硅的酸腐蚀
硅料酸洗过程中的酸斑
硅料酸洗过程中的酸斑酸洗是一种常见的表面处理方法，被广泛应用于金属材料的清洗和去除氧化层。
在硅料酸洗过程中，酸斑是一个常见的问题，它会对硅料的质量和性能产生不利影响。
本文将介绍硅料酸洗过程中的酸斑问题，并探讨其原因和预防措施。
一、酸斑的定义和特征酸斑是指硅料表面出现的圆形或不规则形状的腐蚀区域，通常呈现出明显的颜色差异。
酸斑可以分为浅斑和深斑两种类型，浅斑一般只影响表面层，而深斑则会渗透到硅料内部。
二、酸斑的原因1. 酸洗液配方不当：酸洗液中的酸度、温度和浓度等参数不合适，会导致酸洗过程过于激烈，从而引起酸斑的产生。
2. 清洗不彻底：硅料在酸洗前的清洗不彻底，表面残留有油脂、灰尘等杂质，这些杂质会与酸洗液中的酸发生反应，形成酸斑。
3. 酸洗时间过长：酸洗时间过长会导致硅料表面被过度腐蚀，形成深斑。
三、酸斑的预防措施1. 合理调整酸洗液配方：根据硅料的特性和要求，合理调整酸洗液的酸度、温度和浓度等参数，确保酸洗过程的温和性。
2. 彻底清洗硅料：在酸洗前，要对硅料进行彻底的清洗，去除表面的油脂、灰尘等杂质，以减少酸洗液与杂质的反应。
3. 控制酸洗时间：严格控制酸洗时间，避免过长的酸洗时间导致硅料表面的过度腐蚀。
4. 使用防酸斑剂：在酸洗液中添加防酸斑剂，能够有效抑制酸斑的产生，提高酸洗效果。
5. 定期检查酸洗设备：定期对酸洗设备进行检查和维护，确保设备运行正常，避免因设备问题引起的酸斑。
四、酸斑的修复方法如果硅料表面出现了酸斑，可以采用以下修复方法：1. 重新酸洗：对受到酸斑影响的硅料进行重新酸洗，以去除酸斑并修复表面。
2. 机械抛光：对表面较深的酸斑，可以采用机械抛光的方法进行修复，将酸斑部分去除。
3. 酸洗后处理：酸洗后进行一些特殊的处理，如镀膜、阳极氧化等，能够修复酸斑并提高硅料的表面质量。
总结：酸斑是硅料酸洗过程中常见的问题，会对硅料的质量和性能产生不利影响。
为了预防酸斑的产生，需要合理调整酸洗液配方、彻底清洗硅料、控制酸洗时间、使用防酸斑剂以及定期检查酸洗设备。
811硅腐蚀液化学成分
811硅腐蚀液化学成分
811硅腐蚀液是一种用于去除硅片表面氧化层的化学溶液，通常用于半导体制造和其他微电子加工过程中。
其化学成分通常包括氢氟酸（HF）和硝酸（HNO3）的混合物。
氢氟酸是一种强酸，具有强烈的腐蚀性，能够有效地去除硅片表面的氧化层。
硝酸则具有氧化性，有助于加速腐蚀过程。
这两种化学物质的混合物能够高效地去除硅片表面的氧化层，使其变得更加洁净。
此外，811硅腐蚀液可能还包含一些添加剂，用于调节溶液的酸碱度、表面张力和其他性质，以确保其在使用过程中能够达到最佳的腐蚀效果。
这些添加剂的具体成分可能因制造商而异，通常是商业机密。
总的来说，811硅腐蚀液的化学成分主要是氢氟酸和硝酸的混合物，辅以一些可能的添加剂，用于去除硅片表面的氧化层，从而在半导体制造和微电子加工中发挥重要作用。
硅元素对应的酸
硅元素对应的酸
硅是一种非金属元素，其化学符号为Si。
硅元素可以形成多种化合物，其中包括与不同酸形成的化合物。
以下是硅元素对应的酸： 1. 硅酸（H4SiO4）：硅酸是一种无机酸，也是硅元素最常见的氧化物。
它是一种无色透明的液体，可以从硅酸盐矿物中提取。
硅酸具有很强的腐蚀性，可以用于清洁和去除水垢。
2. 硝酸硅酯（Si(OR)4）：硝酸硅酯是一种有机硅化合物，其中R代表有机基团。
它可以通过硅酸与醇反应制备。
硝酸硅酯可以用于制备陶瓷和涂料。
3. 硅氢酸（H3SiOH）：硅氢酸是一种无机酸，它是硅烷（SiH4）加水反应产生的产物。
硅氢酸可以用于制备其他硅化合物，例如硅酸盐和有机硅化合物。
4. 硅酸甲酯（Si(OCH3)4）：硅酸甲酯是一种有机硅化合物，其中甲基取代了硅酸中的氢原子。
它可以用于制备陶瓷和涂料，也可以作为有机硅聚合物的前体。
总之，硅元素可以形成多种不同的酸，这些酸在工业和科学研究中有广泛的应用。
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硅片腐蚀工艺
硅片腐蚀工艺
硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池，腐蚀电流较大，一般超过100A/cm2，但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求，目前主要使用氢氟酸（HF）,硝酸(HNO3)混合的酸性腐蚀液，以及氢氧化钾(KOH)或氢氧化钠（NaOH）等碱性腐蚀液。
现在主要用的是HNO3-HF腐蚀液和NaOH腐蚀液。
下面分别介绍这两种腐蚀液的腐蚀化学原理和基本规律。
1.HNO3-HF腐蚀液及腐蚀原理
通常情况下，硅的腐蚀液包括氧化剂（如HNO3）和络合剂（如HF）两部分。
其配置为：浓度为70%的HNO3和浓度为50%的HF以体积比10～2:1，有关的化学反应如下：3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑
硅被氧化后形成一层致密的二氧化硅薄膜，不溶于水和硝酸，但能溶于氢氟酸，这样腐蚀过程连续不断地进行。
有关的化学反应如下：
SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O
2.NaOH腐蚀液
在氢氧化钠化学腐蚀时，采用10％～30％的氢氧化钠水溶液，温度为80～90℃,将硅片浸入腐蚀液中，腐蚀的化学方程式为
Si＋H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2↑
对于太阳电池所用的硅片化学腐蚀，从成本控制，环境保护和操作方便等因素出发，一般用氢氧化钠腐蚀液腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。
硅腐蚀
硅单晶中晶体缺陷的腐蚀显示实验安排：4人/组时间：两小时地点：北方工业大学第三教学楼2403房间实验所用主要设备：金相显微镜一、实验目的硅单晶中的各种缺陷对器件的性能有很大的影响，它会造成扩散结面不平整，使晶体管中出现管道，引起p-n 结的反向漏电增大等。
各种缺陷的产生和数量的多少与晶体制备工艺和器件工艺有关。
晶体缺陷的实验观察方法有许多种，如透射电子显微镜、X光貌相技术、红外显微镜及金相腐蚀显示等方法。
对表面缺陷也可以用扫描电子显微镜来观察。
由于金相腐蚀显示技术设备简单，操作易掌握，又较直观，是观察研究晶体缺陷的最常用的方法之一。
金相腐蚀显示可以揭示缺陷的数量和分布情况，找出缺陷形成、增殖和晶体制备工艺及器件工艺的关系，为改进工艺，减少缺陷、提高器件合格率和改善器件性能提供线索。
二、原理硅单晶属金刚石结构，在实际的硅单晶中不可能整块晶体中原子完全按金刚石结构整齐排列，总又某些局部区域点阵排列的规律性被破坏，则该区域就称为晶体缺陷。
硅单晶中的缺陷主要有点缺陷、线缺陷和面缺陷等三类。
晶体缺陷可以在晶体生长过程中产生，也可以在热处理、晶体加工和受放射性辐射时产生。
在硅单晶中缺陷区不仅是高应力区，而且极易富集一些杂质，这样缺陷区就比晶格完整区化学活拨性强，对化学腐蚀剂的作用灵敏，因此容易被腐蚀而形成蚀坑，在有高度对称性的低指数面上蚀坑形状通常呈现相应的对称性，如位错在（111）、（100）、（110）面上分别呈三角形、方形和菱形蚀坑。
用作腐蚀显示的腐蚀剂按不同作用大体可分为两类，一类蚀非择优腐蚀剂，它主要用于晶体表面的化学抛光，目的在于达到清洁处理，去除机械损伤层和获得一个光亮的表面；另一类是择优腐蚀剂，用来揭示缺陷。
一般腐蚀速度越快择择优性越差，而对择优腐蚀剂则要求缺陷蚀坑的出现率高、特征性强、再现性好和腐蚀时间短。
通常用的非择优腐蚀剂的配方为：HF(40-42%):HNO3(65%)=1:2.5它们的化学反应过程为：Si+4HNO3+6HF=H2SiF6+4NO2+4H2O通常用的择优腐蚀剂主要有以下二种：（1）希尔腐蚀液（铬酸腐蚀液）先用CrO3与去离子水配成标准液：标准液＝50g CrO3+100g H2O然后配成下列几种腐蚀液：A. 标准液：HF(40-42%)=2:1(慢速液)B. 标准液：HF(40-42%)=3:2(中速液)C. 标准液：HF(40-42%)=1:1(快速液)D. 标准液：HF(40-42%)=1:2(快速液)一般常用的为配方C液，它们的化学反应过程为：Si+CrO3+8HF=H2SiF6+CrF2+3H2O(2)达希腐蚀液达希（Dash）腐蚀液的配方为：HF(40-42%):HNO3(65%):CH3COOH(99%以上)＝1:2.5:10硅单晶中不同种类的缺陷需选用上述不同的配方，采用不同的腐蚀工艺。
硅(si)材料特点
硅（Si）是一种非金属元素，具有以下特点：
1. 高熔点和高热稳定性：硅具有较高的熔点（约为1414°C），因此在高温环境下能够保持稳定性。
这使得硅在高温应用中表现出色，例如在半导体制造中的炉管、炉膛等设备。
2. 半导体性质：硅是一种重要的半导体材料，其电导率介于金属和非金属之间。
通过控制硅的杂质浓度和结构，可以将硅制成p型或n型半导体，用于制造电子器件如集成电路（IC）、太阳能电池等。
3. 良好的机械性能：硅具有较高的硬度，且具有较好的抗拉强度和耐磨性。
这使得硅在一些应用领域中作为结构材料使用，例如制造光学窗口、传感器封装等。
4. 化学惰性：硅在常温下对大多数酸和碱都具有较好的耐腐蚀性。
这使得硅在化学实验室、化学工业中常被用作反应容器、仪器设备的制造材料。
5. 高纯度和可控性：硅可以通过精细的提纯工艺制备高纯度的晶体硅，用于半导体材料的制备。
此外，硅的物理和电学性质可以通过控制晶体结构和取向进行调控，以满足具体应
用需求。
6. 可广泛应用：硅材料广泛应用于电子、光电、光学、化工等领域。
在电子行业中，硅是制造集成电路和其他电子器件的基本材料。
在太阳能产业中，硅是制造太阳能电池的关键材料。
总体而言，硅作为一种重要的材料，在半导体、光电和化工等领域发挥着重要作用，其特点包括高热稳定性、半导体性质、机械性能和化学惰性等。
酸腐蚀对抛光片SFQR的影响
酸腐蚀对抛光片SFQR的影响摘要：针对酸腐蚀过程中不同腐蚀去除量以及硅片的不同转速，探究抛光后SFQR的变化，同时，对酸腐蚀处理后的表面形貌进行了对比分析，研究不同的腐蚀类型对抛光后SFQR的影响。
关键词：酸腐蚀、碱腐蚀、SFQR、转速前言近年来，随着集成电路、分立器件、MEMS等产业的飞速发展，对硅衬底提出了更高的要求。
由于1C工艺的特征线宽越小，光刻过程光学系统的放大倍数就会越大，而相应的景深范围就会越小，因此硅衬底片需要具有良好的局部平整度才能满足光刻工艺。
酸腐蚀硅片较碱腐蚀硅片具有更光洁的表面、更低的粗糙度、更低的表面金属含量和更高的生产效率，因此越来越受到青睐，如何保证酸腐蚀的TFIR（局部平整度）变化，获得更好的抛光衬底片，成为一个值得研究的问题。
1、实验设计硅衬底片加工制造过程中，化学腐蚀主要包括酸腐蚀和碱腐蚀两种方式，其中，酸腐蚀工艺又包含不同的变量条件，每种变量条件都会对硅片抛光后的表面形貌，几何参数带来一定影响。
实验采用直径150mm、N<111>,480μm，电阻率10〜20Ω•cm硅片。
通过JAC-AWES设备进行酸腐蚀处理，腐蚀液为HN03 、HF、CH3COOH。
利用PROFORMA300对晶片进行几何参数测试。
实验主要研究两个方面，一是不同酸腐蚀去除量对抛光后SFQR的影响，二是酸腐蚀过程不同硅片转速对抛光后SFQR的结果分析。
硅片加工流程，见图1.结果与分析研磨后的SFQR集中0.04-0.09μm，从表2实验结果可以看出，酸腐蚀后的SFQR集中在0.07-0.13μm 之间，抛光后的SFQR集中在0.13-0.3μm 之间，随着酸腐蚀去除量的增加，腐蚀后硅片的SFQR都有逐渐变差的趋势，相应地，抛光后的SFQR也有逐渐变差的趋势。
图2进一步说明，随着酸腐蚀去除量的增加，腐蚀后硅片局部区域的厚度差有增加的趋势，这也说明随着酸腐蚀去除量的增加，硅片表面的局部起伏加剧，这种局部起伏对后续的抛光过程是有一定影响的，会影响到抛光过程的材料去除速率, 最终体现为抛光后SFQR的差异性。
硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较
硅片表面残留的微粒
金属污染程度(Cu\Ni)
表面腐蚀斑点残留印痕
腐蚀液槽的使用寿命 加工成本 环境保护处理
需要依靠晶片的旋转、 特制的 夹具、 通气体充分搅拌腐蚀液 表面平坦度 （STIR\TIR\TTV） 等特殊机构及工艺手段来改 善其表面平坦度 腐蚀后表面粗糙度（Ra） 比碱腐蚀工艺小， 与晶片原有 的损伤程度有关 原先就已存在于晶片表面上 的微粒就难去掉， 较低的表面 粗糙度不容易吸附微粒 腐蚀液的纯度比较高， 腐蚀温 度较低，金属扩散程度小 晶片从腐蚀液转移到水中时 间必须小于 0.6s，才能有效 防止斑痕的产生， 较低电阻率 的晶片比较容易产生斑痕 比较短 所用化学试剂比碱腐蚀用化 学试剂费用约贵 2 倍左右 环保处理相对比较复杂
硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较
参数 腐蚀特性 腐蚀反应的热量 酸腐蚀工艺 各向同性 放热 碱腐蚀工艺 各向异性 吸热 不需要特殊机构便可达到一 定的表面平坦度 比酸腐蚀工艺大， 与晶片原有 的损伤程度有关 原先就已存在于晶片表面上 的微粒容易去掉， 较差的表面 粗糙度容易吸附微粒 腐蚀液的纯度比较差， 腐蚀温 度高，金属扩散程度大， （111）晶向比（100）晶向 严重 晶片从腐蚀液转移， 与晶片的电 阻率无关 比较长 所用化学试剂费用较便宜 环保处理相对比较容易
硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较参数酸腐蚀工艺碱腐蚀工艺腐蚀特性腐蚀反应的热量各向同性各向异性放热吸热表面平坦度stirtirttv需要依靠晶片的旋转特制的夹具通气体充分搅拌腐蚀液等特殊机构及工艺手段来改善其表面平坦度不需要特殊机构便可达到一定的表面平坦度腐蚀后表面粗糙度ra比碱腐蚀工艺小与晶片原有的损伤程度有关比酸腐蚀工艺大与晶片原有的损伤程度有关硅片表面残留的微粒原先就已存在于晶片表面上的微粒就难去掉较低的表面粗糙度不容易吸附微粒原先就已存在于晶片表面上的微粒容易去掉较差的表面粗糙度容易吸附微粒金属污染程度cuni腐蚀液的纯度比较高腐蚀温度较低金属扩散程度小腐蚀液的纯度比较差腐蚀温度高金属扩散程度大111晶向比100晶向严重表面腐蚀斑点残留印痕晶片从腐蚀液转移到水中时间必须小于06s才能有效防止斑痕的产生较低电阻率的晶片比较容易产生斑痕晶片从腐蚀液转移到水中的时间必须小于2s才能有效防止斑痕的产生与晶片的电阻率无关腐蚀液槽的使用寿命比较短比较长加工成本所用化学试剂比碱腐蚀用化学试剂费用约贵2倍左右所用化学试剂费用较便宜环境保护处理环保处理相对比较复杂环保处理相对比较容易
硅酸的物理性质
硅酸的物理性质
硅酸是一种无色透明液体，又称硅醇酸，分子式为H2SiO3。
它是一种强酸，有时也可以成为有效的溶剂，有助于其他成分的溶解。
硅酸也住在有机合成中被用作一种催化剂，可以
帮助有机反应进行，减少反应的活化能，使反应变得更有效。
硅酸的溶解性、比重、表观密度、折射率都在正常水温下变化范围很小，随温度升高硅酸
水溶液的比重稍有增加，但在20℃时，其值几乎不变。
硅酸有明显的色调，它在蒸馏到完全干燥时，形成白色粉末，溶解度很大，在常温下1克硅酸能溶解于2ml水中。
硅酸有一定的腐蚀性，对金属容器有某些影响，在室内接触金属的表面，应采取措施防止
锈化，特别是腐蚀性强的金属（如黄铜）更应该加以防腐剂，以免发生破坏。
硅酸的化学性质相对比较稳定，容易显示水分解，不易被有机物所褪色。
硅酸有重水及简
单水解反应，属于单位结构酸，其中对水或其它溶剂有较大吸附力，可以与离子交换反应。
总之，硅酸具有丰富的物理性质，在有机合成工艺中有不可替代的作用，而且它的安全性
较高，可应用在广泛的工业领域。
硅酸盐水泥腐蚀的基本原因
硅酸盐水泥腐蚀的基本原因
硅酸盐水泥腐蚀的基本原因：
1水泥石中存在Ca(OH)2。
2水泥石中存在水化硫铝酸钙.
3水泥石本身不密实。
硅酸盐水泥分两种类型，不掺加混合材料的称为Ⅰ型硅酸盐水泥，代号P·Ⅰ；掺加不超过水泥质量5%的石灰石或粒化高炉矿渣混合材料的称为Ⅱ型硅酸盐水泥，代号P·Ⅱ。
硅酸盐水泥的主要矿物组成是：硅酸三钙、硅酸二钙、铝酸三钙、铁铝酸四钙。
硅酸三钙决定着硅酸盐水泥四个星期内的强度；硅酸二钙四星期后才发挥强度作用，约一年左右达到硅酸三钙四个星期的发挥强度；铝酸三钙强度发挥较快，但强度低，其对硅酸盐水泥在1至3天或稍长时间内的强度起到一定的作用；铁铝酸四钙的强度发挥也较快，但强度低，对硅酸盐水泥的强度贡献小。
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各种反应条件对腐蚀反应的影响
2．硅片表面状态的影响 切割硅片腐蚀速度比光滑硅片的腐蚀速度大， 这是因为腐蚀过程产生的催化剂易于被硅片 表面的裂缝捕获，并易于聚集在其周围有助 于腐蚀反应发生，而且硅片表面有许多缺陷， 或者触发反应所需能量小的位置，腐蚀反应 会先在这些位置发生。另一方面，可能是因 为不均匀表面的势能不一样，电解反应从势 能比较低的地方引发，致使了不均匀表面的 腐蚀速度较快。
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各种反应条件对腐蚀反应的影响
1、添加剂的影响 a、常用的添加剂是水和冰醋酸，二者 主要是稀释反应物质浓度。水的加入主 要降低了硝酸的浓度，从而减小了酸液 对硅片的氧化能力。当用冰醋酸做稀释 剂时，降低了硝酸的电离度，降低了反 应速度。
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各种反应条件对腐蚀反应的影响
b、当向酸液中加入NaNO2时，高硝酸区域，腐蚀速度几乎 没有变化，高氢氟酸区域，反应速度明显增大，这是因为 NaNO2和溶液中氢离子形成了氧化反应所需的催化剂。 c、加入磷酸到酸液中，既可以降低硅片腐蚀速度，又不改 变硅片表面的腐蚀形貌。反应速度易于控制，磷酸液不参加 腐蚀反应，不能改变化学动力学，但能提高溶液粘度，提高 传质阻，降低腐蚀速度。 d、硫酸能提高溶液粘度，也不参加腐蚀反应，可以稳定反 应速度，增加腐蚀均匀性。
各种反应条件对腐蚀反应的影响
4．温度影响 温度对氧化反应的影响比较大，对扩散及 溶解反应的影响比较小。温度升高，反 应速度常数会增大，物质传输速度也增 大。
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各种反应条件对腐蚀反应的影响
5．搅拌影响 当溶液中有扰动时，富氢氟酸体系中，反 应速度减小。这是因为，扰动降低了氧化过程 中的中间产物在硅片表面的浓度，降低氧化反 应速度。富硝酸体系中，扰动将会增大硅片腐 蚀的饱和电流。增加刻蚀速度，这是因为，扰 动降低HF的传质阻，降低HF的扩散梯度，减少 扩散层厚度。
HF-HNO3体系中酸腐蚀的机理
如果溶液中没有HNO2存在，腐蚀速率会大大降低（速率并不 是零，仍然有相当的反应速率）。在反应过程中生成一系列 氮氧化合物比如NO2，HNO2，NO，使刻蚀速率加快，直到 达到饱和速率，文献将这个过程称为感应过程。经过这段感 应过程，就意味着有足够高的速率，亚硝酸将会通过一系列 反应自催化产生，所以反应试剂从溶液中到硅片表面和反应 产物从硅片表面到溶液中的扩散决定着反应速度。硅片表面 的形貌影响诱导期的长度，粗糙的硅片比光滑的硅片触发时 间短。不过，根据近期研究发现[53]，其主要氧化作用的并 不是HNO2，而是某些含3价氮的活性物质，是反应过程中的 中间产物，如NO+等，而且这些活性物质只能在强酸溶液中 才会比较稳定。
多晶硅太阳电池的酸腐蚀
目录
HF-HNO3体系中酸腐蚀的机理 HF-HNO3腐蚀速度的分析 各种反应条件对腐蚀反应的影响
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HF-HNO3体系中酸腐蚀的机理
酸对硅的腐蚀速度与晶粒取向无关，因此酸腐 蚀又称为各向同性腐蚀。 硅片的酸腐蚀由两步组成，第一步为硅的氧化过 程。
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HF-HNO3体系中酸腐蚀的机理
HF-HNO3腐蚀速度的分析
当硝酸过量时，氢氟酸少量的变化能明显改 变硅片的腐蚀速度。反应过程中硅片表面始 终覆盖着氧化膜，即使硝酸浓度有少量变化， 仍有足量的硝酸氧化硅表面，硝酸含量的减 小只能使氧化膜变得纤细。硅片腐蚀速度决 定于HF酸与氧化膜的接触速率即氢氟酸从溶 液中扩散到硅片表面的速率决定。
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HF-HNO3腐蚀速度的分析
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HF-HNO3腐蚀速度的分析
根据HF和HNO3浓度比值的不同，有不同的腐蚀方式。当 HF/HNO3=4.5时及比值在其附近时，硅的腐蚀速度最大，溶 液中HNO3和HF活性物质温度和扩散系数完全相等，硅的氧化 和硅氧化物的溶解都立即发生，加入水可减慢腐蚀速度，但 并不能改变最大腐蚀速度时HF/HNO3的比值。
第二步氧化物的溶解过程
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HF-HNO3体系中酸腐蚀的机理
硅在体系中反应的总公式:
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HF-HNO3体系中酸腐蚀的机理
一种理论认为这个体系中的反应是以硝 酸和硝酸氧化物的平衡为基础的。这个腐蚀 反应是由未离解的硝酸和硅所触发，（R是 还原剂），生成的一氧化氮产生亚硝酸，反 应速度由亚硝酸的产生反应来决定。
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HF-HNO3腐蚀速度的分析
氢氟酸含量比较高时，反应速度由硝酸浓度决定，硝酸浓度 的稍微减小能很快降低反应速度。即使氢氟酸浓度有少量变 化，仍有足够的量去溶解硅表面的氧化膜。反应速度变化不 大。这时可认为硅表面一旦被硝酸氧化，SiO2完全被氢氟酸 溶解，反应速度决定于HNO3氧化硅片的速度。
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此体系中亚硝酸的产生是一个自催化 的过程。溶液中一旦有了HNO2，便 会与HNO3发生式反应，紧接着又会 发生HNO2的生成反应。也就是 HNO2自身催化生成了更多的HNO2。 所以溶液中的HNO2含量越高， HNO2生成速率越快，就有更多的氧 化反应发生。
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HF-HNO3体系中酸腐蚀的机理
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ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
各种反应条件对腐蚀反应的影响
3．硅片电阻率的影响
参与反应的硅片电阻率不同，类型不同，也会 对腐蚀机制产生影响。在 42%HF+17.5%HNO3+67%CH3COOH的溶液中， 腐蚀速度随掺杂浓度的增加而增加，高掺杂浓度的 硅片的腐蚀速度是低掺杂浓度的硅片的10倍以上 （正好与碱腐蚀相反）。低掺杂材料的活化能是 12.3kcal/mol，表明这种腐蚀反应是表面反应控制 过程，即表面反应速度决定腐蚀速度。高掺杂材料 的活化能是5.15 kcal/mol，反应过程是扩散控制过 程。 17