1-4晶体管Y参数
第二章 高频小信号放大器 课后习题答案
第二章 高频小信号放大器 28页2-4 已知oe g =200us ，oe c =7pf|fe y |=45ms|re y |=0 试计算下列各值：电压增益Aco,通频带B. [解]1p =1323N N =5/20=0.25 2p =1345N N =0.25 p g =66104107.1028.61001-⨯⨯⨯⨯⨯=37.2610-⨯S ∑g =p is os g g p g p ++2221=228.5610-⨯s 通频带：L Q =∑Lg w 01=16.3 B=L Q f 00.66MHZ 电压增益：VO A =∑g y p p fe ||12=12.3 2-5单级小信号谐振放大器的交流等效电路如图2-5所示。
要求谐振频率0f =10MHz, 通频带B=500KHz ，谐振电压增益VO A =100，在工作点和工作频率上测得晶体管的y 参数为ie y =（2+j 0.5）ms re y ≈0fe y =(20-j 5)ms 310)14.015.0(-⨯+=j y oe s如果线圈品质因数600=Q ，计算谐振回路参数L 、C 和外接电阻R 的值。
【解】|fe y |=22520+=20.6ms ∑g =vo feA y =206usL Q =0f /B=20p g =L Q /0Q ⨯∑g =69610-⨯s∑g =oe g +p g +gg=117610-⨯sR=1/117610-⨯=8.5k Ω∑C =∑g /2πB=65.6p FC=∑C -oe C =65p F L=∑c w 201=5.9uH 2-6某晶体管收音机中频放大器（0f =465kHZ ）晶体管在某工作点和工作频率上的y 参数为ie y =(1+j0.19)310-⨯s re y =0 fe y =50310-⨯s oe y =(0.15+j0.14) 310-⨯s 中频变压器用TTF-1-3,其数据如题图2-6所示。
半导体器件物理(第四章 双极型晶体管及其特性)
4.1 晶体管结构与工作原理 三极电流关系
I E I B IC
对于NPN晶体管，电子电流是主要成分。电子从发射极出发，通 过发射区到达发射结，由发射结注入到基区，再由基区输运到集电结 边界，然后又集电结收集到集电区并到达集电极，最终称为集电极电 流。这就是晶体管内部载流子的传输过程。 电子电流在传输过程中有两次损失：一是在发射区，与从基区注 入过来的空穴复合损失；而是在基区体内和空穴的复合损失。因此
* 0
可见，提高电流放大系数的途径是减小基区平均掺杂浓度、减 薄基区宽度Wb以提高RsB，提高发射区平均掺杂浓度以减小RsE。另外， 提高基区杂质浓度梯度，加快载流子传输，减少复合；提高基区载 流子的寿命和迁移率，以增大载流子的扩散长度，都可以提高电流 放大系数。
4.2 晶体管的直流特性 4.2.1 晶体管的伏安特性曲线 1.共基极晶体管特性曲线
' ine 1 jCTe 1 ine re 1 jCTe 1 jreCTe
re in e
iCTe
' in e
交流发射效率
1 0 1 jre CTe
CTe
re CTe e
发射极延迟时间
4.3 晶体管的频率特性
2．发射结扩散电容充放电效应对电流放大系数的影响
虽然共基极接法的晶体管不能放大电流，但是由于集电极可以 接入阻抗较大的负载，所以仍然能够进行电压放大和功率放大。
4.1 晶体管结构与工作原理
（2）共发射极直流电流放大系数
IC 0 IB
（3）α0和β0的关系
C
IC
N
IB
B
I IC I I 0 C C E 0 I B I E IC 1 IC I E 1 0
高频电子线路习题及答案
高频电子线路习题及答案高频电子线路习题一、填空题1. 在单级单调谐振放大器中，谐振时的电压增益 Kvo=有载 QL=，通频带 BW0.7=，矩形系数 K0.1 为。
2. n 级同步单调谐振放大器级联时，n 越大，则总增益越，通频带越，选择性越。
3. 工作在临界耦合状态的双调谐放大器和工作在临界偏调的双参差放大器的通频带和矩形系数是相同的，和单级单调谐放大器相比，其通频带是其倍，矩形系数则从减小到。
4. 为了提高谐振放大器的稳定性，一是从晶体管本身想办法，即选Cb’c的晶体管；二是从电路上设法消除晶体管的反向作用，具体采用法和法。
5. 单级单调谐放大器的谐振电压增益 Kvo=QL=，通频带 BW0.7=。
，有载6. 晶体管在高频线性运用时，常采用两种等效电路分析，一种是，另一种是。
前者的优缺点是。
7. 晶体管低频小信号放大器和高频小信号放大器都是线性放大器，它们的区别是。
8. 为了提高谐振放大器的稳定性，在电路中可以采用法和法，消除或削弱晶体管的内部反馈作用。
9. 晶体管的 Y 参数等效电路中， Yre 的定义是，称为，它的意义是表示的控制作用。
10. 晶体管的 Y 参数等效电路，共有 4 个参数，Y 参数的优点是便于测量。
其中 Yfe 的意义是表示。
11. 晶体管高频小信号放大器与低频小信号放大器都是放大器，结构上的区别是前者包含有后者没有的，具有带通特性的。
12. 对小信号调谐放大器的要求是高、好。
13. 丙类高频功率放大器又称为____________功率放大器，常在广播发射系统中用作____________级。
14. 按照通角θC 来分类，θC=180 的高频功率放大器称为_____类功放； C <90 的高频功率放大器称为_____类功放。
15. 功率放大器的工作状态按照集电极电流的通角θC 的不同可分为四类：当θC= ______时，为_____类：当θC=_____时，为_____类；当θC<____时为____类；当____< θC<____时，为_____类。
3ag14晶体管参数
3ag14晶体管参数3AG14晶体管参数3AG14晶体管是一种常用的NPN型晶体管，具有以下参数：1. 最大集电极电流（Icmax）：3AG14晶体管的最大集电极电流是指在正常工作条件下，集电极电流的最大允许值。
它通常决定了晶体管的功率处理能力和热稳定性。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极电流一般为200mA。
2. 最大集电极-基极电压（Vceo）：3AG14晶体管的最大集电极-基极电压是指在正常工作条件下，集电极和基极之间的最大允许电压。
它反映了晶体管的电压处理能力和耐压能力。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极-基极电压一般为30V。
3. 最大功耗（Pd）：3AG14晶体管的最大功耗是指在正常工作条件下，晶体管能够承受的最大功耗。
它与最大集电极电流和最大集电极-基极电压有关。
对于3AG14晶体管来说，其最大功耗一般为625mW。
4. 最大集电极-发射极电压（Vce(sat)）：3AG14晶体管的最大集电极-发射极电压是指在饱和状态下，集电极和发射极之间的电压。
饱和状态是指晶体管工作在最大集电极电流下，且集电极-基极电压低于最大集电极-基极电压的情况。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极-发射极电压一般为0.5V。
5. 最大直流电流增益（hfe）：3AG14晶体管的最大直流电流增益是指在正常工作条件下，集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
它反映了晶体管的放大能力。
对于3AG14晶体管来说，其最大直流电流增益一般为100。
6. 最大频率（fT）：3AG14晶体管的最大频率是指在正常工作条件下，晶体管能够正常工作的最高频率。
它与晶体管的内部结构和工作状态有关，一般与集电极电流和集电极-基极电压有关。
对于3AG14晶体管来说，其最大频率一般为100MHz。
3AG14晶体管具有200mA的最大集电极电流，30V的最大集电极-基极电压，625mW的最大功耗，0.5V的最大集电极-发射极电压，100的最大直流电流增益以及100MHz的最大频率。
74LS系列主要芯片引脚及参数
<74LS00引脚图>74l s00 是常用的2输入四与非门集成电路，他的作用很简单顾名思义就是实现一个与非门。
Vcc 4B 4A 4Y 3B 3A 3Y┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐__ │14 13 12 11 10 9 8│Y = AB ）│ 2输入四正与非门 74LS00│ 1 2 3 4 5 6 7│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND74LS00真值表：A＝1 B=1 Y=0A＝0 B=1 Y=1A＝1 B=0 Y=1A＝0 B=0 Y=174HC138基本功能74LS138 为3 线－8 线译码器，共有54/74S138和54/74LS138 两种线路结构型式，其74LS138工作原理如下：当一个选通端（G1）为高电平，另两个选通端（/(G2A)和/(G2B)）为低电平时，可将地址端（A、B、C）的二进制编码在一个对应的输出端以低电平译出。
74LS138的作用:利用G1、/(G2A)和/(G2B)可级联扩展成24 线译码器；若外接一个反相器还可级联扩展成32 线译码器。
若将选通端中的一个作为数据输入端时，74LS138还可作数据分配器用与非门组成的3线-8线译码器74LS138图74ls138译码器内部电路3线-8线译码器74LS138的功能表备注：这里的输入端的三个A0～1有的原理图中也用A B C表示（如74H138.pdf中所示，试用于普中科技的HC-6800 V2.2单片机开发板）。
<74ls138功能表>74LS138逻辑图无论从逻辑图还是功能表我们都可以看到74LS138的八个输出管脚，任何时刻要么全为高电平1—芯片处于不工作状态，要么只有一个为低电平0，其余7个输出管脚全为高电平1。
如果出现两个输出管脚在同一个时间为0的情况，说明该芯片已经损坏。
当附加控制门的输出为高电平（S＝1）时，可由逻辑图写出74ls138逻辑图由上式可以看出，在同一个时间又是这三个变量的全部最小项的译码输出，所以也把这种译码器叫做最小项译码器。
常用晶体管参数大全查询
常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。
它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。
以下是一些常用晶体管参数的详细说明。
1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。
NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。
2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。
超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。
3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。
超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。
4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。
超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。
5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。
hFE的值越高，晶体管放大能力越强。
6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。
通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。
7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。
饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。
8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。
输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。
9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。
输出电容越小，晶体管的输出速度越快。
10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。
射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。
11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。
这是指晶体管可以正常工作的最高频率。
12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。
噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。
以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。
3ag14晶体管参数
3ag14晶体管参数3AG14晶体管参数一、引言3AG14晶体管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
本文将介绍3AG14晶体管的参数以及其在电路设计中的应用。
二、3AG14晶体管的基本参数1. 最大耐压（VCEO）：3AG14晶体管能够承受的最大电压。
该参数决定了晶体管在工作时所能承受的最大电压，超过该电压将导致晶体管损坏。
2. 最大电流（IC）：3AG14晶体管能够承受的最大电流。
该参数决定了晶体管在工作时所能够通过的最大电流，超过该电流将导致晶体管过载而损坏。
3. 最大功率（P）：3AG14晶体管能够承受的最大功率。
该参数由最大电流和最大电压共同决定，超过该功率将导致晶体管过热而损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：3AG14晶体管的放大能力。
该参数表示输入电流和输出电流之间的倍数关系，决定了晶体管的放大效果。
5. 饱和电压（VCEsat）：3AG14晶体管在饱和状态下的电压。
该参数表示晶体管在饱和状态下的工作电压，超过该电压将导致晶体管无法正常开关。
6. 频率响应（fT）：3AG14晶体管的最高工作频率。
该参数表示晶体管能够正常工作的最高频率，超过该频率将导致晶体管失去放大能力。
7. 封装形式：3AG14晶体管的外观和尺寸。
根据不同的应用需求，3AG14晶体管可采用不同的封装形式，如TO-92、SOT-23等。
三、3AG14晶体管在电路设计中的应用1. 放大电路：由于3AG14晶体管具有较高的直流电流放大倍数，因此广泛应用于放大电路中。
通过控制输入电流，可以实现对输出电流的放大，从而达到信号放大的目的。
2. 开关电路：3AG14晶体管具有较低的饱和电压和较高的开关速度，因此在开关电路中具有广泛的应用。
通过控制晶体管的开关状态，可以实现对电路的开关控制。
3. 振荡电路：由于3AG14晶体管具有较高的频率响应，因此在振荡电路中也可以使用。
通过合适的电路设计，可以利用晶体管的振荡特性实现信号的产生和放大。
小信号调谐放大器实验报告
一、实验目的本次实验旨在通过搭建和调试小信号调谐放大器电路，深入了解调谐放大器的工作原理和设计方法，掌握其特性参数的测量方法，并通过实验数据分析放大器的性能，为后续高频电子线路设计打下基础。
二、实验原理小信号调谐放大器是一种高频放大器，其主要功能是对高频小信号进行线性放大。
其工作原理是利用LC并联谐振回路作为晶体管的集电极负载，通过调节谐振频率来实现对特定频率信号的放大。
实验中，我们采用共发射极接法的晶体管高频小信号调谐放大器。
晶体管的静态工作点由电阻RB1、RB2及RE决定。
放大器在高频情况下的等效电路如图1所示，其中晶体管的4个y参数分别为输入导纳yie、输出导纳yoe、正向传输导纳yfe和反向传输导纳yre。
图1 高频小信号调谐放大器等效电路三、实验仪器与设备1. 高频信号发生器：用于产生不同频率和幅度的正弦波信号。
2. 双踪示波器：用于观察放大器输入、输出信号的波形和幅度。
3. 万用表：用于测量电路中电阻、电容等元件的参数。
4. 扫频仪（可选）：用于测试放大器的幅频特性曲线。
四、实验步骤1. 搭建小信号调谐放大器电路，连接好实验仪器。
2. 调整谐振回路的电容和电感，使放大器工作在谐振频率附近。
3. 使用高频信号发生器输入不同频率和幅度的正弦波信号，观察放大器输入、输出信号的波形和幅度。
4. 使用示波器测量放大器的电压放大倍数、通频带和矩形系数等性能指标。
5. 使用扫频仪测试放大器的幅频特性曲线，进一步分析放大器的性能。
五、实验结果与分析1. 电压放大倍数通过实验，我们得到了放大器的电压放大倍数Avo，其值约为30dB。
这说明放大器对输入信号有较好的放大作用。
2. 通频带放大器的通频带BW0.7为2MHz，说明放大器对频率为2MHz的信号有较好的放大效果。
3. 矩形系数放大器的矩形系数Kr0.1为1.2，说明放大器对信号的选择性较好。
4. 幅频特性曲线通过扫频仪测试，我们得到了放大器的幅频特性曲线，如图2所示。
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0 V 2
I Yr ( S ) 1 V 2 I Yo ( S ) 2 V 2
—— 输入端交流短路的反向传输导纳
0 V 1
——
0 V 1
输入端交流短路的输出导纳
四端网络等效电路：
Y (S )V Y (S )V I 1 i 1 r 2
Y (S )V Y (S )V I 2 f 1 o 2
Cbc
A2 B 2
B j ( tg 1 ) A e 2
Yoe g oe jCoe ( g ce
BCbc g m rbb A B
2 2
) j (Cbc
AC bc g m rbb A B
2 2
)
式中，
A 1 rbb g be
B Cbe rbb
Vbe Vbe Vbe rbe (1 ) (1 )re Ib I e /(1 ) I e
re
gm
——发射结电阻 ——静态跨导
re
26(mv) 26(mv) I EQ I CQ (mA)
IC IC 1 1 I EQ I CQ gm Vbe I B rbe rbe re 26 26
应用前面的分析结果，找出对应关系。 （注：短路导 纳参数只与晶体管本身有关，与外电路无关。）
Y V Y V I b ie be re ce
Y V Y V I c fe be oe ce
I Yie b V be
I Yre b V ce I Y fe c V be
Yob Yoe
1．模拟混合π型等效电路
rcc
， ree
可以忽略（掺杂浓度小）,
rbb
较大（掺杂浓度大）
2．高频混合π型等效电路
低频时，电容容抗很大，可忽略； 高频时，电容容抗很小，电阻可忽略。
管子后面的负载LC是以并联形式出现的,考虑到计算方便, 选用Y参数
3．混π电路中的几个参数
rbe ——发射结等效电阻
1.3 晶体管高频小信号等效电路与参数
1.3.1 共发晶体三极管的混合π型等效电路 1.3.2 共发晶体三极管的Y参数等效电路
1.3.3 晶体三极管的Y参数
1.3.1 共发晶体三极管的混合π型等效电路
小信号时，PN结等效电路：
rd ：微变等效电阻
Cd Cd ：势垒电容（或扩散电容）
rd
三极管结构
0 V ce
gbb [ gbe j (Cbe Cbc )] gbb gbe j (Cbe Cbc )
g bb g bb ( g m jCbc ) g be j (Cbe Cbc )
0 V ce
I Yre b V ce V
1.3.2 共发晶体三极管的Y参数等效电路
1. 有源四端网络的Y参数等效电路
网络方程：
Y (S )V Y (S )V I 1 i 1 r 2
1
I 1
+
V 1
Yi ( S ) Yr ( S )
I 2 2
+ -
V 2 Y f ( S ) Yo ( S )
2
Y (S )V Y (S )V I 2 f 1 o 2
Yoe I c V ce
be 0
gbb jCbc gbb gbe j (Cbe Cbc )
g ce jCbc ( g m g bb g be jCbe ) g bb g be j (Cbe Cbc )
. Ic c ＋ . Uce －
（同理，有共基、共集的Y参数等效电路）
1.3.3 晶体三极管的Y参数
1. 共发三极管的Y参数
一般手册上无Y参数，都是混π 参数。可以 用混π 参数来表示Y参数。
（若在 ce 两端跨接一较
=0 大电容，则 V ce
短路）
交流
Yie
I b V be
0 V ce
0 V be
以上关系式较复杂，是因为 rbb 存在，在高频时不能忽略。
简化以上几式，适当忽略 Cbc Cbe Cbc Cbe Cbc Cbe
Yie g ie jCie
Ag be BCbe A B
2 2
j
Cbc A B
由于是在输入、输出短路时确定的导纳，又称短路 导纳参数。
2. 共发三极管的Y参数等效电路
在分析高频小信放大器时，采用Ｙ参数等效电路进 行分析是比较方便的。所以在电路化简时，可将晶体管 等效成一个Ｙ参数等效电路。
c ＋ . Ube － b . Ib e V
. Ic
＋ . Uce －
一个晶体管可以看成有源四端网络
-
1
1
I 1
据方程，有：
I Yi ( S ) 1 V
+
V 1
Yi ( S ) Yr ( S )
I 2 2
+ -
V 2 Y f ( S ) Yo ( S )
2
0 1 V 2
1
—— 输出端交流短路的输入导纳 —— 输出端交流短路的正向传输导纳
I Y f (S ) 2 V 1
I Yoe c V ce
0 V ce
0 V be
0 V ce
0 V be
Yie是晶体管输出端短路时的输入导纳（下标 “ｉ”表示输入，“ｅ”表示共射组态），反 映了晶体管放大器输入电压对输入电流的控制 作用，其倒数是电路的输入阻抗。Yie参数是复 数。 Yfe是晶体管输出端短路时的正向传输导纳（下 标“f”表示正向），反映了晶体管输入电压对 输出电流的影响，即晶体管内部的控制作用,表 示晶体管的放大能力。
1 Vbe I b ( Z be ) g bb
Z be
g be
1 j (Cbe Cbc )
1 1 Vbe I b [ ] g bb g be j (Cbe Cbc )
I Yie b V be
I 同理： Y fe c Vbe
如果 rbb 0 ，则 A=1,B=0，Y参数就大大简化:
Yie g be jCbe
Yre Cbc e
• 但在高频时，
j
Y fe g m
Yoe g ce jCbc
2
rbb
一般不能忽略。
Yie gie jCie
常用的共射晶体管Y参数等效电路如下：
Yic Yie
Yrc (Yre Yie )
Yib Yie Y fe Yre Yoe
Yrb (Yre Yoe )
Y fe
Yoe
Y fc (Yre Yie )
Yoc Yie Y fe Yre Yoe
Y fb (Y fe Yoe )
2 2
呈容性
晶体管中的Y参数都呈容性，都可以用以上形式表示。 Yie和Yoe常用模和相角形式表示，Yfe和Yre常用实部和虚部形式表示。
Y fe y fe e
I Yre b Vce
j fe
gm A2 B 2
B j (tg 1 ) A e
y re e j re
0 V ce
. Ib b ＋ . Ube － Cie g ie
Yoe goe jCoe
. Ic c ＋ Coe
g oe . YreUce e) 在分析谐振放大器（并联谐振回路），比较方便。
2. 它组态的三极管的Y参数： （已知共射）
共射 共集 共基
Yie Yre
Yre是晶体管输入端短路时的反向传输导纳（下 标“r”表示反向），反映了晶体管输出电压对 输入电流的影响，即晶体管内部的反馈作用。 Yoe是晶体管输入端短路时的输出导纳（下标 “o”表示输出），反映了晶体管输出电压对输 出电流的作用，其倒数是电路的输出阻抗。
. Ib b ＋ . Ube － Yie Yoe . YreUce e (a ) . YfeUbe