硅N 型快恢复整流二极管 R 2CR106 A8C
CR6221和CR6224和CR6228和CR6229设计指导
5.7V
VDD clamper
Burst mode
PWM Compartor
50ms
OLP
FB 3
7/8 GND
图 1.1 CR622X 内部框图
2
CR622X 应用指导书
2.欠压锁定和启动电路 系统在上电时，整流后的高压通过启动电阻 RIN 为 VDD 端的电容 C1 充电，直到 VDD 端电压达到芯片的启 动电压 VDD_ON(典型 14.8V)时，芯片启动并且驱动整个电源系统工作。如果发生保护，输出关断，导致辅助绕 组掉电，VDD 端电压开始下降，当 VDD 端电压低于芯片的关闭电压 VDD_OFF（典型 9V）时，控制电路关断，芯 片消耗电流变小，进入再次启动序列。
PIN =
PO
η
………………………………………………………（2.1）
根据最大输出功率来选择合适的 CR622X 系列产品。
表 2.1 2.1 CR622X 系列产品选型表
型号 CR6221T CR6224S CR6224T CR6228T CR6229T
MOSFET RDS(ON) 12 5.0 5.0 3.0 2.0
对于 AC 90~264V 宽范围输入， CIN 按 2~3uF/Watt 输出功率选取； 对于 AC 230V 或者 115V 倍压整流输入，CIN 按 1uF/Watt 输出功率选取。 最小直流输入电压 VMIN
2 VMIN = 2 × VACMIN
1 − tC 2 × PO × 2 × fL …………………………（2.2） − η × CIN
图 1.4 FB 端电压对应系统工作状态
0.8V~1.1V 为系统在空载或轻载时工作在间歇模式下的 FB 端电压；1.1V~1.62V 为系统在中等或轻载 负载时频率调制模式下的 FB 端电压；1.62V~3.7V 为系统在重载下的 FB 端电压；3.7V~5.6V 为系统开环， 过功率保护，短路保护时 FB 端电压；FB 端的短路电流典型值为 1.55mA。 当 VFB 大于 3.7V 并持续 50ms 的时间， 关闭开关管， 状态被保持。 此时芯片 VDD 电压必须降低到 VDD_OFF 后，再启动才能恢复正常。当 VFB 小于 0.8V 时，仅关闭开关管以保护系统。 6.CS 输入端 CR622X 采用电流模式 PWM 控制技术，初级峰值电流通过电流检测电阻 Rsense 转化为电压反馈到 Sense 端。由于在开关管导通瞬间会有脉冲峰值电流，如果此时采样电流值，会导致错误的控制。内置的 前沿消隐 （LEB） 电路， 就是为了防止这种错误的控制。 在开关管导通后， 经过一段前沿消隐时间 （典型 300ns） 才去控制电流限制比较器，可以为系统节省一个外部的 RC 网络。 正常工作时，PWM 占空比由 Sense 端电压和 FB 端电压共同调整。 7.内置斜波补偿 内置斜波补偿电路增加电流检测电压的斜率，这可以改善系统闭环的稳定性，防止次谐波振荡，减小 输出纹波电压。 4
mur1060二极管参数
mur1060二极管参数
MUR1060二极管是一款超快恢复二极管，具有反向恢复时间短、反向耐压高、正向电流大、结电容小等优秀特点。
以下是MUR1060二极管的具体参数：
反向恢复时间（trr）：35 ns。
反向重复峰值电压（VRRM）：600 V。
最大平均整流电流（IO）：10 A。
非重复峰值正向电流（IFSM）：120 A。
正向电压降（VF）：1.45 V【连续正向电流（IF）=10 A】。
反向漏电流（IR）：5 μA【环境温度（Ta）=25 ℃】。
结电容（Cj）：40 pF。
反向方均根电压（VR(RMS)）：420 V。
封装：TO-220AC。
MUR1060二极管采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。
其工作时耐温度范围为-55℃~150℃，具有较高的温度适应性。
同时，该二极管还具有较小的结电容，能够降低电路的损耗和反向恢复电荷，提高电路的稳定性和可靠性。
MUR1060二极管在反向恢复时，能够迅速从反向导通状态恢复到
截止状态，减小了反向恢复电流的连续时间，从而减小了电磁干扰（EMI）和开关损耗。
此外，其较小的结电容也降低了传输延迟和反向恢复电荷，适用于高频和高功率应用。
MUR1060二极管是一款性能优异、可靠性高、适应性强、应用广泛的超快恢复二极管。
其参数全面、特性优良，可满足不同领域的需求。
1N5819二级管规格
1N5819二级管规格1N5819二极管规格解析1. 引言在电子电路领域中，二极管是一种常用的电子元件，用于控制电流的方向和大小。
在众多二极管型号中，1N5819是一种非常常见的快恢复二极管。
本文将对1N5819二极管的规格进行深入解析，并探讨其在电路设计中的应用。
2. 1N5819二极管的特点与规格1N5819二极管属于肖特基二极管的一种，在多种应用中具有广泛的适用性。
以下是1N5819二极管的一些关键特点和规格：2.1 最大正向工作电流（IFM）：1N5819二极管能够承受的最大正向工作电流为1A。
这意味着在正向电压下，电流控制在1A以下是安全可靠的。
2.2 最大反向工作电压（VRM）：1N5819二极管的最大反向工作电压为40V。
这意味着在反向电压不超过40V时，该二极管可以正常工作。
2.3 正向压降（VF）：1N5819二极管的正向压降通常在0.45V左右。
这意味着在正向导通状态下，电压降低约为0.45V左右。
2.4 肖特基势垒电容（CJ）：1N5819二极管具有一个肖特基势垒电容，其典型值为7pF。
肖特基势垒电容对高频性能和高速开关特性具有一定影响。
2.5 峰值逆向电流（IRRM）：1N5819二极管的峰值逆向电流为10mA。
这意味着在逆向电压超过其最大反向工作电压时，峰值逆向电流不应超过10mA，以保证二极管性能的稳定性。
3. 1N5819二极管的应用领域由于1N5819二极管具有快速恢复的特点，因此在多个电子应用中得到广泛使用。
以下是一些常见的应用领域：3.1 反向保护：1N5819二极管可用于电路中的反向保护，以防止逆向电压对电路的损坏。
通过将1N5819二极管反向连接过去，可以确保只允许正向电压通过。
3.2 DC-DC转换器：由于1N5819二极管具有较低的正向压降和快速恢复特性，因此在DC-DC转换器中，可用于快速切换和能量传输。
3.3 急停保护：在很多电路中，需要一种能够迅速截断电流的保护装置，以应对突发情况。
常用稳压二极管的参数规格
常用稳压二极管的参数规格-稳压二极管参数大全[ 来源：不详| 作者：佚名| 时间：2008-3-27 1:17:23 | 浏览：本日：1 本周：24 本月：59 总数：118 ] 常用的稳压二极管常用的国产稳压二极管有2CW系列和2DW系列，常用的国产稳压二极管稳压二极管参数见表4-16和表4-17。
常用的进口稳压二极管有1N41××系列、1N46××系列、1N47××系列、1N52××系列、1N59××系列、1N6××系列、1N700系列、1N900系列、MTZ系列、MTZJ系列、RLZ系列、RLZJ系列及HZ系列、RD系列、05Z系列、PTZ系列、DTZ系列、，常用的进口稳压二极管参数见表4-18~表4-22。
快恢复二极管参数型号品牌电流电压时间极性IN5817GJ1A20V10nsIN5819GJ1A40V10nsIN5819MOT1A40V10nsIN5822MOT3A40V10ns21D-06FUI3A60V10nsSBR360GI3A60V10nsC81-004FUI3A40V10ns8TQ080IR8A80V10ns单管MBR1045MOT10A45V10ns单管MBR1545CTMOT15A45V10ns双管MBR1654MOT16A45V10ns双管16CTQ100IR16A100V10ns双管MBR2035CTMOT20A35V10ns双管MBR2045CTMOT20A45V10ns双管MBR2060CTMOT20A60V10ns双管MBR20100CTIR20A100V10ns双管025CTQ045IR25A45V10ns双管30CTQ045IR30A45V10ns双管C85-009*FUI20A90V10ns双管D83-004*FUI30A40V10ns双管D83-009*FUI30A90V10ns双管MBR4060*IR40A60V10ns双管MBR30045MOT300A45V10ns MUR120MOT1A200V35nsMUR160MOT1A600V35nsMUR180MOT1A800V35nsMUR460MOT4A600V35nsBYV95PHI1.5A1000V250nsBYV27-50PHI2A55V25nsBYV927-100PHI2A100V25nsBYV927-300PHI2A300V25ns BYW76PHI3A1000V200nsBYT56GPHI3A600V100nsBYT56MPHI3A1000V100nsBYV26CPHI1A600V30nsBYV26EPHI1A1000V30nsFR607GI6A1000V200nsMUR8100MOT8A1000V35ns单管HFA15TB60IR15A600V35ns单管HFA25TB60IR25A600V35ns单管MUR30100HAR30A1000V35ns单管MUR30120HAR30A1200V35ns单管MUR1620PHI16A200V35ns双管MUR1620CTMOT16A200V35ns双管MUR1620PMOT16A200V35ns双管MUR1660CTMOT16A600V35ns双管HFA16TA600IR16A600V35ns双管MUR3030GI30A300V35ns双管MUR3040MOT30A400V35ns双管MUR3060MOT30A600V35ns双管HFA30TA600IR30A600V35ns双管MUR20040MOT200A400V35ns双管B92M-02FUI20A200V35ns单管C92-02FUI20A200V35ns双管D92M-02FUI30A200V35ns双管D92M-03FUI30A300V35ns双管DSE130-06DSET30A600V35ns双管DSE160-06DSET60A600V35ns双管原创文章："/public/tool/kbview/kid/686/cid/1" 【请保留版权，谢谢！】文章出自电子元件技术网。
士兰微电子 SBD20C100T F S 说明书 20A、100V肖特基整流管 说明书
20A、100V肖特基整流管描述Array SBD20C100T/F/S是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
特点♦具有过压保护的保护环结构♦高电流冲击能力♦低功耗，高效率♦正向压降低产品规格分类产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SBD20C100T TO-220-3L SBD20C100T 无铅料管SBD20C100T TO-220HW-3L SBD20C100T 无铅料管SBD20C100F TO-220F-3L SBD20C100F 无铅料管SBD20C100S TO-263-2L 20C100S 无卤料管SBD20C100STR TO-263-2L20C100S无卤编带=25°C)极限参数(除非特殊说明，TC参 数 符 号 额定值 单 位 最大反向峰值电压V RRM100 V 正向平均整流电流I FAV20 A 正向峰值浪涌电流@8.3ms I FSM150 A 工作结温T J150 °C 芯片存储温度范围T STG-40~150 °C 热阻特性参数名称 符号 额定值 单位 芯片对管壳热阻RθJC 2.0 °C/W电参数规格典型特性曲线图1、正向压降典型值图2、反向漏电流典型值图3、结电容典型值I F [A ]V F [V]V R [V]I R [m A ]V R [V]C T [p F ]1010.1204060801001101010.1图4、正向平均整流电流I F A V [A ]T C [°C]155251020封装外形图封装外形图(续)声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
♦任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！♦产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品名称：SBD20C100T/F/S文档类型：说明书版权：杭州士兰微电子股份有限公司公司主页：http: //版本： 2.1 作者：殷资修改记录：1.增加TO-263-2L封装版本： 2.0 作者：殷资修改记录：1.删除TO-262-3L封装版本： 1.9 作者：殷资修改记录：1.修改TO-220F-3L封装信息2.增加TO-220HW-3L封装3.修改TO-220-3L封装信息版本： 1.8 作者：张科锋修改记录：1.修改“封装外形图”版本： 1.7 作者：张科锋修改记录：1.增加TO-262-3L封装版本： 1.6 作者：张科锋修改记录：1.修改图4版本： 1.5 作者：张科锋修改记录：1.增加“正向平均整流电流”曲线版本： 1.4 作者：张科锋修改记录：1.修改“封装外形图”版本：13 作者：张科锋修改记录：1.修改说明书模板版本： 1.2 作者：张科锋修改记录：1.增加康比TO-220F-3L封装版本： 1.1 作者：张科锋修改记录：1.增加TO-220-3L、TO-220F-3L友益薄框架封装；康比TO-220-3L封装版本： 1.0 作者：张科锋修改记录：1.原版士兰微电子文档类型：说明书。
快恢复整流二极管安全操作及保养规程
快恢复整流二极管安全操作及保养规程快恢复整流二极管是现代工业中广泛使用的一种电子元器件。
在使用期间，需要注意其安全操作，正确进行保养和维护。
本文将详细介绍快恢复整流二极管的安全操作及保养规程。
1. 快恢复整流二极管的基本知识快恢复整流二极管是一种半导体器件，它可以将交流电转为直流电。
快恢复整流二极管的主要特点是具有较快的恢复时间、低反向电流和高工作温度等性能。
快恢复整流二极管广泛应用于工业自动化、电子设备、电力电子与光电器件等领域。
快恢复整流二极管的结构基本上由P型半导体和N型半导体组成，两种半导体之间有一个PN结。
PN结处的电子和空穴在外界的电场作用下向反方向运动，这样就产生了电流的导通和截止。
2. 快恢复整流二极管的安全操作在工作中，如果不注意快恢复整流二极管的安全操作，可能会造成严重的损害。
以下是快恢复整流二极管的安全操作规程。
2.1 使用范围快恢复整流二极管适用于直流或低频交流的整流电路。
不能用于高频电路或高压直流电路中。
2.2 过电压保护必须在相应的电路中增加保护电阻和过压保护管等电路保护元件，以防止电压超过额定值，损坏快恢复整流二极管。
2.3 储存与运输快恢复整流二极管储存和运输时，应注意防水、防潮、防震和防爆。
不要强行打开包装袋或破坏密封密封胶封条。
2.4 安装在安装快恢复整流二极管时，应仔细检查管芯、管引线、管壳是否有损坏，并注意正负极的接线。
同时要使用适当的散热器对快恢复整流二极管进行散热。
2.5 运行在运行快恢复整流二极管时，应注意防潮、防尘、防振动和防触电保护措施。
在使用过程中，要防止快恢复整流二极管长时间超负荷工作。
2.6 更换当快恢复整流二极管损坏需要更换时，必须使用相应的工具进行拆卸和安装，并清除拆卸时可能引入的污垢和异物。
更换后必须进行全面检测，以确保正常工作。
3. 快恢复整流二极管的保养规程快恢复整流二极管的保养工作是保证它正常工作的前提。
以下是快恢复整流二极管的保养规程。
碳化硅快恢复二极管 650v 8a参数
碳化硅快恢复二极管是一种高性能的功率半导体器件，具有高频率、低电压降和低功率损耗等优点，因此在电源、逆变器、汽车电子等领域得到了广泛的应用。
本文将主要介绍碳化硅快恢复二极管650V 8A 参数方面的相关内容。
1. 额定参数碳化硅快恢复二极管650V 8A的额定电压为650V，额定电流为8A。
这意味着该二极管可以在650V的电压下正常工作，并且可以承受不超过8A的电流。
这一参数是其正常工作的基本条件，也是其在实际应用中需要满足的最基本要求之一。
2. 反向恢复时间碳化硅快恢复二极管的反向恢复时间也是其重要参数之一。
650V 8A 的碳化硅快恢复二极管，在通电后能够在极短的时间内从导通状态迅速恢复到截止状态，这一特性使得其在高频开关电源和逆变器中具有重要的应用价值。
反向恢复时间长短直接影响了二极管在实际电路中的性能表现，因此该参数的优化对于碳化硅快恢复二极管的性能提升具有重要意义。
3. 导通压降碳化硅快恢复二极管的导通压降也是其重要参数之一。
650V 8A的碳化硅快恢复二极管在导通状态下具有较低的导通压降，这一特性使得其在功率电子器件中广泛应用。
较低的导通压降能够减小功率损耗，提高能效，因此对于碳化硅快恢复二极管的性能改善具有重要作用。
4. 封装类型碳化硅快恢复二极管650V 8A通常采用TO-220、TO-247等常见的封装形式，这些封装形式具有良好的散热性能和结构稳定性，能够满足对于高功率和高频率应用领域的实际要求。
良好的封装类型能够保证二极管的工作稳定性和可靠性，也是其在实际应用中被广泛采用的重要原因之一。
5. 可靠性指标除了以上主要参数外，碳化硅快恢复二极管650V 8A还需要满足一系列的可靠性指标，如温度特性、耐压能力、耐湿能力、抗干扰能力等。
这些可靠性指标是其在实际应用中必须要满足的，对产品品质和性能表现具有重要影响。
总结来看，碳化硅快恢复二极管650V 8A在电源、逆变器、汽车电子等领域的应用前景广阔，其具有较高的额定电压和电流、较短的反向恢复时间、较低的导通压降等优点，同时也需要满足一系列的可靠性指标。
er106二极管参数
ER106二极管参数一、目录1.概述2.ER106二极管特性3.ER106二极管的应用4.ER106二极管的主要参数5.ER106二极管的规格尺寸6.ER106二极管的包装与存储7.结论二、详细描述1.概述：2.ER106二极管是一种高效、快速恢复的肖特基二极管，适用于高频率、高温等恶劣环境下的开关电源、变频器、UPS等电力电子设备中的整流、续流、保护等应用。
该产品具有反向恢复时间短、正向导通压降低、耐压高等优点，是电力电子设备中重要的电子元件之一。
3.ER106二极管特性：4.（1）高效快速恢复：ER106二极管采用肖特基势垒结构，具有较低的结电容和正向压降，因此具有高效快速恢复的特性。
5.（2）反向恢复时间短：ER106二极管的反向恢复时间通常为几十纳秒，可以在高频率下快速地进行开关操作。
6.（3）正向导通压降低：ER106二极管的正向导通压降较低，可以有效降低功耗和提高系统效率。
7.（4）高温稳定性好：ER106二极管可以在高温环境下稳定工作，适用于各种恶劣环境。
8.（5）高耐压能力：ER106二极管的最大反向电压可以达到几百伏特，可以满足各种高电压环境下的保护需要。
9.ER106二极管的应用：10.ER106二极管广泛应用于开关电源、变频器、UPS等电力电子设备中，主要作用是整流、续流、保护等。
在高频率、高温等恶劣环境下，ER106二极管可以发挥其优良的性能特点，提高设备的可靠性和稳定性。
11.ER106二极管的主要参数：（1）最大正向电流：是指ER106二极管在规定条件下可以安全通过的最大正向电流值。
在实际使用中，应不超过这个值，以保证二极管的安全工作。
（2）最大反向电压：是指ER106二极管在正常工作时所能承受的最大反向电压值。
在实际使用中，应不超过这个值，以避免对二极管造成损坏。
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正向压降 VF (V) 正向浪涌非重复峰值电流 IFSM（A） IF-TC 关系特性
反向压降 VR (V) 正向浪涌非重复峰值电流
200
10
正向电流 IF (A)
8.3ms Single Half Sine Wave Jedec Method
100
5
0 0 100 200
0 0 50 100
外壳温度 (℃)
浪涌冲击次数
雪崩耐量测试电路 Imax=1A L=40mH R＜0.1Ω EAVL=1/2LI2〔VR（AVL）/（VR（AVL）-VDD） 〕 Q1=IGBT（VCES＞DUT VR（AVL） ）
雪崩电流与电压波形
V AVL
L
CURRENT SENSE
R
Q1
VDD
I V
IL
IL
DUT VDD
t0
t1
联苯 PBB
≤0.1%
BBP
≤0.1%
引线框 塑封树脂 管 芯 内引线 焊 料
○ ○ ○ ○ ×
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○：表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。 说 明 ×：表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。 目前产品的焊料中含有铅（Pb）成分，但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
E-mail：sales@. 传真：0510-8580 0360 / 8580 3016
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
4/4
t2
t
无锡华润华晶微电子有限公司
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2CR106 A8C
R ○
外形图
TO-220AC
（单位： mm）
项 目
A B C D E F G H L N
规范(mm) MIN 9.8 15.2 4.10 1.20 0.70 0.40 1.17 2.80 12.4 2.34 3.50 MAX 10.2 16.0 4.50 1.40 0.90 0.60 1.37 3.40 13.4 2.74 3.70
硅 N 型快恢复整流二极管 2CR106 A8C
产品概述
2CR106 A8C 是 N 型 硅外延超快恢复二极管， 采用平面制造工艺及重金 属掺杂工艺，具有低正向 压降、低反向漏电及超快 反向恢复速度等优点。
R ○
产品特点
●超快反向恢复速度 ●超低反向漏电 ●低正向压降 ●高抗浪涌能力 符 号 VRRM IF（AV） VF（IF=10A） trr（IF=0.5A）
包装说明
1）产品的小包装，采用 50 只/管的料条包装； 2）产品的中包装，采用 20 管/盒的中号纸盒包装； 3）产品的大包装，采用 5 盒/箱的大号纸板箱包装。
注意事项
1）凡华润华晶出厂的产品，均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求；对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相 关技术协议。 2）建议器件在最大额定值的 80% 以下使用；在安装时，要注意减少机械应力的产生，防止由此引起的产品失效； 避免靠近发热元件；焊接上锡时要注意控制温度和时间。 3) 本规格书由华润华晶公司制作，并不断更新，更新时不再专门通知。
特征参数
额定值 600 10 1.7 35 单 位 V A V ns
应用
● 开关电源 ● 功率电路 ● 通用整流
封装 TO-220AC
存储条件和焊接温度
存放有效期 存放条件 环境温度-10℃～40℃ 1年 相对湿度 ＜85％ 265℃ 极限耐焊接热
内部结构图
极限值 （Per Diode）
除非另有规定，Ta= 25℃ 参 数 名 称 可重复峰值反向电压 均方根电压 直流阻断电压 平均整流电流 不重复峰值浪涌电流(8.3ms，正弦单波) 结温 贮存温度 符号 VRRM VRMS VR IF（AV） IFSM Tj Tstg 额定值 600 420 600 10 150 150 -55～150 单位 V V V A A ℃ ℃
有害物质说明
有毒有害物质或元素 部件名称
（含量要求） 铅 Pb
≤0.1%
多溴 汞 Hg
≤0.1%
多溴二 苯醚 PBDE
≤0.1%
六溴环 十二烷 HBCDD
≤0.1%
邻苯二 甲酸酯 DEHP
≤0.1%
邻苯二甲 邻苯二甲 酸二丁酯 酸丁苄酯 DBP
≤0.1%
镉 Cd
≤0.01%
六价铬 Cr(VI)
≤0.1%
热 阻 （Per Diode）
参数名称 结到壳的热阻 符号 RθJC 最小值 典型值 最大晶微电子有限公司 2015V01 1/4
2CR106 A8C
R ○
规 范 值 参 数 名 称 雪崩耐量 符 号 EAVL VF IF=10A ,Tj=125℃ 反向漏电流 IR trr VR=600V, Tj=25℃ VR=600V, Tj=125℃ 反向恢复时间 IF=0.5A, IR=1A IRR=0.25A 1.5 10 150 35 ns μA 测 试 条 件 最小 L=40mH IF=10A ,Tj=25℃ 正向压降 20 1.7 V 典型 最大 mJ 单位
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
2/4
2CR106 A8C
R ○
特性曲线
100
IF-VF 关系曲线
100
IR-VR 关系曲线
10
反向漏电流 IR (uA)
10
正向电流 IF (A)
125℃
1
125℃
1
25℃
0.1
0.1
25℃
0.01 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
0.01 0 150 300 450 600 750