电子科技大学2012半导体物理期末考试试卷B试题答案
《半导体物理学》期末考试试卷(B卷)-往届
赣 南 师 范 学 院2010–2011学年第一学期期末考试试卷（B 卷）开课学院：物电学院 课程名称：半导体物理学 考试形式：闭卷，所需时间：120分钟注意事项：1、教师出题时请勿超出边界虚线；2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚，答题不得超出密封线；3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。
一、填空题（共30分，每空1分）1、半导体中有 和 两种载流子，而金属中只有 一种载流子。
2、杂质原子进入材料体内有很多情况，常见的有两种，它们是 杂质和 杂质。
3、根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率，对于能量为E 的一个量子态，被一个电子占据的概率为()f E ，表达式为 ，()f E 称为电子的费米分布函数，它是描写 的一个统计分布函数。
当0F E E k T ->>时，费米分布函数转化为()B f E ，表达式为 ，()B f E 称为电子的玻尔兹曼分布函数。
在0F E E k T ->>时，量子态被电子占据的概率很小，这正是玻尔兹曼分布函数适用的范围。
费米统计率与玻尔兹曼统计率的主要差别在于 ，而在0F E E k T ->>的条件下，该原理失去作用，因而两种统计的结果变成一样了。
4、在一定温度下，当没有光照时，一块n 型半导体中， 为多数载流子， 是少数载流子，电子和空穴的浓度分别为0n 和0p ，则0n 和0p 的关系为 ，当用g h E ν>>（该半导体禁带宽度）的光照射该半导体时，光子就能把价带电子激发到导带上去，此时会产生 ，使导带比平衡时多出一部分电子n ，价带比平衡时多出一部分空穴p ，n 和p 的关系为 ，这时把非平衡电子称为非平衡 载流子，而把非平衡空穴称为非平衡 载流子。
在一般小注入情况下，在半导体材料中，非平衡 载流子带来的影响可忽略，原因是 ，而非平衡 载流子却往往起着重要作用，原因是 。
5、 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，而 是反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度的物理量。
电子科技大学半导体物理期末考试试卷b试题答案汇编
电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试课程考试题B卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2011年月日课程成绩构成：平时15 分，期中 5 分，实验10 分，期末70 分可能用到的物理常数：电子电量q=1.602×10-19C，真空介电常数ε0=8.854×10-12F/m，室温（300K）的，SiO2相对介电常数=3.9，N C=2.8×1019cm-3，300K时，n i(GaAs)=1.1×107cm-3.一、多选题:在括号中填入正确答案（共30分，共19题，每空1分）1-14题，罗小蓉15-19题1.受主是能增加（B）浓度的杂质原子，施主是能增加（A）浓度的杂质原子，A、电子B、空穴2.如果杂质在化合物半导体中既能作施主又能作受主的作用，则这种杂质称为（ B ）。
A、受主B、两性杂质C、施主3.对于掺杂浓度为N D的非简并半导体，0 K下，其电子浓度=（ D ）；在低温下，其电子浓度=（ B ）；在高温本征温度下，其电子浓度=（ C ）；A、N DB、n D+C、n iD、04.对于宽带隙的半导体，激发电子从价带进入导带需要更（A ）的能量，本征温度区的起始温度更（ A ）。
A、高 B. 低5.在一定温度下，非简并半导体的平衡载流子浓度的乘积（C）本征载流子浓度的平方。
该关系（ D ）于本征半导体，（ D ）于非本征半导体。
A、大于B、小于C、等于D、适用E、不适用6.电子是（A），其有效质量为（D）；空穴是（B），其有效质量为（C）。
A、粒子B、准粒子C、负D、正E、07. p型半导体中的非平衡载流子特指（C ），其空穴的准费米能级（I ）电子的准费米能级。
A、n0B、p0C、ΔnD、ΔpE、nF、pG、高于H、等于I、小于8. 在室温下，低掺杂Si的载流子散射机制主要是（ B D ）。
A、压电散射B、电离杂质散射 C. 载流子-载流子散射D.晶格振动散射9. 适用于（ B ）半导体。
《半导体物理学》试题与及答案
练习1-课后习题7
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
锑化铟的禁带宽度E g = 0.18 e V ，相对介电常数 εr = 17 ，电子的 有效质量mn∗ = 0.015 m0， m 0为电子的惯性质量，求 ⅰ）施主杂质的电离能， ⅱ）施主的弱束缚电子基态轨道半径。
解：
练习2
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
所以样品的电导率为： q(n0 n p0 p )
代入数据得，电导率为2.62 ×1013S/cm 所以，电场强度 E J 1.996103 mA / cm
作业-课后习题2
第四章 半导体的导电性
试计算本征Si 在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1450cm2/V·S 和500cm2/V·S。当掺入百万分之一的As 后，设杂质全部电离，试计算其电 导率。比本征Si 的电导率增大了多少倍？（ni=1.5×1010cm-3; Si原子浓度为 =5.0×1022cm-3,假定掺杂后电子迁移率为900cm2/V·S)
m0为电子惯性质量，k1=1/2a; a=0.314nm。试求： （1）禁带宽度； （2）导带底电子有效质量； （3）价带顶电子有效质量； （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
练习2-课后习题2
第一章 半导体中的电子状态
2.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m和107V/m 的电 场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
所以，300k时，
nT 300
(1.05 1019
5.7
1018 )
exp(
0.67 1.61019 21.381023 300)
1.961013cm3
77k时，
最新电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案
电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期200 7年1 月14日注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分；2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。
课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分一、选择填空（含多选题）（2×20=40分）1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。
A. 金刚石型和直接禁带型B. 闪锌矿型和直接禁带型C. 金刚石型和间接禁带型D. 闪锌矿型和间接禁带型2、简并半导体是指（ A ）的半导体。
A、(E C-E F)或(E F-E V)≤0B、(E C-E F)或(E F-E V)≥0C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3，则该半导体为（B）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。
A. 本征，B. n型，C. p型，D. 1.1×1015cm-3,E. 9×1014cm-34、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。
A、变化量；B、常数；C、杂质浓度；D、杂质类型；E、禁带宽度；F、温度5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级E i；如果增加掺杂浓度，有可能使得（C ）进入（A ），实现重掺杂成为简并半导体。
A、E c；B、E v；C、E F；D、E g；E、E i。
67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C）。
A、变大，变大B、变小，变小C、变小，变大D、变大，变小8、最有效的复合中心能级的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C ）附近，并且常见的是（ E ）陷阱。
电子科技大学2009半导体物理期末考试试题答卷B试题参考答案
电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题B卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2010年元月18日课程成绩构成：平时10 分，期中 5 分，实验15 分，期末70 分9.有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。
10.某N型Si半导体的功函数W S是4.3eV，金属Al的功函数W m是4.2 eV，该半导体和金属接触时的界面将会形成反阻挡层接触/欧姆接触。
11. 有效复合中心的能级位置靠近禁带中心能级/本征费米能级/E i。
12. MIS结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面反型13. 金属和n 型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势二、选择题（共15分，每题1 分）导体 5. 空间实验室中失重状态下生长的GaAs 与地面生长的GaAs 相比，载流子迁移率要高，这A. 无杂质污染B. 晶体生长更完整C. 化学配比更合理 A. 复合机构B. 散射机构C. 禁带宽度D. 晶体结构7. 若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是 A 。
A. 本征半导体B. 杂质半导体C. 金属导体A. 上升c) 掺入浓度1016 cm-3的P原子，浓度为1015 cm-3的B原子；d) 纯净硅。
A. abcdB. cdbaC. adcbD. dabc12. 以下4种不同掺杂情况的半导体，热平衡时室温下少子浓度最高的是 D 。
A. 掺入浓度1015 cm-3 P原子的Si半导体；B. 掺入浓度1014 cm -3 B 原子的Si 半导体；C. 掺入浓度1015 cm -3 P 原子Ge 半导体；D. 掺入浓度1014 cm -3 B 原子Ge 半导体。
（已知室温时：Si 的本征载流子浓度310105.1-⨯=cm n i ，Ge 的本征载流子浓度313104.2-⨯=cm n i ）13. 直接复合时，小注入的P 型半导体的非平衡载流子寿命 τd 决定于 B 。
最新电子科技大学半导体物理期末考试试卷b试题答案
电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试半导体物理 课程考试题 B 卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分一、填空题: （共16分，每空1 分）1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体，忽略。
3.5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿 的作用，在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。
6. ZnO 是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在氧空位的ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。
9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。
10. 某N 型Si 半导体的功函数W S 是4.3eV ，金属Al 的功函数W m 是4.2 eV ， 该半导体和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。
11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/E i。
12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面13. 金属和n 型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电二、选择题（共15分，每题1 分）1. 如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是 D 。
A. 禁带变宽B. 少子迁移率增大C. 多子浓度减小D.简并化2. 已知室温下Si 的本征载流子浓度为310105.1-⨯=cm n i 。
处于稳态的某掺杂Si 半导体中电子浓度315105.1-⨯=cm n ，空穴浓度为312105.1-⨯=cm p ，则该半导体 A 。
A.存在小注入的非平衡载流子 B. 存在大注入的非平衡载流子 C. 处于热平衡态 D. 是简并半导体3. 下面说法错误的是 D 。
A. 若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计C. 处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大D. 半导体中，导带电子都处于导带底E c 能级位置4. 下面说法正确的是 D 。
半导体物理试卷b答案教学文案
半导体物理试卷b答案一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分）1. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。
2.本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体，它的电子和空穴数量相同。
3．简并半导体：半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导体称为简并半导体。
过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n0和空穴△p=p-p0称为过剩载流子。
4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。
有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。
在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。
5. 等电子复合中心等电子复合中心：在III- V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。
由于杂质原子与主原子之间电性上的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。
带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。
这种激子束缚态叫做等电子复合中心。
二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分）1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ）A. 平衡载流子浓度成正比B. 非平衡载流子浓度成正比C. 平衡载流子浓度成反比D. 非平衡载流子浓度成反比2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3室温下，这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是（C ）甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙D. 丙甲乙3．有效复合中心的能级必靠近( A )A.禁带中部B.导带C.价带D.费米能级4．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ）A.1/n0B.1/△nC.1/p0D.1/△p5．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A )A.散射机构B. 复合机构C.杂质浓变梯度D.表面复合速度6．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ）A. SiB. GeC. GaAsD. GaN三、简答题（20分）1．请描述小注入条件正向偏置和反向偏置下的pn结中载流子的运动情况，写出其电流密度方程，请解释为什么pn结具有单向导电性？（10分）解：在p-n结两端加正向偏压V F, V F基本全落在势垒区上，由于正向偏压产生的电场与内建电场方向相反，势垒区的电场强度减弱，势垒高度由平衡时的qV D下降到q(V D-V F)，耗尽区变窄，因而扩散电流大于漂移电流，产生正向注入。
电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案
电⼦科技⼤学半导体物理期末考试试卷试题答案电⼦科技⼤学⼆零⼀零⾄⼆零⼀⼀学年第⼀学期期末考试1．对于⼤注⼊下的直接辐射复合，⾮平衡载流⼦的寿命与（D ）A. 平衡载流⼦浓度成正⽐B. ⾮平衡载流⼦浓度成正⽐C. 平衡载流⼦浓度成反⽐D. ⾮平衡载流⼦浓度成反⽐2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲．含铝1×10-15cm-3⼄.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3室温下，这些样品的电阻率由⾼到低的顺序是（C ）A.甲⼄丙B. 甲丙⼄C. ⼄甲丙D. 丙甲⼄3．题2中样品的电⼦迁移率由⾼到低的顺序是（ B ）4．题2中费⽶能级由⾼到低的顺序是（ C ）5. 欧姆接触是指（ D ）的⾦属⼀半导体接触A. Wms = 0 B. Wms< 0C. Wms> 0 D. 阻值较⼩且具有对称⽽线性的伏安特性6．有效复合中⼼的能级必靠近( A )A.禁带中部B.导带C.价带D.费⽶能级7．当⼀种n型半导体的少⼦寿命由直接辐射复合决定时，其⼩注⼊下的少⼦寿命正⽐于（C ）A.1/n0B.1/△nC.1/p0D.1/△p8．半导体中载流⼦的扩散系数决定于其中的( A )A.散射机构B. 复合机构C.杂质浓变梯度D.表⾯复合速度9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ）A. 电⼦B. 空⽳C. 钠离⼦D. 硅离⼦10．以下4种半导体中最适合于制作⾼温器件的是（ D ）A. SiB. GeC. GaAsD. GaN⼆、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题）1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分）答：有效质量：由于半导体中载流⼦既受到外场⼒作⽤，⼜受到半导体内部周期性势场作⽤。
有效概括了半导体内部周期性势场的作⽤，使外场⼒和载流⼦加速度直接联系起来。
在直接由实验测得的有效质量后，可以很⽅便的解决电⼦的运动规律。
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EFn 和 EFp；（7 分）
答： EFn
EF
k0T
ln
n n0
0.002eV
2分
EF
EFp
k0T
ln
p p0
0.52eV
2分
作图 3 分 EFn 和 EFp 与 EF 各 1 分
Ec
'.
.
E
n F
EF
E
p F
Ev
（3）若同时给该样品加 10V/cm 的电场，求通过样品的电流密度。（4 分） J E 0.2 10 2A / cm2
）；在低温
下，其电子浓度=（ B ）；在高温本征温度下，其电子浓度=（ C ）；
A、 ND
B、nD+
C、ni
D、0
4. 对于宽带隙的半导体，激发电子从价带进入导带需要更（ A ）的能量，本征
温度区的起始温度更（ A
）。
A、 高
B. 低
5. 在一定温度下，非简并半导体的平衡载流子浓度的乘积（C）本征载流子浓度的
1分
电子浓度 n n0 n 1.11015 cm3
1分
空穴浓度 p p0 p ni2 / n0 p 2.25 105 1014 1014 cm3
1分
nqn pqp (1.11015 11001014 400)1.61019 2101S • cm1 2 分
（2）电子和空穴准费米能级 EFn 和 EFp 与平衡费米能级 EF 的距离,并在同一能带图标出 EF,
( A )。
A、VFB>0
B、VFB<0
C、VFB=0
13. 最有利于陷阱作用的能级位置在( C )附近，常见的是( E )的陷阱
A、EA
B、ED
C、 EF
D、Ei E、少子 F、多子
14. 金属与 n 型半导体形成阻挡层，其功函数需满足（ A ），该结构正向电流的
方向是（ D ）。
A、Wm>Ws
B、Wm<Ws
电 子 － 空 穴 对 的 产 生 率 是 1020 cm3 / s 。 已 知 ：
n 1100 cm2 / V s , p 400 cm2 / V s, ni 1.5 1010cm3 ，设杂质全电离，求：
（1）光照下样品的电导率；（5 分）
非平衡载流子浓度 n p g 1014 cm3
平方。该关系（ D ）于本征半导体，（ D ）于非本征半导体。
A、 大于
B、 小于
C、等于
D、 适用
E、 不适用
6. 电子是（A），其有效质量为（D）；空穴是（B），其有效质量为（C）。
A、粒子
B、准粒子
C、 负
D、 正
E、 0
7. p 型半导体中的非平衡载流子特指（ C ），其空穴的准费米能级（ I ）电
C、Wm=Ws
D、从金属到半导体
E、从半导体到金属
二、简答题：（共 12 分）
1. 画出中等掺杂硅的电阻率随温度的变化情况。（3 分）命题人：罗小蓉
'.
.
2. n 型半导体衬底形成的 MIS 结构，画出外加不同偏压下多子积累和反型二种状态的能带 图。画出理想的低频和高频电容-电压曲线。解释平带电压(7 分) 命题人：白飞明，钟志亲 图略（各 2 分） 平带电压：功函数或者绝缘层电荷等因素引起半导体内能带发生弯曲，为了恢复平带状态 所需加的外加栅偏压。或者使半导体内没有能带弯曲时所加的栅电压。（1 分）
子的准费米能级。
'..来自A、n0 B、p0C、Δn D、Δp
E、n
F、p
G、 高于
H、等于
I、小于
8. 在室温下，低掺杂 Si 的载流子散射机制主要是（ B D
）。
A、压电散射 B、电离杂质散射 C. 载流子-载流子散射 D.晶格振动散射
9.
适用于（ B ）半导体。
A、简并
B、非简并
10. Ge 和 Si 是（ B ）能隙半导体，（ D）是主要的复合过程。而 GaAs 是（ A）
（1 分） （1 分）
1. Si 与金属形成的肖特基势垒接触，反向饱和电流为 I0=10-11A，若以测试得到的正向电流达 到 10-3A 为器件开始导通。 （1）求正向导通电压值；（4 分）
'.
.
IF
I
0
exp
qVF k0T
1
I0
exp
qVF k0T
VF
k0T q
ln
IF I0
0.48V
每步各 2 分
.
半导体期末考试
课程考试题 B 卷 （ 120 分钟） 考试形式：闭卷 考试日期 2011 年 月 日
课程成绩构成：平时 15 分， 期中 5 分， 实验 10 分， 期末 70 分
一
二
三
四
五
六
七
八
九
十
合计
复核人 签名
得分
签名
可能用到的物理常数：电子电量 q=1.602×10-19C，真空介电常数 ε0=8.854×10-12F/m，室温（300K）的 k0T=0.026eV，SiO2 相对介电常数=3.9， N C=2.8×1019cm-3，300K 时，ni(GaAs)=1.1×107cm-3.
3. 写出至少两种测试载流子浓度的实验方法。（2 分）命题人：白飞明，钟志亲 可以采用四探针法、C-V 测试以及霍耳效应来测试载流子浓度（写出两种即可）；（2 分）
三、证明题：证明 命题人：刘诺
证明：
因为
。（7 分）
且
（1 分）
（1 分） （1 分）
所以 对本征半导体
（1 分） （1 分）
所以，
故 四、计算题（36 分）
能隙半导体，（ C ）是主要的复合过程。
A、直接
B、 间接
C、直接复合
D、间接复合
11. 在外加电场作用下，载流子的（ C）运动是定向的。在无外加电场时，载流子
的（ B）运动是随机的。
A、扩散
B、 热
C、漂移
12. p 型半导体构成的 MIS 结构，若 Wm >Ws，假定绝缘层中无电荷时，其平带电压
得 分 一、多选题:在括号中填入正确答案（共 30 分，共 19 题，每空 1 分）
1. 受主是能增加（B）浓度的杂质原子，施主是能增加（A）浓度的杂质原子，
A、电子
B、空穴
2. 如果杂质在化合物半导体中既能作施主又能作受主的作用，则这种杂质称为
（
B
）。
A、 受主
B、 两性杂质
C、施主
3. 对于掺杂浓度为 ND 的非简并半导体，0 K 下，其电子浓度=（ D
（2）如果不加电压时半导体表面势为 0.55V，耗尽区宽度为 0.5μm，计算加 5V 反向电压
时的耗尽区宽度；（4 分）
xd 0
2 sVbi qN0
xd
2 s Vbi V
qN0
xd Vbi V
xd 0
Vbi
xd 3.2m
1 2
5.55 0.55
每步各 1 分
2、施主浓度 ND=1015cm-3 的薄 n 型 Si 样品,寿命为 1 s , 室温下进行光照射，光被均匀吸收，