电子线路线性习题答案
高频电子线路课后题答案(清华大学出版社宋树祥著)六
K(2t)gD
gD
2 3
3
cos 2t
3 2
cos 22t
3 4
cos 42t
3 5
cos 52t
......
高频电子线路习题参考答案
5－4 二极管平衡电路如图所示，u1及u2的注入位置如图所示， 图中， u1=U1COSω1t，u2=U2COSω2t且U2>>U1.求u0(t) 的表示式，并与图5－7所示电路的输出相比较.
试写出电流i中组合频率分量的频率通式，说明它们是由哪些
乘积项产生的，并求出其中的ω1、2ω1+ω2、ω1+ω2-ω3频率分 量的振幅。
解5-1 i a0 a1(u1 u2 u3 ) a2 (u1 u2 u3 )2 a3(u1 u2 u3 )3
a0
a1 (u1
u2
u3 )
a2 (u12
5－3 一非线性器件的伏安特性为
i
g 0
Du
u
u 0
0
式中，u＝EQ＋ul＋u2＝EQ＋U1COSω1t＋U2COSω2t。若U1 很小，满足线性时变条件，则在EQ=-U2/2时，求出时变电导 gm(t)的表示式。
解5-3，根据已知条件，
由 U2 2
U2
cos 2t
0得：cos 2t
1 2
，2t
arccos(
a3
U
2 2
U1
2
a3
U23U1 2
a3
3U13 4
cos 1t
a1U2
a3
U12U2 2
a3
U23U2 2
a3
3U
3 2
4
cos 2t
a1U3
高频电子线路习题及答案
高频电子线路习题及答案高频电子线路习题一、填空题1. 在单级单调谐振放大器中，谐振时的电压增益 Kvo=有载 QL=，通频带 BW0.7=，矩形系数 K0.1 为。
2. n 级同步单调谐振放大器级联时，n 越大，则总增益越，通频带越，选择性越。
3. 工作在临界耦合状态的双调谐放大器和工作在临界偏调的双参差放大器的通频带和矩形系数是相同的，和单级单调谐放大器相比，其通频带是其倍，矩形系数则从减小到。
4. 为了提高谐振放大器的稳定性，一是从晶体管本身想办法，即选Cb’c的晶体管；二是从电路上设法消除晶体管的反向作用，具体采用法和法。
5. 单级单调谐放大器的谐振电压增益 Kvo=QL=，通频带 BW0.7=。
，有载6. 晶体管在高频线性运用时，常采用两种等效电路分析，一种是，另一种是。
前者的优缺点是。
7. 晶体管低频小信号放大器和高频小信号放大器都是线性放大器，它们的区别是。
8. 为了提高谐振放大器的稳定性，在电路中可以采用法和法，消除或削弱晶体管的内部反馈作用。
9. 晶体管的 Y 参数等效电路中， Yre 的定义是，称为，它的意义是表示的控制作用。
10. 晶体管的 Y 参数等效电路，共有 4 个参数，Y 参数的优点是便于测量。
其中 Yfe 的意义是表示。
11. 晶体管高频小信号放大器与低频小信号放大器都是放大器，结构上的区别是前者包含有后者没有的，具有带通特性的。
12. 对小信号调谐放大器的要求是高、好。
13. 丙类高频功率放大器又称为____________功率放大器，常在广播发射系统中用作____________级。
14. 按照通角θC 来分类，θC=180 的高频功率放大器称为_____类功放； C <90 的高频功率放大器称为_____类功放。
15. 功率放大器的工作状态按照集电极电流的通角θC 的不同可分为四类：当θC= ______时，为_____类：当θC=_____时，为_____类；当θC<____时为____类；当____< θC<____时，为_____类。
高频电子线路第六章课后习题答案
因此,输出信号中包含了的基频分量和 ( ωc + ) ,ωc ) ( 频率分量.
11
高频电子线路习题参考答案
(2) u u u′ 1 = c + u , u′ 2 = c u D D 2 2 在忽略负载的反作用时,
u ′ 1 = g D K ( ωc t ) c + u i1 = g D K (ωc t )uD 2 i = g K (ω t )u′ = g K (ω t ) uc u D c D2 D c 2 2 uo = ( i1 i2 ) RL = 2 RL g D K (ωc t )u 2 2 1 2 = 2 RL g DU + cos ωc t cos 3ωc t + cos 5ωc t + ..... cos t 3π 5π 2 π
8
高频电子线路习题参考答案
所以,(b)和(c)能实现DSB调幅 而且在(b)中,包含了ωc的奇次谐波与Ω的和频与差频分 量,以及ωc的偶次谐波分量. 在(c)中,包含了ωc的奇次谐波与Ω的和频与差频分量, 以及ωc的基频分量.
9
高频电子线路习题参考答案
6-5试分析图示调制器.图中,Cb对载波短路,对音频开路; uC=UCcosωct, u =U cos t (1)设UC及U 均较小,二极管特性近似为i=a0+a1u2+a2u2.求 输出uo(t)中含有哪些频率分量(忽略负载反作用)? (2)如UC>>U ,二极管工作于开关状态,试求uo(t)的表示式. (要求:首先,忽略负载反作用时的情况,并将结果与(1) 比较;然后,分析考虑负载反作用时的输出电压.
7
高频电子线路习题参考答案
i Lc = ( i1 i2 ) = g D K (ωc t )( u + uc ) g D K (ωc t π )( u uc ) = g D K (ωc t ) K (ωc t π ) u + g D K (ωc t ) + K (ωc t π ) uc = g D K ′(ωc t )u + g D uc 4 4 cos 3ωc t + ...... U cos ω t + g DU c cos ωc t = g D cos ωc t 3π π cos(ωc + ω )t + cos(ωc ω )t 2 g DU + g U cos ω t 1 1 D c c π cos(3ωc + ω )t cos(3ωc ω )t + ..... 3 3
高频电子线路试题及答案
A一、选择题1．二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（）A．单边带调幅波B．抑制载波双边带调幅波C．普通调幅波D．残留边带调幅波2．欲提高功率放大器的效率，应使放大器的工作状态为（）A．甲类B．乙类C．甲乙类D．丙类3．为提高振荡频率的稳定度，高频正弦波振荡器一般选用（）A．LC正弦波振荡器B．晶体振荡器C．RC正弦波振荡器4．变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数γ为（）A．1/3 B．1/2 C．2 D．45．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调相波的表达式为（）A．u PM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt）B．u PM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt）C．u PM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u PM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt6．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收550kHz的信号时，还收到1480kHz的干扰信号，此干扰为（）A．干扰哨声B．中频干扰C．镜像干扰D．交调干扰7．某调频波，其调制信号频率F＝1kHz，载波频率为10.7MHz，最大频偏Δf m＝10kHz，若调制信号的振幅不变，频率加倍，则此时调频波的频带宽度为（）A．12kHz B．24kHz C．20kHz D．40kHz8．MC1596集成模拟乘法器不可以用作（）A．混频B．振幅调制C．调幅波的解调D．频率调制9．某单频调制的普通调幅波的最大振幅为10v，最小振幅为6v，则调幅系数m a为（）A．0.6 B．0.4 C．0.25 D．0.110．以下几种混频器电路中，输出信号频谱最纯净的是（）A．二极管混频器B．三极管混频器C．模拟乘法器混频器11．某丙类谐振功率放大器工作在临界状态，若保持其它参数不变，将集电极直流电源电压增大，则放大器的工作状态将变为（）A．过压B．弱过压C．临界D．欠压12．鉴频的描述是（）A．调幅信号的解调B．调频信号的解调C．调相信号的解调13．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是（）A．f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器B．f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器C．fs<f<fp时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器D．fs<f<fp时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器14．下图所示框图能实现何种功能？（）其中u s(t)= U s cosωs tcosΩt，u L(t)= U L cosωL tA．振幅调制B．调幅波的解调C．混频D．鉴频15．二极管峰值包络检波器，原电路正常工作。
电子线路(线性部分)试题及解答5
一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解：（a）不能。
因为输入信号被V B B短路。
（b）可能。
（c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f）不能。
因为输出信号被V C C短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。
因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中， 已知V C C ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当iU ＝0V 时，测得U B E Q ＝0.7V ，若要基极电流I B Q ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b＝ ≈ k Ω；而若测得U C E Q ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数uA ＝ ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。
电子线路课后习题答案
《电子线路（I ）》 董尚斌编课后习题（1到7章）第1章1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。
在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT E i g e T A n 22300-=与温度有关。
杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。
在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2i n 或正比，即与温度有很大的关系。
若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。
1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。
1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。
漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。
1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。
而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。
（1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。
电子线路课后习题参考答案(梁明礼)
1.5 限幅电路如图P1.5所示，设D 为理想二极管，输入电压v i 为正弦波，其振幅大于V R 。
试绘出输出电压v O 的波形。
解：(1)当v i <V R 时（V R >0），二极管D 导通，相当于短接，v O =v i ，输出为正弦波。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =V R ，被限幅在V R 值上。
分析结果是，本电路只输出小于V R 值的正弦波部分，大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（a ）所示。
(2)当v i <V R （V R <0）时，二极管D 导通，相当于短接，v O =v i ，输出为正弦波（输出为负半周部分波形）。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =V R 。
分析结果是，本电路只输出小于V R 值的正弦波部分，大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（b ）所示。
(3)当v i <V R （V R >0）时，二极管D 导通，相当于短路，v O =V R ，输出直流电压V R 。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =v i ，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R 值的正弦波部分，小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（c ）所示。
(4)当v i <V R （V R >0）时，二极管D 截止，相当于断路，v O =V R ，输出直流电压V R 。
当v i >V R 时，二极管D 导通，相当于短接，输出电压v O =v i ，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R 值的正弦波部分，小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（d ）所示。
1.6 双向限幅电路如图P1.6所示，设D 1、D 2为理想二极管，输入电压v i 为正弦波，其振幅大于V im =3V R 。
线性电子线路(戴蓓蒨)第六、七章答案
12
Vi1 Vi2
Rw
题 7.28
已知一个集成运放的低频增益为 ，以及它的三个转折频率分别为
，
，
，产生第一个转折频率的电路
的输出等效电阻
。若要求闭环增益
，并保证放大器能稳定工
作且有 的相位裕量，采用简单的电容补偿，则所需的最小补偿电容时多少？
若要求
，则电路稳定工作所需最小补偿电容时多少？
解： （1）
35
t/ms
-5V
8
vo / V
2.5 0-2.5源自51015
题 7.3
图 7.2（a）电路的输出电压的初始值 压波形。 解：根据 7.2 的结论，作图如下
vo / V
4.5
2
0
5
15
-0.5
t/ms
，画出图 b 输入波形时的输出电 t/ms
题 7.13
图为运放组成的绝对值运算电路，试分析工作原理，并画出
解： （b）如图，有
（c）如图，有
Vo
R3 R2
(Vi 2
Vi1 )
Vo
R2 R4 R1R3
Vi1
R4 R5
Vi 2
题 7.2
图(a)中运放电路的输入电压波形如图(b)所示，设 t=0 时的输出 路的输出电压波形，标出相关值。
0.1 F
100k
Vi
Vo
，试画该电
vi
5V
0
5
15
25
解： 电压并联负反馈 （1）根据例 6.4 的结论，有 解得 Rf 10.64k 。
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电子线路线性习题答案【篇一：现代电子线路基础(陆利忠)第2章习题答案】习题2.1 求题图2.1电路的静态工作点icq和vceq的值。
已知晶体管的vbe=－0.7v,??50。
22k?rb1rg1100k?rgrb26.8k?15k?题图2.1题图2.2解：转换为戴维南等效电路如下图：rc+vcc其中vb?vcc?rb2??2.8v,rb?rrb2?rb1b2||rb1?5.2k?列输入回路kvl方程：ibq?|vb|?vbe(2.8?0.7)v??38?a，icq??ibq?1.8marb??re(5.2?50?1)k?vceq?vcc?icq(rc?re)??3.8v2.2 已知题图2.2电路中场效应管的夹断电压vp=-2v,工艺参数k?1.25ma/v2。
求静态工作点vgsq、idq和vdsq的值。
解：耗尽型n沟道mosfet管，采用混合偏置：vgsq?vg?idq?rs2 idq?k(vgsq?vp)，解得：idq1?3.4ma,idq2?1.9mavgsq1??3.67ma,vgsq2??0.67mavg?vdd?rg?3.13vrg?rg1作为耗尽型n沟道mosfet管而言，要求Ｖv gsq?vp??2此时Ｖdsq?vdd?(rd?rs)idq?24?1.9ma?（4.7+2）k??11.27v2.3 放大电路及其静态图解如题图2.3所示。
试估算电路的静态工作点icq和vceq各为多少？集电极电阻rc为多少？(a)rl12840(b)(v)题图2.3解：从输出特性曲线可知：vcc =12 v 因此 ibq=vcc-vbe(12?0.7)v12v???60?a（必忽略vbe，否则输出曲线上无对应点）rb200k?200k?对应输出特性曲线：icq=6ma（找出ib=60ua曲线，平行于横轴作平行线与纵轴交点）vceq=vcc-icq?rc，故rc?1k?，vceq?6v。
2.4 在测绘某电子设备的部分电路时,画得放大电路如题图2.4所示,但半导体器件型号模糊不清。
试判断画出一种可能的可以使该电路正常工作的管子符号。
54321题图2.4题图2.5解：因为直流偏置电压源是＋vcc如果是晶体管，则为npn型；如果是场效应管，则为n沟道(增强型或耗尽型)；132.5 某放大器的图解如题图2.5所示。
问： (1) 放大器的静态工作点(vceq,icq)为多少？(2) 放大器的直流负载和交流负载电阻各为多少？(3) 放大器的直流电源电压为多少？放大器的输出不失真动态范围约为多少伏？解：1) 从输出特性来看，静态工作点是直流负载线和交流负载线的交点，故vceq?5v,icq?2ma； 2) 从特性曲线看，负载电阻是负载线斜率倒数，故ra?2(7?5)v8v?1k?,rd??1.6k?；(2?0)ma5ma注：从特性曲线看，交流负载线与纵轴不相交，故需要把q点作为参照； 3) 从输出特性来看，直流电压源是直流负载线与横轴交点，故vcc?8v；从输出特性来看，信号不失真动态范围是交流负载线左右两侧距q 点最小值，由于q点偏低，故直接取右侧，从图上可以看出，|vs(t)|?6.8?5?1.8v习题1472.6 场效应管放大电路及其静态图解如题图2.6所示。
试估算电路的静态工作点idq和vgsq各为多少？源极电阻rs的值为多少？漏极电阻rd的值为多少？rg(b)(a)12840(c)(v)解：采用耗尽型n沟道mosfet，且采用自给偏置。
vgs?vg?isrs??idrs??,从转移特性曲线看出：i?5ma,vdqgsq??2v ?id?f?vgs?v?ds?由于vgs??idrs，以q点作参照，则rs?400?由于vdsq?vdd?id(rs?rd)，故直流负载线斜率倒数对应电阻(rs?rd)，求得rd?600?； 2.7 在题图2.7所示放大电路中,已知晶体管的??50,vbe=0.7v。
(1) 计算工作点icq和vceq；(2) 若要求icq=0.5ma,vceq=6v,求所需的rb和rc的值(标称值)。
rl6.8k?rb147k?rb215k?题图2.7 题图2.8解：1) 工程估算法：ibq=vcc-vbe?(12?0.7)v?12vrb500k?500k??24?aicq??ibq?50?24?1.2ma，vceq?vcc?rcicq?12?1.2?6.8?3.84v2) 根据vceq?vcc?rcicq得到rc?12k?ibq?icq/??10?a，rb=vcc-vbe?12v?1.2m?ibq10ua 说明：若考虑vbe影响，则结果与书中参考答案一致。
2.8 电路如题图2.8所示。
已知晶体管的??100,vbe=－0.3v。
(1) 当偏置电阻rb1、rb2分别开路,估算集电极电位vc的值,并说明管子的工作状态。
(2) 若rb2开路时要求icq=2ma,确定rb1应取多大 (标称值)。
解：1) 工程估算法：ibq=vcc-vbe?(12?0.7)v?12vrb500k?500k??24?a2.9 判断题图2.9中各电路是否具有正常放大作用？若无正常放大作用则说明理由。
rlrlrlrlrlrl(d)(e)(f)解：正常放大需要直流通路（q点合理）和交流通路（信号有效输入和输出）都正确。
通常都是先考虑直流通路，然后再考虑交流通路。
vocvovovo题图2.10 (a) (b)(c) (d)2.11 场效应管放大器及其输入、输出波形如题图2.11所示。
试判断输出波形产生了何种失真？在电路习题149上采取何种方法可以消除该失真。
vitvot题图2.11分析：bjt或fet做线性放大而言，q点设置不合理会产生截止失真和饱和失真；根据定义进入信号进入饱和区产生饱和失真，信号进入截止区产生截止失真；由于bjt或fet有三种组态，可为同相放大或反相放大，故不能直接看输出波形，认为下半周削平是截止失真，上半周削平是饱和失真。
bjt或fet三组态特性如下；输出波形下半周削平，则对应输入波形上半周削平，表明进入饱和区产生失真；故失真类型是饱和失真。
其失真原因是q点太高而引起，因此要消除该失真要求适当降低q 点，则降低控制电压vgs，即减小rg2或增大rg1数值。
2.12 一个直接耦合放大器的通频带为20khz,若输入一个周期为0.1ms的方波,则输出信号是否会产生失真？若产生失真则是什么失真？为什么？若输入一个频率为30khz的正弦波,则输出信号是否会产生失真？为什么？分析：失真分为两种类型－非线性失真和线性失真非线性失真－典型特点是产生了新的频率成分；线性失真－典型特点是针对多频信号而言，不同频率成分之间幅度失真和(或)频率失真。
通频带－处理信号时，认为在通频带内没有幅度失真，而通频带外信号幅度衰减严重。
周期为t的方波,其包含了基波频率为f(f=1/t)和无穷个谐波频率为nf(n为整数)。
根据上述信息：方波信号会产生失真，属于线性失真；正弦波信号不会产生失真，因为其是不在通频带内的单频信号。
2.13 画出题图2.13所示电路的直流通路和交流通路。
分析：直流通路：即偏置电路，画图原则是：1) 将电容开路、电感短路；2) 保留直流电源；交流通路：交流电流流经的道路，画图原则是：1) 直流电压源短路、电流源开路2) 大电容和小电感短路3) 小电容和大电感开路【篇二：《线性电子线路》作业题】一、填空题：二、分析题：1、二极管的最重要特性是______电压。
2、测得工作在放大电路中的三极管三个电极的电位分别为v1=6v，v2=11.3v，v3=12v，则该三极管的管型为，所用材料为，管脚1为极，管脚2为极，管脚3为极。
3、pn结加正向电压或正向偏置，外电场与自建场方向,阻挡层，ＰＮ1. 如图电路(1),当vi1和vi2为0v或5v时，求vi1和vi2的值不同组合的情况下，输出电压vo的值。
设二极管是理想的。
2. 如图电路(2)为差动放大器单端化电路，分析电路差模输入和共模输入时的输出电压v。
结处于状态, 它所呈现出的正向电阻值。
4、负反馈放大器有较高的工作稳定性，其程度取决于放大器的。
如果电路引入电压串联负反馈，则电路有的输入阻抗和较稳定的。
适合于信号源的放大。
若要求电路输出电流稳定或输出电阻大，应引入负反馈。
5、差动放大器对有较强的放大能力，对有较强的抑制能力，其抑制能力重要取决于电路的。
6、放大器由于存在着和的影响，使工作频率升高时，增益下降，并且相角加大。
7、在本征硅(或锗)中掺入少量的元素，如磷、砷、锑等，就得到n型半导体，其多子是，少子是。
在本征硅(或锗)中掺入少量的三价元素，如硼、铝、铟等，就得到型半导体，其多子是，少子是。
8、在三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生失真，静态工作点设置太高将产生失真。
9、某放大器的fl 为10hz，fh为500hz，其bw为，fl称为，fh称为。
10、放大器常用的耦合方式有 11、在常温下，二极管的死区电压硅管为，锗管为v。
导通后，在教大电流下的正向压降硅管为 v，锗管为v。
12、设稳压管dz1和dz2的稳定电压分别为6v和9v，正向压降为0.7v，把它们串联相接可得种稳压值，分别为；把它们并联可得种稳压值，分别为。
13、衡量晶体管放大能力的参数是晶体管的极限参数是，，。
14、在差动放大器中，差模信号是指及的两个输入信号；而共模信号是指及的两个输入信号。
15、理想运放条件是ee图(1)图(2)三、判断题：如图(3)、图(4)、图(5)、图（6）、图（7）电路，判断电路的反馈极性及反馈类型。
vcc v cc(图3)(图4)第 1 页r1 rfvi1vu0（图6）cc（图7）四、计算题：1.如图(8)为共射放大电路,vcc?12v,r1?20k?,r2?5k?,r3?2k?r4?1k?,??50,rl?3k,rbb?300?,c1c2c3对交流短路。
(1) 计算静态工作点icq,vceq; (2) 计算电路的电压增益av（3）计算电路的输入电阻和输出电阻。
(1)输出电压v0； (2) 同相端的补偿电阻rpl图(9)0v 图(10)2006级广电工程《线性电子线路》作业题【二】一、选择题1. 判别放大器属于正反馈还是负反馈的方法是（）a.输出端短路法b.瞬时极性法c.输入諯短路法 2.串联负反馈使放大器的输入阻抗( )a.变大b.变小c.不变3．若需设计一只单级放大器，要求输入阻抗大,输出阻抗小，请选择下述放大电路（） a、共射放大 b、共基放大 c、共集放大 d、共源放大 4．差动放大电路中用恒流源代替re是为了（）a.提高差模放大倍数b.提高共模放大倍数c.提高共模抑制比d.提高差模输入电阻 5.三级管开作在放大区，要求（）a、发射结正偏，集电结正偏b、发射结正偏，集电结反偏c、发射结反偏，集电结正偏d、发射结反偏，集电结反偏6．在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的（） a．可变电阻区 b.恒流区 c.夹断区 d.击穿区7.若信号源为高内阻的电流源需要放大,而且负载阻抗较易产生变化,则放大电路应引入( )a.电压串联负反馈b.电流串联负反馈c.电压并联负反馈d.电流并联负反馈 8. 共模抑制比kcmr越大，表明电路（）a.放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数愈大c.抑制温漂能力越强 d.输入信号中差模成分越大9.同相放大器作为深度电压串联负反馈电路,有较高的输入阻抗和极低的输出阻抗,但对集成运放的()要求较高。