最新中国科学院上海技术物理研究所
中国科学院上海技术物理研究所2019年博士研究生招生简章
中国科学院上海技术物理研究所2019年博士研究生招生简章中国科学院上海技术物理研究所（简称上海技物所）位于玉田路500号，创建于1958年，是以红外物理与光电技术应用基础为主要研究方向，集基础研究、工程技术研发和高新技术产业化为一体的综合型研究机构。
上海技物所以红外光电技术研究为定位，以红外光电新材料、新器件、新方法技术领域等作为主要研究方向，重点发展先进的航空航天有效载荷、红外凝视成像及信号处理、红外焦平面及遥感信息处理等技术。
此外本所还积极拓展先进医疗、量子通信等新兴交叉学科领域。
经过几十年的发展，上海技物所针对技术领域特点，形成具有自身特色的、覆盖“基础前沿—核心组部件—系统集成—国家需求”完整的研发体系。
建成了具备“从红外材料物质结构基础理论研究，红外探测器和红外焦平面、可见光探测器、空间制冷机等核心组部件研制，到航天航空以及装备用红外、光电探测系统技术”较为完整的科技活动创新技术链。
研究所设有研究室14个，建有红外物理国家重点实验室、传感技术联合国家重点实验室（光传感器专业点）、中科院红外成像材料与器件重点实验室、中科院红外探测与成像技术重点实验室、中科院空间主动光电技术重点实验室以及省部共建现场物证光学探测技术联合实验室。
上海技物所现有在岗职工1000余人。
其中专业技术人员950余人，包括中国科学院院士7人、中国工程院院士3人，各类国家级专家80余人次；研究员及正高级工程技术人员近150人、副研究员及高级工程师180余人。
其中，百千万人才工程国家级人选8人，万人计划3人，千人计划1人，青年千人计划1人，国家杰出青年基金获得者6人，国家优秀青年基金获得者2人，中科院百人计划入选者12人，中国科学关键技术人才6人，上海市领军人才13人，上海市科技精英3人。
截止2017年底，共有在研科研项目约314项（工程类56项，基础预研类258项）。
共获得990多项科技成果，其中省部级以上科技成果奖384项，国家级奖成果54项。
最新哈尔滨工业大学文献检索
[作者]王昭玲
[题目]信息技术应用于中专“半导体物理”课堂教学的研究
[培养单位]首都师范大学
[年代]2005-04-01
[摘要]本文从中专微电子专业的“半导体物理”课堂教学实践出发,依据建构主义学习理论,探索如何利用信息技术改革中专“半导体物理”课堂教学,激发学生主动学习的积极性;探讨如何挖掘出信息技术在半导体物理教学中应用的潜力,并有效地将信息技术应用在课堂教学中,使学生在课堂中获得较好的学习效果。
[文献来源]半导体学报
[年卷期] 2003年10期
[摘要] 简要介绍了第 2 6届国际半导体物理会议上一些受到广泛关注的课题 ,它们代表了半导体物理研究领域里的研究热点和前沿工作 ,希望能够为今后的研究工作提供一个参考方向 .
[作者]夏建白； 黄昆；
[摘要]:本书较系统全面地阐述了半导体物理的基础知识和典型半导体器件的工作原理、工作特性。具体内容包括：半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、半导体器件制备技术.
[作者]何宇亮
[书名]《非晶态半导体物理学 》
[出版年代]1989.06
[作者]张立莉
[题目]在半导体制造中使用物理气相沉积代替化学气相沉积来生长氮化钛阻挡层
[培养单位]天津大学
[年代]2008-12-01
[摘要] 本文采用物理气相沉积方法,并且结合半导体相关理论,对优化半导体整体制程中的氮化钛阻挡层的生长进行了深入的研究。本文介绍了半导体芯片制造的工艺流程,以及具体介绍物理气相沉积工艺的特性和控制参数。
[作者]陈军全； 陈星；
[题目]半导体器件和电路温度效应的多物理场协同计算
[出版社名称]高等教育出版社
上海技术物理研究所
上海技术物理研究所
上海技术物理研究所是中国科学院下属的研究机构，由上海光机所、上海辐射所和上海应物所合并而成。
成立于1958年，现位于上海浦东新区张江高科技园区。
上海技术物理研究所的研究方向广泛，涵盖了光电技术、辐射探测与控制技术、激光技术、核技术、探测与测量技术、新材料与器件技术等多个领域。
该研究所以解决国家安全和国防建设中的重大技术问题为己任，致力于开展高新技术研究和系统集成，为国家的科技进步和国防现代化建设做出重大贡献。
上海技术物理研究所在光电技术方面具有深厚的研究基础和重要的科研成果。
“明眸全息人脸防伪技术”、“微弱光源定位测量技术”、“新型相位遣除技术”等研究成果在国内外享有很高的声誉。
同时，该研究所还开展了激光聚变、精密光学、激光与光电材料、光电检测与成像等多个重要领域的研究工作，涉及到国家的重点研发项目和实际应用需求。
另外，在核技术方面，上海技术物理研究所也做出了卓越的贡献。
该研究所承担了很多国家重大科研项目，如核爆炸辐射与核爆炸地震检测、核穗合装置技术研究等。
通过研究和开发核物理探测、核分析技术、高能辐射治疗等先进技术，该研究所为维护国家安全和发展核能技术做出了重要贡献。
此外，上海技术物理研究所还注重培养人才，拥有一支高素质的科研团队。
该研究所积极开展国际合作与交流，与多个国际知名研究机构建立了紧密的合作关系，并吸引了众多国际优秀
科学家来访、合作和交流。
总之，上海技术物理研究所以其卓越的研究成果、深厚的科研实力和多领域的研究方向而享誉国内外。
它为中国的科技创新和国家安全做出了重要贡献，也在致力于为国家的经济和社会发展提供科技支撑。
遥感领域两院院士和中科院遥感所研究员
遥感领域两院院士和中科院遥感所研究员遥感领域两院院士和中科院遥感所研究员陈述彭，中国科学院院士中国科学院遥感应用研究所，中国科学院地理科学与资源研究所研究方向：GIS及遥感应用被誉为中国的“遥感之父”。
中国遥感和GIS的开拓者。
20世纪50年代，积极推动中国国家地图集的编制.60年代倡导航空像片系列制图与计算机辅助制图.70年代致力于开拓遥感应用,组织自然资源与城市环境航空遥感实验.80年代负责研制中国资源与环境信息系统国家规范,筹建资源与环境信息系统国家重点开放实验室.著有《地学的探索》文集6卷(1990-2003),《石坚文存》(1999);合著《遥感地学分析》(1985,1990)、《地理信息系统导论》二种教材,主编《地球系统科学》及《遥感大词典》(1990)二种工具书;主编《地学信息图谱》(2001);主编《地球信息科学》(1997一)及《遥感信息》(1986一)两种期刊.徐冠华，中国科学院院士国家科技部原部长，原中科院遥感所所长研究方向：资源遥感和地理信息系统在卫星数字图处理研究方面,发展了边界决策、训练样地分析、图分类、图斑综合、生物量估测等的理论和技术,研制成功中国最早的遥感卫星数字图处理系统;发展了遥感综合调查和系列制图的理论和方法,领导编制了第一部再生资源遥感综合调查与系列制图技术规程,在分类系统、制图比例尺、技术流程、专题图种类等方面具有开拓性和创造性;领导的"三北"防护林遥感综合调查课题在空间遥感应用规模、技术难度和时间要求上均取得突破.童庆禧，中国科学院院士中国科学院遥感应用研究所，北京大学研究方向：遥感技术与应用早年从事气候学、太阳辐射和地物遥感波谱特征研究.在中国首先提出关于多光谱遥感波段选择问题,并在理论、技术和方法上进行了研究.主持了中国科学院航空遥感系统的研制,"七五"攻关中发展成为具有国际先进水平的"高空机载遥感实用系统".倡导和开展了高光谱遥感研究,在岩石矿物识别、信息提取和蚀变带制图方面取得突破.根据植被光谱特征研究发展的高光谱导数模型和光谱角度相似性匹配模型等为高光谱遥感这一科技前沿的发展与应用奠定了基础.李小文，中国科学院院士中国科学院遥感应用研究所，北京师范大学研究方向：遥感信息处理创建了植被二向性反射Li-Strahler 几何光学模型,奠定了地物二向性反射研究中几何光学学派的基础.在赫姆霍兹互易原理在地表遥感中适用性(尺度效应)研究方面,给出赫姆霍兹互易原理用于非均一像元二向性反射的约束条件.在普朗克定律在地表遥感中尺度效应研究方面,建立了适用于非同温地表热辐射方向性的概念模型,首创了普朗克定律用于非同温黑体平面的尺度修正式及一般的非同温三维结构非黑体表面热辐射在像元尺度上的方向性和波谱特征的概念模型。
Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能-中国科学院上海技术物理
第３４卷第４期２０１５年８月红外与毫米波学报Ｊ.ＩｎｆｒａｒｅｄＭｉｌｌｉｍ.ＷａｖｅｓＶｏｌ.３４ꎬＮｏ.４Ａｕｇｕｓｔꎬ２０１５文章编号:１００１￣９０１４(２０１５)０４￣０４３２￣０５ＤＯＩ:１０.１１９７２/ｊ.ｉｓｓｎ.１００１￣９０１４.２０１５.０４.００９收稿日期:２０１４￣０６￣１３ꎬ修回日期:２０１５￣０７￣２７㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀Ｒｅｃｅｉｖｅｄｄａｔｅ:２０１４￣０６￣１３ꎬｒｅｖｉｓｅｄｄａｔｅ:２０１５￣０７￣２７基金项目:国家自然科学基金(６１１０６０９７ꎬ６１２０４１３４ꎬ１１３０４３３５)ꎬ中科院三期创新项目(Ｑ￣ＺＹ￣８７/Ｑ￣ＺＹ￣８８)Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎｉｔｅｍｓ:ＳｕｐｐｏｒｔｅｄｂｙＮａｔｉｏｎａｌＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＦｏｕｎｄａｔｉｏｎｏｆＣｈｉｎａ(６１１０６０９７ꎬ６１２０４１３４ꎬ１１３０４３３５)ꎬａｎｄｔｈｅＩｎｎｏｖａｔｉｏｎＰｒｏｇｒａｍｏｆＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓｏｆｔｈｅＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ(Ｑ￣ＺＹ￣８７/Ｑ￣ＺＹ￣８８)作者简介(Ｂｉｏｇｒａｐｈｙ):王㊀仍(１９８０￣)ꎬ女ꎬ山东滕州人ꎬ博士ꎬ主要从事Ⅱ￣Ⅵ族半导体材料生长研究.Ｅ￣ｍａｉｌ:ｔｉｏａｑｉ１９８０＠１６３.ｃｏｍ∗通讯作者(Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇａｕｔｈｏｒ):Ｅ￣ｍａｉｌ:ｊｃｌｘ１１１２＠１６３.ｃｏｍＡｕ掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能王㊀仍ꎬ㊀焦翠灵∗ꎬ㊀徐国庆ꎬ㊀张莉萍ꎬ㊀张可锋ꎬ㊀陆㊀液ꎬ㊀杜云辰ꎬ㊀邵秀华ꎬ㊀林杏潮ꎬ㊀李向阳(中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室ꎬ上海㊀２０００８３)摘要:采用气相外延技术生长Ａｕ掺杂的Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ薄膜材料ꎬ利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量ꎬ分析了常规Ａｕ掺杂ｐ型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化ꎬ利用二次离子质谱(ＳＩＭＳ)分析薄膜中Ａｕ的纵向分布趋势.讨论了三种反常ｐ型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量ꎬ分析了具有反型层Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ薄膜的迁移率谱ꎬ证实了由于表面电子㊁体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能.关㊀键㊀词:Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ晶体ꎻ磁输运ꎻ迁移率谱ꎻ二次离子质谱中图分类号:ＴＮ２１３㊀㊀文献标识码:ＡＧｒｏｗｔｈｏｆＡｕ￣ｄｏｐｅｄＨｇ１￣ｘＣｄｘＴｅｅｐｉｔａｘｉａｌｃｒｙｓｔａｌｓａｎｄｉｔｓＲａｍａｎｓｐｅｃｔｒｕｍＷＡＮＧＲｅｎｇꎬ㊀ＪＩＡＯＣｕｉ￣Ｌｉｎｇ∗ꎬ㊀ＸＵＧｕｏ￣Ｑｉｎｇꎬ㊀ＺＨＡＧＮＬｉ￣Ｐｉｎｇꎬ㊀ＺＨＡＮＧＫｅ￣Ｆｅｎｇꎬ㊀ＹＥＬｕꎬ㊀ＤＵＹｕｎ￣Ｃｈｅｎꎬ㊀ＳＨＡＯＸｉｕ￣Ｈｕａꎬ㊀ＬＩＮＸｉｎｇ￣Ｃａｏꎬ㊀ＬＩＸｉａｎｇ￣Ｙａｎｇ(ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＩｎｆｒａｒｅｄＩｍａｇｉｎｇＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＤｅｔｅｃｔｏｒｓꎬＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓꎬＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓꎬＳｈａｎｇｈａｉ２０００８３ꎬＣｈｉｎａ)Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ａｕ￣ｄｏｐｅｄＨｇ１￣ｘＣｄｘＴｅｅｐｉｔａｘｉａｌｌａｙｅｒｓｗｅｒｅｇｒｏｗｎｂｙｖａｐｏｒｐｈａｓｅｅｐｉｔａｘｉａｌｍｅｔｈｏｄ.ＴｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＨｇ１￣ｘＣｄｘＴｅｅｐｉｔａｘｉａｌｌａｙｅｒｓｗｅｒｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｂｙＨａｌｌｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ.ＰｒｏｆｉｌｅｏｆＡｕｉｎＨｇ１￣ｘＣｄｘＴｅｅｐｉｔａｘｉａｌｌａｙｅｒｓｗａｓｒｅｖｅａｌｅｄｂｙＳｅｃｏｎｄａｒｙｉｏｎｍａｓｓｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ(ＳＩＭＳ)ｍｅｔｈｏｄ.ＨａｌｌｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔａｎｄＨａｌｌｍｏｂｉｌｉｔｙｏｆｔｈｒｅｅａｂｎｏｒｍａｌＰｔｙｐｅｓａｍｐｌｅｓｗｅｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄ.Ｍｏｒｅｏｖｅｒꎬｖａｒｉａｂｌｅ￣ｍａｇｎｅｔｉｃ￣ｆｉｅｌｄＨａｌｌｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｗａｓｐｅｒｆｏｒｍｅｄｏｎＨｇ１￣ｘＣｄｘＴｅｗｉｔｈａｎｔｉｔｙｐｅｅｐｉｔａｘｉａｌｌａｙｅｒ.ＭｏｂｉｌｉｔｙｓｐｅｃｔｒｕｍａｎａｌｙｓｉｓｗａｓｅｍｐｌｏｙｅｄｔｏｖｅｒｉｆｙｓｕｒｆａｃｅｅｌｅｃｔｒｏｎｓꎬｂｕｌｋｅｌｅｃｔｒｏｎｓａｎｄｂｕｌｋｈｏｌｅｓｍｉｘｅｄｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｉｎＨｇ１￣ｘＣｄｘＴｅｅｐｉｔａｘｉａｌｌａｙｅｒｓ.Ｋｅｙｗｏｒｄｓ:Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅｃｒｙｓｔａｌꎬｍａｇｎｅｔｏ￣ｔｒａｎｓｐｏｒｔꎬｍｏｂｉｌｉｔｙｓｐｅｃｔｒｕｍꎬｓｅｃｏｎｄａｒｙｉｏｎｍａｓｓｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ(ＳＩＭＳ)ＰＡＣＳ:８１.６５.Ｃｆ引言Ａｕ掺杂Ｐ型Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ材料在红外器件制作领域具有较为广泛的应用ꎬ主要是由于Ａｕ掺杂的Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ材料相对于Ｈｇ空位的Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ材料其少子寿命要高出２￣３个数量级.在７７ｋ温度下ꎬ利用离子注入Ａｕ掺杂的Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ材料制成的面阵器件性能明显优于本征掺杂Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ面阵器件.在Ａｕ掺杂Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ材料的制作和研究方面ꎬ美国的ＤＲＳ和德国的ＡＩＭ均做了大量工作ꎬ并取得了较好的结果.２００４年ꎬＡ.Ｉ.ＤＳｏｕｚａ[１]报道了美国ＤＲＳ金和铜掺杂的ＨＤＶＩＰ(高密度垂直互连光电二极管)ꎬ分别测量了Ｃｕ和Ａｕ掺杂的中波５ｕｍＨＤ￣ＶＩＰ(７８Ｋ)红外探测器在有光照和无光照环境中噪声和频率的函数关系ꎬ在无光照情况下ꎬ铜掺杂红外探测器ＲｏＡ值却比Ａｕ掺杂红外探测器的要低５倍.２００８年ꎬＫ.Ｍ.Ｍａｈｌｅｉｎ[２]报道了德国ＡＩＭ利用Ａｕ掺杂碲镉汞ＶＬＷＩＲ(甚长波红外光电二极管)和短波红外成像(２.７１μｍ＠３００Ｋ)ＡＰＤ(雪崩光电二极管)的最新结果.对于ｎ￣ｏｎ￣ｐ结构的ＶＬＷＩＲ二极管ꎬ相比汞空位掺杂碲镉汞而言ꎬＡｕ掺杂ＬＰＥ碲镉汞薄膜材料将减少饱和电流ꎬ其增益因子大于１０.４期王㊀仍等:Ａｕ掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能研究相对于Ａｓ掺杂难以激活的问题ꎬＡｕ掺杂或许是下一代ｐ型碲镉汞的主流发展方向.由于Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ材料是敏感的红外材料ꎬ因此ꎬ关于Ａｕ掺杂材料的具体外延工艺以及相关电学性能研究报道较少.本文拟借助气相外延技术生长Ａｕ掺杂Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ薄膜材料ꎬ并通过霍尔测量手段对Ａｕ掺杂外延材料的电学性能进行分析.１㊀气相外延生长根据等温气相外延原理[３]ꎬ自行搭建气相外延系统生长Ａｕ掺杂的Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ材料ꎬ通过后期退火工艺实现优质Ａｕ掺杂的ｐ型Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ薄膜材料生长.对于等温气相外延的生长原理实际包括生长和扩散两个过程[４]ꎬ生长过程是ＨｇＴｅ沉积到ＣｄＴｅ上形成外延层ꎬ而这种生长的驱动力来自于ＨｇＴｅ源的汞压ＰＨｇ和碲压ＰＴｅ２均大于ＣｄＴｅ衬底表面的汞压ＰｅＨｇ(ｘ)和碲压ＰｅＴｅ(ｘ)ꎬ即满足公式(１)条件时即可发生外延ꎬ这时外延以生长为主ꎬ外延材料表面组分较低ꎬ但在衬底表面也在同时发生扩散过程ꎬ扩散过程是外延在ＣｄＴｅ衬底上的ＨｇＴｅ薄膜在ＣｄＴｅ上进行互扩散.当ＨｇＴｅ源的汞压ＰＨｇ和碲压ＰＴｅ２均小于ＣｄＴｅ衬底表面的汞压ＰｅＨｇ(ｘ)和碲压ＰｅＴｅ(ｘ)时生长过程停止ꎬ扩散过程占主导ꎬ因此外延层表面组分开始升高ꎬ继而ＨｇＴｅ源的汞压ＰＨｇ和碲压ＰＴｅ２又开始大于ＣｄＴｅ衬底表面的汞压ＰｅＨｇ(ｘ)和碲压ＰｅＴｅ(ｘ)ꎬ生长又占主导ꎬ如此反复ꎬ最后根据生长时间㊁生长温度㊁源材料的量㊁汞压等变量的调节ꎬ形成所设计组分的Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ材料ꎬ如式(２).ＰＨｇ>ＰｅＨｇ(ｘ)ꎬ㊀ＰＴｅ２>ＰｅＴｅ(ｘ)(１)(１￣ｘ)Ｈｇｇ＋１２Ｔｅ２ｇ＋ｘＣｄＴｅｇңＨｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ(２)本实验Ａｕ掺杂Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ外延材料的生长温度采取５００ħꎬ生长时间５ｈꎬ退火温度２２０ħ㊁退火时间２３~２５ｈꎬ退火汞分压为０.１ａｔｍꎬ以消除汞空位ꎬＡｕ掺杂浓度控制在５~７Ｅ＋１６ｃｍ￣３.由于Ａｕ是快扩散杂质ꎬ在Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ材料中非常容易扩散ꎬ并且激活能较小ꎬ很容易激活.Ａｕ￣Ｔｅ键与Ｈｇ￣Ｔｅ键都是较强的极性共价键ꎬ从原子半径的角度看ꎬＡｕ和Ｈｇ原子的共价半径分别为１.３４Å和１.４９Åꎬ导致Ａｕ￣Ｔｅ键的键长小于Ｈｇ￣Ｔｅ键键长.当Ａｕ原位取代Ｈｇ原子之后ꎬ在Ａｕ与第一邻近的Ｔｅ原子之间靠近Ｔｅ方向上会有电荷聚集ꎬ相对掺杂前具有较强的成键作用[５].因此ꎬＡｕ在Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ外延层中是很容易形成的受主杂质.通过霍尔测试可以有效分析Ａｕ掺杂Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ外延材料的电学性能.２㊀变温电学性能分析利用霍尔测试系统研究了材料的相关电学性质ꎬ所采用样品均为中波(ｘ＝０.２６５)Ａｕ掺杂Ｈｇ１￣ｘＣｄｘＴｅ薄膜材料ꎬ变温测试条件为:固定磁场２０００高斯ꎬ温度１５~３００Ｋ变化ꎬ每隔１５Ｋ测试一次ꎬ得到载流子浓度㊁迁移率和电阻率随温度的变化趋势.图１是典型Ａｕ掺杂ｐ型外延薄膜的霍尔导电性质随温度的变化.图中样品１４０６３的霍尔系数随温度变化的趋势为:随温度的降低ꎬ霍尔系数先升高再降低ꎬ图中最低点温度为１０５ＫꎬＴ>１５０Ｋ时为左端高温区ꎬ处于本征激发区ꎬ具有较高迁移率的本征电子为主要导电类型ꎬ霍尔系数Ｒｈ为负.当温度由１５０Ｋ降至１０５Ｋꎬ随着电子浓度的锐减ꎬ样品处于混合导电区ꎬ但由于电子具有较高的迁移率ꎬ因此电子导电仍然为主导导电类型ꎬ直至１０５Ｋ空穴导电开始起主导作用ꎬ霍尔系数Ｒｈ变为正ꎬ随着温度的降低ꎬ霍尔系数开始升高ꎬ最后趋于平缓.图１中霍尔迁移率和霍尔系数随温度的变化趋势基本一致ꎬ低温区Ｐ型材料的载流子迁移率均在１Ｅ３ｃｍ２/Ｖｓ以下ꎬ在７７Ｋ温度时霍尔浓度为正ꎬ其值约为５.６Ｅ１６ｃｍ￣３ꎬ这表明在液氮温度下ꎬＡｕ原子已经表现为受主掺杂行为.但是ꎬ当对大量Ａｕ掺杂外延薄膜电学性能测试时ꎬ有些外延片电学性能却不遵循图１中的这种变化趋势ꎬ这主要是由于窄禁带碲镉汞外延材料其电学性能很容易受表面和界面的干扰ꎬ造成在纵向上存在不均匀性ꎬ因而会产生一些反常的霍尔效应.关于ＨｇＣｄＴｅ的反常霍尔效应有过较多研究[８￣１０]ꎬ图２给出本实验金掺杂气相外延薄膜材料中三种常见反常Ｐ型霍尔曲线.第一类是图２(ａ)中的１３０１４样品ꎬ在高温区其霍尔系数为负ꎬＲｈ<０ꎬ此处主要是本征激发区ꎬ混合导电ꎬ电子导电占主要的导电机制ꎬ然而在低温非本征激发区ꎬ随着温度降低ꎬ材料的霍尔系数由正转化为负ꎬ此时导电机制与Ｐ型和Ｎ型的导电机制均不符合ꎬ是反常的Ｐ型材料ꎬ１３０１４在最低温处出现了电子导电ꎬ主要由于随着温度的下降ꎬ空穴浓度开始降低ꎬ表面电荷对导电机制的影响加大ꎬ从而导致霍尔系数的反转.第二类是图２(ｂ)中的１３０１５样品ꎬ霍尔系数Ｒｈ在整个测试区域均为负ꎬ在本征区尾部却出现了反常的 峰３３４红外与毫米波学报３４卷图１㊀霍尔导电性质随温度变化曲线(样品１４０６３)Ｆｉｇ１㊀ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆＨａｌｌｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔａｎｄＨａｌｌｍｏｂｉｌｉｔｙ(ｓａｍｐｌｅ:１４０６３)值 ꎬ相应的霍尔迁移率也在高温时达到了一个 峰值 ꎬ而随着温度的降低ꎬ其值降至１０３ｃｍ２/Ｖｓ以下.低温阶段ꎬ霍尔系数及霍尔迁移率均随着温度降低而缓慢增加.该类样品虽然霍尔系数为负ꎬ但其霍尔迁移率明显不符合标准Ｎ型材料的性能ꎬ因此ꎬ在随后的变磁场测试中验证了主要是由于表面反型层造成的这种弱Ｎ型电学性能.其内部空穴导电性能之有在７７ｋ温度下才能显现出来ꎬ但由于表面和体内电子导电均较强ꎬ样品仍然保持Ｎ型导电类型.这种变化趋势与Ｌ.Ｆ.Ｌｏｕ[１０]报道的某些反常液相外延霍尔曲线一致.第三类是图２(ｃ)中的１４０１２样品ꎬ霍尔系数Ｒｈ在接近整个测试区域均为正ꎬ在高温区尾部却出现了反常的 转型 ꎬ霍尔系数为负ꎬ相应的霍尔迁移率也在高温时达到了一个 谷值 .对于这种样品ꎬ主要是由于Ａｕ掺杂以及后期退火造成的强Ｐ型导电类型造成ꎬ即使在接近室温的本征激发区也是空穴导电ꎬ直至室温才勉强转为很弱的电子导电.以上三种反常霍尔效应的前两种主要是由于材料的表面反型层造成的ꎬ这与仇光寅[６]报道的液相外延反常霍尔系数类似ꎬ对于碲镉汞材料ꎬ由于其禁带宽度窄㊁表面稳定性差ꎬ容易受材料表面加工处理及污染颗粒的影响形成表面反型层ꎬ并且在退火过程中ꎬ如果工艺控制不当也会造成某种程度的反型.杨建荣[１１]也曾报道了影响电学参数准确性的主要原因是材料的不均匀性ꎬ而碲镉汞材料表面层效应又是造成这种不均匀性的主要因素ꎬ特别是对Ｐ型材料电学参数的影响特别严重.３ 变磁场电学性能分析对于图２中的三种反常Ｐ型霍尔导电类型ꎬ图图２㊀Ｐ型反常霍尔导电性质随温度变化曲线Ｆｉｇ２㊀ＨａｌｌｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔａｎｄＨａｌｌｍｏｂｉｌｉｔｙｏｆａｂｎｏｒｍａｌＰｔｙｐｅｓａｍｐｌｅｓ２(ｂ)样品１３０１５在整个温度变化区间全部表现为电子导电ꎬ但其迁移率明显偏低又不符合标准Ｎ型材料的性能ꎬ因此ꎬ采用变磁场霍尔测试手段对该样品进一步分析.变磁场测试条件为:在７７Ｋ(或１５０Ｋ)温度下进行变磁场测试ꎬ磁场变化范围为０~１.４Ｔꎬ通过迁移率谱理论[１２]判断样品中的载流子种类ꎬ以及每种载流子的迁移率和对电导的贡献.图３(ａ)是样品１３０１５在１５０Ｋ下测的空穴和电子的迁移率谱ꎬ从图中看出在１５０Ｋ温度时ꎬ电子４３４４期王㊀仍等:Ａｕ掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能研究导电为主ꎬ其中ｎｓ为１.７３Ｅ＋４ｃｍ２/Ｖｓ是表面电子导电ꎬｎｂ为５.３９Ｅ＋４ｃｍ２/Ｖｓ是体电子导电.图３(ｂ)是样品１３０１５在７７Ｋ下测的迁移率谱ꎬ当温度由１５０Ｋ降至７７Ｋꎬ迁移率在１６９ｃｍ２/Ｖｓ处明显出现了一个峰值ꎬ这种电学性质是Ｐ型材料的霍尔迁移率ꎬ主要由于空穴导电造成ꎬ因此可以断定１３０１５样品实际是Ｐ型材料ꎬ但是由于ｎｓ㊁ｎｂ两种电子导电仍然存在ꎬ材料表现为体电子㊁表面电子㊁体空穴三种载流子混合导电的情况ꎬ由于电子迁移率较高ꎬ因此最终表现为电子导电为主的弱Ｎ型混合导电ꎬ７７Ｋ下的霍尔迁移率为８.７１Ｅ＋２ｃｍ２/Ｖｓ.所以出现了图２(ｂ)那种随温度变化反常的霍尔导电性质.对于１３０１５这种混合导电的样品可以通过去除表面反型层㊁对样品进行退火ꎬ纯化源材料等手段以消除表面电子和体电子的混合导电ꎬ将其改性为标准Ａｕ掺杂的Ｐ型材料.图３㊀不同温度下的迁移率谱(样品１３０１５)Ｆｉｇ３㊀Ｍｏｂｉｌｉｔｙｓｐｅｃｔｒｕｍｓａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ(ｓａｍｐｌｅ:１３０１５)４㊀二次离子质谱分析二次离子质谱是利用一次离子轰击样品表面产生二次离子ꎬ然后按荷质比进行分离ꎬ以分析样品成分分布.因此ꎬ本实验借助二次离子质谱手段ꎬ对典型Ａｕ掺杂薄膜材料(样品１４０６３)纵向Ａｕ分布情况进行分析.激发源采用Ｏ２＋ꎬ激发电流为５７２ｎＡ.通过对溅射时间的控制ꎬ可以形成样品在纵向深度上的二次离子分布谱ꎬ图４为样品１４０６３的二次离子质谱图(ＳＩＭＳ).由于标样制备较为困难ꎬ图４定性给出Ａｕ原子浓度在薄膜中分布曲线ꎬ横坐标为溅射时间ꎬ纵坐标为收集的二次离子强度.图４中可以看出ꎬ随着溅射时间的延伸ꎬＡｕ原子浓度纵向分布是不均匀的ꎬ由外延层到衬底处逐渐递减直至最后消失.Ａｕ原子浓度的分布趋势与ＨｇＣｄＴｅ薄膜中的Ｃｄ分布有关ꎬ通过图４中虚线位置可以看出:随着界面处Ｃｄ组分的增加ꎬＡｕ原子浓度与Ｈｇ原子浓度的变化趋势一致ꎬ均为递减分布.这种变化趋势与仇光寅[６]报道的液相外延Ａｕ掺杂趋势相反.在此认为可能由于液相外延是富Ｔｅ生长ꎬ而气相外延实际是在富汞气氛下生长㊁退火ꎬＡｕ原子在高温富汞气氛下会向表面扩散ꎬ类似一种 表面吸杂 效应[７].虽然Ａｕ原子是快扩散杂质ꎬ但也不会全部扩散到表面ꎬ还是会形成这种梯度的纵向分布.图４㊀ＨｇＣｄＴｅ气相外延薄膜的二次离子质谱图(ＳＩＭＳ)(样品１４０６３)Ｆｉｇ４㊀ＳＩＭＳｐｒｏｆｉｌｅｏｆＨｇＣｄＴｅｇｒｏｗｎｏｎＣｄＺｎＴｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｂｙＶＰＥ(ｓａｍｐｌｅ:１４０６３)５㊀结论通过气相外延方法生长出Ａｕ掺杂碲镉汞薄膜材料ꎬ利用变温霍尔测试分析了典型Ａｕ掺杂Ｐ型外延材料的电学性能ꎬ对于典型Ａｕ掺杂碲镉汞薄膜材料ꎬ其霍尔迁移率和霍尔系数随温度的变化趋势基本一致ꎬ低温区Ｐ型材料的载流子迁移率均在１Ｅ３ｃｍ２/Ｖｓ以下ꎬ７７Ｋ时霍尔浓度为正ꎬ其值约为５.６Ｅ１６ｃｍ￣３ꎬ这表明在液氮温度下ꎬＡｕ原子已经表５３４红外与毫米波学报３４卷现为受主掺杂行为.通过变温霍尔测试研究了三种反常Ｐ型Ａｕ掺杂霍尔电学性能随温度的变化ꎬ其中两种反常霍尔效应由于材料表面反型层造成ꎬ机理与液相外延的反常霍尔效应类似.另外一种反常霍尔效应主要来源于过度退火造成的强Ｐ型薄膜材料.利用变磁场测试分析了具有表面反型层碲镉汞薄膜材料在１５０Ｋ和７７Ｋ温度下的迁移率谱ꎬ当温度由１５０Ｋ降至７７Ｋꎬ其导电类型由电子导电转为空穴导电为主导ꎬ但是由于ｎｓ㊁ｎｂ两种电子导电的存在ꎬ且电子迁移率较高ꎬ因此最终表现为电子导电为主的弱Ｎ型混合导电ꎬ证实了由于表面电子㊁体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能.最后ꎬ通过二次离子质谱定性分析了Ａｕ掺杂碲镉汞薄膜材料中相关元素的分布趋势ꎬ由于气相外延实际是在富汞气氛下生长和退火ꎬ存在一种类似 表面吸杂 效应ꎬ造成Ａｕ原子在高温富汞气氛下会向表面扩散ꎬ从而形成Ａｕ原子浓度从外延层到衬底呈纵向梯度分布.本研究结果对Ａｕ掺杂Ｐ型碲镉汞薄膜材料的电学性能研究以及生长㊁退火等工艺控制提供了实验和理论依据.Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ[１]ＳｏｕｚａＡＩＤꎬＳｔａｐｅｌｂｒｏｅｋＭＧꎬＢｒｙａｎＥＲ.Ａｕ￣ａｎｄＣｕ￣ｄｏｐｅｄＨｇＣｄＴｅＨＤＶＩＰＤｅｔｅｃｔｏｒｓ[Ｊ].Ｐｒｏｃ.ｏｆＳＰＩＥＶｏｌ.５４０６ꎬＳＰＩＥꎬＢｅｌｌｉｎｇｈａｍꎬＷＡꎬ２００４.[２]ＭａｈｌｅｉｎＫＭꎬＢａｕｅｒＡ.ＮｅｘｔｇｅｎｅｒａｔｉｏｎＩＲｓｅｎｓｏｒｔｅｃｈｎｏｌｏ￣ｇｙｆｏｒｓｐａｃｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓａｔＡＩＭ[Ｊ].Ｐｒｏｃ.ｏｆＳＰＩＥꎬ２００８ꎬ７１０６:７１０６１Ｊ２００８.[３]ＳｈｉｎＳＨꎬＧｅｒｔｎｅｒＥＲꎬＰａｓｋｏＪＧꎬｅｔａｌ.Ｉｓｏｔｈｅｒｍａｌｖａｐｏｒ￣ｐｈａｓｅｅｐｉｔａｘｙｏｆＨｇＣｄＴｅｏｎＣｄＴｅａｎｄＡｌ２Ｏ３ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ[Ｊ].Ｊ.Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.１９８５ꎬ５７(１０):４７２１￣４７２６. [４]ＰｉｏｔｒｏｗｓｋｉＪꎬＤｊｕｒｉｃＺꎬＧａｌｕｓＷꎬｅｔａｌ.ＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｎｄｔｈｉｃｋｎｅｓｓｃｏｎｔｒｏｌｏｆＣｄＨｇＴｅｌａｙｅｒｓｇｒｏｗｎｂｙｏｐｅｎｔｕｂｅｉｓｏ￣ｔｈｅｒｍａｌｖａｐｏｕｒｐｈａｓｅｅｐｉｔａｘｙ[Ｊ].Ｊ.Ｃｒｙｓ.Ｇｒｏｗｔｈ.１９８７ꎬ８３:１２２￣１２６.[５]ＨＡＮＪｉｎ￣ＬｉａｎｇꎬＳｅｖｅｒａｌＰ￣ｔｙｐｅｄｏｐｉｎｇｉｎＨｇＣｄＴｅ:Ｆｉｒｓｔ￣ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓｓｔｕｄｙ[Ｄ].ＸｉａｎｇｔａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ(韩金良.ＨｇＣｄＴｅ材料几种Ｐ型掺杂的第一性原理研究.湘潭大学)２００９.[６]ＱＩＵＧｕａｎｇ￣Ｙｉｎ.ＳｔｕｄｙｏｎＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎａｎｄＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＰ￣ｔｙｐｅｄｏｐｅｄＨｇＣｄＴｅ[Ｄ].ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ(仇光寅ꎬＰ型掺杂碲镉汞材料的制备及性质研究.上海技术物理研究所)２０１３.[７]ＷＡＮＧＪｕｅ.ＴｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓａｎｄｄｅｆｅｃｔｓｏｎｐｈｙｓｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＨｇＣｄＴｅｃｒｙｓｔａｌａｎｄｔｈｅｃｏｎｔｒｏｌｍｅｔｈ￣ｏｄｓ[Ｄ].(王珏.杂质㊁缺陷对ＨｇＣｄＴｅ晶体材料物理性能的影响及控制)１９８９.[８]ＣｈｅｎＭＣ.ＴｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆｔｈｅａｎｏｍａｌｏｕｓＨａｌｌｅｆｆｅｃｔｓｉｎｐ￣ｔｙｐｅＨｇＣｄＴｅ[Ｊ].Ｊ.Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.ꎬ１９８９ꎬ６５(４):１５７１￣１５７７.[９]ＡｑａｒｉｄｅｎＦꎬＳｈｉｎＨＤꎬＫｉｎｃｈＭＡꎬｅｔａｌ.Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｒｏｐ￣ｅｒｔｉｅｓｏｆｌｏｗ￣ａｒｓｅｎｉｃ￣ｄｏｐｅｄＨｇＣｄＴｅｇｒｏｗｎｂｙｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ[Ｊ].Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.Ｌｅｔｔ.ꎬ２００１ꎬ７８(２２):３４８１￣３４８３[１０]ＬｏｕＬＦꎬＦｒｙｅＷＨ.Ｈａｌｌｅｆｆｅｃｔａｎｄｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙｉｎｌｉｑｕｉｄ￣ｐｈａｓｅ￣ｅｐｉｔａｘｉａｌｌａｙｅｒｓｏｆＨｇＣｄＴｅ[Ｊ].Ｊ.Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.１９８４ꎬ５６(８):２２５３￣２２６７.[１１]ＹＡＮＧＪｉａｎ￣Ｒｏｎｇ.ＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆＨｇＣｄＴｅＭａ￣ｔｅｒｉａｌｓ[Ｍ].ＮａｔｉｏｎａｌＤｅｆｅｎｓｅＩｎｄｕｓｔｒｙＰｒｅｓｓ.(杨建荣ꎬ碲镉汞材料物理与技术ꎬ国防工业出版社)２０１２. [１２]ＺＨＡＮＧＫｅ￣ＦｅｎｇꎬＬＩＮＴｉｅꎬＷＡＮＧＮｉ￣Ｌｉꎬｅｔａｌ.ＳｔｕｄｙｏｎＰ￣ｔｙｐｅＨｇＣｄＴｅｓｉｎｇｌｅｃｒｙｓｔａｌｓｂｙｍｏｂｉｌｉｔｙｓｐｅｃｔｒｕｍａｎａｌｙ￣ｓｉｓ[Ｊ]Ｊ.ＩｎｆｒａｒｅｄＭｉｌｌｉｍ.Ｗａｖｅｓ.(张可锋ꎬ林铁ꎬ王妮丽ꎬ等.利用迁移率谱技术研究Ｐ型碲镉汞材料.红外与毫米波学报)２０１１ꎬ３０(４):３０１￣３０４.６３４。
中国科学院在各地有多少个研究所？
中国科学院是我国最高的综合性科研机构，旨在开展基础研究和高技术创新，为国家的经济建设和社会发展做出贡献。
目前，中国科学院在全国范围内共有127个研究所，分布在北京、上海、广州、昆明、兰州、长春、南京等地。
这些研究所涵盖了物理、化学、生物、地球科学、信息技术、环境科学等多个领域，是我国科技创新的重要力量。
北京是中国科学院的总部所在地，也是其最大的研究所群体所在地。
在北京，中国科学院共有48个研究所，包括物理、化学、生物、信息技术、空间科学、地球科学、社会科学等多个领域。
其中，中国科学院物理研究所是我国最重要的物理研究机构之一，曾经培养了许多著名的物理学家，如杨振宁、李政道等。
中国科学院生物物理研究所则是我国最重要的生物物理学研究机构之一，曾经发现了许多重要的生物学现象，如DNA的双螺旋结构等。
中国科学院还在北京设立了国家天文台、国家授时中心等重要机构，为我国的科技发展做出了重要的贡献。
上海是我国的经济中心和科技创新中心，也是中国科学院在华东地区的重要研究所群体所在地。
在上海，中国科学院共有11个研究所，涵盖了物理、化学、生物、信息技术等多个领域。
其中，中国科学院上海生命科学研究院是我国最重要的生命科学研究机构之一，曾经发现了许多重要的生命科学现象，如RNA干扰等。
中国科学院上海技术物理研究所则是我国最重要的光电子学研究机构之一，曾经发明了许多重要的光电子学器件，如激光器、光纤通信等。
广州是我国的南方科技中心，也是中国科学院在华南地区的重要研究所群体所在地。
在广州，中国科学院共有5个研究所，涵盖了生物、环境、材料等多个领域。
其中，中国科学院广州地球化学研究所是我国最重要的地球化学研究机构之一，曾经发现了许多重要的地球化学现象，如稀土元素的分布规律等。
中国科学院广州生物医药与健康研究院则是我国最重要的生物医药研究机构之一，曾经发现了许多重要的生物医药现象，如中药的药效成分等。
昆明是我国的西南科技中心，也是中国科学院在西南地区的重要研究所群体所在地。
中国科学院上海技术物理研究所新职工进所流程docx
中国科学院上海技术物理研究所新职工进所流程
二、填表注意事项：一律用黑色水笔或钢笔如实填写
1、《新进人员表》：
请在报到时当场填写，涉及年月的一律精确到日，“本人成分”栏，应届毕业生写学生，在职人员填写干部。
学习经历从高中开始填写，工作经历从第一次参加工作时填写，应届毕业生直接从进所日开始填写工作经历。
2、《干部履历表》：
工资情况不必填写；表内项目本人没有内容填写的，写“无”；中共党员入党介绍人必须填写两名；有奖惩、培训记录的，需提供相关证明；学习简历从小学填起；工作经历从第一次参加工作时填写，应届毕业生直接从进所日开始填写工作经历；国内外主要社会关系一定要填写，一般为祖父母、伯叔，姑妈，舅舅、姨妈等；最后应签名，落款时间等。
3、《聘用合同书》：
新进人员与部门负责人协商签订，确定合同年限，合同起始日期应为新进人员报到日期。
部门负责人应详细填写新进人员岗位名称，岗位职责，是否参加国家、院级重大科研项目。
三、办理时限
新进人员应尽快办理入所手续，一般应在报到之日起一周内将所有材料交回人事处，如遇特殊情况（如部门负责人出差无法协商签订合同等）应及时主动联系人事处说明情况。
如因个人原因迟交材料而造成录用及社保办理等问题，将由本人承担后果。
注：留学回国人员按上海市相关要求办理落户。
参照社会招聘人员上海户籍职工提交相关材料办理。
MMShip：中分辨率多光谱卫星图像船舶数据集
第 31 卷第 13 期2023 年 7 月Vol.31 No.13Jul. 2023光学精密工程Optics and Precision EngineeringMMShip：中分辨率多光谱卫星图像船舶数据集陈丽1，2，3，李临寒1，2，3，王世勇1，3*，高思莉1，3*，叶祥舟1，2，3（1.中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083；2.中国科学院大学，北京 100049；3.中国科学院红外探测与成像技术重点实验室，上海 200083）摘要：针对现有遥感船舶数据集均为裁剪后的图像，用数据集训练的检测算法直接运用于卫星图像原始尺度时检测效果较差的问题，建立了可见光和近红外4个波段的多光谱卫星船舶数据集MMShip，数据集同时包含卫星图像的原始尺度数据和切割后的小尺度船舶数据。
本数据集引入多波段信息，弥补现有数据集多为可见光图像，而可见光容易受到光照条件等影响的缺点。
在全球海域内下载云量低于3的Sentinel-2卫星图像，进行大气校正后只选取10 m分辨率的红绿蓝和近红外4个波段，以景为单位筛选出包含有船舶的图像。
把筛选后的图像按无重叠的方式切分为512×512，剔除其中不包含船舶目标的图像。
然后，使用LabelImage软件对小尺度数据进行了水平框标注，再将标注数据反推至原始尺度得到原始尺度下的标注信息。
最后，利用几种典型的检测算法在切割后的MMShip小尺度数据集上进行了可见光、近红外、多光谱对比实验。
构建了一个涵盖不同场景的多光谱卫星船舶目标数据集，包含497景原始尺度标注数据和裁剪后的5 016组船舶目标图像。
对比实验验证了近红外波段信息的补充有助于提高船舶目标检测算法的精度。
多光谱船舶数据集MMShip可用于卫星图像尺度和普通图像尺度的多光谱船舶目标检测算法研究。
关键词：多光谱遥感；数据集；船舶目标；Sentinel-2中图分类号：TP79 文献标识码：A doi：10.37188/OPE.20233113.1962MMShip： medium resolution multispectral satelliteimagery ship datasetCHEN Li1，2，3，LI Linhan1，2，3，WANG Shiyong1，3*，GAO Sili1，3*，YE Xiangzhou1，2，3（1.Shanghai Institute of Technical Physics， Chinese Academy of Sciences， Shanghai 200083， China；2.University of Chinese Academy of Sciences， Beijing 100049， China；3.Key Laboratory of Infrared System Detection and Imaging Technology， Chinese Academy of Sciences，Shanghai 200083， China）* Corresponding author， E-mail： s_y_w@Abstract：Considering that the existing remote-sensing ship datasets consist entirely of cropped images，the detection effect of the detection algorithm trained on the datasets is poor when it is directly applied to satellite images of the original scale. In this study， a multispectral satellite ship dataset MMShip with four bands of visible and near-infrared （NIR） light was established. The dataset includes both the original-scale data of satellite images and cut small-scale ship data. Owing to the introduction of multi-band information，文章编号1004-924X（2023）13-1962-11收稿日期：2022-09-06；修订日期：2022-10-11.基金项目：中国科学院上海技术物理研究所创新专项基金（No.CX-269）第 13 期陈丽，等：MMShip：中分辨率多光谱卫星图像船舶数据集this dataset compensates for the shortcoming that most of the existing datasets contain visible images，which are easily affected by illumination conditions. Sentinel-2 satellite images with cloud cover of <3 in the oceans worldwide were downloaded.After atmospheric correction，only four bands—red，green，blue， and NIR—with a 10-m resolution were selected， and the images containing ships were screened by scene. Next， the screened images were divided into a size of 512 × 512 such that the divided images do not overlap， and the images that did not contain the ship target were eliminated. The LabelImage software was used to label the small-scale data with a horizontal frame， and then the labeled data were converted to the original scale to obtain the labeling information under the original scale. Finally， several typical detec⁃tion algorithms were used to perform visible-light，near-infrared，and multispectral comparison experi⁃ments on the altered MMShip small-scale dataset. In this study， a multispectral satellite ship target datas⁃et covering different scenes was constructed，which included 497 original scale-labeled data and 5 016 groups of cropped ship target images. The contrast experiment confirmed that the addition of near-infrared band information can increase the accuracy of the ship target detection algorithm.The developed multi⁃spectral ship dataset MMShip can be applied to research on algorithms for multispectral ship target detec⁃tion at the satellite-image and ordinary-image scales.Key words： multispectral remote sensing； ship dataset； ship detection； Sentinel-21 引言近年来，随着卫星数量的不断增加，卫星图像质量逐渐提高，为海洋安全、海洋监视等相关研究带来了新的机遇。
中科院上海应用物理研究所 固态电池
中科院上海应用物理研究所固态电池《中科院上海应用物理研究所固态电池：革命性能源解决方案的探索》近年来，能源问题一直是困扰人类发展的重要议题。
为了摆脱对化石燃料的依赖，科学家们积极探索新的能源解决方案。
中国科学院上海应用物理研究所在固态电池领域取得了突破性进展，为革命性能源解决方案的开发做出了重要贡献。
固态电池是一种采用固态电解质而非传统液态电解质的电池。
相比传统液态电池，固态电池具有更高的能量密度、更高的安全性和更长的寿命。
然而，由于固态电池中电解质材料的特殊性质，以及电极材料与固态电解质之间的界面问题，固态电池的研发一直面临诸多挑战。
中科院上海应用物理研究所的科研团队在固态电池领域取得了多项重要突破。
他们首次提出了一种新型的固态电池设计方案，利用高温固态电解质和高性能电极材料来实现高能量密度和高安全性的电池系统。
他们采用了自主研发的固态电解质材料，成功地解决了传统固态电池中电极材料与电解质之间的界面问题，大大提高了电池的效率和稳定性。
此外，中科院上海应用物理研究所的团队还通过引入新型纳米材料，改善了固态电池的动力性能。
他们利用纳米材料的优异性能，制备了高性能的电极材料，进一步增加了电池的能量密度和循环寿命。
中科院上海应用物理研究所的固态电池研究不仅在理论上推动了固态电池领域的发展，同时也取得了实际应用上的重要突破。
他们成功地将固态电池应用在了智能手机和电动汽车等领域。
这些应用的成功验证了中科院上海应用物理研究所的固态电池技术的稳定性和可靠性。
可以说，中科院上海应用物理研究所的固态电池研究为能源领域的革命性技术提供了重要的解决方案。
固态电池的高能量密度、高安全性和长寿命特性将促进可再生能源的广泛应用，推动新能源时代的到来。
相信通过不断的科学研究和技术创新，中科院上海应用物理研究所将继续为固态电池领域的发展作出更大的贡献。
中国科学院上海技术物理研究所
5、毕设的开题和结题答辩形式遵从学籍所在学校要求完成。
6、完成预定目标，离开前须到研究生部办理离所手续。
学生签字：
双方单位和导师协商约定事项：
1、毕业论文的指导教师顺序为学生学籍所在学校、中国科学院上海技术物理研究所。
2、学生在上海技术物理研究所做毕业设计期间，上海技术物理研究所承担学生在所进行科研工作所需实验费用，配备有资质的导师进行指导，并提供实验条件。学生应享受的奖学金、医疗保健等待遇仍由学籍所在学校提供。
接收毕业设计单位：
中国科学院上海技术物理研究所研究生部
负责人签字：（公章）
指导教师签字：
年月日
学生学籍所在单位：
学院（系）
负责人签字：（公章）
年月日
注：本协议一式二份，学生派出单位和接收单位各存一份。请用A4纸双面打印。
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外校学生来所做毕业设计协议
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（五）DIY手工艺品的“价格弹性化”
6、你购买DIY手工艺制品的目的有那些？附件（二）：调查问卷设计
当然，在竞争日益激烈的现代社会中，创业是件相当困难的事。我们认为，在实行我们的创业计划之前，我们首先要了解竞争对手，吸取别人的经验教训，制订相应竞争的策略。我相信只要我们的小店有自己独到的风格，价格优惠，服务热情周到，就一定能取得大多女孩的信任和喜爱。
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10000
41
青岛海洋研究所
王丽娟
山东沿海海洋生态环境质量调查及保护宣传
9500
42
西安光学精密机械研究所
牛海军
西北地区“大学生村官”计划实施情况以及跟踪调查
9000
9500
15
北京植物研究所
王娟
对抑郁症年轻化现状的调查
9500
16
沈阳自动化研究所
郁洋
西北地区少数民族儿童基础教育情况调查——以甘肃临夏州偏远地区回族儿童为例
9500
17
深圳先进技术研究院
杨沙沙
关注农村孩子的明天
7000
18
高能物理研究所
郭思明
北京市流动儿童受教育现状调查
9000
19
南京地理与湖泊研究所
9500
23
长春应用化学研究所
易婷
对在读研究生婚恋情况的调查
9500
24
长春应用化学研究所
张靖
关于我国城市医患纠纷事件的社会调研
5800
25
长春东北地理与农业生态研究所
佟伟铭
吉林省新型农村社区建设情况调查及对策建议
10000
26
西北高原生物研究所
张贺
青海三江源地区中小学校藏族学生素质教育状况的调查——以果洛藏族自治州玛沁县为例
4、“体验化”消费秘诀：好市口＋个性经营序号
负责人单位
负责人
项目名称
资助费用（元）
1
兰州油气资源研究中心
徐亮
2014年高考制度改革的影响和满意度调查——以兰州市和南京市为例
9000
2
宁波工业技术研究院
姜道义
调查西部90后农村大学生成长历程
9500
3
北京微电子研究所
王琦
在内蒙古经济转型的大背景下，希拉穆仁草原农牧民生活现状调查
9000
5100
35
地球化学研究所
刘云龙
贵州地区85后学生群体生活状况调查—以贵阳市
探讨西江模式对当地苗族人民经济、文化的影响
6200
37
昆明动物研究所
刘耀文
长寿之乡——海南省长寿家系健康状况、生活环境及遗传优势调查
10000
38
广州能源所
王振鹏
中国科学院大学研究生心理健康状况调研——以广州分院为例
陈艳锋
伊宁市高中学生对新疆历史的了解程度调查
9500
12
上海技术物理研究所
房陈岩
新型国家级经济开发区（以杭州湾新区为代表）产业规划与产学结合的调研
9000
13
工程管理与信息技术学院
仇国龙
甘肃省会宁县“因教返贫”现象近况调查研究
9500
14
地质与地球物理研究所
宋凡
北京城乡居民生活饮用水现状及存在问题调查
附件1
随科技的迅速发展，人们的生活日益趋向便捷、快速，方便，对于我国传统的手工艺制作，也很少有人问津，因此，我组想借此创业机会，在校园内开个DIY创意小屋。它包括编织、刺绣、串珠等，让我们传统的手工制作也能走进大学，丰富我们的生活。图1-2大学生购买手工艺品可接受价位分布
众上所述，我们认为：我们的创意小屋计划或许虽然会有很多的挑战和困难，但我们会吸取和借鉴“漂亮女生”和“碧芝”的成功经验，在产品的质量和创意上多下工夫，使自己的产品能领导潮流，领导时尚。在它们还没有打入学校这个市场时，我们要巩固我们的学生市场，制作一些吸引学生，又有使学生能接受的价格，勇敢的面对它们的挑战，使自己立于不败之地。2014年度中国科学院研究生社会调查
10000
27
遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心
苏超
甘肃省中、东部耕地现状与梯田建设调研
10000
28
苏州生物医学工程技术研究所
郁磊
居民家庭用药情况调查研究——以长三角地区为例
9500
29
地理科学与资源研究所
陆凯
北京市城乡居民大气污染认知水平调查
9500
30
地理科学与资源研究所
王芳
特大城市城乡结合部居民生产生活状况调查