晶体电光调制实验

晶体电光调制实验

【实验目的】

1. 掌握晶体电光调制的原理和实验方法。

2. 学会用简单的实验装置测量晶体半波电压、电光常数的实验方法。

3. 观察电光效应所引起的晶体光学特性的变化和会聚偏振光的干涉现象。

【实验仪器】

晶体电光调制电源、铌酸锂(LiNbO 3)电光晶体、He-Ne 激光器及可调电源、可旋转偏振片、格兰棱镜、光电接收器、有源音响

【实验原理】

1．一次电光效应和晶体的折射率椭球

当给晶体或液体加上电场后，该晶体或液体的折射率发生变化，这种现象成为电光效应。电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用，它有很短的响应时间（可以跟上频率为1010Hz 的电场变化），可以在高速摄影中作快门或在光速测量中作光束斩波器等。在激光出现以后，电光效应的研究和应用得到迅速的发展，电光器件被广泛应用在激光通讯、激光测距、激光显示和光学数据处理等方面。

光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向不同，光的折射率也不同。在主轴坐标中，折射率椭球及其方程为

1232222212

=++n z n y n x （1）

式中n1、n2、n3为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。当晶体加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球方程变成

1222212213223233222222112=+++++n xy n xz n yz n z n y n x

（2）

晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。纵向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播的方向平行时产生的电光效应；横向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应，本实验研究铌酸锂晶体的一次电光效应。铌酸锂晶体属于三角晶系，3m 晶类，主轴z 方向有一个三次旋转轴，光轴与z 轴重合，是单轴晶体，折射率椭球是旋转椭球，其表达式为

122202

2=++e n z n y x （3）

式中n0和ne 分别为晶体的寻常光和非常光的折射率。加上电场后折射率椭球发生畸变，当x 轴方向加电场，光沿z 轴方向传播时，晶体由单轴晶变为双轴晶，垂直于光轴z 轴方向的折射率椭球截面由圆变为椭圆，此椭圆方程为

12)1()1

(222222022220=-++-xy E y E n x E n x x x γγγ （4）

其中的22γ称为电光系数。

2．电光调制原理

这次实验中，我们只做LiNbO 3晶体的横向调制实验。

图 1

图1为典型的利用LiNbO 3晶体横向电光效应原理的激光振幅调制器。其中起偏振片的偏振方向平行于电光晶体的x 轴，检偏振片的偏振方向平行于y 轴。光强透射率为 )sin (2sin 2sin 022t U U U U U T m ωππ

ππ+== （5）

其中U 0是加在晶体上的直流电压，U m Sin ωt 是同时加在晶体上的交流调制信号，U m 是其振幅，ω是调制频率。从（5）式可以看出，改变U 0或U m ，输出特性将相应的有变化。对单色光和确定的晶体来说， U π为常数，因而T 将仅随晶体上所加的电压变化。

【实验装置】

图2 晶体电光调制实验装置图

He-Ne 激光器

偏振片 1/4λ波片 电光晶体 格兰棱镜 光电接收器 准直孔

激光器电源

电光调制电源

【实验内容】

1．观察晶体的会聚偏振光干涉图样和电光效应

2．测定铌酸锂晶体的透过率曲线（即T～U曲线），求出半波电压Uπ，再算出电光系数γ22。3．改变直流偏压，选择不同的工作点，观察正弦波电压的调制特性

4．用1/4波片改变工作点，观察输出特性

5．光通讯的演示

【注意事项】

1．He-Ne激光管出光时，电极上所加的直流电压高达千伏，要注意人身安全。

2．晶体又细又长，容易折断，电极是真空镀的银膜，操作时要注意，晶体电极上面的铝条不能压的太紧或给晶体施加压力，以免压断晶体。

3．光电三极管应避免强光照射，以免烧坏。做实验时，光强应从弱到强，缓慢改变，尽可能在弱光下使用，这样能保证接收器光电转换时线性性良好。

4．电源和放大器上的旋钮顺时针方向为增益加大的方向，因此，电源开关打开前，所有旋钮应该逆时针方向旋转到头，关仪器前，所有旋钮逆时针方向旋转到头后再关电源。

【思考题】

1．本实验中没有会聚透镜，为什么能够看到锥光干涉图？如何根据锥光干涉图调整光路？2．工作点选定在线性区中心，信号幅度加大时怎样失真？为什么失真，请画图说明。3．测定输出特性曲线时，为什么光强不能太大？如何调节光强？这种调节光强的方法有何优缺点？

4．晶体上不加交流信号，只加直流电压Uπ/ 2或Uπ时，在检偏振片前从晶体末端出射的光的偏振态如何？怎样检测？