章1. ① 导带：E c (K )=ℏ2k 23m 0+ℏ2(k−k 1)2m 0两边对k 求导，得到dE c (K )dk=2ℏ2k 3m 0+2ℏ2(k−k 1)m 0由dE c (K )dk=0得：k =34k 1，又d 2E c (K )dk 2=2ℏ23m 0+2ℏ2m 0=8ℏ23m 0>0所以在k =34k 1处，E c (K )取得极小值 价带：dE V (K )dk=−6ℏ2k m 0，由dE V (K )dk=0 得：k =0又d 2E v (K )dk 2=−6ℏ2m 0<0，所以在K=0处，E v (K )取得极大值E g =E c (34k 1)−E v (0)=ℏ2k 1212m 0=(1.054×10−34)2( 3.140.314×10−9)212×9.108×10−31=1.016×10−19J =1.016×10−191.602×10−19=0.63ev②m nc ∗=ℏ2d 2E c (K)dk 2=ℏ28ℏ23m 0=38m 0=38×9.108×10−31=3.4×10−31kg③m nv∗=ℏ2d 2E v (K)dk 2=ℏ2−6ℏ2m 0=−m 06=−16×9.108×10−31=−1.5×10−31kg④准动量的定义：p =ℏkΔp =(ℏk )k=34k 1−(ℏk )k=0=34ℏk 1−0=34ℏk 1=34×1.054×10−34×3.140.314×10−9=7.95×10−25N/s2. 由运动方程F =ℏdk dt，令电场力F =−qE 沿着k 轴的正方向，则−qE =ℏdk dt。
考虑到电子从能带底运动到能带顶对应于波矢从0到πa，因此∫(−qE )dt t=∫ℏπadk ⟹−qEt =ℏπa⟹t =−ℏπqE a当E =102V/m 时 t 1=−ℏπqE a= 1.054×10−34×3.141.6×10−19×102×2.5×10−10=8.27×10−8 s t 2=−ℏπqE a=1.054×10−34×3.141.6×10−19×107×2.5×10−10=8.27×10−13 s3.根据立方对称性可以判断，总共存在12个不同方向的极值点，其回旋共振的实验结果与磁感应强度的方向有关。
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第1章半导体器件习题及答案第1章半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（）2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（）3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。
（）4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（）10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（）11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。
（）13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（）15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（）16、有人测得某晶体管的U BE=0.7V，I B=20μA，因此推算出r be=U BE/I B=0.7V/20μA=35kΩ。
（）仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢1仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢217、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2kΩ。
（ ）18、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA 。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆-（ ） 二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。
A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对3、半导体中的载流子为_________。
A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴4、N 型半导体中的多子是_________。
A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子5、P 型半导体中的多子是_________。
A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷7、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。
当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。
A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变8、二极管正向电压从0.7V 增大15%时，流过的电流增大_______。
（A 1．15% B 1．大于仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢315% C 1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。
（A 2．增大B 2．减小；C 2．基本不变）9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。
（A 1．上移 B 1．下移C 1．不变）说明此时反向电流________。
（A 2．减小 B 2．增大 C 2．不变）.10、在下图1.10所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是[ ] I=2mA B.I<2mA C.I>2mAD.不能确定图1.10 图1.11 图1.1311、图1.11所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定12、设图1.11电路中保持V=5V 不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA 。
当温度上升到40℃时，则I 的大小将是 。
A. I =2mA B. I <2mA C. I >2mA13、图1.13中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流0.1 mA, 反向击穿电压为5V,击穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I 等于 [ ]仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢4 A. 0.1 mA B. 2.5 mA C. 5mA D. 15 mA14、二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性15、在下图1.15所示电路中，D 1～D 3为理想二极管，A 、B 、C 白炽灯泡功率都相同，其中最亮的灯是_________。
A. b B. c C. a16、二极管电路如下图1.16所示， 判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压V o 为______。
(设二极管的导通压降0) A.5.6V B.-4.3V C.-5VD.6V图1.15 图1.16 图1.17 图1.1817、二极管电路如上图1.17所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压V o 为______(设二极管的导通压降为0.7V) A.0V B.-0.7V C.-1.7VD.1V18、二极管电路如上图1.18所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢5 压V o 为______。
(设二极管的导通压降为0.7V) A.-8.3V B.8V C.9VD.-9.3V19、电路如下图1.19所示。
试估算A 点的电位为_________。
（设二极管的正向压降为0.7V 。
）A. 6.7VB. 6VC. 5.7VD. 6.7V20、已知如下图1.20所示电路中V A ＝0V ，V B ＝5V ，分析二极管的工作状态后，可确定V o的值为_____。
（设二极管的正向压降为0.7V 。
） A.5V B.-4V C.4.3VD.0.7V图1.19 图1.20 图1.21 (a) 图1.21 (b)21、设硅稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V 和8V ，正向压降均为0.7V ，可求出图1.21(a)中电路的输出电压V o 为_______；可求出图1.21(b)中电路的输出电压V o 为_______；可求出图1.21(c)中输出电压V o 为_______；可求出图1.21(d)中输出电压V o 为_______。
A.0.7VB.1.4VC.5VD.7VE.8V G..13V H.17VF.11.6V仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢6图1.21(c) 图1.21(d) 图1.22(a) 图1.22(b)22、已知D Z1、D Z2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图1.22(a)路中，输出电压为_________；可求得图1.22(b)中输出电压为_________。
A. 1VB. 5VC. 6VD. 13VE. 7V23、二极管的双向限幅电路如右图所示。
设v i为幅值大于直流电源V C1(=－V C2)值的正弦波，二极管为理想器件。
则可画出v o的波形为_________。
A. a)B. b)C. c)D. d)24、在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。
二极管的性能最好的是_________。
A. a)B. b)C. c管号加0.5V正向电压时的电流加反向电压时的电流a) 0.5mA 1μAb) 5mA 0.1μAc) 2mA 5μA25、一个硅二极管在正向电压U D=0.6V时，正向电流I D=10mA。
若U D增大到0.66V（即增加10%），则电流I D。
A.约为11mA（也增加10%）； B.约为20mA（增大1倍）；C.约为100mA（增大到原先的10倍）；D.仍为10mA（基本不变）。
26、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三个电极时以测出最为方便。
A.中极间电阻B.各极对地电位C.各极电流27、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流I CBO，正向结电压U BE。
A.变大 B.变小 C.不变28、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
A.上移B.下移C.左移D.右移E.增大F.减小G.不变29、双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是。
A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏30、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下1.30图所示，该晶体管的类型是。
A.NPN型硅管 B.PNP型硅管 C.NPN型锗管D.PNP型锗管仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢731、某三极管各个电极的对地电位如图1.37所示，可判断其工作状态是。
A.饱和B.放大C.截止D.已损坏2V 6V1.3V图1.30 图1.3132、三极管的穿透电流I CEO是集-基反向饱和电流的倍. A.a B.1+β C.β33、三极管工作在饱和区时，b-e极间为，b-c极间为；工作在放大区时，b-e极间为，b-c极间为。
A. 扩散电流 B. 漂移电流34、某三极管的极限参数P CM=150mW，I CM=100mA，V（BR）CEO=30V。
若它的工作电压V CE=10V，则工作电流I C不得超过 mA（A.100ma B. 15mA C. 1mA）；若工作电压V CE=1V，则工作电流不得超过 mA（A.100mA B. 15mA C. 1mA）；若工作电流I C=1mA，则工作电压不得超过 V（A. 30V B. 10V C. 1V）。
三、计算题1.写出图3.1所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢8仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢9 图3.12.已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图3.2所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图3.23 电路如图3.3所示，已知u i＝10sinωt (v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图3.34 电路如图3.4所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。