第四讲 微波混频器技术指标
微波混频器知识总结
i f u0 f ' u0 u I i
(1-6)
式（1-6）中， I f u0 及 i f ' u0 u ， f u0 和 f ' u0 均是 t 的周期偶函数， 可以分解为只含 cos nLt 项的傅里叶级数，即
S 中频接地线等部分构成。图 1.7 是单端混频器示 4 意图，图 1.8 是其相应的等效电路。
S 阻抗变换器加相移段） 、肖特基 4
图 1.7 单端混频器示意图
S
4
d
Z0
D
S
us
Z 01
ul
Z0
Z0
S
4
LC 带 通 滤 波 器
RL ui
4
C
末端开路
图 1.8 单端混频器等效电路图
从等效电路可以看出，混频二极管 D 以前的电路是输入电路，其作用主要有 两个： 第一是把信号和本振的混合信号加给混频器，图 1.7 中的定向耦合器起类似 信号中“加法器”的作用。定向耦合器的耦合度要合理确定，太小了本振功率浪 费大，太大了信号损失大，一般在 10dB 左右。 第二个作用是使信号与二极管输入阻抗匹配，管子的容性阻抗经相移段 d 到 纯阻点，因为电压波节点对应的纯阻最小，一般选电压波节点位置为纯阻点，再 用一段
i I sa e u 1 f u
(1-4)
在混频二极管上同时加上本振电压 uL U L cos Lt ，直流偏置 U 0 ，信号电 压 uS U S cos S t ，且本振电压 U L 远大于信号电压 U S ，即 U L
U S 。由前面所
述的本振激励特性知，在某个时刻 t ，信号在直流偏压和本振电压建立的工作点 附近的变化是线性的。因此，将 i f u 在 u0 U L cos Lt U 0 处展开成泰勒级 数为：
微波混频器技术指标与特性分析
微波混频器技术指标与特性分析一、噪声系数和等效噪声温度比噪声系数的基本定义已在第四章低噪声放大器中有过介绍。
但是混频器中存在多个频率，是多频率多端口网络。
为适应多频多端口网络噪声分析，噪声系数定义改为式（9-1），其理论基础仍是式（6-1）的原始定义，但此处的表示方式不仅适用于单频线性网络，也可适用于多频响应的外差电路系统，即（9-1）式中 Pno ——-当系统输入端噪声温度在所有频率上都是标准温度T0 = 290K 时，系统传输到输出端的总噪声资用功率；Pns ——仅由有用信号输入所产生的那一部分输出的噪声资用功率。
根据混频器具体用途不同，噪声系数有两种。
一、噪声系数和等效噪声温度比1、单边带噪声系数在混频器输出端的中频噪声功率主要包括三部分：（1）信号频率f s 端口的信源热噪声是kT 0∆f ，它经过混频器变换成中频噪声由中频端口输出。
这部分输出噪声功率是 m fkT α∆0式中 ∆f ——中频放大器频带宽度；αm ——混频器变频损耗；T 0——环境温度，T 0 = 293K 。
（2）由于热噪声是均匀白色频谱，因此在镜频f i 附近∆f 内的热噪声与本振频率f p 之差为中频，也将变换成中频噪声输出，如图9-1所示。
这部分噪声功率也是kT 0∆f ／αm 。
（3）混频器内部损耗电阻热噪声以及混频器电流的散弹噪声，还有本机振荡器所携带相位噪声都将变换成输出噪声。
这部分噪声可用P nd 表示。
这三部分噪声功率在混频器输出端相互叠加构成混频器输出端总噪声功率P nond m m no P f kT f kT P +∆+∆=αα//00 把P no 等效为混频器输出电阻在温度为T m 时产生的热噪声功率，即P no = kT m ∆f ，T m 称混频器等效噪声温度。
kT m ∆f 和理想电阻热噪声功率之比定义为混频器噪声温度比，即 00T T f kT P t m no m =∆= 按照定义公式（9-1）规定，可得混频器单边带工作时的噪声系数为 ns m ns no SSB P f kT P P F ∆==在混频器技术手册中常用F SSB 表示单边带噪声系数，其中SSB 是Singal Side Band 的缩写。
微波电路的技术研究与应用
微波电路的技术研究与应用一、微波电路的概述微波电路是一种特殊的高频电路，在通信、雷达、无线电等领域中有着广泛的应用。
微波电路的频率范围一般在300MHz到300GHz之间，其特点是具有高速、大容量等优点，因此在现代通信系统中扮演着重要的角色。
二、微波电路的种类1. 微带线微带线是一种常用的微波传输线路，是用于制作微波集成电路的主要元件。
它由一层金属覆盖在介质基板上构成，嵌入在基板的内部，具有低成本、低损耗、小体积等优点。
2. 高频放大器高频放大器是一种用于放大微波信号的电路，它的主要作用是将输入信号放大到所需的输出幅度。
高频放大器的主要性能指标包括放大增益、频带宽度、可靠性等。
3. 微波滤波器微波滤波器是一种用于滤波微波信号的电路，它的主要作用是将输入信号中某个频率范围内的信号滤去或保留，以实现信号的分离或合并。
微波滤波器分为有源滤波器和无源滤波器两种类型。
4. 微波混频器微波混频器是一种用于将不同频率的信号混合产生中频信号的电路，它的主要作用是将输入信号的频率转换到新的频率范围内，以实现多路信号的混合和解调。
三、微波电路的应用1. 通信领域微波电路在通信领域中应用广泛，主要包括无线电通信、卫星通信、移动通信等。
无线电通信中，微波电路主要用于收发机、反射器、放大器等电路中，以实现协议通信和广播。
2. 雷达领域雷达是一种用于探测目标位置和速度的设备，微波电路在雷达领域中具有重要作用。
微波电路主要用于雷达天线、放大器和混频器等电路中，以实现雷达信号的发射、接收和处理。
3. 无线通信领域微波电路在无线通信领域中应用广泛，主要包括无线网络、卫星通信、移动通信等。
微波电路主要用于天线、放大器、滤波器等电路中，以实现无线信号的传输和处理。
四、微波电路的制作工艺微波电路制作工艺相对复杂，要求制作精度高，材料的选择和工艺控制也很关键。
一般来说，微波电路的制作工艺包括以下几个方面：1. 材料选择微波电路材料的选择非常重要，主要包括基板材料、电极材料和封装材料等。
实验七混频器的仿真设计
混频器电路旳主要技术指标 • 变频损耗 • 噪声系数 • 端口隔离度 • 驻波比 • 动态范围 • 三阶交调系数 • 镜频克制度 • 交调失真
电流在工作点用泰勒级数展开：
i f (E0 UL cosLt US cosSt)
f (E0 UL cosLt) f '(E0 UL cosLt)US cosSt
Байду номын сангаас
1 2!
f
''(E0
UL
cos Lt )(U S
cos St )2
…
定义二极管旳时变电导g(t)为
g
t
= di dv
= v=E0 +ULcosLt
i2 gnVs cos(nL s )t
i1 gnVs cos(nL s )t n
输出： i i2 i1 2gnVs cos 2i 1L s t
n为偶数旳高次谐波电流被完全抵消，只剩余奇次谐波电 流(n=2i+1)，所以电路本身抵消了二分之一高次谐波电流 分量。
3、镜像回收混频器 (a)给出了分支线电桥旳信号和本振输入端都放置了平行耦合 镜像带阻滤波器，在该处它们镜像开路。因为该处距二极管 约为λSg／4, 因而在两个二极管输入接点处镜像信号被短路到 地。(b) 在接近连接二极管端口处有一耦合微带线作带阻滤波 器，该滤波器由两段1/4镜频波长旳短线构成，一段终端开路， 另一段与主传播线平行，形成平行耦合微带线。位置要调整 到刚好使镜频和本振二次混频后旳中频和一次混频旳中频同 相叠加，可回收镜频能量，提升混频器性能。
微波混频器主要指标
|2
10 lg
(1 1)2 41 |
VS
m12 Gg m11
V0
Go
Io Vo
m22
m12m21 Gg m11
等效中频电流源输出的资用功率
Po
Ie2 8Go
8 Gg m11
m212 I A2 m22 m11 Gg
m12m21
Ch.4微波混频器的主要指标11
11
变频损耗
西安电子科技大学微波技术研究所
最小净变频损耗 最佳源电导
1 1 L1M 2
1 1
2g12 go go g2 2g12 go go g2
GgM go g2 1 2g12 go go g2
L1 0 Gg
最佳输出电导
GoM go 1 2g12 go go g2
Ch.4微波混频器的主要指标6
6
变频损耗
西安电子科技大学微波技术研究所
变频损耗
定义:混频器的输入微波资用功率与输出中频资用功率之比.
L Ps Pif
Ldb
10 lg
Ps Pif
(db)
损耗来源及组成部分:
1、寄生频率所产生的净变频损耗L1.
2、二极管寄生参数Rs,Cj所引起的管内损耗L2.
3、输入、输出端不匹配所引起的失配损耗L3.
4、电路连线产生的热损耗L4.
一般混频器中L4<0.2dB.我们重点讨论前三项
Ch.4微波混频器的主要指标7
7
变频损耗
西安电子科技大学微波技术研究所
净变频损耗L1
混频器中寄生频率虽然很多、在设计良好混频器中大部分寄生 频率可被有效短路,惟独镜像频率和信号不易分开,一般不容易被轻易 滤掉.由三端口等效电路可知,镜频端口的端接情况直接影响信号功率 能否有效地转移到中频上.所以净变频损耗对镜频阻抗依赖很大.
电子科技大学微波固态电路总回顾
总回顾—— 第三章微波晶体管放大器 G
单向化设计（ S12≈0S ） − Γ (1
2 2 S
S 21
2
M
固定增益电路
GTu =
2
21
)(1 − Γ L )
2 2 2
2
(1 − S11Γ S )(1 − S22 Γ L )
2 2
= S21 ⋅
1− Γ S
多级放大器晶体管选择 宽带放大器
1 − S11Γ S
原理图捕捉；支持工具；层次设计 ；电路元件库； 模拟控制 ；优 化；版图；存在多种不同类型的分析研究电路响应的模拟引擎
总回顾—— 第三章微波晶体管放大器
功率合成技术
链状结构 按电路拓扑 结构分类 树状结构 N口结构 Wilkinson合成器 Rucker合成器 圆锥合成器 辐射状合成器 行波合成器 器件级 谐振型 按功率合成 方式分类 电路级 非谐振型 准光功率合成 空间级 自由空间波功率合成 混合型 腔体谐振 介质谐振 空间型 按传输线 形式分类 波导型 平面型
ΓSm ΓLm
P′
ΓLm Γ*Lm
ΓL′
总回顾—— 第三章微波晶体管放大器
微波晶体管功率放大器的特性 1）功率 耗散功率
PDC ≈ I cVcb
，输入功率Pin，输出功率Pout，
小功率：PDC<1 W, 中功率：1W≤PDC ≤ 5W,大功率：PDC>5W 功率单位：1mW=0dBm 1W=1000mW=30dBm 10W=40dBm
考核方式——
平时（作业和出勤率）：10%；实验（8学时）：20%； 期末考试（第15周，一页纸开卷，填空5~10/判断5~10/简答3~5，2小时）： 70% ；
非考试重点——
微波混频器
第六章 微波/毫米波二极管混频器混频器是微波集成电路接收系统中必不可少的部件。
不论是微波通信、雷达、遥控、遥感，还是侦察与电子对抗，以及许多微波测量系统，都必须把微波信号用混频器降到中低频来进行处理。
微波集成混频器有二极管混频器和场效应晶体管混频器以及双栅场效应管混频器。
二极管混频器基本上采用肖特基势垒二极管作变频元件。
优点是：结构简单、工作频带宽、噪声较低、动态范围大、工作稳定等。
FET 混频器的特点：变频增益、电路较复杂、需直流供电。
从电路结构上看，分为单管式混频、双管平衡式混频和多管式混频。
单管混频器只采用一只二极管，结构简单、成本低，但噪声高、抑制干扰能力差，在要求不高时采用，它是理论分析的基础。
平衡式混频器借助平衡电桥可使本振的噪声抵消，因而噪声的性能得到改善，电桥又使信号与本振之间达到良好隔离，因而平衡混频器是最普遍采用的形式。
另外还有管堆式多双衡混频器、镜频抑制混频器等等，可根据特殊要求而设计。
5.1 微波/毫米波混频器技术指标与特性分析 一、 噪声系数和等效噪声温度比。
outout inin f N S N S N //=f N (dB)=10f N lg(5.1)也可采用以下定义：PnsPnoF =(5.2) 式中P n s — 当系统输入端噪声温度在所有频率上都是标准温度k To 290=时，系统传输到输出端的总噪声资用功率。
Pns — 仅由有用信号输入所产生的那一部分输出的噪声资用功率。
1、单边带噪声系数 SSB Singad Side BandLctm KToDfKTmDfF SSB ==(5.3)Tm ：等效噪声温度 tm ：等效噪声温度比 2、双边带噪声系数 DSB Double Side Band在遥感探测、射电天线等领域，接收信号是均匀谱辐射信号，存在于两个边带，这种应用时的噪声系数称为双边带噪声系数。
m m f DSB t L Lc KToD Pm F 21/2==(5.4)由(5.3)和(5.4)可知，由于镜像噪声的影响，SSB F 比DSB F 大一倍，即高出3dB 。
微波混频器的研究
的电压和电流 ，用迭代逼近法来模拟稳态建立 的过 程．首 先对 两 个 子 网 络交界 面 Ａ —— ４处 的电压给一初值． （） ＝ ０ ・ ｔ Ｖ＋ （） ３
厂
图 ５ 平 衡 混 频 器 原理 电路
嵌 络
一 ． Ｉ
当 很小 时 ，级数 只取前 四项 ，得
（． ￡． ）
因为 很小 ，所 以流过二极管的总电流为 ：
ｉ＝ （ ＋ ＣＳ ￡） ＋ｇ （ ） Ｖｃｓ 。 厂 ＯＯ ｔ ） ｔ ，ｏｏ ｔ ）
＝
（
＋ ２ ＣＳＯ￡ ） ＋ （ ０ ＋ Ｏｎ）ｔ ｇ
微 波 混 频 器 的 研 究
张 晶 李厚德２
２
＝
ＣＳＯ ｔ 。 ， ｓ 。 Ｏｎ） ） Ｖｃ ｏ ｔ ￡ ｏ ）
维普资讯
电 容 器 放 电 时 能 量 损 失 的 探 讨
第 ３期
令 ｃ ＝ １２ ＣＣ
微波遥感 、雷达、电子对抗等很多领域得到广 泛应用。但是现代雷达 、远距离通信 、空间探 测和卫星技术 目 标信息非常微弱，不利于接收 机 的接 收．利 用微 波混频 器可 以将微 弱的微波 信号和本地振荡信号混合通过二极管或晶体管
１ 引言
随着混频器工作频率的提高，例如毫米波
目 ，微波技术在微 波通信、卫星通信、 混频器 ，在上述理论分析得出的变频损耗与实 前
・
３ ・ ７
维普资讯
第１ ５卷
技
术
物
理
教
学
（ ）比较两子网络同次谐波 电压幅度 ４
和
直 流
若不满足收敛误差Ｉ 一 ， 嚷 ．Ｉ＜
。
图 ４ 二 极 管 的 一般 等 效 电路
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1
Ljmin 10lg(1 2SC j RS )
2 RS 10 lg(1 ) (dB) Rj
(3-44)
第3章 微波混频器
混频二极管的总变频损耗为
L=L0+Ljmin
(3-45)
图3-13画出了Rs、Cj及二极管总变频损耗随本振激励功 率的变化曲线。可见，恰当地选择本振幅度能使实际变频损 耗达到最小。
2 2 I e2 m21 I A Poa 8G0 8(Gg m11 )[m22 (m11 Gg ) m12 m21 ]
(3-27)
(3-28)
第3章 微波混频器
因此，镜频端口的负载电导Gi为任意值时，混频器的净
变频损耗为
Psa (Gg m11 )[(m22 (m11 Gg ) m12 m21 )] L0 2 Poa m21Gg
第3章 微波混频器
如图3-12所示，流入二极管的总电流幅值为Ij，Rj两端
的电压幅值为Uj，Rj的实际吸收功率为 输入总信号功率为
Pj I j2 RS 2
U j2
U j2 2 Rj
(3-41)
Prf
பைடு நூலகம்
U j2 2 Rj
(3-42)
RS 2 2 (1 S CJ RS Rj ) 2 Rj Rj
第3章 微波混频器
图 3-11 最小净变频损耗与本振电压幅值的关系
第3章 微波混频器
3.2.2 混频管寄生参量引起的结损耗
净变频损耗随着本振电压加大而单调下降，但实际情况 上混频器是在某个一定大小的本振功率上得到最小的变频损 耗值，过大或过小的本振功率都将增大变频损耗。这是因为 上述分析仅考虑Rj的作用，忽略了寄生参量Ls、Cp、Cj和Rs 的影响，所得结果是理想的。实际上必须考虑寄生参量的影 响。分析时常把Ls和Cp合并到外电路去，只考虑Cj和Rs的影 响。由于Rs、Cj对输入的微波功率进行分压和分流，只有部 分信号功率加到Rj上参加频率变换，因此二极管的结损耗Lj 定义为输入信号功率Prf与结电阻Rj的吸收功率Pj之比。
第3章 微波混频器
3.2 微波混频器的小信号传输特性
——变频损耗
微波混频器的作用是将微波信号转换为中频信号，频率
变换后的能量损耗即为变频损耗。微波混频器的小信号传输 特性的研究任务包括：
(1) 输入信号功率经过混频器后有多少功率转换成中频
信号功率，即变频损耗。 (2) 当混频器的源电导Gg和输出电导G0为何值时，变频 损耗最小。 变频损耗定义为微波信号资用功率Psa与输出中频资用 功率Poa之比，常用分贝表示，即
第3章 微波混频器
1. Gi为任意值时的净变频损耗
混频器的等效电路如图3-6(b)所示，根据网络方程式(316)，由镜像端口得
Ii=GiUi
对式(3-16)和式(3-20)联立求解，得
(3-20)
IS=m11US+m12U0
I0=m21US+m22U0
用矩阵表示为
(3-21)
I S m11 m12 U S I m m22 U 0 0 21
第3章 微波混频器
图 3-7
镜像电导G为任意值时的混频器等效电路
第3章 微波混频器
为计算净变频损耗，首先应求出信号源的资用功率和混
频器输出的中频资用功率，然后求两者之比。 信号源的资用功率(Gi=Gg时)为
U I Pin Rg 8Gg
2 S
2 A
(3-24)
式中：IA是信号的电流幅值。为求得混频器输出的中频资用 功率，在中频端口使用戴维南定理，把输出端口以左的电流 等效成一个新的恒流源，如图3-8所示。
第3章 微波混频器
图 3-12
考虑寄生参数影响时计算变频损耗的电路
第3章 微波混频器
由此求得结损耗为
RS 2 Lj 10 lg(1 S C j2 RS Rj ) (dB) Rj
(3-43)
因为Rs和Rj都和本振电压有关，所以调节UL使 Rj 时， jC j 可使结损耗最小，即
G0匹 g 0
(3-35)
第3章 微波混频器
3. 镜像短路(Gi＝∞)时的净变频损耗
如果在输入端加入对镜频短路的窄带滤波器，使输入回 路对镜频呈现短路，则称为镜像短路混频器，如图3-9所示。 在镜像短路混频器中，由于镜频电流没有流过信号源内阻， 因此镜频能量没有消耗，而是被反射回混频器，所以净变频 损耗比镜像匹配时要小。将Gi＝∞代入式(3-30)～式(3-32)求 得镜像短路混频器的最小变频损耗、最佳源电导和最佳输出 电导为
2 0 2 1 2 0
(3-40) 图3-11是采用正弦电压激励时三种镜像状态的最小变频 损耗和本振电压幅值的关系曲线。由图可见，镜像开路混频 器和镜像短路混频器由于镜频能量回收，使得L开<L短<L匹。 理论上当UL趋于无穷大时，L匹趋于3 dB，说明信号功率中 有一半转换成镜频功率损耗在负载上，而L短和L开都趋于0 dB。实际上镜像短路混频器或镜像开路混频器比镜像匹配 混频器获得的变频损耗改善不可能达到3 dB，一般在0.5～2 dB之间。
(3-22)
第3章 微波混频器
式中：
2 g2 m11 g 0 g 0 Gi
g1 g 2 m12 m21 g1 g 0 Gi
(3-23)
g12 m22 g 0 g 0 Gi
于是把三端口网络简化成二端口网络，如图3-7所示。网络 参数与镜像端口的负载电导Gi有关。
(3-29)
可见，净变频损耗是信号源电导Gg与网络参数［m］的 函数。当混频器的激励状态一定时，L0随Gg变化。调整Gg可 L0 0 ，即可求得最小变频损耗及其相 使L0达到最小。令 Gg 应的最佳源电导和最佳输出电导，即
第3章 微波混频器
L0 min
(Ggopt m11 )[(m22 (m11 Gg ) m12 m21 )]
L匹 2
1 1 2 g12 g0 ( g0 g 2 ) 1 1 2 g12 g0 ( g0 g 2 )
(3-33)
第3章 微波混频器
Gg 匹
2 g12 ( g0 g2 ) 1 g0 ( g0 g2 ) 2 g12 1 g0 ( g0 g2 )
(3-34)
第3章 微波混频器
图 3-14
镜像短路(或开路)混频器噪声等效电路
第3章 微波混频器
图 3-13
二极管总变频损耗与本振激励功率的关系
第3章 微波混频器
3.2.3 输入、输出端的失配损耗
混频器输入、输出端不匹配会引起信号功率和中频功率 的损耗。假定输入端的反射系数为Γ1，电压驻波比系数为ρ1， 中频输出端反射系数为Γ2，电压驻波比为ρ2，则失配损耗为
Lr 10 lg( ) 10 lg( ) (dB) 2 2 1 1 1 2
在混频过程中产生的寄生频率都含有一部分信号功率， 如果它们消耗在电阻上，就会造成损耗，这些损耗称为净变
频损耗。计算净变频损耗时，认为混频器输入、输出端口均
已匹配，且将二极管只看做是一个受本振电压控制的时变电 导g(t)。 混频器的等效电路是一个三端口网络，净变频损耗不但 与二极管的特性有关，还与各端口的负载阻抗有关。实际应 用中，最关心的是镜像短路、镜像匹配和镜像开路这三种混 频器的净变频损耗。为普遍起见，首先讨论镜像端口负载电 导Gi为任意值时的净变频损耗，然后再讨论三种主要混频器 的净变频损耗。
2 m21Gg
1 2 [2m11m22 m12 m21 2 m11m22 (m11m22 m12 m21 )] m21
(3-30)
Ggopt Gcopt
m11 (m11m22 m12 m21 ) m22 m22 (m11m22 m12 m21 ) m11
(3-31)
(3-32)
第3章 微波混频器
图 3-8
中频输出端等效电路
第3章 微波混频器
图3-8中，Ie是恒流源电流，即输出端短路电流的幅值；
G0是恒流源的内电导，即获取的中频输出电导。当中频端 口短路时，Ie=I0，混频器的外部方程为
IS=IA－USGg U0=0
将式(3-25)和式(3-23)联立求解，得
(3-25)
第3章 微波混频器
Psa L 10 lg( ) (dB) Poa
变频损耗主要包括以下三部分： (1) 由寄生频率产生的净变频损耗L0。 (2) 由混频二极管寄生参量引起的结损耗Lj。 (3) 混频器输入/输出端的失配损耗La。
(3-19)
第3章 微波混频器
3.2.1 净变频损耗
1
1
(1 1 ) 2 (1 2 ) 2 10 lg( ) 10 lg( ) (dB) 4 1 4 2
(3-46)
第3章 微波混频器
3.3
混频器的噪声系数及其他电气指标
混频器的噪声系数(NF)定义为输入端处于标准温度(290
K)时，输入端与输出端的信噪比之比，即
Sia Nia N oa F L Soa N oa N ia
第3章 微波混频器
L短
g1 2 1 1 ( ) g0 g1 2 1 1 ( ) g0
g1 2 1 ( ) g0
(3-36)
Gg短 G0短 g 0
(3-37)
第3章 微波混频器
图 3-9 镜像短路混频器
第3章 微波混频器
4. 镜像开路(Gi＝0)时的净变频损耗
如果在混频器的输入端与二极管之间嵌入一个镜频抑制 滤波回路，则形成镜像开路，如图3-10所示。 在镜像开路混频器中，由于镜频电流Ii＝0，因此不消耗 镜频能量，而将镜频能量储存起来，在镜频抑制滤波器的两 端形成镜频电压U，U又与本振基波混频(ωL－ωi=ω0)，得到 有用的中频能量，使输出的中频功率增加。所以镜像开路混 频器具有最低的净变频损耗。 将Gi＝0代入到式(3-30)～式(3-32)，得到镜像开路混频 器的最小净变频损耗、最佳信号源电导和最佳输出电导为