宽禁带半导体器件对比
几种典型宽禁带半导体材料的制备及发展现状
几种典型宽禁带半导体材料的制备及发展现状杨静;杨洪星【摘要】阐述了SiC、G aN、A lN等几种宽禁带半导体材料的特性、突出优势及其重要应用;并对比分析了目前制备这些半导体材料的主流方法及其各自存在的利与弊;最后讨论了宽禁带半导体材料的发展现状及其存在的挑战.【期刊名称】《电子工业专用设备》【年(卷),期】2016(045)008【总页数】4页(P20-23)【关键词】碳化硅;氮化镓;宽禁带半导体;器件【作者】杨静;杨洪星【作者单位】中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220【正文语种】中文【中图分类】TN304.05随着半导体技术的不断发展，传统半导体材料如Si和GaAs受其自身固有性质的限制已经难以满足各器件领域进一步深入应用的需要。
在电子材料向大尺寸、多功能化及集成化发展的大趋势下，第三代宽禁带半导体材料如SiC、GaN、AlN、金刚石、ZnSe等由于具有更高的击穿电场、热导率、电子迁移率、电子饱和漂移速度等优势（见表1［1］）在高温、高频、抗辐射、短波长发光等领域展现出巨大的应用潜力［2-4］。
在光电领域，SiC材料倍受青睐；在微波器件领域，器件已由硅双极型晶体管、场效应管、LDMOS管向以SiC、GaN为代表的宽禁带功率管过传统半导体材料Si、GaAs的制备包括CZ、FZ、LEC、HB、VB、VCZ等方法，第三代半导体材料的生长条件比较苛刻，上述传统方法较难制备出理想单晶。
为此，科研工作者付出大量努力，在此重点介绍目前研究及应用比较多的SiC、GaN、AlN的生长及制备过程。
SiC是目前研究的宽禁带半导体材料中较为成熟的一种，但其仍没有得到广泛的应用，主要原因则是受其制备技术的限制。
已制备的SiC大都存在尺寸小、缺陷多等问题难以达到器件的使用要求。
就SiC的制备而言，最开始是采用升华法进行制备；接着研究较多的是通过外延法来获得SiC，此时所用到的外延生长方法主要有液相外延法、化学气相外延法、分子束外延等。
宽禁带半导体功率器件——材料、物理、设计及应用
宽禁带半导体功率器件——材料、物理、设计及应用1.引言1.1 概述宽禁带半导体功率器件作为半导体领域中的重要分支，具有广阔的应用前景。
它是基于宽禁带半导体材料的器件，具备了高功率、高电压和高温度等特点，适用于能源领域、通信领域以及其他一系列领域。
在本文中，我们将对宽禁带半导体功率器件的材料、物理性质、设计原理以及应用领域进行深入研究和探讨。
首先，我们将介绍宽禁带半导体材料的定义和分类，以及其在器件制备中的重要性。
接着，我们将详细探讨宽禁带半导体材料的物理性质，包括载流子浓度、迁移率和反向饱和电流等关键参数的影响因素和变化规律。
其次，我们将深入研究宽禁带半导体功率器件的设计原理，包括器件结构、电场分布以及载流子输运等方面的理论基础。
这部分内容将着重介绍宽禁带半导体功率器件的设计要点，包括提高器件电流密度、减小漏电流和改善器件热特性等方面的关键技术和方法。
最后，我们将重点关注宽禁带半导体功率器件在能源领域和通信领域的应用。
特别是在能源领域，宽禁带半导体功率器件可以广泛应用于太阳能电池、风力发电和电动车等领域，为可再生能源的开发和利用提供支持。
在通信领域，宽禁带半导体功率器件的高频特性和高功率特性，使其成为无线通信系统中的重要组成部分。
总之，本文将全面介绍宽禁带半导体功率器件的材料、物理性质、设计原理以及应用领域，并对其现状进行总结和展望。
通过深入研究和探讨，我们希望能够进一步提高宽禁带半导体功率器件的性能和应用水平，为相关领域的发展做出贡献。
文章结构部分的内容如下：1.2 文章结构本文将分为引言、正文和结论三部分来展开对宽禁带半导体功率器件的讨论。
引言部分将首先对宽禁带半导体功率器件进行概述，介绍其基本概念和特点。
接着将介绍文章的结构和内容安排，以便读者能够清晰地理解全文的逻辑发展。
正文部分将分为三个主要章节：材料、设计和应用。
在材料章节中，我们将详细介绍宽禁带半导体材料的特点和性质，包括它们的禁带宽度、载流子浓度和迁移率等重要参数。
第三代半导体GaN 材料特性对比
第三代半导体GaN 材料特性对比◎刘悦董政鑫郭建达陈冲（作者单位：吉林建筑大学）随着对大功率、散热、抗干扰器件的要求越来越高，以GaN为代表的第三代半导体材料登上了舞台，它们共同的特点即是禁带宽度大，抗辐照能力强，热稳定性好、化学稳定性好，加上良好的散热性，使得第三代半导体在大功率及特殊环境下的应用前景十分广阔。
一、GaN 材料概论自然界中，我们将材料按其导电性能分为三类，分别是导体、半导体和绝缘体，与导体和绝缘体相比，半导体具有特殊的电学性质，其电阻率受材料自身纯度，外界温度，辐射等强烈影响，固体物理中的能带理认为导体中的电子未能填充满其所在整个允带，允带中的电子可以在外加电场的作用下，产生定向移动，进而改变自身在K 空间中的能量状态，半导体和绝缘体其允带中充满了电子，电子虽然在外加电场中发生移动，但从整体来看其在K 空间中能量状态没有发生变化，所以对外不显电性，同时，由于半导体的禁带宽度较小，在外加光照或电流能能量注入的情况下，部分电子可以获得能量跨越禁带宽度，进入上层允带，这样上下两个允带都有“空余位置”供电子用来移动，其性质趋近于导体性质，K 空间中的能量状态可以发生改变，半导体对外显示导电性质。
绝缘体由于禁带宽度过大，所以很难改变其导电的性质，综上，我们可知半导体的这种可调制的导电性，具有重要的研究意义。
目前，半导体材料主要分为三代，第一代半导体材料主要以Si、Ge 半导体材料为主，Ge 半导体材料由于的高温和抗辐射性能较差，上世纪60年代后期Si 逐渐成为第一代半导体的代表，第二代半导体材料主要是指化合物半导体，如GaAs、InSb 为代表的二元化合物半导体，其中GaAs 为直接带系半导体，其导带底和价带顶都位于K 空间的原点位置，且禁带宽度仅为1.43电子伏，这些性质非常利于GaAs 的光学应用，以GaAs 为代表的第二代半导体主要用于制作高性能的毫米波、微波或光电子器件。
第三代半导体主要指的是以GaN，SiC，InN 化合物为代表的宽禁带材料，相比于第二代半导体，其具有高电子迁移率，高电子浓度，耐高温，抗辐射等优点，更适宜于制作高温、高频以及大功率器件，目前，实验测得GaN 材料的结构主要有以下三种，分别是纤锌矿结构、闪锌矿结构以及盐矿结构，在常温常压下，GaN 主要以闪锌矿和纤锌矿的结构存在。
宽禁带半导体电力电子器件
宽禁带半导体材料的禁带宽度较大，能够 在高温环境下保持稳定的性能，增强了电 力电子器件的可靠性和稳定性。
节能环保
推动技术进步
宽禁带半导体电力电子器件具有高效能、 低能耗的优点，有助于减少能源消耗和环 境污染。
宽禁带半导体电力电子器件的发展推动了 新能源、智能电网、电动汽车等领域的技 术进步和应用。
对未来研究和发展的建议
宽禁带半导体电力电子器件
目录
• 引言 • 宽禁带半导体材料 • 宽禁带半导体电力电子器件的种类 • 宽禁带半导体电力电子器件的应用 • 宽禁带半导体电力电子器件的挑战与前景 • 结论
01 引言
宽禁带半导体的定义
宽禁带半导体
指禁带宽度较大的半导体材料，通常 禁带宽度大于2.3eV。常见的宽禁带 半导体材料包括硅碳化物（SiC）、氮 化镓（GaN）和氧化锌（ZnO）等。
料之一。
GaN电力电子器件在电动汽车、可再生能源系统、智 能电网等领域也具有广泛应用前景，尤其在高压和高
温环境下表现出更高的性能优势。
宽禁带半导体的优势
高热导率
宽禁带半导体材料具有高热导率， 能够有效地将热量导出，提高器 件的散热性能和可靠性。
高击穿场强
宽禁带半导体材料具有高击穿场 强，能够承受更高的电压和电流， 提高器件的耐压能力和电流容量。
高频开关电源
宽禁带半导体电力电子器件具有高频 开关能力，可应用于高频开关电源， 减小电源体积和重量，提高电源转换 效率。
02 宽禁带半导体材料
硅碳化物（SiC）
硅碳化物（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高电子饱 和迁移速度等优点。
SiC在高温、高压、高频和高功率应用领域具有优异性能，是制造电力电子器件的理 想材料之一。
宽禁带半导体材料
其他应用
宽禁带半导体材料在传感器、太阳 能电池、电子束器件等领域也有应 用。
02
宽禁带半导体材料的性质
物理性质
高击穿电场
宽禁带半导体具有高的击穿电 场，可使其在高温和高频下保
持优良的导电性能。
高热导率
宽禁带半导体的热导率较高，有 利于器件的高温工作。
低有效质量
宽禁带半导体具有低的有效质量， 有助于提高其电子和空穴的迁移率 。
方法。
该方法的基本原理是将金属有机物作 为源材料，通过控制反应温度、反应 压力、反应气体的种类和输送到反应 炉中的量等参数，实现高质量宽禁带
半导体材料的可控制备。
与传统的化学气相沉积法相比，金属 有机物化学气相沉积法具有更高的生 长速率和更低的成本，同时还可以实 现不同类型宽禁带半导体材料的可控
制备。
总结词
宽禁带半导体材料具有宽带隙和高透光性等特性，因此在光电器件领域也有 着广泛的应用前景。
详细描述
宽禁带半导体材料在光电器件领域主要应用于LED、激光器和光检测器等光电 器件的制作。这些器件可以应用于光纤通信、光信息处理和光电传感等领域 。
传感和MEMS应用
总结词
宽禁带半导体材料具有高灵敏度、高分辨率和高稳定性等优点，因此在传感和 MEMS领域也有着广泛的应用前景。
该方法的基本原理是将反应气体输送到反应炉中，在一定的温度和压力下，反应气体发生 化学反应并生成固态薄膜。
通过控制反应气体的种类和输送到反应炉中的量，可以精确地控制薄膜的生长速率和厚度 ，从而实现高质量宽禁带半导体材料的可控制备。
溶胶-凝胶法
溶胶-凝胶法是一种在宽禁带半导体材料制备中常用的化学方法。
微波射频应用
总结词
宽禁带半导体材料具有高频率特性、低损耗和高功率容量等 优势，因此在微波射频领域也具有广泛的应用前景。
基于硅单晶与宽禁带材料电力电子器件性能对比及最新发展
J I A N G S U U N I V E R S I T Y基于硅单晶与宽禁带材料电力电子器件性能对比及最新发展动态的专题报告学院名称：电气信息工程学院专业班级：学生姓名：学生学号:2016.11.1一．硅单晶材料的电力电子器件性能对比1.1硅单晶材料单晶硅主要用于制作半导体元件，是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。
自晶闸管和功率晶体管问世和应用以来，硅基半导体器件在功率处理能力和开关频率方面不断改善，先后诞生了GTR、GTO、MOSFET 和IGBT 等现代电力电子器件，对电力电子系统缩小体积、降低成本起到了极其关键的作用[1]。
1.2各器件性能对比1.2.1大功率晶体管（GTR）GTR是一种电流控制的双极双结电力电子器件，产生于本世纪70年代，其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。
它既具备晶体管的固有特性，又增大了功率容量，因此，由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短，在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。
GTR的缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。
在开关电源和UPS内，GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。
1.2.2门极可关断晶闸管（GTO）1964年，美国第一次试制成功了500V/10A的GTO。
在此后的近10年内，GTO的容量一直停留在较小水平，只在汽车点火装置和电视机行扫描电路中进行试用。
宽禁带半导体光电材料研究进展
宽禁带半导体光电材料的研究及其应用宽禁带半导体材料(Eg大于或等于3.2ev)被称为第三代半导体材料。
主要包括金刚石、SiC、GaN等。
和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好,具有更高的击穿电场、更高的抗辐射能力的特点,其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景,非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。
以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物作为第三代半导体材料,是一种良好的直接宽隙半导体光电材料,其室温禁带宽度为3.4eV,它可以实现从红外到紫外全可见光范围的光辐射。
近年来已相继制造出了蓝、绿色发光二极管和蓝色激光器等光电子器,这为实现红、黄、蓝三原色全光固体显示,制备大功率、耐高温、抗腐蚀器件,外空间紫外探测,雷达,光盘存储精细化、高密度,微波器件高速化等奠定了基础。
氮化镓和砷化镓同属III-V族半导体化合物,但氮化镓是III-V族半导体化合物中少有的宽禁带材料。
利用宽禁带这一特点制备的氮化镓激光器可以发出蓝色激光,其波长比砷化镓激光器发出的近红外波长的一半还要短,这样就可以大大降低激光束聚焦斑点的面积,从而提高光纪录的密度。
与目前常用的砷化镓激光器相比,它不仅可以将光盘纪录的信息量提高四倍以上,而且可以大大提高光信息的存取速度。
这一优点不仅在光纪录方面具有明显的实用价值,同时在光电子领域的其他方面也可以得到广泛应用。
虽然人们早就认识到氮化镓的这一优点,但由于氮化镓单晶材料制备上的困难以及难于生长出氮化镓PN结,氮化镓发光器件的研究很长时间一直没有获得突破。
经过近20年的努力,1985年通过先进的分子束外延方法大大改善了氮化镓材料的性能;1989年,Akasaki等人利用电子辐照方法实现了氮化镓P型材料的生长并制备出PN结;1995年Nakamura等人制备出发蓝紫光的氮化镓发光二极管,效率达到5%,赶上了传统的磷砷化镓发光二极管的效率,寿命超过一万小时。
宽禁带半导体技术
宽禁带半导体技术李耐和概述根据半导体材料禁带宽度的不同，可分为宽禁带半导体材料与窄禁带半导体材料。
若禁带宽度Eg＜2ev （电子伏特），则称为窄禁带半导体，如锗（Ge）、硅（Si）、砷化镓（GaAs）以及磷化铟（InP）；若禁带宽度Eg＞2.0-6.0ev，则称为宽禁带半导体，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、4H碳化硅（4H－SiC）、6H碳化硅（6H－SiC）、氮化铝（AIN）以及氮化镓铝（ALGaN）等。
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点，非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件；而利用其特有的禁带宽度，还可以制作蓝、绿光和紫外光器件和光探测器件。
因此，美国、日本、俄罗斯等国都极其重视宽禁带半导体技术的研究与开发。
从目前宽禁带半导体材料和器件的研究情况来看，研究重点多集中于SiC和GaN技术，其中SiC技术最为成熟，研究进展也较快；GaN技术应用广泛，尤其在光电器件应用方面研究比较深入。
目前，多家半导体厂商演示了具有高功率、高功率附加效率（PAE）、高增益以及较宽工作带宽的宽禁带半导体。
这些器件工作频率范围很宽，从不足1GHz到40GHz，而且性能优异。
虽然自20世纪90年代以来的10多年时间里，SiC器件的演示结果非常喜人，但是高性能宽禁带器件的产量一直很低。
一个主要原因就是无法得到理想的SiC基底――不但要具有足够高电阻系数，可以提供半绝缘特性，而且严重缺陷（如微孔）数量要足够低。
由于没有高质量的基底，就无法通过宽禁带材料的同质/异质外延生长获得制作微波与毫米波器件所需的高度一致性、具有足够高电子迁移率的大尺寸晶片。
值得一提的是，在过去的3年里，SiC基底研制进展迅速，不仅圆片直径有所加大，而且缺陷数量与电阻率都达到了大批量生产性能优异的宽禁带器件与MMIC（单片微波集成电路）的技术要求。
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宽禁带半导体功率器件刘海涛陈启秀摘要阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。
关键词宽禁带半导体功率器件碳化硅金刚石Wide Bandgap Semiconductor Power DevicesLiu Haitao,Chen Qixiu(Institute of Power Devices,Zhejiang University,Hangzhou 310027)Abstract The paper presents the main characteristics of wide bandgap semiconductors,and elaborates the latest development of SiC and diamond power devices.At the same time,the future development of SiC and diamond power devices is forcasted.Keywords Wide bandgap semiconductor Power devices SiC Diamond1 引言由于Si功率器件已日趋其发展的极限，尤其在高频、高温及高功率领域更显示出其局限性，因此开发研制宽带半导体器件已越来越被人们所关注。
所谓宽带半导体（WBG)主要是指禁带宽度大于2.2电子伏特的半导体材料，包括Ⅱ—O、Ⅱ—S、Ⅱ—Se、Ⅲ—N、SiC、金刚石以及其他一些化合物半导体材料。
这些材料一般均具有较宽的禁带、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率，因此他们比Si及GaAs更适合于制作高温、高频及高功率器件。
其中Johnson优值指数（JFOM＝E c .vs/2π，E c为临界电场；v s为电子饱和速率）、Keyes优值指数（KFOM＝λ［C.v s/4πε］1/2，其中C为光速；ε为介电常数）和Baliga优值指数（BFOM＝εμE G3,其中E G为禁带宽度，μ为迁移率）分别从功率频率能力、耐热能力及导通功率损耗三方面说明了这一科学事实［1］。
表1［2］列出了常见宽带半导体与Si,GaAs的比较。
表1 宽禁带半导体材料的基本特性由表1可知宽禁带半导体具有许多优点：1)WBG具有很高的热导率(尤其是SiC与金刚石),使得它们能够迅速转移所产生的热量，广泛用于高温及高功率领域；2)由于WBG的禁带宽度很大，因此相应器件的漏电流极小，一般比Si半导体器件低10～14个数量级，有利于制作CCD器件及高速存储器；3)WBG具有比普通半导体更低的介电常数及更高的电子饱和速率，使之比Si，GaAs更适合于制作毫米波放大器及微波放大器。
除此之外，WBG还具有负的电子亲和势及很高的异质结偏置电势，使得它们特别适合于阴极发射的平板显示器。
鉴于近几年SiC与金刚石材料的生长技术及氧化、掺杂、欧姆接触等工艺的成熟，使得SiC与金刚石器件得到了突飞猛进的发展，下面我们将主要评述SiC及金刚石的最新发展。
2 SiC功率器件近年来SiC功率器件的研究引起了世界科学界的高度重视,尤其是美国、欧洲等发达国家为此投入了大量的资金；同时也涌现出一批新型的SiC功率器件，主要包括LED发光器件、pn结及肖特基整流器件、FET、双极晶体管及晶闸管。
2.1 SiC二极管整流器件1987年Shiahara等人通过CVD技术研制出第一只6H-SiC二极管,当时的击穿电压在600伏左右。
最近L.G.Matus等人又研制出耐压为1000V［6］的高压pn结二极管,他通过CVD技术在6H-SiC衬底上淀积p型、n型6H-SiC而制成这种高耐压的台势二极管。
使用的工艺主要有：反应离子刻蚀(RIE)、氧化、欧姆接触。
该器件的工作温度可达600℃以上，反向漏电流仅为0.4μA(室温），600℃时为5μA。
目前SiC p-i-n二极管的反向恢复时间可达100ns以下，仅为Si p-i-n二极管的1/3左右。
但由于SiC pn结的自建电势差较大，为了解决这一问题，人们采用肖特基结来代替pn结,从而大大降低导通压降。
一种耐压400V的SiC肖特基整流器［3］在电流密度为100A/cm2时压降仅为1.1V，远低于相应的pn结二极管，而且肖特基整流器具有极短的反向恢复时间，约为10ns,而Si p-i-n二极管的反向恢复时间约为250ns。
此外，通过步进控制外延生长技术已成功研制出耐压为1100V以上的6H肖特基整流器［4］。
该器件的-T2.0,而在Si开态电阻比Si整流器低一个数量级，与温度的关系为Ron-T2.4。
整流器中为Ron如果不采用结终端技术，SiC整流器的耐压一般只能达到理论值的50％～80％左右。
因此为了进一步提高耐压值，采用结终端技术是很有必要的。
目前一般采取在肖特基边缘自对准注入Ar形成非晶层或在结边缘处注入B+离子形成高阻层，然后进行热处理，这样可使器件的耐压超过1750V。
2.2 SiC FET器件由于SiC材料具有极高的击穿电场，故在具有相同耐压的情况下，漂移区电阻可减小两个数量级（相对于Si而言)。
表2列出了各种击穿比值及漂移区长度比值，由表2可知，当电压超过200V时，电压下RonSiC MOSFET的导通电阻R要比Si MOSFET低两个数量级。
因此从理论on上讲耐压5000V、导通电阻为0.1Ω.cm2的DMOS功率器件是可以实现的。
但是我们必须注意到目前影响SiC器件耐压的关键因素还是栅氧化、掺杂及欧姆接触等工艺的完善及成熟。
表2 Si与SiC材料制作的MOSFET(不同电压下)R on比值及漂移区长度比值SiC MESFET（如图1）及JFET等高频功率器件也是近几年SiC器件研究的一个重点。
在MESFET中通常采用p层来实现隔离，而且采用高阻衬底代替导电衬底可大大提高截止频率。
由Charles.E.Weitzel等人研制的栅尺寸为0.7μm×322μm的4H MESFET［5］具有38～42mS/mm的跨导，最大工作频率为12.9GHz。
1996年S.Sriram等人在高阻衬底上研制出来的4H-MESFET最大工作频率可达42GHz,功率增益为5.1dB(f=20GHz),击穿电压超过100V；使之在高频应用中具有巨大的潜力。
表3给出了目前已经研制出来的最新MESFET的各种参数比较。
表3 最新MESFET参数比较6H-SiC 0.5 10 25 S.Sriram4H-SiC 0.4 14 30.5 Allen4H-SiC 0.5 13.2 42 S.Sriram图1 基本的SiC MESFET由表3可知，由于近年来采用高阻衬底及亚微米栅技术，使得MESFET 的工作频率迅速上升。
对于具有同一尺寸的4H-MESFET采用导电衬底及高阻衬底可分别获得f max=25GHz及f max＝42GHz的高频功率器件。
相应的参数为：L G=0.5μm；沟道掺杂为5×1017cm-3；n+掺杂大于1019cm-3。
2.3 其它SiC器件除了以上所述的SiC器件以外还有一些其它的SiC器件，如晶闸管器件、双极晶体管器件。
相对于MOSFET而言，SiC晶闸管更适合于高电流、高电压及高温条件下工作，而且不需要SiC栅氧化等一系列高难度工艺。
理论表明，SiC晶闸管可以在超高压(5～10keV)、超高电流范围内应用。
目前K.Xie等人研制出来一种高电流晶闸管，电流密度可达5200mA/cm2，关断时间小于100ns，工作温度可在300℃以上。
相对于其它SiC器件而言，SiC双极晶体管的研究比较少一些。
SiC 双极晶体管的增益比较低，一般为10左右。
这主要是由于基区的载流子寿命较短以及扩散系数较低所致，采用异质结(HBT)可适当改善这一问题。
目前的SiC HBT的截止频率可达31GHz以上，电流密度可达30000A/cm2,比AlGaAs/GaAs器件的电流能力大2倍以上；即使在450℃时其功率增益仍可达常温时的50％，而AlGaAs/GaAs在此温度下早已失效。
3 金刚石功率器件金刚石作为一种半导体材料，除了具有最高的硬度以外，它还具有大的禁带宽度、高的击穿电场、低的介电常数以及最高的热导率，其性能远远超过Si及其它宽禁带半导体材料，因此有人预言金刚石半导体器件将成为二十一世纪电子器件的主流。
预计到2000年，金刚石的市场贸易额将达到980亿美元,单价将下降到2～4美元/克。
虽然金刚石功率器件的发展远远落后于Si器件，但近十年来化学汽相淀积技术的迅速发展为金刚石薄膜器件的进一步发展提供了可能。
从技术角度看，金刚石薄膜器件的研究可分为两条途径：一是外延生长掺杂金刚石单晶膜，一般采用同质外延；二是在非金刚石衬底上生长金刚石多晶膜用来制作功率器件，特别是Si及GaAs无法应用的高温、高压以及高频、高功率微波固体器件等。
目前人们已成功研制出金刚石薄膜肖特基二极管和场效应晶体管，其水平大致如下：1)最小的欧姆接触电阻为10-7Ω.cm2。
2)最大的肖特基二极管整流比为I f/I r=107。
3)最大的击穿电场为3×106V/cm。
4)对于FET，最大的跨导为0.22mS/mm,漏电流为μA数量级。
5)最高的工作温度在350℃以上，最高工作电压为100V。
金刚石薄膜肖特基二极管可以制作在天然或合成的单晶金刚石上，也可以制作在同质或异质外延的金刚石膜上。
但是一般情况下整流器的串联体电阻比较大，严重影响其整流性能，采用p+衬底可适当改善这一问题。
1994年W.Ebert等人研制的p/p+金刚石肖特基二极管［7］在150℃时的串联电阻仅为14Ω，500℃时下降到8Ω，这是当时串联电阻最小的肖特基二极管，±2V时的整流比为105。
此外，由于金刚石半导体功率器件一般工作在高温、高压条件下，所以其反向漏电流往往比较大。
为了降低反向漏电流，采用高质量的单晶金刚石衬底是很有必要的，因为衬底质量将严重影响反向泄漏电流。
由于金刚石的施主掺杂非常困难，因此对FET的研究主要集中在MESFET上。
虽然目前已通过CVD方法成功研制出许多场效应管，但是由于工艺的限制，试验结果远低于其理论值。
研究表明,采用脉冲沟道掺杂有利于提高器件的跨导与最高工作电压。
1995年Hiromu Shiomi研制出一种脉冲掺杂的p沟道MESFET；1997年德国Ulm大学的A.Vescan又研制出一种脉冲掺杂的新型MESFET（如图2所示）［8］，该器件包括脉冲掺杂沟道，选择生长并重掺杂的欧姆接触区以及用Si形成的源、漏、栅接触。
Ib单晶合成金刚石作衬底。