《电工跟电子技术基础》第4节半导体器件习题解答资料精
(完整版)电子技术基础习题答案

(完整版)电子技术基础习题答案三、选择题:(每小题2分,共20分)1、单极型半导体器件是(C)。
A、二极管;B、双极型三极管;C、场效应管;D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。
A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是( C)。
A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管(C)。
A、已经击穿;B、完好状态;C、内部老化不通;D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。
A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在(A)。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。
A、较大;B、较小;C、为零;D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。
A、矩形方波;B、等腰三角波;C、正弦半波;D、仍为正弦波。
9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率P CM;D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)A、发射结正偏、集电结正偏;B、发射结反偏、集电结反偏;C、发射结正偏、集电结反偏;D、发射结反偏、集电结正偏。
三、选择题:(每小题2分,共20分)1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。
A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是(B)。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
电子技术基础习题集答案解析

第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电子技术基础习题答案

第1章检测题(共100分, 120分钟)一、填空题: (每空0.5分, 共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。
2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。
三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。
3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移;PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。
扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。
空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。
7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。
三、选择题:(每题2分, 共20分)2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳( A )元素构成旳。
A.三价;B.四价;C.五价;D.六价。
3.稳压二极管旳正常工作状态是( C )。
A.导通状态;B.截止状态;C.反向击穿状态;D.任意状态。
5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是( A )而成。
A.多子扩散;B.少子扩散;C.少子漂移;D.多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V, VB=2.8V, VC=4.4V, 阐明此三极管处在( A )。
A.放大区;B.饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
电工学电子技术基础 第4章 习题解答

第4章 场效应管放大电路与功率放大电路图所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管各属于何种类型。
说明它的开启电压th U (或夹断电压p U )约是多少。
GSGS (a)(b)(c)图 习题图解:(a) N 沟道 耗尽型FET U P =-3V ; (b) P 沟道 增强型FET U T =-4V ; (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。
某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = -8V 。
(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道?(2) 计算U GS = -3V 是的I D ;(3) 计算U GS = 3V 时的I D 。
解:(1) N 沟道; (2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D =+⨯=-=U U I I 画出下列FET 的转移特性曲线。
(1) U P = -6V ,I DSS = 1mA 的MOSFET ;(2) U T = 8V ,K = V 2的MOSFET 。
解:(1)/V(2)i D /V试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图,并标明各自的开启电压或夹断电压。
解:i Du GSo耗尽型N沟道增强型N沟道U P U TU PU T耗尽型P沟道增强型P沟道判断图所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
解:(a) 能放大(b) 不能放大,增强型不能用自给偏压(c) 能放大(d)不能放大,增强型不能用自给偏压。
共漏1<uA&,可增加R d,并改为共源放大,将管子改为耗尽型,改电源极性。
图习题电路图电路如图所示,MOSFET的U th = 2V,K n = 50mA/V2,确定电路Q点的I DQ和U DSQ值。
解:)V(13.3241510015DDg2g1g2GSQ=⨯+=⨯+=VRRRU22DQ n GSQ th()50(3.132)63.9(mA)I K U U=-=⨯-=)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯-=-=R I V UR g1R g2100k 15k Ω(a)图 习题电路图 图 习题电路图试求图所示每个电路的U DS ,已知|I DSS | = 8mA 。
半导体器件附答案

第一章、半导体器件(附答案)一、选择题1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2.设二极管的端电压为 u ,则二极管的电流方程是 ________A. B. C.3.稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4.V U GS 0=时,能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5.对PN 结增加反向电压时,参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7.用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻,两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8.面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9.下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是: ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610.当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变,当温度上升到40℃,则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11.当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来,可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12.在图中,稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ,且工作在稳压状态,由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13.将一只稳压管和一只普通二极管串联后,可得到的稳压值是( )A. 两种B. 三种C. 四种14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 __(1)__,而少数载流子的浓度与 __(2)__有很大关系。
《电工与电子技术基础》电子部分习题

第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管(第一课时)一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是()A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为()A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能,即:加电压时PN结导通;加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中,哪些灯泡能发亮?第一节晶体二极管(第二课时)一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该二极管处于()A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于()A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应该把欧姆挡拨到()A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压,则晶体二极管相当于()A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时,该二极管相当于()A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为V,锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象,称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内,提供几种答案,选择正确的填在相应的横线上。
(1)简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结?(能;不能;不一定)(2)二极管导通时,则二极管两端所加的是电压。
(正向偏置;反向偏置;无偏置)(3)当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时,二极管才能导通。
(击穿;饱和;门槛)(4)二极管两端的反向偏置电压增高时,在达到电压以前,通过的电流很小。
(击穿;最大;短路)第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中,试分析输入端a、b间输入交流电压υ时,通过R1、R2两电阻上的是交流电,还是直流电?2、若将单相桥式电路接成如图的形式,将会出现什么结果,应如何改正?3、如图所示两个电路中,设V1、V2均为理想二极管(即正向导通时其正向电阻和正向压降为零,反向截止时其反向电阻无穷大的二极管),试判断两图中的二极管是截止的还是导通的,A、B两端的电压V AB=?C、D端的电压V CD=?4、画出半波整流电路图。
电工学习题2014_下册

第 14 章半导体器件一、选择题1、对半导体而言,其正确的说法是( )。
(1) P 型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电。
(2) N 型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电。
(3) P 型半导体和 N 型半导体本身都不带电。
2、在图 14-1 所示电路中,Uo 为 ( ) 。
(1) -12V (2) -9V (3) -3VR- 0V D Z11V 3kΩ-9VUo DZ2U o + + R- -图14-1 图14-2 图14-33、在图 14-2 所示电路中,二极管 D1、D2、D3 的工作状态为( ) 。
(1) D1、D2 截止, D3 导通 (2) D1 截至, D2、D3 导通 (3) D1、D2、D3 均导通4、在图 14-3 所示电路中,稳压二极管 Dz1 和 Dz2 的稳定电压分别为 5V 和 7V,其正向压降可忽略不计,则 Uo 为( ) 。
(1) 5V (2) 7V (3) 0V5、在放大电路中,若测得某晶体管的三个极的电位分别为 6V,1.2V 和 1V,则该管为( )。
(1) NPN 型硅管 (2) PNP 型锗管 (3) NPN 型锗管6、对某电路的一个 NPN 型的硅管进行测试,测得 UBE>0,UBC>0,UCE>0,则此管工作在 ( ) 。
(1)放大区 (2)饱和区 (3) 截至区7、晶体管的控制方式为( ) 。
(1)输入电流控制输出电压 (2)输入电流控制输出电流 (3)输入电压控制输出电压二、判断题1、晶体管处于放大区,其 PN 结一定正偏。
( )2、三极管由二极管构成的,三极管具有放大作用,故二极管也具有放大作用。
( )3、二极管正向导通,反向截止,当反向电压等于反向击穿电压时,二极管失效了,故所有的二极管都不可能工作在反向击穿区。
( )三、填空题1、若本征半导体中掺入某 5 价杂质元素,可成为,其多数载流子为。
若在本征半导体中掺入某 3 价杂质元素,可成为,其少数载流子为。
《电工与电子技术》习题册习题解答

第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路一、单项选择题*1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大,反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V ,当U i =3V 时,则U 0的值( D )。
A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V**3.半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。
A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个*4.三极管各极对公共端电位如题4图所示,则处于放大状态的硅三极管是( C )5.晶体管的主要特性是具有( D )。
A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 *6.稳压管的稳压性能是利用PN 结的( D )。
A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性*7.若三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ,则此三极管是( D )A 、PNP 型硅管B 、PNP 型锗管C 、NPN 型锗管D 、NPN 型硅管8.对放大电路进行动态分析的主要任务是( C ) A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压题4图题2图C、确定电压放大倍数A u和输入、输出电阻r i,r0D、确定静态工作点Q、放大倍数A u和输入、输出电阻r i,r o*9.射极输出器电路如题9图所示,C1、C2足够大,对输入的交流信号u可视作短路。
则输出电压u0与输入电压u i之间的关系是( B)。
A、两者反相,输出电压大于输入电压B、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电压C、两者相位差90°,且大小相等D、两者同相,输出电压大于输入电压*10.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如题10图所示,若将直流电源U cc适当降低,则Q点将( C)。
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题 4.5 图
第 4 章 半导体器件习题解答
题 4.7 图
解:由已知,稳压管 UZ=8.2V,正向压降 0.7V,如果两个稳压管串联,UO 为二者电压之 和,如果并联,因为二极管的钳位作用,UO 为电压值较低的稳压管的电压,由此可得:
(a) UO=8.2+0.7=8.9V,I=(18-8.9)/1500≈6.07mA (b) UO=8.2+8.2=16.4V,I=(18-16.4)/500=3.2mA (c) UO=0.7V,I=(18-0.7)/2000=8.65mA (d) UO=8.2V,I=(18-8.2)/1000=9.8mA 4.8 有两个稳压管 VDZ1 和 VDZ2,其稳定电压分别为 5.5V 和 8.5V,正向压降都是 0.5V。 如果要得到 0.5V、3V、6V、9V 和 14V 几种稳定电压,这两个稳压管及限流电阻应如何连接? 请画出各个电路图。 解:参考题 4.7。 4.9 在题 4.9 图所示电路中,E=20V,R1=900Ω,R2=1100Ω。稳压管的稳定电压 UZ=10V, 最大稳定电流 IZM=8A。试求稳压管中通过的电流 IZ 是否超过 IZM?如果超过,应如何解决?
题 4.1 图
题 4.2 图
解:此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。 首先从(b)图可以看出,当二极管 D 导通时,电阻为零,所以 uo=ui;当 D 截止时,电
第 4 章 半导体器件习题解答
阻为无穷大,相当于断路,因此 uo=5V,即是说,只要判断出 D 导通与否,就可以判断出输出电压的波形。要判断 D 是否导通, 可以以接地为参考点(电位零点),判断出 D 两端电位的高低, 从而得知是否导通。
第 4 章 半导体器件习题解答
解:解题方法:1.判断二极管导通与截止条件。假设二极管断开,根据二极管两端电位高 低判断二极管何时导通,何时截止。
2.分别分析二极管导通与截止的情况下输出电压值。 具体分析过程: (a) 当 ui<5V 时,二极管截止,uo=ui,当 ui>5V 时,二极管导通,uo=5V; (b) 当 ui<5V 时,二极管导通,uo=ui,当 ui>5V 时,二极管截止,uo=5V; (c) 当 ui<5V 时,二极管导通,uo=5V,当 ui>5V 时,二极管截止,uo=ui; (d) 当 ui<5V 时,二极管截止,uo=5V,当 ui>5V 时,二极管导通,uo=ui。 输出电压 uo 波形如下图:
第 4 章 半导体器件习题解答
习
题
4.1 计算题 4.1 图所示电路的电位 UY。 (1)UA=UB=0 时。 (2)UA=E,UB=0 时。 (3)UA=UB=E 时。 解:此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。假设图中二极管为理想二极
管,可以看出 A、B 两点电位的相对高低影响了 DA 和 DB 两个二极管的导通与关断。 当 A、B 两点的电位同时为 0 时,DA 和 DB 两个二极管的阳极和阴极(UY)两端电位同时
uo/V 5 0
-10
uo/V
10
5
ωt
0
ωt
(a)(b)
(c)(d)
4.6 在题 4.5 图所示的电路中, ui = 10sin ωt V,E=2V,试分别画出输出电压 uO 的波形。 二极管的正向压降仍可忽略不计。
解:参考题 4.5 4.7 特性完全相同的稳压管 2CW15,UZ=8.2V,接成如题 4.7 图所示的电路,各电路输 出电压 UO 是多少?电流 I 是多少?(硅稳压管的正向压降取 0.7V)。
题 4.9 图
解:电阻 R1 中的电流 I1 =
E −UZ R1
= 20 −10 = 11.1 900
(mA) ;
电阻 R2 中的电流 I2
= UZ R2
= 9.09
(mA) ;
稳压二极管中的电流 I Z = I1 − I2 = 2.01mA < I ZM = 8mA ,没有超过最大值;
(1)由于 UA=UB=0,DA 和 DB 均处于截止状态,所以 UY=0;
(2)由
UA=E,UB=0
可知,DA
导通,DB
截止,所以
UY=
9kΩ 1kΩ +
⋅E 9kΩ
=
9 10
E;
(3)由于
UA=UB=E,DA和DB同 Nhomakorabea导通,因此
UY=
2
2 ×
× 9kΩ ⋅ E 9kΩ +1kΩ
=
18 19
E。
4.2 在题 4.2 图所示电路中,设 VD 为理想二极管,已知输入电压 uI 的波形。试画出输 出电压 uO 的波形图。
4.4 二极管电路如题 4.4 图所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出 A、O 两 点间的电压 UO。图中二极管均为硅管,正向压降取 0.7V。
题 4.4 图
解:解题思路:假设二极管断开,取 O 点为参考点,判断二极管的阳极点和阴极点电位 高低,如果阳极电位高于阴极电位 0.7V 以上,则二极管导通,否则截止。
为 0,因此均不能导通;当 UA=E,UB=0 时,DA 的阳极电位为 E,阴极电位为 0(接地), 根据二极管的导通条件,DA 此时承受正压而导通,一旦 DA 导通,则 UY>0,从而使 DB 承受 反压(UB=0)而截止;当 UA=UB=E 时,即 DA 和 DB 的阳极电位为大小相同的高电位,所 以两管同时导通,两个 1kΩ的电阻为并联关系。本题解答如下:
uo 与 ui 的波形对比如右图所示:
4.3 试比较硅稳压管与普通二极管在结构和运用上有何异 同?
答:硅稳压管与普通二极管在结构是一样的,都有一个 PN 结,引出两个电极,但由于做 PN 结的工艺不同,二者在运用中就不相同,硅稳压管可以工作 在反向击穿区而普通二极管就不能工作在反向击穿区,如果外加反向电压小于稳压值时,稳压 管可作二极管使用。
(a)假设 VD 断开,因其阳极点电位(6V)高于阴极点电位(0V),可知 VD 处于导通 状态,UO=6-0.7=5.3V;
(b)VD1 导通,VD2 截止,UO 被钳位在 0.7V; (c)VD 导通,UO=12-0.7=11.3V; (d)VD1,VD2 均截止,UO=-6V 4.5 在题 4.5 图所示的电路中, ui = 10sin ωt V,E=5V,试分别画出输出电压 uO 的波形。 二极管的正向压降可忽略不计。