微电子实验完成版
电子科技大学微电子器件实验报告MICRO-1
电⼦科技⼤学微电⼦器件实验报告MICRO-1电⼦科技⼤学实验报告（实验）课程名称微电⼦器件实验⼀：双极晶体管直流特征的测量学⽣姓名：学号：201203******指导教师：刘继芝实验地点：211楼605实验时间：2015、6、⼀、实验室名称：微电⼦器件实验室⼆、实验项⽬名称：双极晶体管直流特征的测量三、实验学时：3四、实验原理：1．XJ4810半导体管特性图⽰仪的基本原理⽅框图XJ4810图⽰仪的基本原理⽅框图如图1-3所⽰。
其各部分的作⽤如下。
（1）基极阶梯信号发⽣器提供必须的基极注⼊电流。
（2）集电极扫描电压发⽣器提供从零开始、可变的集电极电源电压。
（3）同步脉冲发⽣器⽤来使基极阶梯信号和集电极扫描电压保持同步，以便正确⽽稳定地显⽰特性曲线（当集电极扫描电压直接由市电全波整流取得时，同步脉冲发⽣器可由50Hz 市电代替）。
（4）测试转换开关是⽤于测试不同接法和不同类型晶体管的特性曲线和参数的转换开关。
（5）放⼤和显⽰电路⽤于显⽰被测管的特性曲线。
（6）电源（图中未画出）为各部分电路提供电源电压。
2．读测⽅法（以3DG6 npn 管为例）（1）输⼊特性曲线和输⼊电阻R i在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输⼊电压和输⼊电流之⽐为R i ，即常数=??=CE V B BEi I V R 它是共射晶体管输⼊特性曲线斜率的倒数。
例如需测3DG6在V CE = 10V 时某⼀⼯作点Q 的R i 值，晶体管接法如图1-4所⽰。
各旋钮位置为：峰值电压范围 0~10V极性（集电极扫描）正（+）极性（阶梯）正（+）功耗限制电阻 0.1~1k Ω（适当选择）x 轴作⽤电压0 .1V/度 y 轴作⽤阶梯作⽤重复阶梯选择 0.1mA/级测试时，在未插⼊样管时先将x 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后插⼊样管，将x 轴作⽤扳到电压0.1V/度，即得V CE =10V 时的输⼊特性曲线。
这样可测得图1-5；.200101.002.0310Ω=?=??=-=V VB BE i CE I V R图1-4 晶体管接法图1-5 晶体管的输⼊特性曲线（2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、h FE 、α在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输⼊电流增量之⽐为共射晶体管交流电流放⼤系数β。
微电子实验报告2
集成电路设计（版图部分）实验报告学生姓名：周嫄学号：2011029170009 指导教师：曾洁实验地点：科B4532014年 5 月10 日电子科技大学实验：使用L-Edit编辑单元电路布局图一、实验学时：4学时二、实验目的1、熟悉版图设计工具L-Edit的使用环境；2、掌握L-Edit的使用技巧；三、实验内容：利用L-Edit绘制一个反相器的版图，并利用提取工具将反相器布局图转化为T-Spice 文件。
四、实验结果：1、本次版图设计中的设计技术参数、格点设定、图层设定、设计规则采用的是（morbn20.tdb）文件的。
9.1 Metal2 Minimum Width Minimum Width Metall2 3 lambda9.2 Metal2 to Metal2 Spacing 9.3 Metal2 Overlap of Via1 SpacingsurroundMetall2Via Metall24 lambda1 lambda2、绘制一个L=2u，W由学号确定的PMOS管掩膜版图。
先确定W。
W等于学号的最后一位乘以2，若学号最后一位 4，则先加10后再乘以2。
所以，要绘制的是一个L=2u，W=（ 18u ）的PMOS管掩膜版图。
所完成的经DRC检查无错误的PMOS版图为：该PMOS管的截面图为：3、绘制一个L、W和上面的PMOS管相同的NMOS管掩膜版图。
所完成的DRC检查无错误的NMOS版图为：该NMOS管的截面图为：4、运用前面绘制好的nmos 组件与pmos 组件绘制反相器inv的版图。
加入电源Vdd，地Gnd，输入A和输出B的标号。
所完成的DRC检查无错误的版图为：5、将反相器布局图转化为T-Spice 文件，该文件的内容为：五、实验总结与体会：1.通过本次实验，能够把理论与实际结合起来，利用软件将课本所学运用到实际的版图设计中，加深了对知识的理解与巩固；2.当第一次接触一个新软件时，应该怎样学习使用它，这是在实验中应该学习的技能；3.版图设计时需要考虑的因素有哪些，以及他们的相关性和重要程度对结果的影响。
微电子器件与电路实验实验三实验报告
微电子器件与电路实验报告
结构级联放大器瞬态分析增益，波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，
结构最终的电压增益是否一致？什么原因会导致级联顺序
①交流分析电路的幅频特性，相频特性，波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，
输入输出信号延迟，波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并输入输出信号延迟，波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并
①交流分析电路的幅频特性，相频特性，波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，
输入输出信号延迟，波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并输入输出信号延迟，波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并。
毕业微电子实习报告
一、实习目的与意义随着科技的飞速发展，微电子技术已成为现代社会的重要支撑。
为了更好地将理论知识与实际应用相结合，提高自身的实践能力，我选择了微电子技术作为毕业实习的专业方向。
本次实习旨在通过实际操作，深入了解微电子技术的原理、应用及发展趋势，培养自身的动手能力和创新能力，为将来的职业发展打下坚实基础。
二、实习单位及环境本次实习单位为我国一家知名微电子企业——XX科技有限公司。
公司位于我国某高新技术产业园区，占地面积广阔，环境优美。
公司主要从事微电子器件的研发、生产和销售，产品广泛应用于通信、消费电子、汽车电子等领域。
实习期间，我所在的部门为研发部，主要负责新型微电子器件的研发工作。
部门内设有多个实验室，包括集成电路设计实验室、封装测试实验室等，设备先进，技术力量雄厚。
三、实习内容与过程1. 集成电路设计实习初期，我在导师的指导下，学习了集成电路设计的基本原理和流程。
通过查阅相关资料，了解了模拟电路、数字电路、混合信号电路等设计方法。
在导师的指导下，我参与了某款新型微电子器件的设计工作，从电路设计、仿真验证到版图设计，亲身体验了整个设计过程。
2. 封装与测试在完成集成电路设计后，我学习了封装与测试的相关知识。
了解了不同封装形式的特点、工艺流程及测试方法。
在导师的带领下，我参与了器件的封装与测试工作，学习了如何使用测试仪器对器件进行性能测试。
3. 项目实践实习期间，我还参与了多个项目实践。
其中包括某款无线通信模块的研发、某款汽车电子产品的升级等。
在项目实践中，我学会了如何将理论知识应用于实际，解决了项目过程中遇到的问题，提高了自己的实际操作能力。
4. 学术交流与培训实习期间，公司定期组织学术交流活动，邀请行业专家进行讲座。
我积极参加这些活动，拓宽了视野，了解了微电子领域的最新发展趋势。
此外，公司还为我提供了相关的培训课程，如EDA工具使用、半导体材料等，使我受益匪浅。
四、实习收获与体会1. 提高了实践能力通过本次实习，我掌握了微电子技术的实际操作技能，学会了如何将理论知识应用于实际，提高了自己的动手能力。
微电子光学实验实训报告
一、实验目的本次实验旨在让学生掌握微电子光学的基本原理和实验方法，熟悉光学显微镜、光学干涉仪等仪器的使用，培养学生在微电子光学领域进行实验和科学研究的能力。
二、实验原理微电子光学是研究光在微电子器件中的应用和光与电子相互作用的一门学科。
本实验主要包括以下几个方面：1. 光学显微镜的使用：了解光学显微镜的结构、工作原理，学习如何使用显微镜观察微电子器件。
2. 光学干涉仪的使用：了解光学干涉仪的原理，学习如何使用干涉仪测量光学薄膜的厚度。
3. 光学薄膜的制备与检测：学习光学薄膜的制备方法，如旋涂、蒸发等，并使用干涉仪检测薄膜的厚度。
4. 光学元件的加工与检测：了解光学元件的加工方法，如磨光、抛光等，并使用干涉仪检测光学元件的表面质量。
三、实验仪器与材料1. 实验仪器：光学显微镜、光学干涉仪、旋涂机、蒸发仪、磨光机、抛光机等。
2. 实验材料：光学薄膜材料、光学元件材料、光学显微镜样品、光学干涉仪样品等。
四、实验步骤1. 光学显微镜的使用：观察光学显微镜的结构，学习如何调节显微镜的焦距、放大倍数等，观察微电子器件样品。
2. 光学干涉仪的使用：了解光学干涉仪的原理，学习如何使用干涉仪测量光学薄膜的厚度，进行实验操作。
3. 光学薄膜的制备与检测：（1）旋涂：将光学薄膜材料溶解于溶剂中，滴加在样品上，旋转样品使薄膜均匀分布。
（2）蒸发：将光学薄膜材料蒸发在样品上，形成均匀的薄膜。
（3）检测：使用干涉仪测量薄膜的厚度。
4. 光学元件的加工与检测：（1）磨光：使用磨光机对光学元件进行磨光处理。
（2）抛光：使用抛光机对光学元件进行抛光处理。
（3）检测：使用干涉仪检测光学元件的表面质量。
五、实验结果与分析1. 光学显微镜的使用：通过显微镜观察到微电子器件的微观结构，了解器件的制造工艺。
2. 光学干涉仪的使用：使用干涉仪测量薄膜的厚度，结果与理论值基本吻合。
3. 光学薄膜的制备与检测：通过旋涂和蒸发方法制备的光学薄膜，厚度均匀，表面质量良好。
微电子器件和电路实验实验二实验报告
1.设计电源电压24V±20%，负载能力0-100mA，指定输出电压的齐纳稳压电路
2.设计满足设计指标的双向限幅电路
3.设计220Vrms，50Hz市电供电，负载能力0-200mA，输出电压给定，输出纹波小于1%的AC-DC电路(齐纳稳压)
4.设计220Vrms，50Hz市电供电，负载能力0-200mA，输出电压给定，输出纹波小于1%的AC-DC电路(线性稳压器稳压)
①最终设计完成的电路结构如下所示：
②AC-DC直流稳压器中线性稳压器的输入电压，即Vin节点的电压纹波，并计算纹波电压，波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注纹波电压的大小【波形打印出来必须清晰】。
③AC-DC直流稳压器中线性稳压器的输出电压，即Vout节点的电压纹波，是否有明显纹波，波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形【波形打印出来必须清晰】。
6.
纹波电压=（6.1956-6.1954）/6.1956=0.003%
【注：有明显纹波的话，说明Vin的直流电压没有比Vout高3V以上，请改变线圈匝数比】
④负载电流加大一倍(400mA)时，实验2.3电路的输出波形和实验2.4输出波形对照。
波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形【波形打印出来必须清晰】。
设计双向限幅电路，并记录电压传输特性及瞬态分析双向限幅波形
实验2.3 AC-DC直流稳压电路设计(齐纳稳压)
设计电路(变压器，整流桥、滤波电路、齐纳稳压电路)并记录满负载下次级线圈的纹波电压，最终输出的纹波电压
实验2.4AC-DC直流稳压电路设计(线性稳压器)
设计电路(变压器，整流桥、滤波电路、齐纳稳压电路)并记录满负载下次级线圈的纹波电压，最终输出的纹波电压
2.3
微电子实验报告三
实验三触发器的电路结构与仿真班级姓名学号指导老师袁文澹一、实验目的1、掌握时序电路基本特点；2、掌握D触发器的结构、原理及特性；二、实验内容及要求1、分析并仿真晶体管级CMOS D触发器（不带复位端）；（不带复位端的D触发器）2、分析并仿真晶体管级CMOS D触发器（带复位端）；（带复位端的D触发器）三、实验原理1、不带复位端的D触发器如图所示为不带复位端的始终CMOS结构的D触发器，该电路利用时钟CMOS反相器构成动态锁存器，由两个动态锁存器构成时钟上升沿有效的D触发器。
1）当clk处于低电平时，M P2与M N2都导通，主锁存器采样数据，D端数据反相后传递到节点X的电容C1上，而M P4和M N4截止，从锁存器保持数据，Q端电容C2保持旧数据；2）当clk处于高电平时，M P2与M N2都截止，主锁存器保持数据，D端数据反相后传递到节点Q的电容C2上，而M P4和M N4导通，从锁存器采样数据，X端电容C1保持旧数据.2、带复位端的D触发器为确保时序数字电路稳定可靠地工作，复位电路是必不可少的一部分。
本次试验设计的是高电平复位，即加上一个复位信号，电路会自动清零，即输出Q=0。
当复位信号消失时，电路能够恢复正常工作，其原理与不带复位端D触发器原理一致，此处不再重述。
四、实验方法与步骤实验方法：计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。
）软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。
）实验步骤：1、编写源代码。
按照实验要求，在记事本上编写相应代码，并以相应的文件扩展名存储文件。
2、打开Hspice软件平台，点击File中的一个文件。
3、编译与调试。
确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。
编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。
4、软件仿真运行及验证。
在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。
点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告一、实验目的本实验旨在通过实际操作，加深对微电子技术的理解，掌握基本的电路设计和实验技能，提高学生的实践能力和动手能力。
二、实验原理微电子技术是一门研究电子器件、电路和系统中微观器件的制造工艺、物理特性、器件特性及其应用技术的学科。
本实验涉及到微电子技术中的基本器件，如二极管、场效应管等。
三、实验内容1. 利用示波器和信号源等工具，对二极管的正向和反向特性曲线进行测量。
2. 利用基本电路元件，如电阻、电容、电感等，设计并搭建一个简单的电路。
3. 使用场效应管并对其进行测试，掌握其工作原理和特性。
四、实验步骤1. 准备工作：连接示波器和信号源。
2. 测量二极管的正向特性曲线：在示波器上设置适当的参数，连接二极管并记录电压-电流特性曲线。
3. 测量二极管的反向特性曲线：更改示波器参数，连接二极管并记录反向漏电流。
4. 搭建简单电路：根据设计要求，选取合适的元件，进行电路搭建。
5. 测试场效应管：通过实验测试场效应管的工作状态，并记录相关数据。
五、实验数据及图表1. 二极管正向特性曲线图（插入图表）2. 二极管反向特性曲线图（插入图表）3. 搭建的简单电路图（插入图表）4. 场效应管测试数据（数据表）六、实验分析通过本次实验，我深刻理解了二极管的正反向特性曲线，掌握了电路设计和搭建的基本技能，并对场效应管有了更深入的了解。
实验过程中，通过数据的分析和曲线的对比，我得出了一些结论，并发现了一些问题需要进一步探讨和解决。
七、实验结论本实验通过对微电子技术中的基本器件进行实际操作，增强了我对电子器件特性的认识，提高了我的实验技能。
通过本次实验，我不仅学到了理论知识，还掌握了实践技能，为将来的学习和工作打下了坚实的基础。
八、参考文献1. 《微电子技术基础》2. 《电子技术实验指导》（以上为实验报告内容，供参考。
）。
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实验指导书教学单位：电子工程系课程名称：微电子器件面向专业：电子科学与技术电子科技大学中山学院2008年5月实验指导书实验名称：实验一图示仪检测晶体管和MOS管参数学时安排：4 实验类别：验证性实验要求：必做￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣一、实验目的和任务本实验目的是用图示仪检测晶体管直流参数；学习并掌握该仪器的基本测试原理和使用方法，并巩固及加深对晶体管原理课程的理解。
二、实验原理介绍测定晶体管的特性曲线和各种直流参数，最原始的方法是逐点测试扫描图法。
例如测定PNP晶体管共发射极输出特性（V c ~ I c | I b = 常数），只要R B远大于晶体管的输入电阻，则确定一个基极电位E BB，而改变集电极电位E CC，即能测出确定I B条件下V C和I C各个对应值，适当选取坐标就可绘制出晶体管特性曲线。
若要得到一族曲线，就得改变数次I B值。
显然，这种测试方速度太慢，而且在测试击穿特性（如击穿电压V CEO、V CBO）和最大I CM 时易烧坏晶体管。
如果E CC能随时间连续变化，击穿电压和最大电流将是瞬时值，只要不过大，一般不会损坏晶体管。
如果把基极电压（或电流）改变数次，用一个等阶梯波代替，且把集电极电压和电流加到示波器上，就能直接从示波管的屏幕上得到一族晶体管特性曲线。
其中仪器里面的阶梯波信号电路：它包括阶梯波发生器、阶梯放大器及阶梯选择开关。
它的作用是产生一个阶梯幅度相等，重复频率为100周和200周并与集电极半波正弦扫描电压有一定对应关系的阶梯波，根据测试要求，通过“阶梯选择”开关改变阶梯波幅度的大小（即改变被测晶体管基极电流或基极电压的阶梯值）、阶梯波的极性，对于每组出现的阶梯数也可由“级/簇”开关控制其大小。
集电极扫描电路：由扫描电压发生器、极性开关及功耗限制电阻组成。
它给被测晶体管提供一个100周半波正弦扫描电压，其幅值有五个档位，且线性可调。
根据被测管的类型，改变扫描电压极性、幅度，选择适当功耗电阻值。
注意：对于NPN晶体管测量时，扫描电压极性选择为“+”，阶梯信号的极性为“+”；而PNP管测试时，扫描电压极性为“-”，阶梯信号极性为“-”。
测试管座上C和E孔分别接在仪器内部电源的正极和负极上；而当扫描电压极性为“-”时，测试管座上C孔和E孔分别接在仪器内部电源的负极和正极上。
在测试击穿电压时不要接错。
为使在测试时不损坏晶体管，在测试电路中引入了功耗限制电阻。
功耗限制电阻在测量击穿特性时用来限制击穿时电流倍增，防止电流过大而烧坏晶体管，且具有稳定电流到某一数值以便观察的作用。
在观察特性曲线时，该功耗限制电阻又用作被测晶体管的集电极负载。
选择适当的电阻值，并适当调节扫描电压幅度，使直流负载线上任意一点的功耗V C I C < P CM，避免烧坏晶体管。
示波器及开关转换电路：示波器和通常的示波器一样，包括有示波器管、x轴放大、y 轴放大和旋转开关，仅仅是它的扫描电压不是一个锯齿波，而是一个100周半波正弦电压，通过选择适当的开关位置，从示波管的标尺刻度上即可直接读出加在示波管上的电压和电流值，观察晶体管的各种特性曲线。
图1.1是被测晶体管基极电流、集电极电压与输出特性波形之间关系。
三、实验设备介绍晶体管直流参数是衡量晶体管质量优劣的重要性能指标。
在晶体管生产中和晶体管使用前，须对其直流参数进行测试。
晶体管图示仪是一类专门用于晶体管直流参数测量的仪器。
用该仪器可在示波管屏幕上直接观察各种直流特性曲线，通过曲线在标尺刻度的位置可以直接读出各项直流参数。
用它可测试晶体管的输出特性、输入特性、转移特性和电流放大特性等；也可以测定各种极限、过负荷特性。
四、实验内容和步骤1. 测量整流、稳压二极管的正、反向特性。
2. 测试NPN 晶体管，如2N3904的基本直流参数。
3. 测试PNP 晶体管，如2N3906的基本直流参数。
4. 测试场效应管2SK30、IRF830的直流参数。
准备工作：在仪器未通电前，把“辉度”旋至中等位置，“峰值电压”范围旋至0-10伏档，“功耗限制电阻”调到1K 档，“峰值电压” 调到0位，“X 轴作用”置集电极电压1伏/度档，“Y 轴作用”置集电极电流1毫安/度档。
接通电源预热10分钟。
调节“辉度”和“聚焦”使显示的图像清晰。
1. 二极管的测试二极管有多种类别，都有正、负极。
直流电源正极连接二极管正极，电源负极连接二极管负极叫正向连接，反之亦然。
对于硅管，V be = 0.6-0.7V ，其反向电压差别很大。
发光二极管，因材料不同，一般导通为1.8V ，反向几十到百伏不等，另外给发光管加交流电压，观察发光情况。
锗材料一般0.3-0.4V ，但反向电压差别很大。
分别测整流、稳压二级管的直流正、反向特性。
选点不少于10个。
以测整流二极管1N4004正向特性曲线为例。
把“Y 轴作用”的I C 置于0.5mA/div ，“X 轴作用”V CE 置0.1V/div ，把“峰值电压”范围调到20%左右，扫描电压极性为“+”，“阶梯作用”置于重复，阶梯选择为5uA/div ，阶梯信号极性也为“+” 。
“级/簇”置为10，功CBE图1.2 PN 结的伏安特性耗电阻为250Ω。
字符显示 Y 50 mA I 114 mA X 0.1 V U 0.792 V图1.3 整流管1N4004的正向特性曲线测稳压管的条件跟上述的一样，但管脚的插法不一样。
稳压管的负极要接到电源的正极，即插座的“C”极。
它的负极要接到插座的“E”极。
把“峰值电压”范围调到20%左右。
2. 双极型晶体管参数的测试（以2N3904为例） (1) 电流放大系数β测试测试盒发射极接地，把被测管的基极、发射极和集电极分别插到管座相对应的孔中，“Y 轴作用”的I C 置1mA/div ，“X 轴作用”的V CE 置1V/div ，扫描电压极性为“+”,“阶梯作用”置于重复，阶梯选择为5uA/div ，阶梯信号极性也为“+”,“级/簇”置为10，“峰值电压”范围为60%,极性NPN 为“+”，“功耗电阻”为250Ω。
倒向弹出，双簇弹出。
C B EY 1 mAI 3.56X 1 VU 4.48 VS 5 μAβ152图1.4 NPN管2N3904的特性曲线这时逐渐加大扫描电压，屏上出现晶体管的输出特性曲线，那么再利用仪器的字符显示功能，按下“D/T”键，此键有三个态，平时是处于关态。
按一下就会进入D态，即二端器件测试态。
显示单光标［+ ］和四行字符串Y、I、X、U，其中Y、X分别为垂直、水平坐标值，I、U分别为垂直、水平测试值。
再按一下，就会进入T态，即三端器件测试态。
此时，会在D态基础上显示增加辅助光标［⨯］，并增加阶梯坐标值字符串S和测试值字符串β（h fe）、G（g m）。
那么我们就利用这两个光标读出晶体管的β值，具体是这样做的，把两个光标移动到晶体管的输出特性曲线上，β、G的读出值须除以两个光标之间的曲线数N。
即β（实际值）＝β（读出值）／N。
G（实际值）＝G（读出值）／N。
(2) 饱和压降V CES测量β后，先不改变上述条件，把“X轴作用”V CE为0.1V左右，“阶梯选择”为I b为0.1mA/度档，那么输出特性曲线的第10根曲线就是代表I b = 1mA。
调节“Y轴作用”I c = 10mA或邻近的档位，目标是把曲线调整到清晰。
然后，沿着第10条曲线调节“+”光标，字符显示的I =10mA时，读U的值。
此时的U就是V CES。
其实，PNP管的输出特性的曲线跟NPN管的输出特性曲线的形状差不多，但是原点位置大不一样，它们正好是对角的点。
而此时的扫描电压要改变极性，而阶梯信号的极性也要同时改变。
则两个电压都要变成“-”。
3.场效应管参数测试晶体管特性图示仪是为普通的NPN、PNP晶体管的特性图示分析而设计的，要用它来检测场效应管，就必须找出场效应管和普通晶体管之间的相似点和不同处。
场效应管的源极( S )、栅极( G )和漏极( D )分别相当于普通晶体管的发射极( E )、基极( B )、和集电极( C )。
普通晶体管是电流控制元件，而场效应管则是电压控制元件。
1)场效应管2SK30是N-MOS器件，它的管脚分布如图1.5所示。
图1.5 2SK30管脚分布图按照管脚的分布插好管脚后，把“Y轴作用”调到0.2mA/div，“X轴作用”调到1V/div，扫描电压极性为“+”,“功耗限制电阻”调为250Ω，“峰值电压”范围为60% ,“阶梯档级”调到0.1V/div,“阶梯极性”为“-”，“级/簇”置为10。
具体的输出特性曲线图类似于晶体管的外型，所以这里就不给出了。
2)场效应管IRF830是大功率器件，所以测量的时候要小心碰到管子，因为在工作中的管子是很热的。
测量前，“Y轴作用”要0.5安/度档，“X轴作用”要调到1伏/度档。
集电极极性为“+”，“级/簇”置为2，“ΔV B”为按入。
然后调节峰值电压%到适中位置，那么曲线便出来。
五、注意事项和要求1．测量稳压二极管时，只需要将二极管的正极接仪器内部电源的负极（管坐上C孔），二极管的负极接仪器内部电源的正极（管坐上E孔），无需改变扫描电压的极性。
2．测量PNP型三极管时，扫描电压极性和阶梯信号极性均为负，即扫描极性和阶梯极性按键均按入。
3．测量场效应晶体管时，由于场效应晶体管是压控元件，阶梯极性需调到电压档，并且“ΔV B”为按入。
六、作业及预习要求1.从特性曲线上，找出截止、放大及饱和区。
2.通过测量我们可以从字符显示，得到被测器件的β和g值，那么我们再根据仪器屏幕上的曲线再算β和g值，从而来验证上一步所得到的β和g值3.要求预习三种器件直流特性相关内容。
七、参考书目✧陈星弼、张庆中。
晶体管原理与设计电子工业出版社✧刘刚、何笑明、陈涛。
微电子器件与IC设计科学出版社实验指导书实验名称：实验二 晶体管开关时间的测量 学时安排：3学时 实验类别：验证性 实验要求：必做￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣ 一、实验目的和任务本实验通过测量双极型晶体管的开关时间，熟悉开关时间的测试原理、掌握开关时间的测试方法、研究测试条件变化对晶体管开关时间的影响。
二、实验原理介绍图2.1 晶体管开关电路示意图 图2.2 开关晶体管输入、输出波形-V BB (t)V t (t)tt(t) I cs 0.9I c0.1Ictt f图2.1是典型的NPN 晶体管开关电路，图中R L 和R B 分别为负载电阻和基极偏置电阻-V BB 和+V CC 分别为基极和集电极的偏置电压。
如果给晶体管基极输入一脉冲信号V b ，基极和集电极电流i b 和i c 的波形如图2.2所示。