BJT 大电流特性解析
dnb J n 2qDn dx
形式上少子扩散系数乘以2：基区电流中，基区自建电 场所产生的少子漂移分量和分布梯度所产生的少子扩 散分量相等， Dn→2Dn ，说明大注入内建电场对注入 载流子的输运起加速作用。
当注入很大时，基区少子将受到大注入自建电场的作用；同时 大注入电场产生的漂移分量和分布梯度所产生的扩散分量相等， 从扩散流的角度，相当于扩散系数比小注入时增大了一倍。
qDn Jn WB nb (0) 2nb (0) N B ln 1 N B
1 dnb qDn 2 dx nb 1 NB
小注入nb<<NB， 极大注入nb>>NB，
dnb J n qDn dx
大注入基区内建电势(VBI)：大注入基区内建电场沿纵 向建立的集电结势垒边界到发射结势垒边界的电势差。
VBI E dx
0 WB
因为
kT 1 d (nb N B ) E q nb N B dx
VBI
n (0) N B kT ln b q nb WB N B
由于存在VBI，外加于基极-发射极引出端的VBE只有一 部分降在发射结上，因而 VBE＝VBI +VJE ( VJE 被看作是“工作电压” ) 大注入电场对基区渡越时间的影响:(均匀基区晶体管)
Q'B B IC
Q' B 1 qAEWB nb (0) 2
I C 2qAE Dn
nb (0) WB
WB2 B 4Dn
fT B
2 WB 2 Dn
1
小注入时为 B
3）大注入电导调制效应 大注入工作时，基区非平衡多子密度的大量增加，因而 使基区电导率明显增大，这就是基区电导调制。
N-
+ N
C
J=Ja, Jb时，N侧的空间 电荷为正，最大电场在 PN-交界处。
J=J0，nC=NC时， dE/dx=0
J 0
Jc
x WC
强场情形下集电结过渡区电场分布
J1规定为有效基区扩展效应开始 起作用的临界电流密度。
J=J1 ， nC>NC 时， N 区 变成带负电的空间电荷 区，最大电场在 N-N+ 处， PN-结面电场变为零。 J>J1 ，电场为零处发生 在 N-区， WCIB 区为电中 性区——基区扩展区。
fT β
Ik
IC
Ik
IC
③发射极电流集边效应
大电流下，较大的平行于结平面的基极电流 (多子电流) 在狭长的基区电阻rb上将产生横向压降，使发射结的正 向偏置电压从边缘到中心逐渐减小，发射极电流密度则 从中心到边缘逐渐增大，由此产生发射极电流集边效应 (也称基区电阻自偏压效应)P148图。
L e J e (y) dy I B(y) I B(y) +dI B
当自建电场促使的空穴漂移电流与扩散电流大小相 等时，达动态平衡。大注入内建电场的表达式：
由
dp J p q p pE qDP P 0 dx
kT 1 dp E q p dx
准中性： PP nb ( x) N B ( x)
kT 1 d (nb N B ) kT N B 1 dNB 1 dn b E ( ） q nb N B dx q nb N B N B dx nb N B dx
强场情形、弱场情形由集电结的VCB的大小来划分。 讨论方法：VCB=常数，改变JC。
注入电流对集电结空间电荷区电场分布的影响：
对 N+PN-N+ 四层结构，从发射结注入的电子，在通过集 电结电荷区时，对耗尽区的正(n侧)负(p侧)空间电荷分别 起着中和和添加作用。使 n侧正空间电荷减小，p侧负空 间电荷增加，电场分布发生变化。设通过集电结势垒区 的电子密度为nc。 计入运动载流子对空间电荷区的影响时， n 侧正空间电 荷密度变为 NC-nC ， p 侧负空间电荷密度变为 NA+nC ，空 间电荷区的泊松方程变为 随nC的增加，n侧 的 | dE/dx| 随 nC 的 增加而减小。
SE B E n p n 0 B IB y
Wb dy Le J c (y) dy
横向压降为：
1/ 2 kT Rb 1 J E (0) kT V ( y) ch y q kT / q q
随y的增加（SE越宽），R□B越大，横向压降越大， 发射极电流集边效应越显著。
基区横向扩展模型
Kirk效应对器件特性的影响
(WB 0 WCIB ) 2 b 大电流， b 增大，基区复合增大，基区 2 Dn 输运系数减小，电流增益下降。基区复 b * 合较大的晶体管，根据上述分析可解释 0 1 大电流下电流增益下降的现象
nB
基区渡越时间b增加，特征频率下降，fT∝1/τb。
①大注入效应
1）什么是大注入：指PN结外加正向电压时，注入 少数载流子密度等于或超过多子平衡态密度的工 作状态。 2）大注入内建电场
P pB P pB PpB0 n pB n pB0 NAB PpB0 npB
NPN晶体管（a）小注入
（b）大注入
基区载流子分布
(a)
x
ε
x
(b)
P pB P pB PpB0 n pB n pB0 x ε x NAB PpB0 npB
E
以集电结结电压 VJC ＝ 0 为条件推导从正向有源区过 渡到准饱和区工作的临界电 流密度表示式，以 J2 表示这 一电流密度，则
E
N
+
P
N
_
N
+ C
n P 0 ' WCIB W W CIB C X
VCB J 2 q nc N C WC
E E N + P N _ N + C
n P 0 ' WCIB W W CIB C X
n nE0 n nE p pB ppB0 P nE PnE0 -x E 0 n pB NAB n P B0 x
大注入时发射结势垒两侧的载流子分布
4〕大注入工作时的电流增益 (均匀基区)
I C I nB (WB ) I PC I nB (WB ) I nB (0) I nB (WB ) 0 0* IE IE IE I E I nB (0)
考虑到大注入电场后，基区电子电流密度为
dn J n q n nb E qDn b dx
nb d dnb nb N B qDnB dx nb N B dx
对于均匀基区，dNB/dx=0，上式变为
Jn
若忽略基区复合，JnB(x)=JnB(0)=JnB=常数，对上式从0~WB进行 积分，并利用在正向有源区，基区边界条件nb（WB）＝0， 大注入正向传输电流密度表达式
大注入自建电场，在极大注入下，基区电子扩散系数由 DnB 变成 2DnB ， L2nB=Dτ 变成 2L2nB ，基区输运系数增加， 使电流增益增加。大注入基区内建电场减缓大电流增益 的下降，通常称此效应为Webster(韦伯斯特)效应。
②有效基区扩展效应(Kirk效应)
有效基区扩展效应是指大电流密度下 BJT 的有效基区随电 流密度增加而展宽，准中性基区扩展进入集电区的现象。 C.T. Kirk首先解释了这一效应，所以通常称之为Kirk效应。 产生有效基区扩展效应的机制主要有两种。第一种机制是 大电流时集电结 N- 侧耗尽区中可动电荷中和离化的杂质电 荷导致空间电荷区朝向远离发射结的方向推移。第二种机 制是电中性 N- 区上的欧姆压降随电流增加而增大，促使反 偏集电结转为零偏和正偏，晶体管进入准饱和态工作。
EWB WB2 1 2 BWE 2LnB
N B ' B 由于基区电导调制效应， B N n pb B q pb ( N B n pb )
1
电阻率下降，发射效率降低，使电流增益下降，此现象 称为Rittner效应。
小注入时，注入的电子密度远低于平衡态空 穴密度，认为多子空穴平衡分布与平衡态近似 相同。 大注入时，注入电子密度超过空穴平衡态密 度，因电中性要求，空穴的密度梯度与电子的 密度梯度相等。由于存在密度梯度，空穴将自 发射结向集电结扩散，且因集电结势垒的阻挡 作用在集电结边界处积累，而离化的受主中心 固定不动，由此造成正负电荷分离，建立电场。 这个电场就是大注入内建电场，其方向是从集 电结指向发射结，对注入到基区的电子起加速 作用。
d q N C nC q N C J C / qv N侧 dx s 0 s 0
q N B nC q N B J C / qv d P侧 dx s 0 s 0
强场下
E N+
B
P |E| Ja Jb J1 WCIB
集电极最大允许工作电流
• 如图 ， 大电流下, ß 0 随IC增加而下降，因而 限制了晶体管的最大工 作电流。
•定义: 共射极直流短路电流放大系数 0 下降到最 大值 om一半时所对应的集电极电流为集电极最大工 作电流ICM。
基区宽变效应 (Early效应) P95
工作在正向有源区的BJT 的集电结，其空间电荷区 宽度随集电结反向偏压数 值增大而增大，有效基区 宽度因而随之减小，通常 将有效基区宽度随集电极 -基极偏压VBC变化，并影 响器件特性的现象称作基 区宽度调变效应。 J.M.Early首先分析了这 种效应，所以也称之为 Early效应。
-
◆曲线分散的原因：Vce↑将导致 Wb↓：①基区少子浓度梯度↑， 注入电流↑， β0 ↑②基区内复合 减少，β0 ↑(BJT电流增益随Vce升 高而增大) •厄尔利电压VEA（基区宽变效应）
3.3BJT三种基本组态放大电路交流特性的分析
Vi RB rbe
CE放大器小信号模型
ib
RL Vo
RC
1）电压放大倍数的计算
模拟电路基础
ii
ib
ic
vi ibrbe
ib
RL vo
vo ibR'L
vi RB rbe
R'L RC // RL
因为
rbe
gm
VT
IC
RC
Av
R' L rbe
所以
Av
RL
rbe
3）输出电阻 Ro
Ro VS' ~
模拟电路基础
放大电路对其负载而言，相当于信号源，我们 可以将它等效为戴维南等效电路，这个戴维南 等效电路的内阻就是输出电阻。
定义：从放大器输出端看进去的等效电阻。 意义：输出电阻是一个表征放大器带负载能力的参数。
模拟电路基础
对于电压放大器，Ro 越小，则放大器带负载的能力越强，
gm RL
RL VT
IC
特点：负载电阻越小，放大倍数越小。
2）输入电阻的计算
ii
ib
vi RB rbe
ic
ib
RL vo
RC
Ri R’i(管端输入电阻）
模拟电路基础
Ri
vi ii
RB // rbe
3）输出电阻的计算
ii 0 ib
ic
RB rbe
Ib
模拟电路基础
用加压求流法求 0 输出电阻：
模拟电路基础
3. 基极分压射极偏置电路较之固定基流偏 置电路的优点是什么？
Q点更稳定
4. 放大电路正常工作时，电路里交、直流信号 是共存的吗？如果是，交流信号和直流信号分别 有什么意义？
BJT放大电路原理及特性分析
二 图解法与动态工作分析：
3 工作点与消波失真 （1）工作点在交流
iC G
负载线的中点上
动态范围最大
IC
（2）工作点靠近截 止区
容易产生截止失真
（3）工作点靠近饱和区
容易产生饱和失真
·Q ·Q ·Q
UCE
IBQ
•
D
uCE
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休息1 休息2
直流负载线：输入回路直流负载线 ――确定静态工作点 Q 输出回路直流负载线
动态分析：特性曲线 交流负载线：输入回路交流负载线 ――输入信号和输出信号的关系 输出回路交流负载线
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1 作直流负载线――图解Q点
（1） 输入回路直流负载线
iB
U BB ≈ U BE + I B [(1 + β )Re + Rb ]
U BB
+ (1 + β )Re
)
A 点 坐 标 ：（ UBB， 0）
休息1 休息2
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A
uBE
IE
1 作直流负载线――图解Q点
(2) 输出回路直流负载线：
①由输出回路偏置方程：
E C＝ U CE＋ ICR C+IeR e
=U CE+IC(R C+R e)
可得输出回路直流负载线：
/ IC=(EC-UCE) (RC+Re ) 直流负载线
分析方法：图解法
⇒ 交流通道 等效电路法
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2 直流通道（直流等效电路）
(1) 直流通道画法:
原则：放大电路中所有电容开路， 电感短路， 变压器初级和次级之间开路， 所剩电路即为直流通道 交流信号源取零值
BJT开关特性
iB＞IBS 发射结正偏 集电结正偏 uBE>0，uBC>0 iC＝ICS uCE＝UCES＝ 0.3V 很小， 相当开关闭合
Rc
1kΩ uiRbb+ V C C = + 5V iC uo c β = 50
三极管临界饱和 时的基极电流： 时的基极电流：
5 − 0 .3 = mA 50 × 1 ①ui=1V时，三极管导通，基极电流： 时 三极管导通，基极电流： = 0.094mA
NPN 型三极管截止、放大、饱和 3 种工作状态的特点 工作状态 条 件 偏置情况 工 作 特 点 集电极电流 ce 间电压 ce 间等效电阻 截 止 放 大 饱 和
iB＝0 发射结反偏 集电结反偏 uBE<0，uBC<0 iC＝0 uCE＝VCC 很大， 相当开关断开
0＜iB＜IBS 发射结正偏 集电结反偏 uBE>0，uBC<0 iC＝βiB uCE＝VCC－ iCRc 可变
2.2 BJT的开关特性 的开关特性
BJT的开关对应于有触点 BJT的开关对应于有触点 开关的“断开”和“闭 合”。 相当于由基极电流所控制 相当于由基极电流所控制 的无触点开关， BJT工作 的无触点开关， BJT工作 在截止区时相当于开关的 断开” “ 断开 ” ， 而工作在饱和 区 时相当于开关的“ 闭合” 时相当于开关的 “ 闭合 ” 。
iB 10kΩ e
5 − 0 .3 mA = 50 × 1 = 0.094mA
=0.3V时 <0.5V， =0， ②ui=0.3V时，因为uBE<0.5V，iB=0，三极管工作在 截止状态， =0。 =0，所以输出电压： 截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压：
uo=VCC=5V
BJT 大电流特性
考虑到大注入电场后，基区电子电流密度为
dn J n q n nb E qDn b dx
nb d dnb nb N B qDnB dx nb N B dx
对于均匀基区，dNB/dx=0，上式变为
Jn
若忽略基区复合，JnB(x)=JnB(0)=JnB=常数，对上式从0~WB进行 积分，并利用在正向有源区，基区边界条件nb（WB）＝0， 大注入正向传输电流密度表达式
EWB WB2 1 2 BWE 2LnB
NB ' B 由于基区电导调制效应， B N n pb B q pb ( N B n pb )
1
电阻率下降，发射效率降低，使电流增益下降，此现象 称为Rittner效应。
E
以集电结结电压VJC ＝0 为条件推导从正向有源区过 渡到准饱和区工作的临界电 流密度表示式，以J2 表示这 一电流密度，则
E
N
+
P
N
_
N
+ C
n P 0 ' WCIB W W CIB C X
VCB J 2 q nc N C WC
E E + P N _ N + C
N
n P 0 ' WCIB W W CIB C X
集电极最大允许工作电流
• 如图 ， 大电流下, ß 0 随IC增加而下降，因而 限制了晶体管的最大工 作电流。
•定义: 共射极直流短路电流放大系数 0 下降到最 大值 om一半时所对应的集电极电流为集电极最大工 作电流ICM。
基区宽变效应 (Early效应) P95
工作在正向有源区的BJT 的集电结，其空间电荷区 宽度随集电结反向偏压数 值增大而增大，有效基区 宽度因而随之减小，通常 将有效基区宽度随集电极 -基极偏压VBC变化，并影 响器件特性的现象称作基 区宽度调变效应。 J.M.Early首先分析了这 种效应，所以也称之为 Early效应。
41第2章10_206缓变基区BJT电流放大系数
半导体器件物理(1)2-2 理想BJT 直流电流放大系数定量分析十. 缓变基区BJT 的电流放大系数半导体器件物理(I)第2章BJT直流放大特性3. 基区自建场对基区少子分布的影响(1) 基区自建电场对基区少子电流的影响基区自建电场对于注入到基区的电子起加速作用，有利于电子通过基区到达集电区，减少在基区的复合，提高电流放大系数。
2-2 理想BJT 直流电流放大系数定量分析十. 缓变基区BJT 的电流放大系数半导体器件物理(I)第2章BJT直流放大特性3. 基区自建场对基区少子分布的影响(2) 简便分析方法应用三：缓变基区少子分布的特点均匀基区BJT，基区少子分布近似为斜直线。
由于缓变基区BJT 中存在自建场，将使得基区少子分布发生明显变化。
采用简便分析方法可以说明缓变基区BJT 中基区少子分布的特点，进而说明对电流放大系数的影响。
第2章BJT直流放大特性由于基区自建场的存在，少子电流除扩散电流InB(扩)外还存在漂移电流InB(漂)。
虽然基区少子电流InB为常数，但是这两个电流分量不会是常数，而是与位置有关，记为InB(扩)(x)和I nB(漂)(x)半导体器件物理(I)半导体器件物理(I)第2章BJT直流放大特性在基区，X=0处少子电子浓度n B (0)=n B0exp(eV BE /KT)x=x B 处少子电子浓度下降为n B (x B )=0因此随着x 增大，少子漂移电流分量不断减小在x=x B 处，减小到I nB(漂)(x B )=0。
由于基区少子电流I nB 为常数，因此随着x 增大，少子扩散电流分量不断增大在x=x B 处，I nB(扩)(x B )=I nB 。
结论：随着x 增大，基区少子浓度不断减少，而少子浓度梯度不断增大。
半导体器件物理(I)第2章BJT直流放大特性例如：若基区杂质为指数分布缓变基区BJT 中基区少子分布特点：随着x 增大，基区少子浓度不断减少，而少子浓度梯度不断增大。
BJT的电流放大系数及其温度稳定性
BJT的电流放大系数及其温度稳定性Xie Meng-xian. (电子科大，成都市)众所周知，BJT的输出电流都具有正的温度系数。
因此晶体管的温度稳定性往往是电路应用中值得注意的一个问题。
因为输出电流主要是由两部分组成的：一是少数载流子通过基区扩散到集电区而形成的电流（放大的输出电流正比于电流放大系数），二是集电结的反向饱和电流。
所以，BJT输出电流的正温度系数既关系到集电结反向饱和电流的温度特性，也关系到电流放大系数的温度特性。
实际上，BJT的集电结反向饱电流和电流放大系数都是随着温度的升高而不断增大的。
所以导致BJT的输出电流显著增大。
温度升高时，集电结反向饱电流的增大较容易理解，因为该电流主要是少数载流子的扩散电流，与温度有指数函数关系。
但是，为什么电流放大系数也会不断地增大呢？——这与BJT的结构和工艺有关。
（1）BJT的电流放大系数：BJT的共基极电流放大系数α，是少数载流子从基区扩散到集电区的电流（不包括集电结的反向饱和电流）与发射极输入电流之比值。
因为共基极电流放大系数α主要由发射结的注射效率γ和基区输运系数β*来决定：因此，晶体管电流放大系数与温度的关系也就主要决定于注射效率γ和输运系数β*这两者的温度关系。
提高电流放大系数的措施主要有三个：①减薄基区宽度。
这样就可以减小基区复合、增大基区输运系数。
基区很薄，这是晶体管结构的一个基本特点（以保证发射结和集电结是相互关联着的）。
对于常规的BJT，为了获得很薄的基区宽度，在工艺上往往需要采用所谓浅结扩散技术（基区很浅，发射区更浅，这样才能保证p-n结面平坦，以便获得很薄的基区）。
②增大发射区掺杂浓度。
因为发射结注射效率与发射区-基区的掺杂浓度比有关，而基的掺杂浓度往往不能任意降低，则只有尽量提高发射区的掺杂浓度。
这样就可以使得从发射区注入到基区的少数载流子电流大大超过反向注入的电流，从而能够提高发射结注射效率。
发射结掺杂浓度不对称是一般BJT所必须具备的一个重要条件，否则难以获得高的电流放大系数。
3.1 半导体三极管(BJT)解析
输出特性曲线的三个区域
截止区：特征－IC接近零 该区域相当iB=0的曲线下方。 此时，发射结反偏或正偏电压很小， 集电结反偏。
载流子的传输过程
（2）基极电流传输系数
inC 传 输 到 集 电 极 的 电 流 即 为电流放大系 设 iE 发射极注入电流 数，与管子的结构尺 寸和掺杂浓度有关， iC 一般 = 0.90.99 通常 i >> I 有
nC CBO
iE
3.1.2 BJT的电流分配与放大原理
i
B
vBE - e VBB
b +
c+
iC
vCE
VCC
共射放大电路 vCE = 0V vCE 1V
3.1.3 BJT的特性曲线
(3) 输入特性曲线分为三个部分
①死区 ②非线性区 ③线性区
3.1.3 BJT的特性曲线
2. 共射电路输出 特性曲线 iC=f(vCE) iB=const
饱和区：特征－IC明显受VCE控制 该区域内，一般VCE＜0.7V(硅管)。 即处于发射结正偏，集电结正偏 或反偏电压很小。 放大区：特征－IC平行于VCE轴 该区域内，曲线基本平行等距。 此时，发射结正偏，集电结反偏。
3.1.1 BJT简介
2. 两种BJT类型NPN型和PNP型及其符号
两种类型的三极管
3. BJT制造工艺：合金法、扩散法
3.1.1 BJT简介
4. BJT的分类
• 按材料：硅三极管、锗三极管
• 按用途：高频管、低频管、功率管、开关管
• (国标) ：国产三极管的命名方案
BJT的外形图
3.1.2 BJT的电流分配与放大原理
一组公式
发射区杂质浓度远 大于基区杂质浓度， 且基区很薄。
第二章 BJT的直流特性(2.5-2.6)
2.5大电流和基区宽度调变效应
强场情形 是在VCB较大时出现的。 考虑集电结空间电荷区，电子的移动速度与电子电流密 度之间的关系为：
可动载流子提供的空间电荷密度： 考虑BJT工作在正向有源区，可近似认为通过集电结空间 电荷区的电子都 以极限漂移速度Vl漂移 载流的极漂移速度 可动载流子提供的空间电荷密度 可以利用Possion方程分析强场分布
2.5大电流和基区宽度调变效应
由于欧姆导电区的电导率远低于电流感应基区，可以认为 VCB大部分降低在欧姆导电区： 欧姆定律： 电流感应基区宽度： 求临界电流J2： J2是进入准饱和工作电流的临界电流 临界状态VJC=0，那么利用欧姆定律有 临界电流 3.临界电压 问题：在给定的VCB条件下，哪种效应起作用？
2.5大电流和基区宽度调变效应
定性分析有效基区横向扩展效应的影响： 由于WB’>WB0，边缘部分的少子渡越时间增大，以至于 基区平均渡越时间增大，这就会导致电流增益的减小和 特征频率的下降。 有效基区横向扩展对小尺寸器件的影响较为明显，大尺 寸器件可以不考虑 总结Kirk效应： 掌握两种情形下产生的Kirk效应产生机构以及临界电流 求解： 临界电流和电压的确定： Kirk效应对电流增益的影响，也可以解释：
考虑发射结空间电荷区的电子和空穴准费米能级不变， 并且发射区处于小注入的状态
将边界条件代入积分公式，将得到正向电流传输公式：
小注入公式 结论：利用基区非平衡多子，得到了统一的小注入和大 注入都 适用的公式 新思路：利用基区非平衡多子电荷描述基区电流电压 关 系
2.5大电流和基区宽度调变效应
定义：基区非平衡多子电荷总量 QB0’:平衡态多子电荷总量 QB’：过剩载流子电荷总量 正向电流传输公式：
2.5大电流和基区宽度调变效应
BJT的主要电学性能参数
BJT的主要电学性能参数(小结)BJT的电学性能参数大体上可分为四类：（1）直流性能参数：①直流电流放大系数αo和βo：BJT的直流电流放大系数就是输出直流电流与输入直流电流之比，其数值大小表征着直流放大的性能。
电流放大系数与BJT的应用组态有关：共基极BJT 的直流电流放大系数为αo≈Ic/Ie；共发射极BJT的直流电流放大系数为βo（或者hfe）≈Ic/Ib。
注意，在计算电流放大系数时都未考虑集电结的反向电流。
电流放大系数与工作点有关，当偏置的电流或者电压超过某一定数值时即将下降（这是由于Kirk效应和Early效应等影响的结果）；并且也与温度有关（因为BJT的电流具有正的温度系数的关系），将随着温度的升高而增大。
βo的数值一般为50～200。
较大电流放大系数的晶体管不仅可以获得较大的电压增益；而且也将有利于在小电流下使用，以获得较高的输入交流电阻和较低的噪声，这是低噪声晶体管所要求的。
②反向电流：Icbo～发射极开路的集电结反向电流。
在发射极开路时，因集电结的抽出作用将造成发射结上有一定的浮空电势，但无电流从发射极流入（发射结边缘处的少数载流子浓度梯度为0），然而却有电流从集电极流出——这就是Icbo，实际上就是共基极组态的集电结反向饱和电流。
ICBo要大于晶体管处于截止状态时的集电结反向饱和电流。
Iceo～基极开路的C-E之间的反向电流，又称为穿透电流。
在基极开路时，因为发射结正偏、集电结反偏，所以这是共发射极组态BJT的一种特殊放大状态（即为共发射极放大组态中的输入开路情况）；虽然这时的基极电流为0，但是却有很小的集电结反向饱和电流Icbo通过晶体管，并被放大b倍后再从集电极流出——这就是Iceo：晶体管的穿透电流Iceo要比Icbo大得多。
并且当集电结有倍增效应（倍增因子为M）时，该穿透电流将更大：穿透电流Iceo不但大于Icbo，而且也大于发射结短路时C-E之间的反向电流——Ices，这是由于这时通过发射结的电流只是集电结反向饱和电流Icbo的一部分（有一部分被短路掉了），所以输出电流Ices要小于β Icbo=Iceo。
bjt产品手册
Bjt产品手册一、产品概述Bjt（Bipolar Junction Transistor）即双极结型晶体管，是一种具有放大功能的半导体器件。
它由三个半导体区域组成，包括发射区、基区和集电区，具有电流放大作用。
Bjt广泛应用于各种电子设备中，如放大器、振荡器、开关等。
二、Bjt技术原理Bjt的工作原理基于三极管的放大作用，其核心原理是通过控制基极电流来改变集电极电流，从而实现电流的放大。
当基极电流增加时，集电极电流也会相应增加，反之亦然。
Bjt具有高放大倍数、高速开关等优点，但同时也存在温度稳定性较差等缺点。
三、Bjt产品特点1.高放大倍数：Bjt具有较高的电流放大倍数，可以放大微弱的信号。
2.高速开关：Bjt具有高速开关特性，适用于高速数字电路。
3.线性放大：Bjt具有线性放大特性，适用于模拟电路中的信号放大。
4.稳定性差：Bjt的温度稳定性较差，易受温度影响。
四、Bjt产品应用领域1.音频放大器：利用Bjt的放大特性，可以实现音频信号的放大。
2.高速数字电路：利用Bjt的高速开关特性，可以实现高速数字电路的逻辑运算等功能。
3.模拟电路：利用Bjt的线性放大特性，可以实现模拟电路中的信号处理和放大。
4.其他领域：Bjt还广泛应用于无线通信、电力电子、自动控制等领域。
五、Bjt产品规格参数1.类型：根据不同需求选择合适的类型，如低噪声放大器、高速开关等。
2.电流放大倍数：根据实际需求选择合适的电流放大倍数。
3.集电极-发射极电压：根据实际需求选择合适的集电极-发射极电压。
4.基极-发射极电压：根据实际需求选择合适的基极-发射极电压。
5.工作温度范围：根据实际需求选择合适的工作温度范围。
六、Bjt产品使用方法1.安装：将Bjt安装在合适的电路板上，确保引脚正确连接。
2.偏置电路：根据实际需求设计合适的偏置电路，以保证Bjt的正常工作。
3.信号输入：将需要放大的信号输入到基极，通过控制基极电流实现信号的放大。