泊松方程和拉普拉斯方程

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2020年高中物理竞赛—电磁学B03泊松方程 拉普拉斯方程 (共13张PPT)

2020年高中物理竞赛—电磁学B03泊松方程  拉普拉斯方程 (共13张PPT)
2020高中物理竞赛
电磁学B
电磁场与波
3.3 泊松方程 拉普拉斯方程
补充内容:拉普拉斯运算
标量场的拉普拉斯运算 对标量场的梯度求散度的运算称为拉普拉斯运算。记作:
gu 2u
式中:“2”称为拉普拉斯算符。
在直角坐标系中:
2u
2u x2
2u y 2
2u z 2
3.3 泊松方程 拉普拉斯方程
矢量场的拉普拉斯运算
r
ev r
ev
r sin
)( aU )
r
evr
aU r2
解法二:电荷均匀分布在导体球上,呈点对称。
设导体球带电总量为Q,则可由高斯定理求得,在球外空间,电场 强度为:
v E
Q
40r 2
evr
U
Evgdrv Q ( 1) Q
a
40 r a 40a
Q 40aU
v E
aU r2
evr
可用于求解静电场的边值问题。
例 半径为a的带电导体球,已知球体电位为U,
求空间电位分布及电场强度分布。
解法一:导体球是等势体。
r
a
时:Ev
U
0
r a时:
2 0 ra U r 0
1
r
2
d dr
(r 2
d
dr
ra U
r 0
)
0
c1 r U
ra
0
r
Байду номын сангаас
c2
aU r
v
E
(evr
问题的求解。
THE END
谢谢观看!
Evgdrv
r
aU r r2 dr
aU r

第四章静态场分析

第四章静态场分析
S V
D E
E 0 D V
——静电场是有散(有源)无旋场,是保守场。
E D E V
0
( ) V
V ——泊松方程
2
无源区域
2 0 ——拉普拉斯方程
2. 恒定电场的拉普拉斯方程
Qm LI
K j LI
(b) n
IS (c)
对图(c)所示小圆环电流就其远区辐射 场而言,可以等效为图(b)所示磁流元 IS Kl j IS Q IS Qml IS K j m l l
(2)对偶原理
H Jc j E E j H
B m D V
对应电流连续性方程,引入磁流连续性方程 J m jm 0
电磁场的边界条件也做相应的修改
ˆ n (D1 D2 ) S ˆ n (E1 E2 ) J m ˆ n ( B1 B2 ) mS ˆ n (H1 H2 ) J S
积分法
边值问题研究方法
解析法
分离变量法 镜像法、电轴法
微分方程法
计算法 保角变换法

有限差分法 有限元法 数值法 边值问题 研究方法 实验法 实测法 模拟法 定性 定量 边界元法
矩量法
模拟电荷法

数学模拟法 物理模拟法

作图法
三、静态场的重要原理和定理 1.对偶原理 (1)场源的概念
( x a ,0 y b ) 0
边值问题
( y 0,0 xa ) 0
( y b,0 xa ) U 0
分离变量法的前提是假设待求函数有分
离变量形式的解。

泊松方程与拉普拉斯

泊松方程与拉普拉斯

泊松方程与拉普拉斯泊松方程与拉普拉斯方程是数学领域中重要的偏微分方程,它们在物理学、工程学、计算机科学等各个领域有着广泛的应用。

本文将介绍泊松方程和拉普拉斯方程的定义、性质以及它们在实际问题中的应用。

泊松方程是一个二阶偏微分方程,通常用于描述电位、温度、流体静压力分布等问题。

其一般形式可以表示为:∆u = f(x,y,z)其中,u是待求函数,∆表示Laplace算子,f(x,y,z)是已知的函数。

泊松方程的求解过程包括确定边界条件、选择适当的解析方法等。

在一些特殊情况下,泊松方程可以通过分离变量、格林函数等方法精确求解。

拉普拉斯方程是泊松方程的特殊情况,即f(x,y,z)=0。

它表示了没有源项的稳定状态下的物理量分布。

例如,在无电荷的情况下,电势的分布可以由拉普拉斯方程描述。

泊松方程和拉普拉斯方程在实际问题中具有重要的应用。

下面将介绍它们在物理学、工程学和计算机科学中的具体应用。

一、物理学应用:1. 电场分布:根据泊松方程,可以求解电荷分布对电场的影响。

例如,在计算静电场、电容器以及电场中带电粒子的运动等问题时,泊松方程能够提供准确的分析结果。

2. 热传导问题:热传导是物体内部以及不同物体之间的热量传递过程。

泊松方程可以描述温度分布的稳定状态,因此可以求解热传导问题。

例如,在石油勘探中,泊松方程可用于分析地下温度场的分布。

二、工程学应用:1. 结构力学:泊松方程可用于模拟材料的弯曲、拉伸、压缩等受力状态。

例如,在工程结构设计中,可以利用泊松方程分析材料的变形和应力分布。

2. 流体力学:泊松方程可以用于模拟流体流动中的压力分布。

例如,在空气动力学中,可以用泊松方程求解空气流动的速度场和压力场。

三、计算机科学应用:1. 图像处理:在数字图像处理中,拉普拉斯算子可以用于图像边缘检测。

通过计算图像中像素灰度值的二阶导数,可以突出显示图像中的边缘结构。

2. 数值计算:泊松方程和拉普拉斯方程是数值计算领域中常用的方程之一。

静电场(5) 泊松方程和拉普拉斯方程

静电场(5) 泊松方程和拉普拉斯方程

0
Dd S
S
q
微分形式:
E
0
或(E )
7
介质方程:
D
D 0rE E
在各向同性、均匀、线性的媒质中, 由静电场的基本方程可以得出结论: 静电场是一个有通量源(静止电荷)
而没有旋涡源的矢量场。
8
根据矢量场理论,要确定一个矢量场, 必须同时给顶它的散度和旋度。 所以静电场的基本方程中包含了:
E ()
(在均匀、线性、各向同性的电介质中,为常数。)
2
(电位的泊松方程)
12
2、拉普拉斯方程
对于场中没有电荷分布(=0)的区域内:
2
(电位的泊松方程)
0 2
(电位的拉普拉斯方程)
拉普拉斯方程是泊松方程的特例。
13
2是拉普拉斯算符:二阶微分算符
直角坐标系:
r
1
r2 sin
sin
1
r 2 sin 2
2 2
15
两类问题 可以用泊松方程或拉普拉斯方程解决
1、已知:有限区域内的电荷分布, 求:电位和场强
(场域内电介质是均匀、线性和各向同性。)
求电位:
(x, y, z) 1 (x', y', z') dV '
4 V '
r
求场强:
E
1
r 2 sin
sin
1
r 2 sin 2
2 2
1 r2
r
r 2
r
0
r 2 0
18
r r
r 2 0
r r
一次积分
r2
r
C1
C1 r r 2

EM第12讲泊松拉普方程

EM第12讲泊松拉普方程

显然,由于两极板面无限大,故某x面上场在
Research Institute of RF & Wireless Techniques
12.3 一维泊松方程的解
方向分布均匀,板面上的电荷密度
均为
常数。作一柱形闭合面,其上、下底面积为
South China University of Technology
代入上式得:
应用高斯通量定理的解法物理概念清晰,而一维泊松
方程的求解法则更简单。
Research Institute of RF & Wireless Techniques
小结
静电场的基本方程
South China University of Technology
泊松方程与拉普拉斯方程 一维泊松方程的解

2
Research Institute of RF & Wireless Techniques
12.3 一维泊松方程的解
例12-1 已知导体球的电位为U(设无穷远处的电位为
South China University of Technology
0),球的半径为a,求球外的电位函数。
静电场的基本方程
积分形式:
微分形式: E 0
D
或E
在线性、各向同性媒质中,本构关系为:
静电场是无旋有散场。
Research Institute of RF & Wireless Techniques
12.2 泊松方程与拉普拉斯方程
解:
令球心为球坐标系原点,在
电位 因此电场具
函数满足拉普拉斯方程,且 有球对称性,电位

泊松方程和拉普拉斯方程

泊松方程和拉普拉斯方程

泊松方程和拉‎普拉斯方程势函数的一种‎二阶偏微分方‎程。

广泛应用于电‎学、磁学、力学、热学等多种热‎场的研究与计‎算。

简史1777年,拉格朗日研究‎万有引力作用‎下的物体运动‎时指出:在引力体系中‎,每一质点,并且把这些商‎加在一起,其总和即P点‎的质‎量m k除以它‎们到任意观察‎点P的距离r‎k的势函数,势函数对空间‎坐标的偏导数‎正比于在 P点的质点所‎受总引力的相‎应分力。

1782年,P.S.M.拉普拉斯证明‎:引力场的势函‎数满足偏微分‎方程:,叫做势方程,后来通称拉普‎拉斯方程。

1813年,S.-D.泊松撰文指出‎,如果观察点P‎在充满引力物‎质的区域内部‎,则拉普拉斯方‎程应修改为,叫做泊松方程‎,式中ρ为引力‎物质的密度。

文中要求重视‎势函数 V在电学理论‎中的应用,并指出导体表‎面为等热面。

静电场的泊松‎方程和拉普拉‎斯方程若空间分区充‎满各向同性、线性、均匀的媒质,则从静电场强‎与电势梯度的‎关系E=-墷V和高斯定‎理微分式,即可导出静电‎场的泊松方程‎:,式中ρ为自由‎电荷密度,纯数εr为各分区‎媒质的相对介‎电常数,真空介电常数‎ε=8.854o×10-12法/米。

在没有自由电‎荷的区域里,ρ=0,泊松方程就简‎化为拉普拉斯‎方程。

在各分区的公‎共界面上,V满足边值关‎系,,式中i,j指分界面两‎边的不同分区‎,ζ为界面上的自‎由电荷密度,n表示边界面‎上的内法线方‎向。

边界条件和解‎的唯一性为了在给定区‎域内确定满足‎泊松方程以及‎边值关系的解‎,还需给定求解‎区域边界上的‎物理情况,此情况叫做边‎界条件。

有两类基本的‎边界条件:给定边界面上‎各点的电势,叫做狄利克雷‎边界条件;给定边界面上‎各点的自由电‎荷,叫做诺埃曼边‎界条件。

边界几何形状‎较简单区域的‎静电场可求得‎解析解,许多情形下它‎们是无穷级数‎,稍复杂的须用‎计算机求数值‎解,或用图解法作‎等势面或力线‎的场图。

泊松方程和拉普拉斯方程的区别

泊松方程和拉普拉斯方程的区别

泊松方程和拉普拉斯方程的区别泊松方程和拉普拉斯方程是数学中的两个重要方程,它们在物理、工程、计算机科学等领域都有广泛的应用。

虽然它们都属于偏微分方程,但是它们的性质和应用有很大的不同。

本文将从定义、性质和应用等方面对这两个方程进行比较和分析。

一、定义泊松方程和拉普拉斯方程都是二阶偏微分方程,它们的定义如下:泊松方程:$Delta u=f(x,y,z)$拉普拉斯方程:$Delta u=0$其中,$Delta$表示拉普拉斯算子,$u$表示待求函数,$f(x,y,z)$表示已知的函数。

泊松方程的右侧有一个非零函数,而拉普拉斯方程的右侧为零。

二、性质1.解的存在性和唯一性对于泊松方程,只有在给定边界条件的情况下才有解,并且解是唯一的。

这是由于泊松方程是一个椭圆型方程,其解析性质决定了解的存在性和唯一性。

对于拉普拉斯方程,解的存在性和唯一性则要根据边界条件和区域形状来判断。

在一些特殊的情况下,拉普拉斯方程可能没有解或者有多个解。

2.性质分析泊松方程和拉普拉斯方程的性质有很大的不同。

泊松方程是一个非齐次方程,其右侧有一个非零函数。

这意味着泊松方程的解会受到外部条件的影响,例如在流体力学中,泊松方程描述了流体中的压力分布,其解会受到外部物体的影响。

拉普拉斯方程是一个齐次方程,其右侧为零。

这意味着拉普拉斯方程的解不受外部条件的影响,它只与内部条件有关。

例如在电场中,拉普拉斯方程描述了电势的分布,其解只与内部电荷分布有关。

另外,泊松方程和拉普拉斯方程在解的性质上也有很大的不同。

泊松方程的解是一个调和函数,它具有良好的性质,例如可微性、可积性等。

而拉普拉斯方程的解则不一定是调和函数,其性质则要根据具体情况来判断。

三、应用泊松方程和拉普拉斯方程在物理、工程、计算机科学等领域都有广泛的应用。

下面分别介绍它们的应用。

1.泊松方程的应用(1)流体力学中的应用泊松方程可以描述流体中的压力分布,因此在流体力学中有广泛的应用。

例如在空气动力学中,泊松方程可以用来计算飞机翼的气动力。

静电场微分方程及唯一性定理

静电场微分方程及唯一性定理

2 0
泊松方程和拉普拉斯方程统称为微分方程。 二、泊松方程与拉普拉斯方程适用条件 只适用于各向同性、线性的均匀媒质。(?)
§2.8.2
唯一性定理(Uniquness Theorem)
一、定理内容
在静电场中,满足给定边界条件的微分方程(泊松方程或
拉普拉斯方程)的解是唯一的,称之为静电场的唯一性定理。
2 2 2 式中: ( ex ey ez ) ( ex ey ez ) 2 2 2 2 x y z x y z x y z
2
泊松方程(针对场源点)
拉普拉斯方程(针对场点,ρ=0)
《电磁场理论》
主讲教师:李志刚 辽宁科技大学电信学院通信系 2012年05月
§2.8 静电场边值问题 唯一性定理
§2.8.1 泊松方程与拉普拉斯方程 一、静电场微分方程
D
E E E
E
E 0
常数
二、物理角度理解
场源相同、场分布相同,则场一定相同。
三、数学角度理解
方程相同、边界条件相同,则解一定相同。
四、唯一性定理的作用
1、确定何为相同场的判定条件;
2、可以采用等效方法进行问题的求解,只要保证满足唯一
性定理的条件,则解法不同,但解却一
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拉普拉斯方程和泊松方程
摘要:拉普拉斯方程,又名调和方程、位势方程,是一种偏微分方程。

因为由法国数学家拉普拉斯首先提出而得名。

求解拉普拉斯方程是电磁学、天文学和流体力学等领域经常遇到的一类重要的数学问题,因为这种方程以势函数的形式描写了电场、引力场和流场等物理对象的性质。

关键词:分离变量 电磁场 拉普拉斯 简史
1777年,拉格朗日研究万有引力作用下的物体运动时指出:在引力体系中,每一质点的质量m k 除以它们到任意观察点P 的距离r k ,并且把这些商加在一起,其总和 m k r k
n k=1
=
V x ,y ,z 即P 点的势函数,势函数对空间坐标的偏导数正比于在 P 点的质点所受总引力的相应分力。

1782年,P.S.M.拉普拉斯证明:引力场的势函数满足偏微分方程:
∂2V ∂x +∂2V ∂y +∂2V
∂z =0,叫做势方程,后来通称拉普拉斯方程。

1813年,S.D.泊松撰文指出,
如果观察点P 在充满引力物质的区域内部,则拉普拉斯方程应修改为∂2V ∂x 2
+
∂2V ∂y 2
+
∂2V ∂z 2
=−4πρ,
叫做泊松方程,式中ρ为引力物质的密度。

文中要求重视势函数 V 在电学理论中的应用,并指出导体表面为等热面。

静电场的泊松方程和拉普拉斯方程
若空间分区充满各向同性、线性、均匀的媒质,则从静电场强与电势梯度的关系E=-∇V 高斯定理微分式∇∙E =ρ/εr ε0,即可导出静电场的泊松方程:∂2V ∂x 2+∂2V ∂y 2+∂2V
∂z 2=∇2V =−ρ/εr ε0 式中ρ为自由电荷密度,纯数 εr 为各分区媒质的相对介电常数,真空介电常数εo =8.854×10-12
法/米。

在没有自由电荷的区域里,ρ=0,泊松方程就简化为拉普拉斯方程∇2V =0 。

在各分区的公共界面上,V 满足边值关系V i =V j ,
ε0εri ∂V
∂n i
−ε0εrj ∂V
∂n j
=−ς,
式中i ,j 指分界面两边的不同分区,σ 为界面上的自由电荷密度,n 表示边界面上的内法线方向。

边界条件和解的唯一性
为了在给定区域内确定满足泊松方程以及边值关系的解,还需给定求解区域边界上的物理情况,此情况叫做边界条件。

有两类基本的边界条件:给定边界面上各点的电势,叫做狄利克雷边界条件;给定边界面上各点的自由电荷ς 或∂V
∂n ,叫做诺埃曼边界条件。

静电场的唯一性定理:
设区域V 内给定自由电荷分布)(x
,在V 内电势φ满足泊松方程∇2φ=ρ
ε或拉普拉斯方程∇2φ=0,在V 的边界S 上给定电势φ|s ,或V 边界上给定电势的法线方向偏导数∂φ
∂n |s ,则V 内场(静电场)唯一确定。

除了静电场之外,在电学、磁学、力学、热学等领域还有许多服从拉普拉斯方程的势场。

各类物理本质完全不同的势场如果具有相似的边界条件,则因拉普拉斯方程解的唯一性,任何一个势场的解,或该势场模型中实验测绘的等热面或流线图,经过对应物理量的换算之后,可以通用于其他的势场。

静磁场的泊松方程和拉普拉斯方程
在SI 制中,静磁场满足的方程为 ∇∙B =0∇×H =J ,式中j 为传导电流密度。

第一式表明静磁
场可引入磁矢势r)描述:∇×A =B 。

在各向同性、线性、均匀的磁媒质中,传导电流密度j 0的区域里,磁矢势满足的方程为∇×∇×A =∇ ∇∙A −∇2A =μr μ0j 。

选用库仑规范,∇∙A =0,则得磁矢势A 满足泊松方程∇2A =μr μ0j ,式中纯数μr 为媒质的相对磁导率, 真空磁导率μo =1.257×10-6
亨/米。

在传导电流密度j=0的区域里,上式简化为拉普拉斯方程 ∇2Α=0。

静磁场的泊松方程和拉普拉斯方程是矢量方程,它的三个直角分量满足的方程与静电势满足的方程有相同的形式。

对比静电势的解,可得矢势方程的解。

拉普拉斯方程的解——分离变量法
在直角、柱或球坐标系的分离变量法中,通过变量分离将拉普拉斯方程分解为两个或三个微分程分别求解,然后利用边界条件和初始条件来确定其中的系数和常数。

参考文献:
郭硕鸿著:《电动力学》,人民教育出版社,北京,1979。

J.D.杰克逊著,朱培豫译:《经典电动力学》下册,人民教育出版社,北京,1980。

(J.D. Jackson,Classical Electrodynamics,John Wilye& Sons,New York,1976.)
.。

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