轻松识别DDR内存颗粒编号!
识别内存编号
条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主
板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001（下载
地址/index.htm）这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的
SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是
不同的内存规范，其格式也有所不同。
，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代
表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组
成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口
中红色金条是PC133内存；金色金条Ｐ针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标
准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R
代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25
主流DDR内存芯片与编号识别
我们关注哪些厂商在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号，最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。
在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。
所有相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。
这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。
但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。
这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。
因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。
那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。
从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。
这其中，除了力晶、冲电气以外都是我们所比较熟悉的厂商，但华邦则在经历战略调整，大众商用型DDR内存芯片已经不再开发新的产品，并将于2004年年底退出这一领域。
力晶半导体公司则也与之相似，在DDR内存开发上似乎并不上心，公司主页也非常简单。
主流DDR2编号识别方法
随着内存技术的进步，现在DDR2已经渐成主流，虽然在很多人的眼中，DDR2仍然有着这样或那样的不足，但在业界主力厂商的大力推广下，在CPU平台不断向更高频率冲刺的时候，DDR2代替原有的DDR已经不可避免。
以下为各大品牌的DDR内存的测评报告。
三星（SAMSUNG）三星电子DDR2内存芯片外观三星电子有关DDR2内存芯片的编号规则如下：三星的编号还第16、17、18三位，我们没在此说明。
因此，这三位编号并不常见，一般用于OEM与特殊的领域，因而在此就不介绍了。
以前面的芯片照片为例，可以看出这是一枚容量为512Mbits、位宽为8bit、4个逻辑Bank、SSTL/1.8V接口、采用FBGA封装的DDR2-400芯片，并且是第三代产品。
海力士（Hynix）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
尔必达（ELPIDA）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
教大家识别内存颗粒上的编号
教大家识别内存颗粒上的编号教大家识别内存颗粒上的编号2009/2/181、海力士(Hynix)/image/upload/memory/200731012431014077801.jpg海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头·第3、4位“5P”代表DDR2·第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V·第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”为256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为2Gb。
该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量·第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位·第10位代表逻辑Bank数。
其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks·第11位代表接口类型。
比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2·第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如C5、C3，特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超，一般都可以超到1000MHz 的水准，因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说，是极不错的选择常采用的内存模块厂商：很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒，如创见、威刚、超胜等。
2、三星(Samsung)/image/upload/memory/200731012431048477802.jpg·三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思·第三位“T”代表内存为DDR2内存·第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量·第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16·第八位代表逻辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks·第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V·第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好·第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small) ·第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗·第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。
轻松识别DDR内存颗粒编号
轻松识别DDR内存颗粒编号！现在DIY爱好者们在帮朋友或者是自已攒机的时候，往往会选择性价比最高的内存，呵呵，DDR内存就是目前最好的选择了。
可是DDR到底是什么呀？（我倒～～～）DDR顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器，通常简称其为DDR。
由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输，所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。
DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别，二者具有相同的长度与同样的管脚距离。
但是，DDR内存具有184只管脚，比传统的SDRAM多16只，这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。
（明白什么是DDR了吧！）既然我们现在已经知道了DDR为何物了，那么我们就开始选够吧。
可是目前市场上充斥着很多假冒名牌内存，以低容量内存冒充高容量，以低速内存冒充高速度内存的情况时有发生，为了能让哪些刚入门的DIYer们在够机的时候作一个明白白的消费者，我特地教给你们一手，如何从内存芯片的编号上识别那些识别假冒内存，不让JS的奸计得成！一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范，因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的，所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。
由于各生产厂家的内存编号不近相同，因此下面我们就举例说明内存编号上代表的信息。
现代DDR内存：随着各大内存和主板厂商的跟近，使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。
既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平，支持DDR的主板芯片组技术日益成熟，那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。
双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了，并得到了大家的认可。
HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR的生产行列，但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的，下面我们就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。
教你辩识别内存颗粒
内存是电脑必不可少的部件，也是影响电脑性能的关键部件。
而对于内存颗粒，则是内存条上必不可少的一部分，同时也与内存的性能息息相关。
一条完整的内存条是由PCB板、SPD芯片和内存颗粒构成的，其中以颗粒最为重要，内存的容量、频率等都由内存颗粒决定的。
而正因为颗粒的重要性，颗粒也成为了不少奸商造假的地方所在。
因此，我们有必要对内存颗粒进行一个完整的认识，从而更好的选购内存。
一、内存颗粒巡礼1、内存颗粒介绍相对于市面上越来越多的内存品牌，内存颗粒的生产厂商要显得少了很多，目前主要有三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)和茂矽(MOSEL)等等。
这些内存颗粒厂商都具有相当实力，其中名列三甲的有三星、现代以及美光。
现代D43颗粒(Hynix D43)在很多玩家心目中，现代D43内存颗粒有着兼容性好、超频出色的特点，而采用HY D43芯片的产品更是被众多玩家所追捧。
如果我们将它细分的话，D43内存颗粒又根据生产批次的不同，在编号上分为AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。
其中又以BT-D43和DT-D43最为常见，口碑也是最好的。
三星UCCC内存颗粒三星(SAMSUNG)内存颗粒被誉为DDR时代的终结者，它在512MB时代的TCCD和TCC5颗粒，1GB时代的UCCC颗粒都是内存界的佼佼者。
UCCC颗粒早期专供服务器高端ECC内存使用，后来才逐渐进入民用领域。
前期的产品依旧保持着服务器内存的特点，只以稳定性见长，超频性能一般。
但三星为了重夺高频内存之王的宝座，在520周期以后生产的UCCC颗粒做了进一步制程优化，使得高频、海量、稳定三全齐美。
三星TCCC颗粒(SAMSUNG TCCC)除了上面提到的TCCD、TCC5、UCCC内存颗粒，三星还有一TCCC颗粒，TCCC也是一款非常优秀的内存颗粒，被用于三星原厂的“金条”中，它的价格要比TCCD便宜得多，而且兼容性也非常好，不过价格还是比普通内存颗粒高了一些。
看ddr内存代数的方法
看ddr内存代数的方法
内存有三种分为ddr，ddr2，ddr3，那么怎么去区分这些内存呢?为此店铺为大家整理推荐了，希望大家喜欢。
怎么看ddr内存代数
识别DDR内存条具体有三种方法
方法一：看外观
由上图可以不难看出，它们之间有明显的特点，即断口。
它们的断口处是绝对不一样的。
并且，DDR的内存条所使用的内存颗粒是长方形，有引脚的;而DDR2与DDR3内存颗粒是贴片的，具体请查看度娘。
方法二：看频率
一般情况，内存条上面的标签除了有内存条的制造厂商，还会有内存条型号及频率和工作电压等信息。
比如一个内存条上的标签为：Kington KVR 1333D3N9/4G-SP 1.5V。
由此可以看出此内存条是：金士顿4G，频率是DDR3 1333HZ的。
所以，看内存上面贴的标签。
标签上有写，最简单的方法是看内存标签上面的频率。
DDR的内存是266,333,400的频率
DDR2的内存是533,667,800的频率
DDR3的内存是1066,1333,1600的频率
方法三：看内存条的工作电压
同方法二，看内存条上面的标签。
如上图，即可看出上图金士顿4G内存条的工作电压为1.5V。
所以，我可以告诉大家：DDR内存的工作电压是2.5v，DDR2的工作电压是1.8v，DDR3的工作内存电压是1.5v。
如何通过颗粒编号,识别当今现代（HYNIX）内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。
但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。
而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。
一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。
现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。
从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
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轻松识别DDR内存颗粒编号！
内存传输标准 PC3-10600 是什么意思啊数字越大越好吗？
浏览次数：2046次悬赏分：0 |解决时间：2011-5-30 09:14 |提问者：螺丝帽789
最佳答案
PC3-10600=DDR3 1333
PC3代表DDR3
10600是用带宽来命名，1333*64/8=10664，1333是DDR等效频率
现在DIY爱好者们在帮朋友或者是自已攒机的时候，往往会选择性价比最高的内存，呵呵，DDR内存就是目前最好的选择了。
可是DDR到底是什么呀？（我倒～～～）DDR顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器，通常简称其为DDR。
由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输，所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。
DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别，二者具有相同的长度与同样的管脚距离。
但是，DDR内存具有184只管脚，比传统的SDRAM多16只，这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。
（明白什么是DDR了吧！）
既然我们现在已经知道了DDR为何物了，那么我们就开始选够吧。
可是目前市场上充斥着很多假冒名牌内存，以低容量内存冒充高容量，以低速内存冒充高速度内存的情况时有发生，为了能让哪些刚入门的DIYer们在够机的时候作一个明白白的消费者，我特地教给你们一手，如何从内存芯片的编号上识别那些识别假冒内存，不让JS的奸计得成！一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范，因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的，所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。
由于各生产厂家的内存编号不近相同，因此下面我们就举例说明内存编号上代表的信息。
现代DDR内存：
随着各大内存和主板厂商的跟近，使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。
既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平，支持DDR的主板芯片组技术日益成熟，那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。
双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了，并得到了大家的认可。
HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR 的生产行列，但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的，下面我们就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。
HY XX X XX XX XX X X X X X X X
1 2 34 5 6 78 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、1
6、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、
H :DDR266B、K :DDR266A
三星DDR内存：
在目前的DDR内存市上三星的DDR内存销量可以说是最大的。
搞清楚内存颗粒上的编号的含义，对于用户的选购是绝对有好处的，下面我们就来看看这些数字代表什么意思。
KM X XX X XX X X X X X
1 234567 8 9 10
1、KM或者K表示相应的内存颗粒是三星生产的
2、内存芯片类型：4表示DDR SDRAM
3、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
4、工作电压：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V
5、内存密度组成：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit
6、芯片容量和刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K [7.8μs]
7、表示内存排数：3：4排、4：8排
8、代表接口电压：0：混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1：SSTL_2(2.5V)
9、表示封装类型：T：66针TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP)
10、工作频率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、200MHz(400Mbps)。