半导体制造技术必看考点
半导体知识点总结大全
半导体知识点总结大全引言半导体是一种能够在一定条件下既能导电又能阻止电流的材料。
它是电子学领域中最重要的材料之一，广泛应用于集成电路、光电器件、太阳能电池等领域。
本文将对半导体的知识点进行总结，包括半导体基本概念、半导体的电子结构、PN结、MOS场效应管、半导体器件制造工艺等内容。
一、半导体的基本概念（一）电子结构1. 原子结构：半导体中的原子是由原子核和围绕原子核轨道上的电子组成。
原子核带正电荷，电子带负电荷，原子核中的质子数等于电子数。
2. 能带：在固体中，原子之间的电子形成了能带。
能带在能量上是连续的，但在实际情况下，会出现填满的能带和空的能带。
3. 半导体中的能带：半导体材料中，能带又分为价带和导带。
价带中的电子是成对出现的，导带中的电子可以自由运动。
（二）本征半导体和杂质半导体1. 本征半导体：在原子晶格中，半导体中的电子是在能带中的，且不受任何杂质的干扰。
典型的本征半导体有硅（Si）和锗（Ge）。
2. 杂质半导体：在本征半导体中加入少量杂质，形成掺杂，会产生额外的电子或空穴，使得半导体的导电性质发生变化。
常见的杂质有磷（P）、硼（B）等。
（三）半导体的导电性质1. P型半导体：当半导体中掺入三价元素（如硼），形成P型半导体。
P型半导体中导电的主要载流子是空穴。
2. N型半导体：当半导体中掺入五价元素（如磷），形成N型半导体。
N型半导体中导电的主要载流子是自由电子。
3. 载流子浓度：半导体中的载流子浓度与掺杂浓度有很大的关系，载流子浓度的大小决定了半导体的电导率。
4. 质量作用：半导体中载流子的浓度受温度的影响，其浓度与温度成指数关系。
二、半导体器件（一）PN结1. PN结的形成：PN结是由P型半导体和N型半导体通过扩散结合形成的。
2. PN结的电子结构：PN结中的电子从N区扩散到P区，而空穴从P区扩散到N区，当N区和P区中的载流子相遇时相互复合。
3. PN结的特性：PN结具有整流作用，即在正向偏置时具有低电阻，反向偏置时具有高电阻。
半导体制造技术考试答案(考试必看
1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
2、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？3、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
6、问答题说明影响氧化速率的因素。
7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
9、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
10、问答题以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
12、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？13、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
14、问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
15、问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g 各段的名称。
可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
16、问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
17、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
18、问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？19、问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
20、问答题简述几种典型真空泵的工作原理。
21、问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？22、问答题下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。
半导体制造工艺期末考试重点复习资料
1、三种重要的微波器件：转移型电子晶体管、碰撞电离雪崩渡越时间二极管、MESFET.2、晶锭获得均匀的掺杂分布：较高拉晶速率和较低旋转速率、不断向熔融液中加高纯度多晶硅，维持熔融液初始掺杂浓度不变。
3、砷化镓单晶：p型半导体掺杂材料镉和锌，n型是硒、硅和锑硅：p型掺杂材料是硼，n型是磷。
4、切割决定晶片参数：晶面结晶方向、晶片厚度（晶片直径决定）、晶面倾斜度（从晶片一端到另一端厚度差异）、晶片弯曲度(晶片中心到晶片边缘的弯曲程度）。
5、晶体缺陷：点缺陷（替位杂质、填隙杂质、空位、Frenkel，研究杂质扩散和氧化工艺）、线缺陷或位错(刃型位错和螺位错,金属易在线缺陷处析出）、面缺陷（孪晶、晶粒间界和堆垛层错，晶格大面积不连续，出现在晶体生长时）、体缺陷(杂质和掺杂原子淀积形成，由于晶体固有杂质溶解度造成）.6、最大面为主磨面，与<110>晶向垂直，其次为次磨面，指示晶向和导电类型。
7、半导体氧化方法：热氧化法、电化学阳极氧化法、等离子化学汽相淀积法。
8、晶体区别于非晶体结构：晶体结构是周期性结构，在许多分子间延展,非晶体结构完全不是周期性结构.9、平衡浓度与在氧化物表面附近的氧化剂分压值成正比。
在1000℃和1个大气压下,干氧的浓度C0是5。
2x10^16分子数/cm^3，湿氧的C0是3x10^19分子数/cm^3。
10、当表面反应时限制生长速率的主要因素时,氧化层厚度随时间呈线性变化X=B（t+）/A线性区（干氧氧化与湿氧氧化激活能为2eV,）；氧化层变厚时,氧化剂必须通过氧化层扩散，在二氧化硅界面与硅发生反应，并受扩散过程影响，氧化层厚度与氧化时间的平方根成正比，生长速率为抛物线X^2=B(t+）抛物线区（干氧氧化激活能是1。
24Ev,湿氧氧化是0.71eV). 11、线性速率常数与晶体取向有关，因为速率常数与氧原子进入硅中的结合速率和硅原子表面化学键有关；抛物线速率常数与晶体取向无关,因为它量度的是氧化剂穿过一层无序的非晶二氧化硅的过程。
第一讲：半导体基础知识(半导体制造技术)
晶体结构＝基元＋空间点阵
第七页，共80页。
晶体结构＝基元＋空间点阵
第八页，共80页。
说
明
1、基元中A、B可以是不同的原子，或相同的原子，但周围“ 环境”不同。
2、每个基元用一个格点来表示。此格点选在基元的什么地方、代表几个原子并未限制。
3、每个基元内所含的原子数＝晶体中原子的种类数。
4、布拉菲格子（B格子）的基本特征：各格点的情况（基元内涵和周围“ 环
Basis: The constituent atoms attached to each lattice
point. Every basis is identical in composition,
arrangement, and orientation.
Crystal= Lattice+ Basis
a i
2
a j
3
a k
§1.3 晶体的空间点阵结构
立方晶系基本的晶体结构：
常见的三个基本的立方结构及其晶格常数，分别是
简单立方、体心立方和面心立方，立方体的边长即
为晶格常数。
（1）简单立方结构（SC）
（2）体心立方结构（BCC）
（3）面心立方结构（FCC）
第十五页，共80页。
§1.3 晶体的空间点阵结构
（1）单晶：长程有序（整体有序，宏观尺度，
通常包含整块晶体材料，一般在毫米量级以
上）；
（2）多晶：长程无序，短程有序（团体有序，
成百上千个原子的尺度，每个晶粒的尺寸通常
是在微米的量级）；
（3）非晶（无定形）：基本无序（局部、个
体有序，仅限于微观尺度，通常包含几个原子
或分子的尺度，即纳米量级，一般只有十几埃
半导体考试重点‘
第一章半导体芯片制造简介：（1）发展阶段：第一个商用平面晶体管1957年Fairchild第一个IC 1958年TI第一个硅IC 1961年Fairchild第一个晶体管1947年Bell Labs外延技术1960年离子注入技术，等离子刻蚀技术，化学气相淀积技术等新技术70年代初全球第一家集成电路标准加工厂1987年台湾积体电路公司芯片加工精度在亚微米范围，出现电子束光刻，X射线光刻，深紫外光刻技术，分子束外延，薄层氧化工艺等新技术铜互连工艺1998年IBM主流产品特征尺寸在0.18 μm以下2000年特征尺寸在90nm 2004年特征尺寸在32nm 2011年准分子激光光刻，远紫外曝光光刻，电子束投影光刻有望成为主流技术铜互连技术已应用在高端电路芯片的生产工艺中（2）发展趋势：⏹IC发展的标志：特征尺寸集成度⏹摩尔定律:1964年戈登·摩尔提出内容：芯片上的晶体管数每18个月翻一番（1975年）⏹工艺材料的物理极限问题工艺技术瓶颈：光刻技术（2）集成电路工艺制造材料：⏹导体：作互连线，阻挡层，接触孔，通孔如：Al Cu，Ta Ti 及其氮化物, W⏹绝缘体：作介质层，保护层，钝化层如：SiO2 低Ｋ介质高Ｋ介质，Si3N4⏹半导体如：Ge Si GaAs GaN（3）重要的半导体材料：硅Si其特点：硅的丰裕度、更高的熔化温度允许更宽的工艺容限（硅1412摄氏度、锗937摄氏度）、更宽的工作温度范围（硅150摄氏度、锗100摄氏度）、氧化物SiO2（4）现代的IC制造⏹硅片（衬底，晶圆）：制造电子器件的基本半导体材料，是单晶，圆形，薄片⏹半导体器件制作在接近硅片表面几μm处，淀积介质层和导电材料隔离或连接器件⏹多层布线结构⏹制作两到三个月，完成450道或更多的工艺步骤（5）微芯片制造工艺流程1）制备硅片：半导体级硅提炼、单晶生长、整形切片等2）硅片制造：在其表面形成器件和互连线层的过程、薄膜生长(氧化、淀积、外延)、图像转换（光刻、刻蚀）、掺杂（热扩散、离子注入）、其他技术（清洗、平坦化等）3）硅片测试/拣选4）装配与封装：划片、切割成芯片、压焊和包封5）终测：确保集成电路通过电学和环境测试（6）微芯片的沾污导致成品率损失80%失效芯片是由沾污带来的缺陷引起的；维护一个严格的微芯片制造环境很重要；清洗技术。
半导体工艺及芯片制造复习资料简答题与答案
半导体工艺及芯片制造复习资料简答题与答案第一章、半导体产业介绍1 .什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？（15分）集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。
集成电路芯片/元件数 无集成1 小规模（SSI ）2到50 中规模（MSI ）50到5000 大规模（LSI ）5000到10万 超大规模（VLSI ） 10万至U100万 甚大规模（ULSI ） 大于100万 产业周期1960年前 20世纪60年代前期 20世纪60年代到70年代前期 20世纪70年代前期到后期 20世纪70年代后期到80年代后期 20世纪90年代后期到现在2 .写出IC 制造的5个步骤？（15分）Wafer preparation （硅片准备）Wafer fabrication （硅片制造）Wafer test/sort （硅片测试和拣选）Assembly and packaging （装配和封装）Final test （终测）3 .写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？（15分）发展方向：提高芯片性能一提升速度（关键尺寸降低，集成度提高，研发采用新材料），降低功耗。
提高芯片可靠性一严格控制污染。
降低成本——线宽降低、晶片直径增加。
摩尔定律指：IC 的集成度将每隔一年翻一番。
1975年被修改为：IC 的集成度将每隔一年半翻一番。
4 .什么是特征尺寸CD ？ （10分）最小特征尺寸，称为关键尺寸（Critical Dimension, CD ） CD 常用于衡量工艺难易的标志。
5.什么是 More moore 定律和 More than Moore 定律？（10 分）“More Moore”指的是芯片特征尺寸的不断缩小。
从几何学角度指的是为了提高密度、性能和可靠性在晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸的继续缩小。
与此关联的3D结构改善等非几何学工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能。
半导体制造必备的基础知识
半导体制造必备的基础知识半导体制造，这听起来就像是一个超级神秘又超级厉害的事儿，就好像是在微观世界里打造一个精密的小宇宙。
半导体啊，简单来说，就像是一个超级听话的小助手，它能根据我们给的指令，让电流乖乖听话。
那半导体制造呢？这就好比是培养这个小助手的过程，得特别精细，容不得半点马虎。
咱先得了解半导体的材料。
硅可是个大明星，就像盖房子的砖头一样基础又重要。
硅原子排得整整齐齐的，就像一群训练有素的士兵。
不过，这硅也不是拿来就能用的，得经过各种加工。
就像把一块普通的石头打磨成美玉一样，要提纯、拉晶。
提纯就像是把沙子里的杂质一点点挑出去，只留下最纯净的硅。
拉晶呢，就像是把这纯净的硅变成一根长长的、规则的棒子，这可需要很高的技术，就像捏糖人儿一样，得掌握好火候和手法。
光刻技术也是半导体制造里的重头戏。
光刻就像是用超级精细的画笔在硅片上画画。
这个画笔可不是普通的画笔，而是一束束光线。
光线就像一把把小刀，把我们想要的图案精确地刻在硅片上。
这图案的精度那可不得了，就好比是在一根头发丝上刻字，而且还得刻得清清楚楚、规规矩矩。
要是刻歪了一点，就像炒菜的时候盐放多了一样，整个半导体可能就不好使了。
掺杂也是个关键步骤。
这就像是给一群小朋友分配不同的任务一样。
往硅里面加入一些其他的元素，让硅有不同的性质。
比如说，加入磷或者硼，就像是给硅这个小团体里加入了新的成员，改变了它们的行为模式，让电流在里面跑得更顺畅或者按照我们想要的方式跑。
薄膜沉积也不能小看。
这就像是给半导体穿上一件件不同的衣服。
一层一层的薄膜覆盖在硅片上，每一层都有自己的作用。
有的是为了保护，有的是为了传导信号。
这就像我们冬天穿衣服，内衣、毛衣、外套，各有各的功能，缺了哪一件都不行。
测试环节就像是给半导体这个小战士做体检。
得检查它各个方面是不是都合格。
就像我们去医院检查身体一样，得一项一项地查。
血压高了不行，半导体这里电流不对也不行。
要是发现有问题，就得像给病人治病一样，重新调整制造的过程。
半导体行业必备知识
半导体行业必备知识标题: 半导体行业必备知识：从基础概念到未来发展引言:半导体行业是现代科技和电子行业的核心，对我们的生活产生了深远的影响。
为了更好地理解和掌握半导体行业，本文将从基础概念开始，逐步深入探讨相关主题。
我们将介绍半导体的定义、材料和工艺，以及半导体芯片的制造和应用。
此外，我们还将讨论半导体行业的未来发展趋势和挑战，以及对环境和社会的影响。
第一部分：半导体基础知识1. 半导体的定义和特性- 解释什么是半导体，以及半导体材料的特性。
- 讨论半导体材料的能带结构和导电性质。
2. 半导体材料- 介绍常见的半导体材料，如硅(Si)和砷化镓(GaAs)。
- 分析不同材料的特点、优缺点和在半导体行业中的应用。
3. 半导体器件和工艺- 介绍半导体器件的基础结构，如二极管和晶体管。
- 解释常用的半导体工艺，如光刻和离子注入，以及它们对半导体器件性能的影响。
第二部分：半导体芯片制造和应用1. 半导体芯片制造工艺- 详细描述半导体芯片的制造过程，包括晶圆加工、沉积、刻蚀和清洗等步骤。
- 分析不同制造工艺对芯片性能和产量的影响。
2. 半导体芯片应用领域- 探讨半导体芯片在各个领域的应用，如通信、计算机、医疗和能源。
- 强调半导体芯片在现代科技和电子领域的关键作用。
第三部分：半导体行业的未来发展1. 新兴半导体技术- 介绍新兴的半导体技术，如碳纳米管和量子点。
- 分析这些技术在提高芯片性能和创新应用方面的潜力。
2. 挑战和趋势- 讨论半导体行业面临的挑战，如技术复杂性和成本压力。
- 分析行业的发展趋势，如人工智能和物联网对半导体需求的增长。
第四部分：半导体行业的环境和社会影响1. 可持续发展- 探讨半导体行业在可持续发展方面的挑战和努力。
- 分析行业在能耗、废弃物管理和碳减排方面的可持续性措施。
2. 社会责任- 强调半导体行业在社会责任方面的作用，如创造就业机会和支持教育项目。
- 讨论行业在社会和经济发展中的贡献和责任。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
1、问答题说明影响氧化速率的因素。
2、问答题个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设
k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。
3、填空题研究细胞结构和功能异常与疾病关系的细胞生物学分支称为（）。
4、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？
5、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
6、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
7、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
8、问答题分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
9、问答题简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
10、问答题
下图为一个典型的离子注入系统。
（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。
（2）阐述部件2的工作原理。
11、问答题
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
12、问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？
13、问答题
下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。
14、问答题MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最基本的区别是什么？
15、问答题什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
16、问答题根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？
17、问答题杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。
18、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
19、问答题热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
20、问答题简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。
21、问答题射频放电与直流放电相比有何优点？
22、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
23、问答题简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
24、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
25、问答题在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。
26、问答题什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？
27、问答题采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。
28、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
29、问答题应力分为压应力和张应力，下图的形状是由于哪种应力产生的？请在图上标出应力的方向。
如果要让上面的结构材料变得平整，要怎么做？
30、问答题以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
31、问答题
简述硼和磷的退火特性。
32、问答题
Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。
33、问答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。
34、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？
35、问答题
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
36、问答题什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
37、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
38、问答题在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？
39、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
40、问答题浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
41、问答题物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
42、问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？
43、问答题常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。
44、问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
45、问答题对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。
分析滑移产生的原因。
如果温
度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？
46、问答题在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。
47、问答题在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗？为什么？
48、问答题什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
49、问答题对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。
现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。
应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
50、问答题一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。
所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。
（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。
（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
51、问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
52、问答题什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？
53、问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
54、问答题分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。
55、问答题简述几种典型真空泵的工作原理。
56、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
57、问答题
以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
58、问答题集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
59、问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
60、问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g 各段的名称。
可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
61、问答题根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？。