什么是结型场效应管

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结型场效应管

结型场效应管
-2V -4V
P
O
VGS /V
若| VUS | 阻挡层宽度 耗尽层中负离子数
因VGS不变(G极正电荷量不变) 表面层中电子数 ID
根据衬底电压对ID的控制作用,又称U极为背栅极。
P沟道EMOS管
+VDS -
S +VGS- G
D
U
N+
P+
P+
D ID
U G
N
S
N沟道EMOS管与P沟道EMOS管工作原理相似。 不同之处:电路符号中的箭头方向相反。
VDS /V
转移特性曲线中,ID =0 时对应的VGS值,即开启电 压VGS(th) 。
衬底效应
集成电路中,许多MOS管做在同一衬底上,为保证U与S、D
之间PN结反偏,衬底应接电路最低电位(N沟道)或最高电
位(P沟道)。
- VD+S
U -VU+S S -VG+S G
D
P+
N+
N+
ID/mA VUS = 0
3.1 MOS场效应管
MOSFET
增强型(EMOS) N沟道(NMOS) P沟道(PMOS) N沟道(NMOS)
耗尽型(DMOS) P沟道(PMOS)
N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似,不 同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同,因 此导致加在各极上的电压极性相反。
3.1.1 增强型MOS场效应管
➢ NEMOS管输出特性曲线
非饱和区
ID/mA
沟道预夹断前对应的工作区。
VDS = VGS –VGS(th)
条件: VGS > VGS(th) V DS < VGS–VGS(th)

结型场效应管

结型场效应管
场效应管放大电路
晶体管工作在放大区时,输入回路 PN 结正偏,输入阻抗小, 且是一个电流控制的有源器件。
场效应管也是一种具有 PN 结的正向受控作用的有源器件, 它是利用电场效应来控制输出电流的大小,其输入端 PN 结一 般工作于反偏状态或绝缘状态。输入电阻很高。
场效应管根据结型场效应管 (JFET) 输入阻抗
沟道电阻 ID基本不变
4.1结型 场效应管
综上分析可知
• 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电, 所以场效应管也称为单极型三极管。
• JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因 此iG0,输入电阻很高。 • JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制 • 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后, iD趋于饱和。 P沟道JFET工作时,其电源极性与N沟道JFET 的电源极性相反。
4.1结型 场效应管
二、 JFET的特性曲线及参数
iD f ( vGS ) vD Sconst.
1. 转移特性
VP
vGS 2 iD I DSS (1 ) VP
(VP vGS 0)
2. 输出特性
iD f ( vDS ) vGSconst.
4.1结型 场效应管
输出特性
输出特性曲线表达以UGS为参变 量时iD与uDS的关系。根据特性曲线 的各部分特征,分为四个区域: 1)饱和区 饱和区区相当于双极型晶体管
的放大区。其主要特征为: uGS对iD的控制能力很强 ,uDS的变化对iD影响很小。 2)可变电阻区 与双极型晶体管不同,在JFET中,栅源电压uGS对iD上升的斜 率影响较大,随着|UGS|增大,曲线斜率变小,说明JFET的输出电 阻变大。 3) 截止区 当|UGS|>|UP|时,沟道被全部夹断,iD=0,故此区为截止区。

结型场效应晶体管

结型场效应晶体管

结型场效应晶体管
1 场效应晶体管
场效应晶体管(Field-Effect Transistor,简称FET),是一种
小尺寸、低功耗、高速度的电动学元件,它是半导体物理的一个重要
表现,是一种关于电场和物质的交互作用的元件,是当今微机设计的
基础和原材料。

2 具体特征
场效应晶体管通常由三个部分组成,即源极电极、屏蔽极电极和
控制极电极,它们均处在一个封装的金属外壳内,以及其中的一层能
带 Git 隔离的绝缘薄膜。

场效应晶体管的特性有节流特征、抗漏特征,具有噪声放大小、低漏极性和小尺寸可靠性优点,因此它在电子设计
中是十分重要的一种晶体管。

3 应用
在军事、航空、通信等领域,场效应晶体管可以实现信息的传递
和控制,利用场效应晶体管实现信号截取,对于电子设计也是必不可
少的。

在家用电器如空调、电视机、洗衣机等设备中也可以看到场效
应晶体管的应用,例如微波炉、录像机等,在它们的控制系统中都有
场效应晶体管的使用。

4 总结
FET 是一种场效应晶体管,它通过电场控制导通电流,具有低功耗、小尺寸和高效率等优势,在电子设备的控制系统中是十分重要的一种元件,其极大地促进了电子科学的发展。

mosfet 与 jfet 的工作原理及应用场合

mosfet 与 jfet 的工作原理及应用场合

MOSFET 与 JFET 的工作原理及应用场合一、引言在现代电子领域中,场效应晶体管(F ET)是一种重要的半导体器件,具有优越的性能和广泛的应用。

其中,金属氧化物半导体场效应管(M OS FE T)和结型场效应管(J FE T)是两种常见的FE T。

本文将介绍M O SF ET和J FE T的工作原理及其在不同应用场合的应用。

二、M O S F E T(金属氧化物半导体场效应管)M O SF ET是由一层金属氧化物绝缘层隔离门极和半导体基片的晶体管。

其工作原理如下:1.栅极电压变化:当栅极电压变化时,M O SF ET内部的电场分布发生变化,进而改变了通道中的载流子浓度。

2.载流子控制:当正向偏置栅极,使得栅极与源极之间形成正向偏压时,可以控制通道中的正负载流子的浓度。

M O SF ET在数字电路、模拟电路和功率放大器等方面有着广泛的应用:-逻辑门电路:M OS FE T可用于构建与门、或门、非门等逻辑门电路。

-放大器电路:M OS FE T可以实现低噪声、高增益的放大器电路,常用于音频放大器等领域。

-电源开关:由于MOS F ET具有低导通电阻和高关断电阻的特点,适用于电源开关电路,如开关稳压器。

三、J F E T(结型场效应管)J F ET是由P型或N型半导体材料形成的通道,两侧有控制端和漏源端的晶体管。

其工作原理如下:1.控制电压:当控制端电压变化时,通过改变通道中的空间电荷区宽度,从而改变了导电性能。

2.漏源电压:调整漏源间的电压,使其达到最大或最小值,以控制导电。

J F ET在放大器、开关和稳流源等方面具有广泛的应用:-放大器电路:J FE T具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点,适用于低频放大器、微弱信号放大器等。

-开关电路:JF ET由于其控制电压变化范围大,可用于开关电路中的信号开关。

-稳流源:通过合理选择JF ET工作状态和参数,可以将其应用于稳流源电路,如电流源。

四、M O S F E T与J F E T的优缺点对比-M OS FE T的优点:1.噪声低:MO SF ET具有较低的输入噪声。

什么是结型场效应管

什么是结型场效应管

什么是结型场效应管场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。

它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点.因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用.根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类: 结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。

在两个高掺杂的P区中间,夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄),形成了两个PN结。

在N区的两端各做一个欧姆接触电极,在两个P区上也做上欧姆电极,并把这两个P 区连起来,就构成了一个场效应管。

从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D,从两个P区引出的电极叫栅极G,很薄的N区称为导电沟道。

结型场效应管分类:N沟道和P沟道两种。

如下图所示为N沟道管的结构和符号。

如右图所示为N沟道结型场效应管的结构示意图。

N沟道结型场效应管正常工作时,在漏-源之间加正向电压,形成漏极电流。

<0,耗尽层承受反向电压,既保证栅-源之间内阻很高,又实现对沟道电流的控制。

★=0时,对导电沟道的控制作用,如下图所示。

◆=0时,=0,耗尽层很窄,导电沟道很宽。

◆│增大时,耗尽层加宽,沟道变窄,沟道电阻增大。

◆│增大到某一数值时,耗尽层闭合,沟道消失,沟道电阻趋于无穷大,称此时的值为夹断电压。

★为~0中某一固定值时,对漏极电流的影响▲=0,由所确定的一定宽的导电沟道,但由于d-s间电压为零,多子不会产生定向移动,=0。

▲>0,有电流从漏极流向源极,从而使沟道各点与栅极间的电压不再相等,沿沟道从源极到漏极逐渐增大,造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边的宽。

如下图(a)所示。

▲从零逐渐增大时,=- 逐渐减小,靠近漏极一边的导电沟道随之变窄。

电流随线性增大。

▲增大,使=,漏极一边耗尽层出现夹断区,称=为预夹断。

▲继续增大,<,夹断区加长。

结型场效应管

结型场效应管

结型场效应管结型场效应管(JFET)是一种常用的场效应管。

它是由一对PN结构组成的,可以分为N型JFET和P型JFET两种类型。

JFET通常用作信号放大器或开关,具有高输入阻抗和低输出电阻等优点,在电子设备中得到广泛应用。

结构和工作原理JFET的结构包括了沟道和栅极,通常由半导体材料构成。

当增加栅极电压时,栅极和沟道之间的势垒宽度会发生变化,从而调节沟道中的载流子数量。

当栅极电压增加时,势垒减小,使得沟道中的载流子数量增加,从而增大导通电流;相反,当栅极电压减小时,势垒增加,导致导通电流减小。

因此,通过调节栅极电压,可以实现对JFET的控制。

N型JFETN型JFET的沟道是由N型半导体材料构成,栅极电压使沟道中的电荷密度发生变化。

当栅极与源极之间的电压为负值时,JFET处于截止状态,沟道截断,导通电流几乎为零;当栅极与源极之间的电压为正值时,JFET处于放大状态,沟道导通,导通电流增加。

P型JFETP型JFET的沟道是由P型半导体材料构成,与N型JFET相反,当栅极与源极之间的电压为负值时,P型JFET处于放大状态,沟道导通;当栅极与源极之间的电压为正值时,P型JFET处于截止状态,导通电流几乎为零。

应用领域JFET广泛应用于各种电子设备中,例如放大器、滤波器、振荡器和电压控制器等。

由于JFET具有高输入电阻和低输出电阻的特性,适合用作信号放大器。

此外,JFET还可以作为电子开关,用于控制电路的通断或信号的调节。

结型场效应管是一种重要的场效应管,在电子技术领域具有重要的应用价值。

通过对JFET的结构和工作原理进行深入了解,可以更好地应用它在电子设备中,实现各种功能的设计和控制。

结型场效应管

(a)(b)(c)图XX_01如图XX_01(a)所示,在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示),就形成两个不对称的P+N结。

把两个P+区并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。

它们分别与三极管的基极(b)、发射极(e)和集电极(c)相对应。

夹在两个P+N结中间的N区是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。

这种结构的管子称为N沟道结型场效应管,它在电路中用图XX_01(b)所示的符号表示,栅极上的箭头表示栅、源极间P+N结正向偏置时,栅极电流的方向(由P区指向N区)。

实际的JFET结构和制造工艺比上述复杂。

N沟道JFET的剖面图如图XX_01(c)所示。

图中衬底和中间顶部都是P+型半导体,它们连接在一起(图中未画出)作为栅极g。

分别与源极s和漏极d相连的N+区,是通过光刻和扩散等工艺来完成的隐埋层,其作用是为源极s、漏极d提供低阻通路。

三个电极s、g、d分别由不同的铝接触层引出。

图XX_02(a)(b)如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区,就可以制成一个P沟道的结型场效应管。

图XX_02给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。

由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向,可以确认沟道的类型。

N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同,现以N沟道结型场效应管为例,分析其工作原理。

图XX_01N沟道结型场效应管工作时,也需要外加如图XX_01所示的偏置电压,即在栅极与源极间加一负电压(v GS<0),使栅、源极间的P+N结反偏,栅极电流i G≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高达108 左右)。

在漏极与源极间加一正电压(v DS>0),使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流i D。

i D的大小主要受栅源电压v GS控制,同时也受漏源电压v DS的影响。

结型场效应管p沟道的工作原理

结型场效应管p沟道的工作原理结型场效应管(p沟道)是一种常见的电子器件,具有重要的工作原理和应用。

在本文中,我们将详细讨论结型场效应管(p沟道)的工作原理,并探索其在电子领域的广泛应用。

1. 介绍和背景知识结型场效应管(p沟道)是一种半导体器件,由掺杂有正电荷的p型材料和负电荷的n型材料组成。

它属于一类双极性器件,既可以用作放大器,也可以用作开关。

2. 结型场效应管(p沟道)的结构结型场效应管(p沟道)的结构包括栅极、漏极和源极。

栅极与漏极之间通过氧化层隔开,形成一个电容。

当施加在栅极和源极之间的电压改变时,场效应管的导电性也会发生变化。

3. 工作原理在结型场效应管(p沟道)正常工作时,当施加一个正电压到栅极上时,栅极与源极之间的电势差增大。

这将产生一个电场,使得p型材料中的电子被吸引到栅极接近的地方,从而形成一个导电通道。

这个导电通道使得电流能够流经源极和漏极之间。

4. 控制电流结型场效应管(p沟道)的工作原理是通过改变栅极与源极之间的电压来控制漏极和源极之间的电流。

当栅极和源极之间的电压较低时,导电通道的电阻较高,电流几乎不会流过。

然而,当栅极和源极之间的电压增加时,电阻减小,电流开始流过。

5. 优点和应用结型场效应管(p沟道)具有许多优点。

它具有高输入阻抗和低输出阻抗,能够在低功率条件下工作,从而减少能量消耗。

它还具有较小的尺寸和重量,适合集成电路的应用。

结型场效应管(p沟道)在电子领域有广泛的应用。

它可以用作放大器,将小信号放大到较大的信号,用于音频放大器和无线电传输。

它还可以用作数字开关,将输入信号转换为高电平和低电平,用于计算机和通信系统。

总结与回顾:结型场效应管(p沟道)是一种常见的电子器件,其工作原理基于通过改变栅极与源极之间的电压来控制电流。

它具有高输入阻抗、低输出阻抗和能耗低的特点,适用于放大器和开关应用。

这种器件在音频放大器、无线电传输、计算机和通信系统等领域得到广泛应用。

场效应管的导通条件

场效应管的导通条件在电子电路中,场效应管是一种非常重要的半导体器件。

它具有输入电阻高、噪声小、功耗低、热稳定性好等诸多优点,被广泛应用于各种电子设备中。

要想让场效应管正常工作,了解其导通条件是至关重要的。

场效应管主要分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)两大类。

这两种类型的场效应管导通条件有所不同。

先来说说结型场效应管。

结型场效应管又分为 N 沟道结型场效应管和 P 沟道结型场效应管。

对于 N 沟道结型场效应管,其导通条件是:在栅极和源极之间加反向电压,即 V GS < 0 ,且要达到一定的数值,使得耗尽层变宽,沟道变窄。

当反向电压达到一定程度时,沟道被夹断,场效应管截止。

要使其导通,需要在漏极和源极之间加正向电压 V DS ,且 V GS 的绝对值要足够小,以保证有一定宽度的导电沟道存在。

而 P 沟道结型场效应管的导通条件则相反。

在栅极和源极之间需要加正向电压,即 V GS > 0 ,同样要达到一定数值,使耗尽层变宽,沟道变窄。

当正向电压达到一定程度时,沟道被夹断,场效应管截止。

要导通时,需要在漏极和源极之间加反向电压 V DS ,且 V GS 的绝对值要足够小,保证有一定宽度的导电沟道。

接下来看看绝缘栅型场效应管。

其中又分为增强型 MOS 管和耗尽型 MOS 管。

增强型 MOS 管也分为 N 沟道增强型和 P 沟道增强型。

对于 N 沟道增强型 MOS 管,导通条件是:在栅极和源极之间加正向电压 V GS ,且 V GS 要大于开启电压 V GS(th) 。

当 V GS 大于 VGS(th) 时,在栅极下面会形成一个导电沟道,此时在漏极和源极之间加正向电压 V DS ,场效应管就会导通。

P 沟道增强型 MOS 管的导通条件与之相反,需要在栅极和源极之间加负向电压 V GS ,且 V GS 的绝对值要大于开启电压的绝对值|V GS(th)|,在栅极下面形成导电沟道,然后在漏极和源极之间加反向电压 V DS ,场效应管导通。

结型场效应管及其放大电路

(2)当UDS增加时,漏极电 流ID从零开始增加,ID流过 导电沟道时,沿着沟道产生 电压降,使沟道各点电位不 再相等,沟道不再均匀。靠 近源极端的耗尽层最窄,沟 道最宽;靠近漏极端的电位 最高,且与栅极电位差最大, 因而耗尽层最宽,沟道最窄。 由 图 可 知 , UDS 的 主 要 作 用 是形成漏极电流ID。
MOS(Metal Oxide Semiconductor)
vGS=0,iD=0,为增强型管; vGS=0,iD0,为耗尽型管(有初始沟道)。
一、场效应管概述
2、符号:
一、场效应管概述
3、场效应三极管的型号命名方法 :
现行有两种命名方法
第一种命名方法: 与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O 代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料,D是P型硅, 反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。 例如:3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘 栅型N沟道场效应三极管。
对于n沟道各极间的外加电压变为ugs漏源之间加正向电压即uds当gs两极间电压ugs改变时沟道两侧耗尽层的宽度也随着改变由于沟道宽度的变化导致沟道电阻值的改变从而实现了利用电压ugs场效应管工作原理二结型场效应管二结型场效应管场效应管两侧的pn结均处于零偏置形成两个耗尽层如图a所示
第八章:场效应管
一、场效应管概述 二、结型场效应管结构与原理 三、结型场效应管放大器 四、MOS场效应管介绍
2、判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是
正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以
区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,
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什么是结型场效应管场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。

它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点•因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用•根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。

在两个高掺杂的P区中间,夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄),形成了两个PN结。

在N 区的两端各做一个欧姆接触电极,在两个P区上也做上欧姆电极,并把这两个P区连起来,就构成了一个场效应管。

从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D,从两个P区引出的电极叫栅极G,很薄的N区称为导电沟道。

结型场效应管分类:N沟道和P沟道两种。

如下图所示为N沟道管的结构和符号。

结型场效应管的结构和符号如右图所示为N沟道结型场效应管的结构示意图。

N沟道结型场效应管正常工作时,在漏-源之间加正向电压%,形成漏极电流。

卒<0,耗尽层承受反向电压,既保证栅-源之间内阻很高,又实现%对沟道电流的控制。

★=0时,% 对导电沟道的控制作用,如下图所示。

♦"二.1 =0时,“二=0,耗尽层很窄,导电沟道很宽。

他)结初N沟道管FW道管(b)«号♦"U I增大时,耗尽层加宽,沟道变窄,沟道电阻增大。

♦"U I增大到某一数值时,耗尽层闭合,沟道消失,沟道电阻趋于无穷大,称此时"上的值为夹断电压■■1J1。

励尸0时Lte时导电沟道的控制作用★叫芒为%如~0中某一固定值时,仏对漏极电流5的影响▲氏=0,由%所确定的一定宽的导电沟道,但由于d-s间电压为零,多子不会产生定向移动,山=0。

▲^氏>0,有电流从漏极流向源极,从而使沟道各点与栅极间的电压不再相等,沿沟道从源极到漏极逐渐增大,造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边的宽。

如下图(a)所示。

▲%从零逐渐增大时, F =忸 -亞逐渐减小,靠近漏极一边的导电沟道随之变窄。

电流5随窟氏线性增大。

▲ 增大,使J ,漏极一边耗尽层出现夹断区,称 二亡」r 为预夹断。

(a) iftQZ 尿⑷UcS(sfT )<ll^ 0且 U®>0的情况▲ F 继续增大,肚网 刀刚册,夹断区加长。

这时,一方面自由电子从漏极向源极定向移动所受阻力加大,从而导致 5减小;另一方面,随着 17氏的增大,使d-s 间的纵向电场增强,导致 ‘口增大。

两种变化趋势相抵消, 表现出恒流特性。

结型场效应管的输出特性表示在栅源电压一定的情况下,漏极电流与漏源电压宓之间的关系,即 切二北韵检二常数输出特性可以分为四个工作区:♦可变电阻区:曲线拐弯点的连线与纵轴所夹区域。

较小,导电沟道畅通,d-s之间相当于一个欧姆电阻,当 肚掘不变,◎氏从零增大,5线性增大。

肚用越大,曲线越 陡,沟道电阻随^能大小而变,故称为可变电阻区,在这个区域场效应管是导通的,类似于 晶体三极管的饱和区。

丄—獅±♦夹断区:靠近横轴心,<"Q区域•此时电流=0,场效应管呈现一个很大的电阻,这个区域类似晶体三极管的截止区。

♦恒流区:恒流区指中间平坦区域,它属于线性放大区,增大到脱离可变电阻区, -不随"亡的增大而变化,-趋向恒定值。

在这个区域,-只随“完的增大而增大。

在该区域工作的场效应管,一的大小只受"兰的控制,表现出场效应管电压控制电流的放大作用。

♦击穿区:增大,二突然加大,反向偏置的PN结超过承受极限而发生沟道击穿 "兰和失去对丄的控制作用,若不加限制,场效应管会损坏。

使用时一定要特别注意, F不可过大。

场效应管的转移特性曲线由于结型管外加的是反偏电压,没有栅极电流,所以没有输入特性。

漏极电流」与栅源电压o 的关系曲线称为转移特性。

艮卩N沟道结型管匚-对*的控制规律如图所示。

常数当窝虻为确定值肚用由零向负方向变化5将减小, %丹奶),使S =0,此电压便是夹断电压。

当=0时,漏极电流最大,称为饱和漏电流,用I DSS表示。

实验证明,在%加/曲<0的范围内,漏极电流与栅极电压的关系近似为:说明场效应管为非线性器件。

场效应管在手机射频电路中作为放大元件使用,在逻辑电路一般作开关元件使用。

与三极管一样,场效应管必须加上适当的偏压,才能正常工作,才能起放大、振荡很有成效作用。

其中P沟通型场效应管必须加上负的栅一源电压,而N沟道型场效应管工作必须加上正的栅一源电压。

场效应管具有放大作用,可以组成放大电路,它与双极性三极管相比具有以下特点:(1)场效应管是电压控制器件,它通过UGS来控制ID ;(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很高;(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;(5)场效应管的抗辐射能力强。

场效应管的检测由于场效应管的结构、原理和普通三极管不同,在业余条件下用万用表作判别的方法亦不相同,在测试前将双手摸触一下自来水管或地线,以放掉身体的电荷。

1. G极(栅极)的判定:万用表用R X 100档,分别测量场效应管每两脚间的阻值(正反向各测一次),应有一对脚阻值为数百欧姆(如均为大阻值,则用两表笔卡住两只脚,黑笔再点另一脚,如仍为高阻值,再将红笔点另一脚,总有一次出现有两脚低阻值的情况,如没有这种情况,管子应属已损坏)这时万用表两表笔所接的引脚是D极(漏极)和S极(源极),对其它脚均为阻值大的是G极(栅极)。

2. D极(漏极)、S极(源极)的判定:万用表置于R X 10档,将红、黑表笔卡住要判断的D S极上,分别测量两极间的正反向电阻值,在测得阻值为较大值时,用黑表笔与G极(栅极)接触一下,然后再恢复原状,在此过程中,红、黑笔应始终与原管脚相触,这时万用表的读数会出现两种情况:若读数由大变小,则万用表黑笔所接的管脚为D极(漏极),红表笔所接的管脚为S极(源极);若万用表读数没有明显变化,仍为较大值,这时就应把黑表笔与引脚保持接触,然后移动红表笔与G极(栅极)触碰一下。

此时若阻值由大变小,则黑表笔所接的管脚为S极(源极),红表笔所接的管脚为D极(漏极)。

3. 类型的判定:确定D极(漏极)和S极(源极)后,如果万用表黑表笔所接为D极(漏极),红表笔所接为S极S极(源极),而且用黑表笔触发G (栅极)极,这时表明该场效应管为N沟道;如果黑表笔所接为S极(源极),红表笔所接为D极(漏极),且需用红表笔才能触发G极(栅极),则表明该场效应管为P沟道。

4. 跨导大小的判别:对于N沟道的场效应管,用红表笔接S极(源极)黑表笔接D极(漏极),万用表读数应较大,这时若用100K电阻一端先按D极(漏极),再碰G极(栅极),万用表读数就会发生变化,变化越明显,说明该场效应管的跨导越大。

对于D沟道的场效应管,用黑表笔接S极(源极),红表笔接D极(漏极),方法同前。

有的人用手触碰G极(栅极)的方法来试亦可,但易造成击穿故障。

有些大功率管,S极(源极)与D极(漏极)反向并有一只二极管,测试时应考虑这一情况。

场效应管-晶体管的组合管,也可按这一方法测试•场效应管的测量:一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R X 1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行) 任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G 1与栅极G 2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于RX1 0或RX 100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。

然后把万用表置于RX10k档,再测栅极G 1与G 2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。

要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法:用万用表电阻的R X 100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5 V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。

这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS 和漏极电流I b都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。

如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。

根据上述方法,我们用万用表的R X 100档,测结型场效应管3DJ2F。

先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Q,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12k Q , 表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。

运用这种方法时要说明几点:首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆动(电阻值增加)。

这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区) 所致,试验表明,多数管的RDS曽大,即表针向左摆动;少数管的RDS M小,使表针向右摆动。

但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力。

第二,此方法对M0场效应管也适用。

但要注意,M0场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。

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