常用国产电子管型号命名方法
常用国产电子管型号命名方法
宇宙射线计数管
Y
2．结构形式表
电子管典型结构形式
代表字母
电子管典型结构形式
代表字母
普通玻壳管
P
小型管φ19mm和22..5mm
无代号
陶瓷管
T
超小型管直径φ最大(mm)
＞11
G
“橡实”管
J
11～8
B
锁式管
S
8～4
A
盘封管（灯塔管）
D
≤4
R
J
遥截止五极管
K
双四极管或双五极管
T
输出五极管及输出束射四极管
P
变频管
A
三极—六极管
三极—七极管
三极—八极管
U
调谐指示管
E
属于收讯放大管的小功率整流二极管
Z
长中波和短波发射管（极限频率在30MHz以下）
FD
为一短横线“—”
表பைடு நூலகம்同类产品顺序号的数字
表示冷却方式的字母：
自然冷却—无字母
水冷式—S
风冷式—F
EG
引燃管
Y
冷阴极气体辉光放电数字符号指示管
QS
表示玻壳直径、对角线长度或平板高度的尺寸的数字（mm）
表示结构形式的字母（见下表）
荧光数字符号指示管
YS
等离子体放电数字符号指示管
DS
α射线计数管
J
表示同类型产品顺序号的数字
α
—
β射线计数管
β
硬β射线计数管
βr
γ射线计数管
γ
中子计数管
Z
X射线计数管
X
光子计数管
指示管
SS
显象管
SX
半导体命名
半导体器件型号命名方法１、国产半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示有效电极数目。
2—二极管、3 —三极管第二部分：用汉语拼音字母表示材料和极性。
表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D—P型硅材料。
表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D—NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示类型。
P—普通管、V—微波管、W—稳压管、C—参量管、Z—整流管、L—整流堆、S—隧道管、N—阻尼管、U—光电器件、K—开关管、X—低频小功率管、G—高频小功率管、D—低频大功率管、A—高频大功率管、T—半导体晶闸管（可控整流器）、Y—体效应器件、B—雪崩管、J—阶跃恢复管、CS—场效应管、BT—半导体特殊器件、FH—复合管、PIN—PIN 型管、JG—激光器件。
高频、低频（f＝3MHz）大功率管、小功率管（Pc＝1W)第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG6A表示NPN型硅材料高频小功率三极管表1 中国半导体器件组成部分的符号及意义例如锗PNP高频小功率管为3AG11C。
３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）２、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN—军级、JANTX—特军级、JANTXV—超特军级、JANS—宇航级、（无）—非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。
1—二极管、2—三极管、3—三个pn结器件、n—n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。
N—该器件已在美国电子工业协会注册登记第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
二极管命名规则
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2- 二极管、 3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时： A-N 型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V微波管、W体稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（F<3MHz,Pc<1W）、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y- 体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、 PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2 三极或具有两个 pn 结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、一一依此类推。
第二部分：日本电子工业协会 JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会 JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
2a3,300b,211三极管,el34,el84五极管,6l6,kt88四极管声音特点
2a3,300b,211三极管,el34,el84五极管,6l6,kt88四极管声音特点通俗的讲：从电极的数量来分，音频领域电子管大概就分三个类别：1.三极管：三极管全部是直热式的，灯丝就是阴极，阴极加热到一定温度后，由于屏极有正高压，而阴极有负压。
在电场作用下，阴级向屏极发射电子，形成电流，但电流的方向和电子发射的方向相反。
三极管还有个控制栅极，由于他相对阴极来说，电位为负，所以，当栅极输入交流音频信号的时候，栅极可以控制阴极向屏极发射电子的数量，从而控制屏极电流变化。
使屏极电路2端的电压发生变化，这种能力使三极管具有放大信号的能力。
其实所有的电子管原理都是如此。
其他类型不过是多增加了几个控制电极而已。
常见用在胆机三极管的代表有：2A3 300B 211 845 805 833等等。
他们都是一个族的，输出功率从小到大。
三极管一般都用做单端纯甲类放大输出，也可以做推挽纯甲类输出和单端并联纯甲类输出，做AB类推挽输出意义不大。
而单端输出是首选。
推挽则可以获得大功率，但音色相对不如单端理想。
三极管的优点是内阻小，阻尼系数高（对功放的控制力比较好些，但控制力并不完全取决于阻尼系数），一般不加负反馈电路时候，就有2-4，使用环路负反馈后可以提高近10倍。
三极管非线形失真相对比较小，但做单端输出时偶次波失真大，所以泛音丰富，音色优美温暖润泽。
三极管单端输出电压转换速率也高，瞬态特性好，没有交越失真。
缺点：功率灵敏太低，需要比较高的激励电压，给制作和工艺都增加了不少难度，成本也相对高，这就是大功率三极管单端甲类胆机难以普及的更本原因。
三极管还有个主要的缺点：由于放大系数和信号的幅值有矛盾，所以三极管必须要求放大系数低，否则截止栅压会降低，不允许有大信号输入。
三极管在做音频放大的时候虽然屏流高，跨导高，但输出功率都不大，一般民用领域也就做到805，单管输出近50瓦甲类功率，但成本很高，屏极必须吃到1100V电压，对工艺要求非常高，很多厂家不愿意生产。
二极管命名规则
二极管命名规则Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
原来国内外常用电子元器件型号命名规则是这样的，涨知识了！
原来国内外常用电子元器件型号命名规则是这样的，涨知识了！1.电阻器举例：RJ76表示精密金属膜电阻器R——电阻器（第一部分）J——金属膜（第二部分）7——精密（第三部分）6——序号（第四部分）2.电容器国外电容器命名规则不一，国外部分知名厂家命名规则如下：•(1)日本村田(muRata)•(2)日本TDK•(3)日本京瓷(Kyocera)•(4)日本罗姆(ROHM)•(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)(6)韩国三星(SAMSUNG)•(7)美国基美(KEMET)•(8)英国Syfer•(9)中国台湾国巨(YAGEO)•(10)中国台湾华新科技(WALSIN)3.电感器4.变压器5.二极管6.三极管7.发光二极管8.扬声器9.电声器件10晶闸管11.继电器国外：1.国际电子联合会半导体器件命名法国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：•1)这种命名法被欧洲许多国家采用。
因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
•2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
•3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。
如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。
若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。
例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
•4)第三部分表示登记顺序号。
三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。
例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
•5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
•6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。
极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。
常用国产电子管参数
200
1.8
150
0.9
Rg<1 M。
6J2 B
6.3
0.2
120
5.5
R尸20
0。
120
<6
3.2
6.9
5.7
150
0.9
125
0.7
Rg<1 M。
6J3
6.3
0.3
2 5
0
7±3
R尸20
0。
150
<3
750
5
7.0
5.7
330
2.5
165
0.55
Rg<1 M。
6J4
6.3
0.3
2 5
0
11±3
2X
350
72
7
5.7
100
2 5
负载
5.2k
Q
6Z5
6.
0.6
2X
400
70
6.9
5.7
110
3 0
负载
5.7k
Q
6Hz
6.
0.3
2X
150
17
7
5.7
450
3
负载10k Q
300
B-9
5
300
45
-60
56
三极 管
300 BC
5
1.2
300
60
-60
5.3
300 BA
5
1.2
300
60
-60
5.3
0
3
-2±
1
140
0.5
2
7.0
5.7
常用国产电子管参数
Rk=68Ω
100
＜6
850
4.4
—
7.0
5.7
300
3
125
0.6
Rg< 500kΩ
12K3P
12.6
0.15
250
9
－3
100
2.5±1
—
2±0.4
—
13.8
11.4
330
4.4
140
0.44
2P2
1.2
2.4
60mA30
60
3.5±1.2
－3.5
60
<1.2
—
＞0.9
—
1.4
2.8
0.9
5.6
38
7.0
5.7
300
1.6
—
—
Rg<100kΩ
6N16B
6.3
0.4
100
6.3±1.9
Rk=325Ω
—
—
5
5
25
6.9
5.7
200
0.9
—
—
Rg<1MΩ
6N17B
6.3
0.4
100
3.3±1
Rk=325Ω
—
—
20
3.8
75
6.9
5.7
250
0.9
—
—
Rg<1MΩ
6N21B-Q
6.3
0.4
200
＞0.3
—
6.9
5.7
330
1.1
110
1.1
0.3 mA/V
为变频互导
6A7P
6.3
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SS
显象管
SX
显示（监视）管
SG
摄象管
SF
—
—
光电二极管
GD
—
表示变型管的字母
光电倍增管
GDB
—
小功率高压整流二极管
E
表示同类型产品顺序号的数字
表示结构形式的字母（见下表）
稳流管
WY
稳压管
WL
稳幅管
WF
充气整流二极管
EQ
—
以分数的形式表示：分子为平均电流值（A），分母为反向电压峰值（kV）
充汞整流二极管
J
遥截止五极管
K
双四极管或双五极管
T
输出五极管及输出束射四极管
P
变频管
A
三极—六极管
三极—七极管
三极—八极管
U
调谐指示管
E
属于收讯放大管的小功率整流二极管
Z
长中波和短波发射管（极限频率在30MHz以下）
FD
为一短横线“—”
表示同类产品顺序号的数字
表示冷却方式的字母：
自然冷却—无字母
水冷式—S
风冷式—F
蒸发冷却—Z
超蒸发冷却—C
超短波发射管（极限频率在30～300MHz）
FU
分米波发射管（极限频率在300～3000MHz）
FC
厘米波发射管（极限频率在3000MHz以上）
FL
脉冲发射管
FM
示波管
表示圆形屏幕直径的数字或矩形屏幕对角线长度的尺寸数字（cm）
SJ
表示同类型产品顺序号的数字
表示荧光屏上所涂荧光粉的牌号
EG
引燃管
Y
冷阴极气体辉光放电数字符号指示管
QS
表示玻壳直径、对角线长度或平板高度的尺寸的数字（mm）
表示结构形式的字母（见下表）
荧光数字符号指示管
YS
等离子体放电数字符号指示管
DS
α射线计数管
J
表示同类型产品顺序号的数字
α
—
β射线计数管
β
硬β射线计数管
βr
γ射线计数管
γ
中子计数管
Z
X射线计数管
X
光子计数管
G
宇宙射线计数管
Y
2．结构形式表
电子管典型结构形式
代表字母
电子管典型结构形式
代表字母
普通玻壳管
P
小型管φ19mm和22..5mm
无代号
陶瓷管
T
超小型管直径φ最大(mm)
＞11
G
“橡实”管
J
11～8
B
锁式管
S
8～4
A
盘封管（灯塔管）
D
≤4
R
常用电子管型号命名方法
1．型号组成部分表类别ຫໍສະໝຸດ 型号组成部分第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
二极管
表示灯丝电压的数字（V），如有小数时取其整数部分
D
表示同类型产品顺序号的数字
表示结构形式的字母（见下表）
双二极管
H
双二极—三极管
G
双二极—五极管
B
三极管
C
双三极管
N
三极—五极管
F
四极管
S
锐截止五极管及锐截止束射四极管