铜线封装工艺技术和可靠性研究
电子封装过程与可靠性关系研究剖析
电子封装过程与可靠性关系研究剖析电子封装是在电子元器件制造过程中至关重要的步骤之一。
它涉及到将电子元件（如集成电路芯片、电阻器等）封装在外壳中的过程，以保护电子元件免受外界环境的影响。
为了确保电子封装的质量和可靠性，研究电子封装过程与可靠性之间的关系是非常重要的。
电子封装过程是一个多步骤的过程，其中包括粘接、封装材料的涂布、元件定位和封装密封等。
每个步骤都需要精确的控制和技术，以确保封装的质量和可靠性。
首先，粘接是电子封装过程中的重要一步。
粘接质量直接影响着封装的可靠性。
在粘接过程中，应注意选择适当的粘接剂和粘接工艺，以确保粘接强度和稳定性。
同时，还需要注意粘接的温度和压力，以避免粘接过程中出现气泡或者松动等问题。
其次，封装材料的涂布也是决定封装可靠性的重要因素之一。
封装材料应具有良好的附着性、导热性和抗冲击性等特性，以确保电子元件在工作过程中的稳定性和可靠性。
此外，封装材料的涂布过程需要注意温度和压力的控制，以避免过度涂布或者不足涂布造成的问题。
元件定位也是电子封装过程中的关键一环。
良好的元件定位可以确保元件与封装外壳之间的间隙恰到好处，以保证散热和电气连接的良好。
定位精度应满足封装规范的要求，并且应避免元件间的短路或开路现象。
最后，封装密封是保护电子元件的重要手段之一。
封装密封需要确保外壳与封装材料之间的紧密性，以防止外界潮湿、灰尘、化学物质等进入封装内部。
良好的封装密封可以保证电子元器件在工作过程中的稳定性和可靠性。
除了上述步骤，电子封装过程中还需要注意控制环境条件。
温度、湿度等环境因素可能对封装质量和可靠性造成影响。
因此，在电子封装过程中，应确保相对恒定和合适的环境条件，以减少封装过程中出现的问题。
在研究电子封装过程与可靠性的关系时，需要从多个角度进行分析。
首先，可以通过实验和测试来评估不同封装过程对封装质量和可靠性的影响。
同时，还可以借助模拟软件和数学模型，对封装过程中的各个因素进行建模和分析。
键合铜线的调研报告
键合铜线的调研报告调研报告：键合铜线一、背景介绍键合铜线是一种新兴的电子封装材料，用于半导体器件中的电子连接。
通过将导线与芯片或电路板之间进行键合，实现信号和电力的传输。
二、发展历程键合铜线的发展历程可以追溯到20世纪60年代末。
当时，由于硅片芯片的引入，需要一种可靠的电子连接方式来连接芯片和外部电路。
最早使用的是金线键合技术，但由于缺乏适应小尺寸、高密度制造需求的能力，逐渐出现了对键合材料的需求，以满足新一代电子器件的封装和封装需求。
在20世纪70年代，键合铜线开始被用作半导体封装的替代材料。
与传统的金线键合相比，键合铜线具有更高的导电性能、更好的可靠性和更低的成本。
然而，在当时的技术条件下，针对键合铜线进行精确的制造和控制仍然是一个挑战。
三、技术进展及应用随着技术的不断发展，现代键合铜线已经取得了长足的进步。
在制造和控制技术方面的改进使得键合铜线适应了更小、更高密度的封装需求。
通过改善材料和键合工艺，键合铜线的可靠性也得到了显著提高。
目前，键合铜线已经广泛应用于各种封装领域，在电子消费品、汽车电子、通信设备等高技术领域具有重要的地位。
例如，用于智能手机中的封装工艺需要键合铜线以满足高性能和高可靠性的需求。
四、优势和挑战键合铜线相比传统的金线键合具有多项优势。
首先，键合铜线具有更高的导电性能，可以支持更高的信号传输速度。
其次，键合铜线的成本较低，可以使整体的封装过程更加经济高效。
此外，键合铜线还具有良好的可靠性和稳定性。
然而，键合铜线的发展还面临一些挑战。
首先，键合铜线需要满足高能效和高性能的要求，因此对材料的纯度和制造工艺的要求更高。
其次，键合铜线需要高精度的制造和控制技术，以确保键合点的准确性和一致性。
此外，键合铜线还面临着在高温环境下的稳定性和电迁移等问题。
五、发展趋势随着电子封装需求的不断增加，键合铜线的应用前景广阔。
未来的发展趋势主要包括以下几个方面：1. 高速通信领域：随着5G通信技术的发展，对封装的要求越来越高。
QFN器件封装技术及焊点可靠性研究进展
QFN 器件封装技术及焊点可靠性研究进展随着电子设备的不断发展和更新，对器件的封装方式也提出了更高的要求。
传统的DIP（Dual in-line Package）和SOP（Small Outline Package）封装已经不能满足高密度、小体积的产品设计要求，QFN （Quad Flat No-leads）封装因其小尺寸、易于制造和高可靠性的特点受到了广泛的关注和应用。
本文将综述QFN 器件封装技术及其焊点可靠性研究进展。
一、QFN 封装技术的发展QFN 是一种新型的小封装器件，其与SOP 封装相比较，具有尺寸更小，耐机械应力和环境温度变化的能力更强，并且因其无引线封装技术，可以减少因引线老化、断裂导致的坏点率。
随着QFN 应用的不断推进，越来越多的生产厂家开始研究和开发QFN 封装技术。
目前基于QFN 封装技术已经发展出了多种类型，常用的有QFN、DFN、SON 封装。
QFN 封装结构特点QFN 封装结构示意图如下图所示：QFN 封装通常会有金属片和封装耳两个部分。
金属片是做为引子追踪结构，充当芯片和基板的连接。
封装耳的设计旨在增加由于温度差异及机械应力的变化而可能导致的应力释放功能。
同时，又因为QFN 封装表面积小，增加封装耳的数量没有大尺寸封装那么容易。
因此，在QFN 封装中，采用封装耳的技术，但是数量要限制，大约在周边6 个位置左右。
QFN 封装工艺步骤QFN 封装工艺主要包括芯片焊接、烤合、粘接和切割等步骤。
该流程包括如下工艺步骤：Step1：基板清洗基板的清洗是为了去除表面的污垢，确保焊接质量。
Step2：芯片焊接将芯片银浆点焊到基板下面，然后将芯片与基板烤合在一起。
Step3：烤合在热板上，加热芯片和基板，使之彼此结合。
Step4：粘接在芯片上部涂上粘接剂，将芯片贴到基板上。
Step5：切割采用拉丝式切割，即先在芯片上把一定深度的切缝拉开，再用剪刀或切割机进行切割。
以上这些步骤构成了QFN 器件封装过程中的主要流程，总体来说相比传统的SOP 封装方式而言，QFN 封装流程更加的严格，也更加复杂。
铜线键合工艺
铜线键合工艺
铜线键合工艺是半导体封装中的一个重要过程，主要用于连接芯片和外部世界。
它主要包括以下步骤：
1. 预处理：清洗并烘干芯片和引线框架，以确保良好的电导性和热导性。
2. 定位：将芯片精确地放置在引线框架上，通常使用自动化设备进行。
3. 键合：使用高温、高压和超声波技术，将铜线的一端连接到芯片的电极，另一端连接到引线框架。
这个过程需要非常精确的控制，以避免线断裂或其他问题。
4. 检测：完成键合后，会进行电性测试，以确保连接良好。
5. 清理：最后，将多余的铜线和残渣清理干净，完成整个键合工艺。
铜线键合工艺对于半导体封装至关重要，它直接影响到芯片的性能和可靠性。
探究功率晶体管封装中铜丝键合工艺的可靠性
要的作用，是芯片与铜线之间的连接点，因此键合铝层的质
量直接影响到芯片的输出稳定性。在键合过程中金属球产生
的冲击力力主要由铝层吸收，以此保障焊接后芯片与框架引
脚具有良好的导电性且铝层下的硅片不会被焊球破坏。
铜线在芯片上的焊接如图1所示
图1 铜线在芯片上的焊接
铜线材质较金线材质硬度大，因此想要降低金属球对
作环境温度以及键合压力都有严格的要求。如果在键合过 程中环境温度没有达到金属的熔点，就会导致在键合后无 法得到金属间化合物。
此外，球焊键合的可靠性主要受到焊点的金属间化合 物的生长状态所影响。在键合过程中，焊盘与键合之间形 成一定数量的金属间化合物，但是一旦金属间化合物的数 量过多，就会造成电阻增加，进而导致焊点位置热量增 加。而焊点位置温度上升反而会加快金属间化合物的生长速 度，再次增加电阻。这种恶性循环会导致焊点的失效。因此 金属间化合物对于铜丝键合的可靠性有着关键性的作用。
金属间化合物的数量增加会提升电阻主要是由于金属 化合物的电阻能力分别高于化合物中的两种金属电阻能 力。此外将两种金属焊接在一起时，其中一种金属会朝着 另一种金属进行快速扩散，而两种金属的扩散速度并不相 同，这就导致在扩散速度较快的金属中出现大量的空位。 而这种空位会表现为在金属上形成很多孔洞。如果进行金 铝键合时，金的扩散速度要高于铝，因此键合之后，金的 一侧会出现大量的空位，形成孔洞。进而导致接触面积减 少，电阻增加。在铜丝键合技术中需要降低这一问题出现 的情况[4]。 3.2 金-铝金属间化合物与铜-铝金属间化合物的对比
金-铝的金属间化合物主要有五种，分别为AlAu、 Al2Au、AlAu2、AlAu4、Al3Au5。这五个金属间化合物形成过 程中其体积变化程度并不相同，电阻率也相对较低。而这 几种材料在高温或者长时间使用之后会有键合强度减少， 材质变脆、在界面位置出现裂缝以及增加电阻等问题。进 而导致设备出现开路或者导电性能降低等情况。此外， AlAu2在使用过程中由于金的扩散速度快，会在焊点位置形 成黑色的环形孔洞，这种情况会导致焊接强度变低，最终 造成器件失效。这也是使用金丝进行金铝热压焊的失效的 原因之一。而铜丝键合的效果与金丝不同，由于铜丝的金 属间化合物生长速度较慢，这就保证在铜丝键合中其电阻 率较小，产生的热量也相对较低，明显的提高了铜丝键合 设备的可靠性。 3.3 金属间化合物的产生效率分析
铜包铝紫铜带的生产工艺与质量分析
学术·铜包铝紫铜带的生产工艺与质量分析 转自：转载自《金属世界》1前言铜包铝线是21世纪的新型复合材料，是在铝芯上同心地包覆铜层并使铜铝界面形成金属结合的双金属复合导线。
兼具铜的导电性好、强度高，铝的密度小，易加工诸多优点，自身又具有铜层密度均匀、高致密性、高伸展性等特点。
适用代替铜线制造有线电视信号传输电缆及大容量通讯网络信号传输电缆。
较之纯铜导线具有重量轻，方便运输，线质柔软易于加工，节约铜资源消耗，成本低廉等明显的优势，已广泛应用于高频信号传输和控制领域。
随着应用技术的不断深入，其深加工产品——超导铜包铝线、铜包铝镁合金线、铜包铝漆包线、铜包铝镀银线、铜包铝镀锡线等逐渐替代铜导线不断应用到军工、航空航天、电子计算机、电子元器件等高科技领域，具有极高的推广价值和市场前景。
当前铜价高企，铜资源紧缺，推动了铜包铝线产业的迅猛发展，铜包铝线所需要的紫铜带市场迅速扩大，且该产品具有较好的利润空间，给铜板带加工行业提供了产品结构调整和产能扩张的机会，也给我公司提供了一个难得的产品开发的机遇。
我公司从2006年4月开始生产铜包铝紫铜带，从样品试制到批量生产，已成为部分电缆、电线公司的主要供应商。
本文探讨了铜包铝紫铜带的生产工艺，分析了生产中影响铜包铝紫铜带表面质量的主要因素，并提出了控制措施。
2铜包铝紫铜带的特性 2．1铜包铝紫铜带材质铜包铝线的铜层采用99．90％以上纯度的精铜，要求铜层密实性高，导电性好；铜层与铝芯线间实现冶金结合，铜层沿圆周方向及纵向分布均匀，同心度好。
产品各项技术指标均需按美国ASTM B566-93标准和我国电子行业标准：SJ／T11223-2000《铜包铝线》验收。
因此铜层的材质采用T2紫铜，其化学成分见表1。
2．2铜包铝紫铜带的性能、尺寸公差及表面质量要求(见表2) 3铜包铝紫铜带的生产工艺铜包铝用紫铜带的性能、尺寸公差、表面质量要求严格，生产难度比较大，在实际生产当中，考虑T2的物理性能与退火温度和保温时间的关系，采用成品酸洗前退火控制其物理性能和硬度指标。
键合铜线性能及键合性能研究
键合铜线性能及键合性能研究键合铜线性能及键合性能研究摘要：键合铜线是一种广泛应用于电子器件中的材料，其线性能和键合性能对器件的性能和可靠性具有重要影响。
本文通过对键合铜线的性能和键合过程的研究，探讨了键合铜线的特性及其在电子器件中的应用。
关键词：键合铜线，线性能，键合性能，电子器件引言键合铜线是电子器件中常见的一种连接线材料，具有良好的导电性和导热性。
电子器件通常通过键合工艺将导线与器件芯片连接起来，以实现信号传输和电源接驳。
由于键合铜线在器件中的重要作用，其性能和键合性能对器件的性能和可靠性影响巨大。
一、键合铜线的线性能键合铜线的线性能包括电导率、电阻率、电流容量和热传导性能等方面。
1. 电导率：键合铜线具有良好的电导率，可以有效传输电流。
2. 电阻率：键合铜线的电阻率直接影响其导电性能，低电阻率有利于减小线路的功耗。
3. 电流容量：键合铜线的电流容量取决于其横截面积，较大的横截面积可以承受更大的电流。
4. 热传导性能：键合铜线具有良好的热传导性能，能够迅速将热量传导到散热器或其他散热设备。
二、键合铜线的键合性能键合性能是指键合铜线在键合过程中的可焊性、可靠性和可重复性等方面的表现。
1. 可焊性：键合铜线的可焊性是指其在键合过程中与其他材料的焊接牢固程度。
优良的可焊性可以确保键合铜线与器件芯片之间的电气连接可靠。
2. 可靠性：键合铜线的可靠性是指其在使用过程中的稳定性和耐久性。
键合铜线需要能够长时间稳定地传输信号和电流。
3. 可重复性：键合铜线的可重复性是指在大量制造过程中，不同批次的键合铜线的性能保持一致。
良好的可重复性有助于提高生产效率和产品品质。
三、键合铜线的应用键合铜线广泛应用于各类电子器件中，如集成电路、芯片组件、电子封装等。
1. 集成电路：在集成电路中，键合铜线用于连接芯片与封装基座，实现电气连接和信号传输。
2. 芯片组件：键合铜线可用于连接芯片与其他组件，如电源、传感器等，实现芯片功能与外部电路的连接。
分立器件铜线的键合特点及其工艺研究
分 立 器 件 是 集 成 电路 的 一 个 重 要 分 支 ，分 立 器 件 引线键合 是其封装 过程 中的一个 关键环 节 ，
因其 低 成 本 和 相 对 金 线 更 优 的 电 、热 性 能而 受 到
大多数半导体封装厂商 的关注 ， 目前 已在分立器
件 的封 装 中广 泛 使用 ［ １ １ 。但 是 ， 由于铜 线 键 合 使 用 和 研 发 时 间 相 对 较 短 ，对 其 键 合 工 艺 缺 乏 系 统 的 研究， 且 实 际生 产 中铜 线 产 品 的合 格 率 、 产 品生 产
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
中图分 类 号 ： Ｔ Ｎ４ ０ ５
文 献标 识 码 ： Ｂ
文章 编号 ： １ ０ ０ ４ － ４ ５ ０ ７ （ ２ ０ １ ３ ） ０ ６ ． ０ ０ ２ ７ ． ０ ５
Ｓ ｔ ｕ ｄ ｙ ｏ ｆ Ｃｏ ｐ ｐ ｅ ｒ Ｗ ｉ ｒ ｅ Ｂｏ ｎ ｄ ｉ ｎ ｇ Ｃｈ ａ ｒ ａ ｃ ｔ ｅ ｒ ｉ ｓ ｔ ｉ ｃ ｓ ａ ｎ ｄ Ｐｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ
ｑ ｕ ａ ｌ ｉ ｔ ｙ ａ ｎ ｄ ｒ ｅ ｌ ｉ ａ ｂ ｉ ｌ ｉ ｙ ｔ ｏ ｆ ｐ ｒ ｏ ｄ ｕ ｃ ｔ ｓ ．
Ｋｅ ｙ ｗｏ ｒ ｄ ｓ ： Ｄｉ ｓ ｃ ｒ ｅ ｔ ｅ ｄ ｅ ｖ ｉ ｃ ｅ ； Ｃｏ ｐ ｐ ｅ ｒ ｗｉ ｒ ｅ ｂ ｏ ｎ ｄ ｉ ｎ ｇ； Ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ｃ ｏ ｎ ｄ ｉ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ￣ Ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ｐ ａ ｒ ａ ｍｅ ｔ ｅ ｒ ｓ
键合 时间： 铜 线 需 要 比 金 线 更 长 的键 合 时 间 ，
分立 器件铜 线键 合 时需要 考虑 分立 器件 自身 的 结构特 点 ， 只有 根据 分立器 件 自身 的结 构特 点 ， 选 用 适 当的工 艺条件 和工 艺参 数 ，才 能尽可 能避 免焊 接 过程 中 出现 的各 种 问题 ，得到 较好 的产 品质 量和 可 靠性 ， 进而 提高 产 品生产 率及 设备 、 人 员效率 。 因此 ， 研 究分 立器件 铜 线键 合工 艺具有 重要 的意 义 。
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◆ 冲弯率 好 于金线 。
铜线工艺的风险性在于 ：
◆ 铜容 易被 氧化 ， 键合 工艺 不稳 定 。
综合 了多种金属的特性考虑 ，金线是框架类封
装 的主要 材 料 。但 是 由于 金 的价 格 较 贵 ， 线 的成 金
本 大约 为封 装成 本 的 ３ ％。 ０
２． ０ Ｍ ＿ ｌ
３． ０ Ｍ ＿ ｌ ４． ０ Ｍ ＿ ｌ ５． ０ Ｍ ＿ １
３． ０ ｕ ｍ
４ ． Ｏ ｕ ｍ ４ 一 ６ ０ ｕ ｍ Ｏ
．
６ — ８ ０ ｕｍ ０
．
同时 ， 和铜 的物理 特性 的 比较 如表 ２所示 。 金
பைடு நூலகம்
６． ０ Ｍ ｉ Ｉ
◆ 铜 的硬度 、屈 服强度等物理参数高 于金 和
铝。 键合 时需 要施 加更 大 的超 声 能量 和键 合压 力 ， 因 此 容易 对硅 芯 片造 成损 伤甚 至是 破坏 。 针 对上述 主要 差别 ，需 要在 铜线 键合 时 注意 以
下几 点 ：
当前从 成本 的角度 考 虑 ，封 装 厂开始 考 虑采用
从 表 １可 以看 出 ， 和 金 的基 本力 学 特性 都 可 嘲 铜
求
根 据上述 的特点 ，对铜 线键 合 的设计 规则 我 们
进行 了研究 ， 具体 如下 。
对芯片上铝的厚度有一定要求 ， 见表 ３具体 的 ，
电路 看可靠 性考 评 的结果 ，同时压 区下 二氧 化硅 层
要 大于 ４ ０ ０ ０埃 。
铜线的键合工艺［ 这样可以大大节约封装成本。 ２ 】 。 但
是 出于可靠 性 和工艺 的稳 定性 考虑 ，当前铜 线键 合 在集 成 电路厂 家推 广很 困难 。
本文 就铜线 键合 工艺 的 实际可 靠性 和应 用进 行
◆ 防止氧化 ， 在键合时加氮氢混合气体。
◆ 防 止对硅 芯 片损 伤 ， 芯片 本 身提 出 了一 些 对
发 展方 向 。
ａｅ ｅｉ ｓ［］ ｇｄＤ ｖｃ ，Ｓ． ｅ
◆ 发光 二极 管 （ Ｅ 封 装 也 考 虑转 为 铜 线 的 Ｌ Ｄ） 键合 封 装 ， 这也 是 当前研 究 的一 个重 要方 向 。 四
作 者简介
聂纪平 ， 高级工程 师， 从事集成电路的研发工作。
科 技 的客 户 在 产 品价 格 及 效 能 表 现 上 有 明显 的优
ＳＣ ｏ 设计要求 ， 同时具备 ３ 位架构的复杂度与 ８１ ２ ／ ６
位 架 构 的 价 格成 本 ， 对 是 目前 ＳＣ工 程师 所 讲 求 绝 ｏ 设 计轻 薄 及低 耗 电安 全产 品 的最佳选 择 。
势 。几 家 客户 的采用 发挥示 范作 用 ， 产生连 锁效 应 ， 使 得 更 多 同领 域 的芯 片 厂 商 转 向晶 心科 技 的处 理 器 。晶心科 技 以低成 本 、高效 能的一 系列 核心处 理 器 产 品 ， 到爆 炸性创 新 ， 旦进 入到 一个产 品 的应 达 一 用领 域 ， 可大 幅提升 在该 领域 的渗透 率 。 便 晶心科 技
也 将 持 续 努 力 ， 以满 足 客 户需 求 、共 创 双赢 为 目 标 。” 四
晶 心 科 技 有 机 会 跃 升 为
全球 第二大处理器 ｌ 供货商 Ｐ
经 过 数 年 的 努力 经 营后 ， 晶心 科 技 （ ｎ ｅ ） Ａ ｄ ｓ 已
成 为 中 国 台湾 及 中 国大 陆 Ｉ 计 厂 商 处 理器 核 心 ｃ设
要求 。
了研 究 ，可 以对集 成 电路 产 品全 面推 广铜 线工 艺有
重要 的应 用价 值 。
◆ 严格 控制 加工 工艺 ， 做好 弹坑 检查 。 并
２ ２铜线 工 艺对 集成 电路 设 计规 则 的要 ．
２ 铜线工 艺的特 点和可靠性分析
２ １ 金 属和 金 的物 理 特 性 比较 ．铜
４８７ １ ． ３６４ ９ ．
２２ ２
较低 中
高
２ ５ ４ ０
２ ５
艺步骤 ， 该工艺确保了芯片和外 围引出的欧姆接触
和可 靠性 ， 图 ２所示 。 如
铜 线 的优 势 如下 ：
◆ 铜有 明显 的价格优 势 。
◆ 铜 的导 电性 和导 热性 均好 于金 线 。
框 架
ｉ ｔｒ ｏ ｎ ｃｉ ｎ ｎ ｅ ｃ ｎ ｅ ｔ ｍａｅ ｉｌ ｎ ｄ ａ ｃ ｄ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔｒ ｏ ｔｒａ ｉ ａ ｖ ｎ ｅ ｓ ｍｉｏ ｄ ｃｏ
◆ 对于要求较高的工业级应用领域 ， 如何评估
铜 线 工 艺 的可靠 性 ， 也是 今后 工作 的重 点 。
◆ 对 于设 计 公 司来 说 ， 完善 铜 线键 合 工 艺 的设
上接第 ６ ７页
３ 铜 线 键 合 的 下一 步 发展
◆ 对 于 芯片 尺度 封装 （ Ｓ 工 艺来 说 ， 何进 Ｃ Ｐ） 如 行进 一 步优 化铜 线 工艺 、 降低 成本 ， 是今 后工 作 的方
向。
参 考 文 献
［】 可 为 ， １李 ． 集成 电路 芯 片封 装 技 术 ， ， 京 ， ［ 北 Ｍ］ 电子 工业 出版社 ，０ ７ ３月 ． ２０ 年
热导率 （ ／ｌ） Ｗ Ⅱ（ Ｉ
２６４ ９ ．
金属 布 氏 活 性 硬 度
低 ２ ０
１２铜线工 艺引入 的考虑 ．
对 于封 装工 艺来说 ，引线键 合是 一个 重要 的工
银 铜
铝
１０ ０ ９ ５
６ ０
１０ ８ ６ ～１０ ２Ｏ ２Ｏ Ｏ～ ２
７ ～ ８ Ｏ ０
表 ３铜线键合对铝层厚度的要求
橱 缱
０． Ｍ ＿ ８ ｌ
以满足集成 电路对于键合工艺的要求。铜线有较好 的伸长率和破断力 ，以及散热和电阻率都可以满足
封装 工艺 的要求 。
表 １铜 （ ｕ 丝和 金 （ ｕ 丝 的 力学 性 能 对 照 Ｃ） Ａ）
盲 释
．
帼
１ Ｏ ｍ ｕ
［］ 向东 ，半 导体 封装 行业 中铜 线键 合 工 艺 的应 ２．毕 用 ，】 ［， Ｊ 电子 与封 装 ，００ １ （ ，— ． ２ １ ，０ ８） １４
【】 ｉｏ ｚ ． Ｔ ｅｕ ｅ ｆ ｏ ｐｒ ｉ ｓａ ｌ ｒａ ｖ ３． ｎ ｕ Ａ Ｌ ｈ ｓ ｐ ｅ ｒ ａ ｎａ ｅｎｔ ｅ ｏｃ ｗ ｅ ｔ ｉ
ｐｃ ａｉｇＪ． ｎ ｅ ， ９ ９１ （ ：９ ａｋ ｇ ［ Ｋ ｓ ｐ １ ９ ，１ ２）５ ６ ｎ ］ Ｒ
ｌ］Ｊ Ｓ ２ ｅｉｓ Ｒ ｌ ｂｌｙＴ ｓ Ｍｅ ｏ ｓ ｏ ａ ｋ ４． Ｅ Ｄ ２Ｓ ｒ ， ｅｉ ｉｔ ｅｔ ｔ ｄ ｒ ｃ — ｅ ａ ｉ ｈ ｆ Ｐ
计规则 和特殊要求 ， 增加设计的冗余度 ， 也是工作 的
Ｉ Ｐ的主要供货商之一 。
在 全球处 理器 Ｉ 二大 厂 ＭＩＳ宣布 出售寻 求 Ｐ第 Ｐ 买 家后 ，晶心科 技有 机会取 而代 之成 为全球 仅次 于
代最具安全防护功能的 ３ 位处理器 Ａ ｄｓｏｅ ２ ｎｅＣ ｒ Ｍ Ｔ
Ｓ ０ 。 该 产 品 是 基 于 高 省 电效 率 的 Ｎ ０ 核 心 ， Ｎ８ Ｉ ８１ 加 上 具 有 安 全 防 护 功 能 的 内存 保 护 单 元 （ ｅｕｅ Ｓｃｒ ＭＰ 而设 计 的 。除 了在 权 限控 管上有 完善 的协 议 ， Ｕ）
Ａ Ｍ的第 二大 处 理器 Ｉ Ｒ Ｐ供货 商 。 晶心 科 技林 志 明总 经 理 表示 ： 晶心科 技 以协 “
并且在程序代码及数据方 面提供硬件 的保护机制 ， 使 Ｓ８１ Ｎ ０ 可有效防止侧漏信息的攻击 。
晶 心科 技 技 术 长兼 研 发 副 总苏 泓 萌 博 士表 示 ，
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些策略要素 ，晶心科技于本次论坛中正式发表全新
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Ｊ 与 ｉ ｒ ＿ 旦— － ＪＭ一 ． 产ｌ 业，
林 志 明总 经 理 还表 示 ：“ 几 年 中低 阶 电子 产 近
品 使 用 的 芯 片普 遍 存 在 平 均 销 售 价 （ Ｓ 及 毛 利 Ａ Ｐ） 率 的压力 ， 晶心科 技 的 ３ 位 处理 器在 这市场 上 大 而 ２ 有斩 获 ， 快速 取得 客户认 同 ， 并 主要原 因之 一 即晶心
犀 眉【， １ ｜ 鲁
Ｉ ｝ １ 。ｍ ，￣ 互 ｔ 夏 搴 １４ ， ∞ 嘈， ０ ｍ １０ Ｘ－ ２１ ５ １ ７ １８ ８ ‘ ． １１ ０
１． Ｍ ＿ ０ ｌ １． ２ Ｍ ＿ Ｉ １． ５ Ｍ ． １
１． ｕｍ ５ ２ Ｕ ｍ ０ ３． ０ ｕｍ
助客户将处理器快速导人新产品中为 目 。并依客 标
户 应用 ， 供 客制化 的服务 ， 对 Ａ ｄｓ 提 针 ｎ ｅ 处理 器 架构
进 行优 化 的设计 ，大 幅提 升客 户 的系统性 能并 缩减
客 户 的芯片 成本 。”
针 对 智 能 卡 相 关 应 用 所 设 计 的 安 全 核 心 Ａ ｄｓ ｎｅ Ｃ ｒＴＳ ８ Ｉ可 让 客户 快速 完 成智 能卡 相关 应 用 的 ｏｅ Ｎ ０ ， Ｍ ＳＣ设 计 ， 短产 品认 证及 上 市 的 时间 ， ｏ 缩 以抢 食此 百 亿 级 的大饼 。Ａ ｄｓ ｏｅ Ｎ ０ ｎ ｅＣｒＴＳ ８ １能完全 符合 新一 代 Ｍ
诞生的封装设想 。推动其发展的因素一直是 ： 功率 、
重量 、 引脚 数 、 寸 、 尺 密度 、 电响应 、 可靠 性 、 热耗 散 ，
以及 价格 等 。
金