晶体管放大电路设计
bjt晶体管放大器设计仿真实验报告
bjt晶体管放大器设计仿真实验报告实验目的：通过仿真和设计实验掌握BJT晶体管放大器的特性，了解放大器的基本结构和原理，使用Multisim进行模拟电路的设计和验证。
实验器材：电脑、Multisim软件实验原理：BJT晶体管放大器BJT晶体管放大器是工程中常用的放大器之一，其结构简单，易于实现，所以被广泛应用。
BJT晶体管的放大器基本参数有增益、输入阻抗、输出阻抗等，这些参数与负载、元器件选型等有关。
BJT晶体管放大器包括三个区域：基区、发射区、集电区。
当正向偏置（即基极正向，发射极负向，集电极正向）时，电子从发射区向基区注入，由于集电区厚度较大，电子大量扩散到集电区，形成电流放大效应。
由于收集极为多数载流子的主要地方，所以放大器的电流一般从集电极注入。
实验步骤1. 设计放大器的电路图，包括输入端、BJT晶体管、输出端、偏置电路等。
2. 选择合适的电阻值，偏置电压、负载等元器件参数。
3. 使用Multisim软件按照电路图布局放置元器件，并将元器件的参数输入Multisim 中。
4. 设置测量点，并对电路进行仿真分析。
5. 分析仿真结果，调整电路参数，优化电路。
6. 记录仿真结果并写出实验报告。
实验内容1. 设计一个以晶体管为核心的放大电路，要求两个输出端之间的放大系数应不小于100，放大器的直流通路电路使用以2mA为中心的工作点，增益、输入阻抗、输出阻抗等参数要求在电阻值误差的5%以内。
2. 使用Multisim仿真软件模拟电路。
3. 优化电路参数，得出满足实验要求的电路。
实验步骤及结果1. 电路设计根据实验要求，我们设计了以下电路图：其中，RE1、RE2为两个发射极稳流器。
根据放大器的基本公式，我们可以计算出电路中各电阻的取值：R1=261ΩR2=1.1kΩR3=121kΩR4=6.5kΩR5=8.2kΩR6=39kΩR7=360ΩR8=4.7kΩ在仿真时，我们将R1、R2看作是一个整体R1//R2=228.1Ω，R6与R8也是一个整体，即R6//R8=8.81kΩ。
晶体管放大倍数β检测电路的设计
晶体管β值数显测量电路实验报告宁波大学科技学院理工分院课题五晶体管β值数显测量电路一、实验目的1、设计任务设计一个低频小功率NPN型硅三极管共射极电流放大倍数β值测量电路。
2、基本要求（1）β值的测量范围为50 ～ 250。
（2）接入晶体管后自动显示被测晶体管的β值，当没有接入晶体管时数码管显示为零。
（3）当接入晶体管的β值不在测量范围时，用发光二极管指示。
（4）测量精度为±5%。
（5）测量响应时间t<1S。
3、扩展要求（1）分档指示功能，当β值为50～100，100～180，180～250时，分别用发光二极管指示。
（2）能测量PNP管的β值。
二、实验原理由设计要求可知只要将被测晶体管的β值转换为对应的电压值，对β值的测量转变为对电压的测量。
将此电压进行比例调整后，进行A/D转换，然后进行译码显示即可。
其原理框图如图2-5-1所示。
三、单元电路设计参考1、β/V转换电路基本思路为：对被测晶体管输入一固定值的基极电流，则其集电极电流Ic=βIb，然后将集电极电流转换为电压即可。
基极电流的设置可以采用如下两种方式。
其一、如图2-5-2所示，选择恰当的基极偏置电阻Rb实现基极电流设置。
其二，利用恒流源实现基极电流的设置，如图2-5-3所示。
这种方式的优点是可以对锗管设置基极电流而不需要改变电路结构或元件参数。
由于要提供很小的基极电流，恒流源可以用如图2-5-4所示的微电流源实现。
微电流源的参考电流与输出电流之间的函数关系为：2、 比例调整电路比例调整电路的主要作用是将β/V 转换电路的输出电压作适当的调整提供给A/D 转换电路，以期得到一个适当的二进制数值，便于译码器显示对应的β值。
常用的比例电路有反相比例电路，同相比例电路，差动放大电路等。
在此介绍一下常用的三运放差动放大电路，电压如图2-5-6所示。
CSC S C b C R I U I I I I ===β10AR I U CC C μβ*==))(21(1220I I PU U R RU -+=6.19)21(255512510)21()21(28322=+=-==⨯+=+-PP C P R R LSB R R U R R 得：由：LM324N芯片引脚图3、A/D转换电路A/D转换电路将模拟量转换为数字量。
实验二晶体管放大电路的设计
晶体管放大电路的设计(设计性实验)一•设计题目：单极晶体管阻容耦合放大器的设计(1) 已知条件V Cc= +12V, F L= 2.4 K0 , V = 10mV R = 2K Q⑵性能指标要求A v>40, R>l , R O<2K「，F L<100H Z R>100kHz二•设计步骤及要求(1) 根据已知条件及性能指标要求，确定电路器件，设置静态工作点，计算电路元件参数。
(2) 在实验线路板上安装电路。
调整并测量静态工作点，使其满足设计计算值的要求。
(3) 测试性能指标，调整与修改元件参数值，使其满足放大器性能指标的要求。
三.实验方案与设计过程1. 工作原理图2-1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。
它的偏置电路采用嘉和甩组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R,以稳定放大器的静态工作点。
当在放大器的输入端加入输入信号U i后，在放大器的输出端便可得到一个与U i相位相反，幅值被放大了的输出信号U o，从而实现了电压放大。
2. 设计过程首先，选择电路形式及晶体管。
采用如图2-1所示的分压式电流负反馈偏置电路，可以获得稳定的静态工作点。
因放大器的上限频率要求较高，故选用高频小功率管，其特性参数山=20mA V BR)CEQ> 20V, fQ 150MHz通常要求B的值大于A的值，故选1 = 60。
其次，设置静态工作点并计算元件参数。
由于是小信号放大器，故采用公式法设置静态工作点Q,计算如下： 要求R>l （Rr 5），根据公式“r b (1「)嗨七00「皿I eQ (mA) I CQ (mA)I C Q 26mA = 2.2mA 1000 -300取 I CQ =2mA若取V bQ =3V,由 Re : V bQ -Vbe1 CQ由"誌―曲为使静态工作点调整方便， 尺2由20k 」固定电阻和100k 」电位器串联而 成。
由于(R S r be ) :: (R C R L ),比较「（3~10）25貝 ％）Q -(3~ 10)2二 f L (R c R L )由Cwef^er 8.2^取标称值10汀取C C =C b =10l F ,=1.15k 1，取标称值1k-1V CC V bQR b2 :R b1 =57kOV bQ20罟黑I CQ (mA)=1.08k 1由心二得V i__ L 妲r ber be A VR L R L'=1k 「， R L - R L综合考虑，取标称值2.4 k-R b1 ' R b22 、函数信号发生器 4 、交流毫伏表6、直流毫安表 8 、万用电表9、晶体三极管3DG6< 1（ 50〜100）或9011X 1、电阻器、电容器若干 五、实验内容实验电路如图2— 2所示。
《电子线路综合设计》晶体管放大器设计实验
《电子线路综合设计》晶体管放大器设计实验一、实验目的1、掌握普通单级放大器的结构及分析方法，了解共射放大器、共集放大器和共基放大器的特点；2、掌握各类晶体管放大电路的设计 Multisim 软件仿真。
3、引导学生制作一个普通放大器，通过亲自动手制作，以达到理解放大器的目的。
二、实验内容项目教学表任务1 电路仿真1、分析电路(1)放大管为 Q1 ，电容为 C1 (填写元器件序号)，其上偏电阻为R1 ，下偏电阻为R3 ，输入耦合、输出耦合电容为 C1,C2 ，集电极电阻为R2 ，发射极电阻R4具有稳定静态工作点作用，C3为旁路电容，其作用是增大电压放大倍数。
(2)分析工作点的稳定过程。
温度升高Icq增大，Ieq增大，Ueq增大，Ubeq（Ubq-Ueq）减小，Ibq减小，Icq减小。
2、三极管参数利用网络资源或三极管手册査阅三极管的主要参数,并填入表1中。
工具书可选用《新编国内外三极管速查手册》；网络资源可选用其他网站。
表1三极管参数3、电路仿真(使用Multisim件或其他仿真软件)(1) 画Multisim 理图，并将原理图粘贴在以下位置(注：电路绘制完毕，应通电试运行，看电路连接是否正确,若有故障，则应排除故障)。
(2) 测试电路用软件中的虚拟电压表和电流表测试电路的静态工作点，填写表2。
将接入虚拟电压表和电流表之后的电路粘贴在以下位置。
表2电路静态工作点(3) 波形观测用软件中的虚拟信号源从放大器的输入端输入一个正弦波信号(幅度为5~50mV，频率为1~10kHz)，用虚拟双踪示波器同时观测输入波形和输岀波形，并绘出波形图(在波形中标出幅度)，比较输入波形和输出波形的相位,填写表3。
表3波形观测输入为50mv任务2 电路设计与制作一、题目要求1、电路设计单管分压式稳定共射极放大电路设计，放大电路如图所示，在Multisim 软件中找出相应元件，连接电路。
输入信号u i=5mv，f=10kHz，输出信号u o=50mv，用分压式稳定单管共射极放大路进行设计。
晶体管放大电路的设计
晶体管放大器的设计与调测一、实验目的1、学习晶体管放大器的设计方法；2、研究静态工作点对输出波形的影响及静态工作点的调整方法；3、掌握静态工作点、电压放大倍数和输入输出电阻的测试方法；4、研究大信号激励下信号源内阻对波形失真的影响；二、实验原理在晶体管放大器的三种组态中，由于共射极放大器既有电流放大，又有电压放大，所以在以信号放大为目的时，一般用共射极放大器。
分压式电流负反馈偏置是共射放大器广为采用的偏置形式，如图3-1所示，由于负反馈的引入它的静态工作点的稳定性较高。
这里就以该电路为例介绍单管放大器的设计方法。
1、确定静态工作点电流I CQI CQ 的选取，在不同的情况下是不同的：（1）小信号工作情况时，非线性失真不是主要矛盾，因此，以其他因素来考虑，若以少耗电为主，工作点应选得低些，如图3-2中的Q 1点；如果耗电不是主要矛盾而需要放大倍数大些， 那么工作点可选得高些，如图3-2中的Q 2点。
一般小信号放大器取I CQ ＝0.5～2mA 。
图3-1 共发射极放大电路 图3-2 不同的工作点 （2）大信号工作情况时，非线性失真是主要矛盾，因此，考虑的因素主要是尽量大的动态范围又尽可能小的失真。
此时，应设计选择一个最佳负载，工作点尽量选在交流负载线的中央，如图3-2中的Q 3点。
如果设计指标中对放大器的输入电阻R i 有要求，也可以根据对R i 的要求来确定静态工作点I CQ 。
由图3-1可见21////B B be i R R r R = （3-1）CQb b CQ b b be I r I r r 2626)1(ββ+≈++=′′ （3-2） 对于小功率低频管r bb '的典型值为300Ω，小功率高频管r bb '，的典型值为50Ω，由于一般r b 比R B1∥R B2要小得多，因此在初选I CQ 时，可以近似认为R i ＝r be ，则由上式可确定I CQ 。
2、确定偏置电阻R B1，R B2的值根据这个电路的工作原理，只有当I 1远远大于I BQ 时，才能保证U BQ 恒定，；这是工作点稳定的必要条件。
晶体管共射放大电路设计
晶体管共射放大电路设计晶体管共射放大电路是一种常用的放大电路，可以将输入信号放大到较大的幅度。
在设计晶体管共射放大电路时，需要考虑多个因素，包括电压放大倍数、频率响应、稳定性等。
下面我将以详细的方式介绍晶体管共射放大电路的设计。
首先，我们需要选择适合的晶体管型号。
常见的晶体管型号有NPN型和PNP型。
在共射放大电路中，如果使用NPN型晶体管，我们需要将输入信号连接到基极，输出信号从集电极获取；如果使用PNP型晶体管，输入信号需要连接到基极，而输出信号从发射极获取。
在选择晶体管型号时，需要考虑其电压和电流的要求，以及频率响应等因素。
接下来，我们需要确定电路中的电阻和电容元件的取值。
在共射放大电路中，通常会使用三个电阻：基极电阻Rb，发射极电阻Re，负载电阻Rc。
这些电阻的取值可以根据需要进行计算。
通常情况下，基极电阻的取值在几千欧姆到几十千欧姆之间，发射极电阻的取值在几欧姆到几千欧姆之间，负载电阻的取值根据需要的电压放大倍数和功率来确定。
除了电阻之外，电容也是共射放大电路中重要的元件。
常用的电容有输入电容Ci和输出电容Co。
输入电容通常用于滤除输入信号中的高频噪声，输出电容通常用于滤除输出信号中的低频杂散信号。
这些电容的取值可以根据需要进行计算。
在选择电容值时，需要考虑电容与频率的关系，以及电路的带宽等因素。
设计晶体管共射放大电路还需要考虑静态工作点的确定。
静态工作点是晶体管在正常工作状态下的工作点，通常在集电极电流和集电极电压平衡的情况下确定。
静态工作点的选择需要考虑晶体管的最大功率和最大集电极电压的要求。
最后，在设计晶体管共射放大电路时，还需要进行电路的仿真和调试。
通过电路仿真软件，可以验证设计的电路的性能是否满足要求。
如果电路存在问题，可以对电路进行调试，尝试调整电阻和电容的取值，或者增加负反馈等方法来改善电路的性能。
综上所述，晶体管共射放大电路的设计需要考虑多个因素，包括选择适当的晶体管型号，确定电阻和电容的取值，确定静态工作点，以及进行电路的仿真和调试。
实验一、晶体管单级放大电路
三. 实验电路参考图
21
Rb3
200k
RC1
1.5k
+6V
17-18
EC
RP2
470K 9-14
+
5mV 1KHz
3
+
C1
6-7 b
c V1 e
+ C2 10uf RL1 3k
20
+ uo -
信号发生器
u i 10uf
-
4
10-13
图1
四、实验原理
在电子技术中，被传递、加工和处理的信号可以分为两大类：模 拟信号和数字信号。 模拟信号：在时间上和幅度上都是连续变化的信号，称为模拟信号。 数字信号定义：在时间和幅度上均不连续的信号，称为数字信号。 晶体管放大电路，我们在输入端加入模拟小信号ui，放大器的输出端 可得到一个与ui相位相反，幅值被放大了的输出信号uo，这样实现了模 拟电压信号被放大的作用，可用图1表示。我们在实验中要测这个试放 大器的放大倍数等参数。
IC，）填入表格1中。并与理论计算进行比较。用万用表直流电压档测试并调节 R 使 U
b1
C
=3V；
2. 1 测量静态参数与计算公式 这些内容是对应图1的参数测量
VCC U B IB Rb3 RP 2
2.2 表格 1
VCC U C IC RC1
晶体管放大倍数检测电路的设计与实现
设计晶体管放大因子检测电路就像为我们的电子朋友制造超级英雄服
我们需要确保它能够准确测量晶体管的放大系数，这就像了解我们英
雄的超能力。
电路应该是坚固的，能够承受噪音和其他干扰，如超级
英雄与反派的战斗。
当然，它应该负担得起，而且容易建造，只使用
现有的电子设备，这样我们的英雄服就可以被大量生产，并被广泛用
于各种电子冒险。
有了这套超级英雄套装我们的晶体管就可以在任何电子应用中拯救这一天了！
为了保证检测电路正常运转你需要一些重要的东西你需要一个偏差网络让晶体管安装在右侧，正确的收集器电流和基压。
你必须有一个
方法测量电流或电压，像使用一个测距或电压计。
你可能想要一些
信号处理和显示以合理的方式显示放大系数。
当你把这些东西放在一起时，检测电路可以做一个扎实的工作，找出晶体管在不同情况下的放大系数。
在实现检测电路时，必须利用各种电子电源和设计技术。
操作放大器，晶体管，电阻器，电容器可以用于偏导网络和信号测量器的建设。
对
模拟或数字信号处理进行了改进，以便进一步处理和分析测量数据。
电路设计必须考虑到晶体管特性和环境因素的潜在变化，以确保一致
和准确的测量结果。
正是通过在设计和实施过程中仔细考虑这些因素，才能实现可靠有效的晶体管放大系数检测电路。
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晶体管放大电路设计丁炳亮一、基础理论具体一个晶体管电路的计算其实并不困难，真正困难的是根据要求设计出合乎要求且实际性能优良的电路。
晶体管电路的计算主要是静态工作点和动态参数的估算。
首先需要准备一些基础知识用于理论计算。
1、晶体管计算中用到的几个重要公式：第一个公式是PN节伏安特性公式，公式中电流电压为直流。
第二个公式是共射接法时，BE的输入的动态电阻，经常用到的一个公式。
其中rbb比较小，当电流很小时可以忽略，或者认为是200欧，一些晶体管规格书会给出。
需要注意是计算交流等效电路时才有用到这个公式。
第三个公式只要记住26mV即可。
第四公式为转移电导，也就是把晶体管等效为电压控制电流源（h模型等效为CCCS，Pi模型等效为VCCS）。
第五、六个公式为考虑厄利电压时的共射直流放大倍数和CE间电阻，看作CCCS时CE间电阻应该是无穷，但是厄利电压的存在使得该值变小。
2、h等效和Pi等效（微变模型）一般工程计算使用简化的等效模型就能满足要求了。
简化的h等效模型简化的Pi等效模型3、共射电压增益h等效模型计算有Pi等效模型计算有，注意这个公式忽略了rbb，实际上在电流较大时是不能忽略的，例如β=200，ICQ=26mA，则(26mV/ICQ)* β=200欧，与rbb相近，因此BE结的电压约等于Ube/2。
利用上个公式在不考虑负载时有。
二、最简单的放大电路1、设计需求信号源最大幅度为50mV，三极管为9013，h=250，电源电压5V。
这里的h值是用万用表测量出来的，实际的电路设计中h值有一个较大的范围，所以需要考虑对静态工作点的影响。
2、静态工作点估算一般情况UCQ=Vcc/2，R3是为了减小失真，应该远大于rbe，但取的过大则实际输入到晶体管的电流就很小，这里取3.3K较为合适。
ICQ的确定是关键，需要先计算出最大的输入电流幅度，这里估计rbe=1K，则IBQ=50mV/4.3K=11.6uA，为了避免失真，另外考虑手头上现有的电阻值，所以IBQ设置为17.4uA，即R2=250K，R1=2.5V/(IBQ*h)=575欧，手头上只有510欧电阻，所以实际的UCQ=2.8V 左右。
C2和C1这里不做详细计算都选择用1uF的。
3、动态参数估计如上图是h等效电路，画出了等效电路就很容易计算动态参数。
rbe≈200+26mV*β/ICQ=1.7K，则电压增益为Au=Uo/Ui=-βib(R1//R4)/Ui=-(Ui/(rbe+3.3K))βR2/Ui=-βR2/(rbe+3.3K)=-25。
注：这里计算的是电压增益的绝对值，严格的需要用复数表示。
4、电路仿真电路仿真是为了进一般验证计算的正确性。
先断开信号源测量静态工作点和计算结构相符合。
接上信号源观察和测量输出电压（通道A红色、通道B蓝色）输出的上下电压值不对称，说明波形有轻度的失真，按输出1.1V计算电压增益为-22。
和理论计算基本相符。
5、电路搭接这个电路非常简单，就直接用面包板搭接即可。
信号源是用手机软件产生的正弦波。
6、参数测量静态工作点ICQ=2.83V。
输入波形达到要求，实际中发现由于信号源引线太长，且信号幅度非常小，导致有很多干扰信号，上面的波形是示波器设置了低通滤波，所以幅度会偏低些。
输出波形和仿真结果类似，都要轻微失真，按46mV输入，1.02V输出计算，电压增益为-22。
把R3改为5.5K则失真将减小，电压增益也将减小。
输出的电压值已经基本上是上下对称。
对着晶体管哈气，波峰变为840mV、波谷为-860mV。
说明温度对晶体管的h参数有很大影响。
三、加入直流电压串联负反馈加入直流负反馈是为了稳定静态工作点。
1、设计需求信号源最大幅度为50mV，三极管为9013，h=250，电源电压5V。
2、静态工作点估算首先需要讨论UEQ的电压取值对静态工作点稳定性的影响。
UEQ是反馈电压，UEQ与输入电压相减再输入到晶体管，所以是直流电压串联负反馈。
设UEQ的变化量为△UEQ，则ICQ的变化百分比为|△ICQ|/ICQ=|(UEQ+△UEQ)/Re-UEQ/Re|/(UEQ/Re)= △UEQ/UEQ，即UEQ取值越大越有利于静态工作点稳定，但是同时使得UC的动态范围减小（UC=Vcc-UEQ），输出的电压最大幅度也就减小了。
一般UEQ取1-2V即可，这里用的是5V电源，所以决定UEQ=1V，假设Ube对温度的变化为-2mV/℃,△T=20℃,则|△UEQ|=40mV,|△ICQ/ICQ|=|△UEQ/UEQ|=40mV/1V=4%，即ICQ变化为4%。
UCQ=(Vcc-UEQ)/2+UEQ=3VUBQ=UEQ+0.65V=1.65V,R2、R3的选取要满足VccR3/(R2+R3)=UBQ且Vcc/(R2+R3)>>IBQ,Vcc/(R2+R3)取1.6mA是足够的了，可解得R2=2093,R1=1031,实际取2K、1K，则UBQ=1.67V。
最大输入电流计算可以先用戴维南定律把R1、R2、R3及信号源等效为UI和RI，rbe估为1K，UI/(RI+rbe)=14.3uA,IBQ取15uA,则IEQ≈ICQ=IBQ*h=3.75mA。
R5=UEQ/IEQ=1V/3.75mA=266.7欧，实际用2个510欧并联代替，则IEQ=3.92mA。
R4=(Vcc-UCQ)/ICQ=2V/3.92mA =510欧3、动态参数估计根据原理图容易画出等效电路如上图。
rbe≈200+26mV*β/ICQ=1858欧Au=Uo/Ui=-βib(R4//R6)/Ui=-(UI/(RI+rbe))β(R4//R6)/Ui=21.54、电路仿真先断开信号源测量静态工作点与理论计算相符。
接上信号源观察和测量输出电压（通道A红色、通道B蓝色）输出波形上胖下廋，失真较为严重，测量失真度已经在10%左右。
主要原因是R1选小了。
选择输出944mV计算电压增益约为-19，基本相符。
5、电路搭接这个电路用简单的刀刻法，只刻出Vcc、GND、输入、输出四个节点。
6、参数测量静态工作点UCQ=3.03V，UEQ=0.97V，UBQ=1.64V输出波形失真情况和仿真结果类似，对着晶体管哈气波形峰值变为900mV，波谷为-840mV。
温度变化导致h发生变化，加入直流反馈并不能稳定电压增益，主要是为了稳定静态工作点。
7、加入交流负反馈为了减小失真和稳定电压增益需要引入交流负反馈，要求电压增益还为-20左右。
加入交流负反馈必然会使电压增益减小，所以必须把R1去除了，其他参数都保存不变。
为了确定R7的值需要先计算开环增益，再计算反馈系数。
开环增益容易得出为gm*R4（这里忽略了rbb），gm=ICQ/26mV=3.92mA/26mV=0.15077S。
反馈系数F=(R5//R7)/R4环路增益AF=gm(R5//R7)闭合增益Au=A/(1+AF)=20，带入上面的计算值可以解得R5//R7=18.9欧，即R7=20.4欧，实际只能用两个47欧并联代替，即23.5欧，因此电压增益为-17.5左右。
仿真波形如下仿真失真度为2.634%，失真度确实改善了许多，按780mV计算电压增益为-15.6，也基本符合理论计算。
实际电路测量如下和仿真波形结果基本吻合，电压增益按768mV计算为-15.36。
四、加入电压并联负反馈这个电路最早小时候在磁带机的电路原路图中看到过的，用于麦克风和磁头的初级放大。
由于反馈电阻并没有并联电容，所以引入的是交直流负反馈，既可以稳定静态工作点，又可以稳定电压增益，而且整个电路使用的器件少，非常适合作为简单的初级放大电路。
1、设计需求信号源最大幅度为50mV，三极管为9013，h=250，电源电压5V。
2、静态工作点估算由于引入了交流负反馈，看上去很难计算出正常工作时最大的ib值，实际上并不需要复杂的计算，电压并联负反馈，反馈量是电流，粗略计算往往认为电路引入的是深度负反馈，所以将有大部分的电流从R2中分流出去，而流进基极的电流将很小。
如果我们按开环来计算则计算出来的ICQ是足够满足要求的。
可以预测出该电路的静态工作电流非常小所以估算rbe时可以多估算些，我们就按2K估算（也容易列方程求解出）。
ib=Ui/(R3+rbe)=7.5uA，IBQ取7.7UA，UCQ=Vcc/2=2.5V，R1=UCQ/ICQ=UCQ/(IBQ*h)=1.3K，R2=(2.5V-0.65)/7.7uA=240K3、动态参数估计用节点电位法容易求解出电压增益。
列出以Ub和Uo所在节点的方程，可解出Ub=12.8mV，Uo=-1.03V,Au=Uo/Ui=-1.03V/50mV=-20.64、电路仿真先断开信号源测量静态工作点与理论计算相符接上信号源观察和测量输出电压（通道A红色、通道B蓝色）失真非常小，只有2.68%。
按-1V计算电压增益为-1V/50mV=20，与理论计算相符。
5、电路搭接依旧是刻3刀完成的，虽然看上去不美观，满足测量是没有问题的。
6、参数测量静态工作点测量，UCQ=2.6V，UBQ=0.67V输出波形和仿真结果基本接近，按900mV计算电压增益为-18。
对着晶体管哈气峰峰值为1.84V，最大不过1.88V。
引入交流负反馈确实对电压增益有较好的稳定作用。
五、多级非反馈放大电路1、设计需求信号源最大幅度为50mV，三极管为9013，h=250，9015，h=300，电源电压12V，电压增益80。
因为开环增益约为A1*A2，A2 =5V/26mV=192，估算A1时考虑Ri2=Rc1，即A1=A2/2=96，开环增益为192*96=18432，所以闭合增益需求为90是没有问题的。