表面磁光克尔实验报告
kerr
COM 3 COM 4 COM 2 COM 1 YL2250
YL1030 1f 2f 50K Ref. AC SCU-90 DC PEM-90 50K Modulation I/FS50 Femto
45
0
2: 实验装置示意图 IV. A. 光
1：对样品支架进行 5 维调节，使反射光点落在光电探测器上，并使得输出的直 流信号分量达到最大。 2：抑制光弹调制器控制信号，调节检偏器 S 于起偏器 P 垂直消光。 3：启动光弹调制器控制信号，调节光弹调制器角度使消光，此时光弹调制器振 动方向垂直或平行于起偏器偏振方向。 4：转动检偏器 45 度，使体系工作在偏振态分析模式下。 7
X rF
F
a
F
b k Y
1: 极克尔效应中的反射椭偏光及复克尔转角的正方向定义。图中，z 轴正方向、入射光方 向、磁场或磁化强度方向均指纸面内，反射光沿 z 轴负方向。
C.
我们取光沿 -z 方向传播光弹调制器的振动轴沿 x 方向，y 方向由右手螺旋法则 决定。取沿 x 和 y 方向偏振的模为基。我们略去 x 和 y 方向光电场分量的共同相位， 将进入到光弹调制器的光的偏振态记为 (Ex , Ey )，不妨取 Ex 为实数，Ey 一般是复 数。容易看出，光弹调制器和与 x 方向成方向成 45 度角的检偏器对应琼斯矩阵分别 为： 1 0 1/2 1/2 和 iδ 0 e 1/2 1/2 4
(1) (2) (3) (4)
上式中 M 是磁化强度矢量，结合时间和空间对称性可以看出介电常数的对角元和非 对角元分别是磁化强度 M 的偶函数和奇函数。最终我们得到的介电常数张量在直角 2
坐标系下表示为：
ε δ 0
2 ε = பைடு நூலகம்−δ ε 0 = ε0 n iQ 0 0 εz 0
磁光效应实验报告
轴不够重合，检偏棱镜，透镜聚焦位置不好，抑或是测量时噪音过大，影像数据的读取。
四、
参考文献
[1]. Qiu Z Q , Bader S D. Surface magneto-optic Kerreffect [J ] . Journal of Magnetism and Magnetic Materials , 1999 ,200 :664～678. [2]. 赵凯华. 新概念物理教程·光学[M] . 北京:高等教育出版社,2004. [3]. 刘公强，乐志强，沈德芳。磁光学。 上海科学技术出版社，2002. [4]. 廖延彪. 偏振光学[M] . 北京:科学出版社,2005. [5]. 吴思诚 王祖铨. 近代物理实验 高等教育出版社，2005. [6]. M. Faraday, Trans. Roy. Soc. (London) 5 (1846) 592. [7]. J. Kerr, Philos. Mag. 3 (1877) 339. [8]. J. Kerr, Philos. Mag. 5 (1878) 161. [9]. E.R. Moog, S.D. Bader, Superlattices Microstruct. 1 (1985) [10]. 543. [11]. S.D. Bader, E.R. Moog, P. GruK nberg, J. Magn. Magn. [12]. Mater. 53 (1986) L295. [13]. S.D. Bader, J. Magn. Magn. Mater. 100 (1991) 440. [14]. J.C. Maxwell, A Treatise on Electricity and Magnetism, [15]. Vol. II, chap. XXI, Clarendon Press, Oxford, 1873, pp.399-417. [16]. Z.Q. Qiu, S.D. Bader / Journal of Magnetism and Magnetic Materials 200 (1999) 664}678 677
表面磁光柯尔效应原
實驗一 表面磁光柯爾效應原理與操作一、磁光柯爾效應原理在1845年，Michael Faraday首先發現了磁光效應，他發現外加磁場在玻璃樣品上，入射光的偏極化面有旋轉的現象，隨後他在金屬表面上外加磁場做光反射的實驗，但實驗結果不能使人信服，因為當時他的表面不夠平整。
到了1877 年John Kerr 亦發現偏極化光從拋光的電磁鐵磁極反射出來時，亦有極化方向偏轉的情況，即磁光科爾效應﹝Magneto-Optic Kerr Effect﹞。
1985 年Moog 和Bader 進行鐵超薄膜磊晶成長的磁光科爾效應量測實驗，並量得到一個原子層磁性物質的磁滯曲線。
由於此測量方法之靈敏度可達一原子層厚度，配合現在超高真空系統之技術，因此成為表面磁學研究重要的一環。
所謂磁光效應或法拉第效應之原理為：因自身磁化產生異向性的折射率導致了不同的相位，並且吸收了不同的振幅。
不同的相位與振幅造成了橢圓偏振，橢圓長短軸之比例稱為柯爾橢圓率，橢圓長軸與參考軸之夾角稱為柯爾旋轉角。
待測樣品若為透明且等向性的介質置於一強磁場內﹝見圖一﹞圖一則當線性偏極光沿磁場方向穿透此晶體時，其極化方向將旋轉一角度Δψ，此角度Δψ與所加的磁場強度B和介質長度L成正比，寫成：Δψ＝Ｂ．Ｌ．Ｖ對於不透光材料﹝即表面磁光效應﹞，當光行進方向的任一分量與磁性材料的磁化量成平行時，其反射﹝或穿透﹞光的偏振方向將與原偏振光的方向產生一相對的旋轉角，即稱科爾旋轉角﹝Kerr rotation angle，θk﹞，如圖二所示﹝如為穿透光則稱為法拉第旋轉角﹞。
假設垂直於材料的磁化方向向上所產生的科爾旋轉角是“+θk＂，；則磁化方向向下的磁化量所產生的旋轉角將會是“-θk＂。
圖二磁光科爾效應的種類：依入射光與磁化量之間角度的不同，可將磁光科爾效應分成三種：（1）極化磁光科爾效應（Polar）、（2）縱向磁光科爾效應（Longitudinal）以及（3）橫向磁光科爾效應（Transverse）如圖三（a）、（b）、（c）、所示。
磁科尔效应实验报告
一、实验目的1. 理解磁光科尔效应的基本原理。
2. 通过实验观察并测量磁光科尔效应的现象。
3. 探讨磁光科尔效应在不同条件下的变化规律。
二、实验原理磁光科尔效应，又称次电光效应（QEO），是指当一束光通过响应于电场的材料时，材料的折射率发生变化的现象。
这种现象与普克尔斯效应不同，其诱导折射率的变化与电场的平方成正比。
磁光科尔效应分为克尔电光效应（直流科尔效应）和光克尔效应（交流科尔效应）两种特殊情况。
三、实验器材1. 磁光克尔效应实验装置2. 可调直流电源3. 可调交流电源4. 光源5. 分束器6. 折射率测量仪7. 计时器8. 记录本四、实验步骤1. 将磁光克尔效应实验装置连接好，确保各部分连接牢固。
2. 打开光源，调整光源强度，使其稳定。
3. 将分束器置于光源和样品之间，调整分束器，使部分光束照射到样品上，另一部分光束作为参考光束。
4. 调整样品，使其位于光路中心。
5. 打开可调直流电源，调整电压，使样品受到直流电场作用。
观察折射率测量仪的示数，记录数据。
6. 关闭直流电源，打开可调交流电源，调整电压和频率，观察折射率测量仪的示数，记录数据。
7. 重复步骤5和6，分别记录不同电压、频率下的折射率变化数据。
8. 分析实验数据，探讨磁光克尔效应的变化规律。
五、实验结果与分析1. 直流电场下，样品的折射率随电压平方增大而增大，符合磁光克尔效应的特点。
2. 交流电场下，样品的折射率随电压平方增大而增大，但随频率变化而变化。
当频率较高时，折射率变化较小；当频率较低时，折射率变化较大。
3. 通过实验数据分析，得出磁光克尔效应的变化规律如下：- 直流电场下，折射率变化与电压平方成正比。
- 交流电场下，折射率变化与电压平方成正比，但随频率变化而变化。
六、实验结论1. 磁光克尔效应实验成功观察到磁光克尔效应现象。
2. 实验结果表明，磁光克尔效应与电压平方成正比，且随频率变化而变化。
3. 该实验验证了磁光克尔效应的基本原理，为磁光克尔效应在光学信息处理、光通信等领域的研究提供了实验依据。
磁光克尔效应研究
磁光克尔效应研究摘要:当光电子技术日益在新兴高科技领域获得广泛应用的同时，以磁光效应原理为背景的磁光器件显示了其独特的性能和广阔的应用前景，引起了人们的浓厚兴趣。
表面磁光克尔效应，作为测量材料磁光特性特别是薄膜材料的物性的一种有效方法，已被广泛应用于磁有序、磁各向异性、多层膜中的层间耦合以及磁性超薄膜的相变行为等问题的研究。
本文简单介绍了什么是磁光克尔效应、磁光克尔效应的发展、以及表面磁光克尔效应作为一种测量方法的原理、实验装置和发展。
关键词:磁光克尔效应;磁光特性;表面磁光克尔效应1.引言1845年，Michael Faraday发现当给玻璃样品加一磁场时，透射光的偏振面将发生旋转，首次发现磁光效应。
随后他在处于外加磁场中的金属表面做反射实验，但由于他所谓的表面不够平整，因而实验结果不能使人信服。
1877年John Kerr在观察偏振光从抛光过的电磁铁磁极反射出来时，发现了磁光克尔效应(magneto-optic Kerr effect)。
1985年Moog和Bade r两位学者对铁超薄膜磊晶成长在金单晶(100)面上的磁光克尔效应做了大量实验，成功得到一原子层厚度磁性物质的磁滞回线，并提出SMOKE作为表面磁光克尔效应(surface magneto-optic Kerr effect)的缩写，用以表示应用磁光克尔效应在表面磁学上的研究。
由于此方法磁性测量灵敏度达一原子层厚度，且此装置可配置于超高真空系统上面工作，所以成为表面磁学的重要研究方法。
2.磁光克尔效应图1 克尔效应示意图一束线偏振光从具有磁矩的介质表面反射时，反射光将是一束椭圆偏振光，而且偏振方向将发生产生旋转。
相对于入射的线偏振光（以椭圆的长轴为标志）的偏振面方向有一定的偏转，偏转的角度为克尔转角，短轴与长轴的比为椭偏率，如图1所示。
复磁光克尔角定义为：，其大小正比于样品的磁化强度。
表1给出了常见的磁性物质在室温下的磁光克尔转角的数值。
磁光克尔效应数据处理
五、数据记录与数据处理
1、正磁光克尔效应
（1）数据记录：
（2）数据分析：
检偏片与消光位置偏离一小角度时，由上图的左图可得，当加上磁场时，光强增大，所以是正磁光克尔效应。
光强增大到一个恒定值，撤去磁场后，光强仍然不变，由于在一阶近似下光强的变化和磁化强度呈线性关系，可判断这时样品被磁化；直到加一个同样大小的反向磁场后，光强减小为初始大小，这时样品被消磁。
根据在一阶近似下光强的变化和磁化强度呈线性关系，电脑根据测得的光强大小得出样品磁化强度，自动绘出了样品的磁滞回线如右图。
2、负磁光克尔效应
（1）数据记录：
（2）数据分析：
检偏片与消光位置偏离的偏离角度与正磁光克尔效应实验相反时，由上图的左图可得，当加上磁场时，光强减小，所以是负磁光克尔效应。
光强减小到一个恒定值，撤去磁场后，光强仍然不变，这时样品被磁化；直到加一个同样大小的反向磁场后，光强增大小为初始大小，这时样品被消磁。
根据在一阶近似下光强的变化和磁化强度呈线性关系，电脑根据测得的光强大小得出样品磁化强度，自动绘出了样品的磁滞回线如右图。
这时电脑所绘的磁滞回线与正磁光克尔效应不同，因为这时的光强是先减小后增大，而正磁光克尔效应时是先增大后减小。
不过无论是正磁光克尔效应还是负磁光克尔效应，样品的实际磁滞回线应当是相同的，因为两种情况下所加的外磁场是完全相同的。
表面磁光科尔效应与超薄膜磁性性质
表面磁光科爾效應與超薄膜磁性性質文／蔡志申摘要表面磁光科爾效應其磁性解析靈敏度達一原子層厚度，且儀器配置合於超高真空系統之工作，為奈米級超薄膜磁性研究之一大利器。
本文以實驗者角度介紹表面磁光科爾效應原理，並簡介超薄膜之磁滯曲線特性、磁異向性、磁性相變與合金之磁性性質。
一、簡介在1845年，Michael Faraday首先發現了磁光效應[1,2]，他發現當外加磁場在玻璃樣品上時，透射光的偏極面發生旋轉的效應，隨後他在外加磁場之金屬表面上做光反射的實驗，但由於他所謂的表面並不夠平整，因而實驗結果不能使人信服。
1877年John Kerr在觀察偏極化光從拋光過的電磁鐵磁極反射出來時，發現了磁光科爾效應(magneto-optic Kerr effect)[2,3]。
1985年Moog 和Bader兩位學者進行鐵超薄膜磊晶成長在金單晶(100)面上的磁光科爾效應量測實驗，成功地得到一原子層厚度磁性物質之磁滯曲線，並且提出了以SMOKE來作為表面磁光科爾效應(surface magneto-optic Kerr effect)的縮寫，用以表示應用磁光科爾效應在表面磁學上的研究[4,5]。
由於此方法之磁性解析靈敏度達一原子層厚度，且儀器配置合於超高真空系統之工作，因而成為表面磁學的重要研究方法。
隨著科學技術的發展，應用元件的科技研發方向正快速朝向輕、薄、短、小推展，控制在奈米層次所製造出來的奈米電子元件其元件密度、速度、耗能及成本效益將遠超過現有的半導體技術；在元件製作過程中，能成長高品質的薄膜與精準地控制其物性，才能保證接續之微形蝕刻之成功，因而厚度僅約幾個原子層之超薄膜的相關研究在電子工業元件尺寸奈米化的技術中更顯得重要；由於在磁性感測器、磁光記憶元件、磁性記憶體等之工業應用與磁性自旋電子元件的可能性，帶來了億兆美元的商機，磁性超薄膜的物性研發，不但可帶動相關科學知識之突破，更可有效地提升工業技術，因而世界各科技先進國家無不投入大量資源。
磁光克尔 实验报告
磁光克尔实验报告引言磁光效应是指光波在磁场中传播时发生的旋光现象。
克尔效应是磁光效应的一种特殊现象，指的是在磁场中垂直于磁场方向的光波传播时，会发生旋光现象。
磁光克尔实验是用来研究磁光效应的一种常用实验方法，本实验旨在通过观察和测量克尔角来研究磁光克尔效应，并验证克尔关系式。
实验装置与原理实验装置主要由磁铁、起偏器、检偏器、光源、光阑、样品、读数器等组成。
光源经过起偏器后，成为偏振光，通过光阑后遇到样品，样品中的光将发生旋光，然后再通过检偏器，最后进入读数器进行测量。
克尔角是克尔效应的一个重要参数，定义为磁场方向与光轴方向（矩形截面晶体的主平面内）法线的夹角。
克尔角的大小直接与样品的性质及磁场的强弱有关。
实验步骤1. 将实验装置按照要求搭建好，调整起偏器和检偏器的角度，使其相互垂直。
2. 使用光源照射样品，调整磁铁的电流大小，观察检偏器的显示值，并记录下来。
3. 改变磁场的方向，逐渐增加电流大小，记录下检偏器的显示值。
4. 根据记录的数据绘制出克尔角随磁场强度的变化曲线。
数据处理与分析根据实验记录的数据，我们可以得到克尔角随磁场强度的变化曲线。
根据克尔关系式可以得到：K = V / (L * B)其中，K为克尔角，V为检偏器的显示值，L为样品的长度，B为磁场的强度。
通过绘制曲线，我们可以观察到克尔角随磁场强度的变化趋势。
一般来说，随着磁场强度的增加，克尔角会呈现出先增大后减小的趋势。
这是因为在磁场较弱时，磁光效应相对较小，克尔角较小；随着磁场强度的增加，磁光效应逐渐强化，克尔角也逐渐增大；当磁场达到一定强度后，由于样品本身的特性限制，克尔角开始减小。
结论通过本次实验，我们成功研究了磁光克尔效应，并验证了克尔关系式。
我们观察到克尔角随磁场强度的变化曲线，并根据该曲线得出了克尔角随磁场强度变化的一般规律。
此外，我们还了解到了磁光克尔效应在光学、材料学等领域的重要应用。
总的来说，本实验对我们深入理解磁光效应以及克尔效应的产生机制起到了重要的作用，为进一步研究相关领域的理论和应用提供了实验基础。
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深圳大学实验报告课程名称：近代物理实验
实验名称：表面磁光克尔效应实验
学院：
组号指导教师：
报告人：学号：
实验地点实验时间：
实验报告提交时间：
一、实验设计方案
1.1、实验目的
（1）了解表面磁光克尔效应的原理和实验方法；
(2)掌握表面磁光克尔效应谱的测量和应用。
1.2、实验原理
磁光效应有两种：法拉第效应和克尔效应，1845 年，Michael Faraday 首先发现介质的磁化状态会影响透射光的偏振状态，这就是法拉第效应。
1877 年，John Kerr 发现铁磁体对反射光的偏振状态也会产生影响，这就是克尔效应。
克尔效应在表面磁学中的应用，即为表面磁光克尔效应
（surface magneto-optic Kerr
effect）。
它是指铁磁性样品（如
铁、钴、镍及其合金）的磁化状态
对于从其表面反射的光的偏振状
态的影响。
当入射光为线偏振光
时，样品的磁性会引起反射光偏振面的旋转和椭偏率的变化。
表面磁光克尔效应作为一种探测薄膜磁性的技术始于 1985 年。
如图 1 所示，当一束线偏振光入射到样品表面上时，如果样品是各向异性的，那么反射光的偏
振方向会发生偏转。
如果此时样图 1 表面磁光克尔效应原理
品还处于铁磁状态，那么由于铁磁性，还会导致反射光的偏振面相对于入射光的偏振面额外再转过了一个小的角度，这个小角度称为克尔旋转角θk 。
同时，一般而言，
由于样品对 p光和s光的吸收率是不
一样的，即使样品处于非磁状态，反
射光的椭偏率也发生变化，而铁磁性
会导致椭偏率有一个附加的变化，这
个变化称为克尔椭偏率εk 。
由于克
尔旋转角θk和克尔椭偏率εk都是
磁化强度M 的函数。
通过探测θ k
或εk 的变化可以推测出磁化强度M
的变化。
按照磁场相对于入射面的配置状
态不同，磁光克尔效应可以分为三种：极向克尔效应、纵向克尔效应和横向克尔效应。
1．极向克尔效应：如图 2 所示，磁化方向垂至于样品表面并且平行于入射面。
通常情况下，
极向克尔信号的强度随光的入射角的减小而增大，在 0o 入射角时（垂直入射）达到最大。
图 2 极向克尔效应
2．纵向克尔效应：如图 3 所示，磁化方向在样品膜面内，并且平行于入射面。
纵向克尔信号的强度一般随光的入射角的减小而减小，在入射角时为零。
通常情况下，纵向克尔信号中无论是克尔旋转角还是克尔椭偏率都要比极向克尔信号小一个数量级。
图 3 纵向克尔效应
正是这个原因纵向克尔效应的探
测远比极向克尔效应来得困难。
但
对于很多薄膜样品来说，易磁轴往
往平行于样品表面，因而只有在纵
向克尔效应配置下样品的磁化强
度才容易达到饱和。
因此，纵向克
尔效应对于薄膜样品的磁性研究来说是十分重要的。
3．横向克尔效应：如图 4 所示，磁化方向在样品膜面内，并且垂至于入射面。
横向克尔效应中反射光的偏振状态没有变化。
这是因为在这种配置下光电场与磁化强度矢积的方向永远没有与光传播方向相垂直的分量。
横向克尔效应中，只有在偏振光（偏振方向平行于入射面）入射条件下，才有一个很小的反射率的变化。
图 4 横向克尔效应
以下以极向克尔效应为例详细
讨论 SMOKE 系统，原则上完全适用
于纵向克尔效应和横向克尔效应。
图5为常见的 SMOKE 系统光路图，氦－氖激光器发射一激光束通过偏振棱镜 1 后变成线偏振光，然后从样品表面反射，经过偏振棱镜 2 进入探测器。
偏振棱镜 2 的偏振方向与偏振棱镜 1 设置图 5 常见 SMOKE 系统的光路图
成偏离消光位置一个很小的角度δ，
如图 6 所示。
样品放置在磁场中，当外加磁场改变样品磁化强度时，反射光的偏振状态发生改变。
通过偏振棱镜 2 的光强也发生变化。
在一阶近似下光强的变化和磁化
强度呈线性关系，探测器探测到这个光强的变化就可以推测出样品的磁化状态。
两个偏振棱镜的设置状态主要是为了区分正负克尔旋转角。
若两个偏振方向设置在消光位置，无论反射光偏振面是顺时针还是逆时针旋转，反映在光强的变化上都是强度增大。
这样无法区分偏振面的正负旋转方向，也就无法判断样品的磁化方向。
当两个偏振方向之间有一个小角度δ 时，通过偏振棱镜2 的光线有一个本底光强I 0 。
反射光偏图 6 偏振器件配置
振面旋转方向和δ 同向时光强增大，反向时光强减小，这样品的磁化方向可以通过样光强的变化来区分。
在图 2 的光路中，假
设取入射光为p 偏振（电场矢量Ep平行于
入射面），当光线从磁化了的样品表面反射时
由于克尔效应，反射光中含有一个很小的垂
直于Ep的电场分量，通常 Es<< Ep。
在一阶近似下有：
Es／Ep=
θk+iεk (1)
通过棱镜 2 的光强为：I=∣Ep sinδ+ Es cosδ∣2 (2)
将（1）式代入（2）式得到：I = ∣E p ∣2∣sinδ+(θk + iεk )cosδ∣2
（3）
因为δ 很小，所以可以取sinδ = δ ， cosδ = 1，得到：
I = ∣Ep∣2∣δ+ (θk + iεk )∣2（4）
整理得到：I = ∣Ep∣2
(δ2 + 2δθk) （5）
无外加磁场下：I 0 = ∣Ep ∣2δ2 （6）
所以有：I = I 0 (1+ 2θk /δ ) （7） 于是在饱和状态下的克尔旋转角θk 为：
（8）
I (+M S ) 和 分别是正负饱和状态下的光强。
从式（8）可以看出，光强的变化只与克尔旋转角I (−M S )θ k 有关，而与ε k 无关。
说明在图 5 这种光路中探测到的克尔信号只是克尔旋转角。
在超高真空原位测量中，激光在入射到样品之前，和经样品反射之后都需要经过一个视窗。
但是视窗的存在产生了双折射，这样就增加了测量系统的本底，降低了测量灵敏度。
为了消除视窗的影响，降低本底和提高探测灵敏度，需要在检偏器之前加一个 1/4 波片。
仍然假设入射光为 p 偏振，四分之一波片的主轴平行于入射面，如图 7 所示
此时在一阶近似下有：K K P S i E E θε+-=/
通过棱镜 2 的光强为：2
22
δθδεδδδCos i Cos Sin E Cos E Sin E I K K P S P +-=+=
因为δ 很小，所以可以取sin δ = δ ， cos δ = 1，得到：
)
2(222222K K K P K K P E i E I θεδεδθεδ++-=+-= 因为角度δ 取值较小，并且
220δp E I = ，所以：
)
/21()2(022δεδεδK K P I E I -=-≈ (9) 在饱和情况下∆ε k 为：
004)
()(4I I I M I M I S S k ∆-=+--=∆δδε (10)
此时光强变化对克尔椭偏率敏
感而对克尔旋转角不敏感。
因此，
如果要想在大气中探测磁性薄膜
的克尔椭偏率，则也需要在图5的
光路中检偏棱镜前插入一个四分
之一波片。
如图7所示。
如图5所示，整个系统
由一台计算机实现自动控制。
根据设置的参数，计算机经D/A卡控制磁场电源和继电器进行磁场扫描。
光强变图7 SMOKE 系统测量椭偏率的光路图
化的数据由A/D卡采集，经运算后作图显示，从屏幕上直接看到磁滞回线的扫描过程，如图8所示。
表面磁光克尔效应具有极高
的探测灵敏度。
目前表面磁光克尔
效应的探测灵敏度可以达到10－
4度的量级。
这是一般常规的磁光
克尔效应的测量所不能达到的。
因
此表面磁光克尔效应具有测量单
原子层、甚至于亚原子层磁性薄膜
的灵敏度，所以表面磁光克尔效应已经被广泛地应用在磁性薄膜的研究中。
虽然表面磁光克尔效应的测量结果是克尔旋转角或者克尔椭偏率，并非直接测量磁性样品的磁化强度。
但是在一阶近似的情况下，克尔旋转角或者克尔椭偏率均和磁性样品的磁化强度成正比。
所以，只需要用振动样品磁强计（VSM）等直接测量磁性样品的磁化强度的仪器对样品图8 表面磁光克尔效应实验扫描图样
二、实验仪器
表面磁光克尔效应实验系统主要由电磁铁系统、光路系统、主机控制系统、光学实验平台以及
电脑组成。
如图 9 所示。
图9 表面磁光克尔效应实验系统实验装置
三、数据记录及数据处理。