电子线路期末试卷及答案
中职中专《电子线路》期末考试试卷和答案一
XXXX 学院（XX 中专）2020-2021学年度第一学期期末考试XX 级《电子线路》试卷使用班级：XX 计算机一、选择题（15小题，每题2分，共计30分）1.如图所示，V 为理想二极管，则A 、B 两端的电压为（ ） A.6V B.-6VC.12VD.-12V2.单相全波整流电路中，负载电阻R L 上平均电压等于 （ ） A.0.9V 2 B.0.45V 2 C.V 2 D.1.1V 23.某三极管有A 、B 、C 三个电极，工作在放大状态，且测得各电极的电位分别为：V A =-4V ，V B =-3.3V ，V C =-8V ，则该三极管为（ ）。
A.PNP 型锗管B.NPN 型硅管C.PNP 型硅管D.NPN 型锗管4.晶体二极管从反向截止到正向导通所需时间为t 1从正向导通到反向截止所需时间为t 2，则t 1与t 2的关系是( )。
A.t 1=t 2B.t 1>>t 2C.t 1<<t 2D.不能确定 5.如图所示电路，从电灯亮的角度出发实现的功能是 。
（ ） A. Y=A ·B B.Y=A+B C. B A Y •= D.B A Y +=6.与非门的输入和输出的逻辑关系是 。
（ ） A.有1出0，全0出1 B.有0出1，全1出0 C.相同出1，不同出0 D.不同出1，相同出07.逻辑函数式C B A ABC F +++=的化简后的表达式或逻辑值为 。
（ ） A. ABC B. ABC C. 0 D. 1系部 专业 班级 姓名 考试号 ―――――――――――――――――――――――――装―――――――订―――――――线――――――――――――――――答 题 不 得 超 过 此 装 订 线≥1 &8.与非逻辑对应的逻辑图是。
（）A. B.C. D.9.如图所示的波形图表示的逻辑关系是。
（）A.F=BA⋅B.F=A+BC.F=BA⋅D.F=BA+10. 二进制数字“10110”用十进制表示为。
高频电子线路复习题(含答案)
~ 学年第学期专业年级高频电子线路课程期末考试题A卷班级姓名学号(一)一、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字母填在括号内1．在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（ C ）A．提高回路的Q值B．提高谐振频率C．加宽通频带D．减小通频带2．在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的（C）A．LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波B．石英晶体振荡器不能产生正弦波C．电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大D．电容三点式振荡器的振荡频率做不高3．如图为某收音机的变频级，以下正确叙述是（ A ）A．电感三点式本机振荡电路B．双回路调谐放大器取出中频信号C．对接收信号构成共基放大电路D．以上说法都不对4．试用自激振荡的相位条件判别下图能产生自激振荡的电路（D）A B C D5．功率放大电路根据以下哪种说法可分为甲类、甲乙类、乙类、丙类等（D ）A．电路特点B．功率放大倍数C．电流大小D．功放管静态工作点选择情况6．用万用表欧姆档测量小功率三极管的电极时，应该把欧姆档拨到（A）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档7．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调频波的表达式为（A ）A．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt）B．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt）C．u FM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u FM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 8．MC1596集成模拟乘法器不可以用作（C ）A．振幅调制B．调幅波的解调C．频率调制D．混频9．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收931kHz的信号时，还收到1kHz的干扰信号，此干扰为（ A ）A．干扰哨声B．中频干扰C．镜像干扰D．交调干扰10．混频电路又称变频电路，在变频过程中以下正确叙述是（C）A．信号的频谱结构发生变化B．信号的调制类型发生变化C．信号的载频发生变化11．二极管峰值包络检波器，原电路正常工作。
电子线路期末试题AB卷及答案
电子线路期末试题AB卷及答案题一：选择题（共40分）1. 下列哪个是二极管的主要特点？A. 双向导电性B. 可控制流C. 半导体材料制成D. 有反向击穿电压答案：C2. 下列哪个元件用于实现信号放大功能？A. 电感B. 电阻C. 二极管D. 晶体管答案：D3. 下列哪个是直流电路分析的基本定律？A. 基尔霍夫电流定律B. 基尔霍夫电压定律C. 焦耳定律D. 熵增定律答案：B4. 下列哪个是滤波电路的主要作用？A. 限流电压B. 过滤杂波C. 放大信号D. 实现数字转换答案：B5. 下列哪个是运算放大器的特点？A. 无失真B. 无放大功能C. 高输入阻抗D. 低输出阻抗答案：C6. 下列哪个是数字电路的基本组成单元？A. 二极管B. 三极管C. 逻辑门D. 电容答案：C7. 下列哪个是模拟电路的主要特点？A. 用于数字信号处理B. 电压连续变化C. 采用二进制编码D. 仅能处理离散信号答案：B8. 下列哪个是最常用的阻容滤波器？A. RC滤波器B. LC滤波器C. 定频滤波器D. 低通滤波器答案：A9. 下列哪个是旁路二极管的作用？A. 保护二极管B. 限制电流C. 修正电流D. 改变信号波形答案：A10. 下列哪个是门电路的基本逻辑运算？A. 与门B. 非门C. 异或门D. 甲乙门答案：A题二：填空题（共20分）1. 双稳态电路是由__________和_________组成的。
答案：触发器、逻辑门2. 一般情况下，二极管的导通压降约为_________伏。
答案：0.73. 放大器的放大倍数为输入信号幅值变化与输出信号幅值变化的________。
答案：比值4. 三极管分为______、______和______。
答案：发射极、基极、集电极5. 操作放大器主要包括________和________操作。
答案：可控电流源、控制电压6. 实用运算放大器的增益一般在________到________之间。
电工电子期末考试题及答案
电工电子期末考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在电路中，电流的单位是：A. 伏特（V）B. 安培（A）C. 欧姆（Ω）D. 瓦特（W）答案：B2. 电阻串联时，总电阻值是各个电阻值的：A. 和B. 差C. 积D. 倒数之和答案：A3. 欧姆定律表达式为：A. V = I * RB. I = V / RC. R = V / ID. V = R * I答案：A4. 电容的单位是：A. 法拉（F）B. 欧姆（Ω）C. 安培（A）D. 伏特（V）答案：A5. 交流电的频率单位是：A. 赫兹（Hz）B. 伏特（V）C. 安培（A）D. 欧姆（Ω）答案：A6. 三相交流电中，星形连接的特点是：A. 线电压等于相电压B. 线电流等于相电流C. 线电流是相电流的根号3倍D. 线电压是相电压的根号3倍答案：D7. 半导体二极管的主要特性是：A. 单向导电性B. 双向导电性C. 可变电阻性D. 可变电容性答案：A8. 晶体管的放大作用是指：A. 电流放大B. 电压放大C. 电阻放大D. 电容放大答案：A9. 整流电路的作用是将：A. 交流电变为直流电B. 直流电变为交流电C. 高频信号变为低频信号D. 低频信号变为高频信号答案：A10. 变压器的工作原理是：A. 电磁感应B. 欧姆定律C. 基尔霍夫定律D. 法拉第定律答案：A二、填空题（每空2分，共20分）11. 一个完整的电路包括电源、________、________和电源。
答案：导线、用电器12. 串联电路中，电阻的总阻值等于各个电阻阻值的________。
答案：和13. 并联电路中，总电阻的倒数等于各个电阻倒数的________。
答案：和14. 电容器在交流电路中表现为________。
答案：容抗15. 电感器在交流电路中表现为________。
答案：感抗16. 三极管的三个主要极分别是发射极、基极和________。
答案：集电极17. 整流电路中，半波整流电路的输出波形是________。
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(1)在半导体内部，只有电子是载流子。
(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
(3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。
(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。
(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。
(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
(8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。
(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。
(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。
(1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。
A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。
A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。
A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。
A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。
A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。
电子线路期末试卷及答案
(1)在半导体内部，只有电子是载流子.(2)在N型半导体中,多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子.（3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压（门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。
（4）在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流.（5）晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。
（6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极.(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
（8）在单管放大电路中，若V G不变,只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值.(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v=A v1+A v2。
（10）晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大.（1）当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。
A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子（2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( ).A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝—I c R c(3）用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到（）。
A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡（4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于().A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时,它的I C将( )。
A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（ ).A．同相位 B．相位差90° C．相位差180°（7）NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管（ ).A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升(8）当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（ )。
电工电子技术试题库考试试卷期末考试试卷及答案详解
电工电子技术试题库考试试卷期末考试试卷及答案详解一、选择题（每题2分，共20分）1. 以下哪个不是基本的电路元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D解析：基本的电路元件包括电阻、电容和电感。
二极管属于半导体器件，不属于基本电路元件。
2. 在串联电路中，电流处处相等，以下哪个说法正确？A. 电压处处相等B. 功率处处相等C. 电阻处处相等D. 电容处处相等答案：B解析：在串联电路中，电流处处相等，因此功率处处相等。
电压、电阻和电容在串联电路中不一定相等。
3. 以下哪个属于非线性电阻？A. 线性电阻B. 热敏电阻C. 光敏电阻D. 所有以上选项答案：D解析：非线性电阻包括线性电阻、热敏电阻和光敏电阻等。
4. 以下哪个不属于放大器的分类？A. 电压放大器B. 功率放大器C. 频率放大器D. 直流放大器答案：C解析：放大器的分类主要有电压放大器、功率放大器、频率放大器和直流放大器等。
频率放大器不属于放大器的分类。
5. 以下哪个是模拟信号的特点？A. 连续性B. 离散性C. 确定性D. 随机性答案：A解析：模拟信号具有连续性，而数字信号具有离散性。
二、填空题（每题3分，共15分）6. 在并联电路中，电压处处相等，电流等于各支路电流的______。
答案：和解析：在并联电路中，电压处处相等，电流等于各支路电流的和。
7. 电路元件按照其在电路中的作用可分为______元件和______元件。
答案：有源元件，无源元件解析：电路元件按照其在电路中的作用可分为有源元件（如电源、信号源等）和无源元件（如电阻、电容、电感等）。
8. 放大器的输入信号与输出信号的相位关系称为______。
答案：相位移解析：放大器的输入信号与输出信号的相位关系称为相位移。
9. 模拟信号经过采样和量化后，变为______信号。
答案：数字信号解析：模拟信号经过采样和量化后，变为数字信号。
三、判断题（每题2分，共10分）10. 在串联电路中，电压处处相等。
高频电子线路试卷及答案5
~ 学年第学期专业年级高频电子线路课程期末考试题A卷班级姓名学号得分一、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字母填在括号内1．改进型电容三点式振荡器的主要优点是（）A．容易起振B．振幅稳定C．频率稳定度较高D．减小谐波分量2．如图所示电路，以下说法正确的是（）A．该电路可以产生正弦波振荡B．该电路不能产生正弦波振荡，原因在于振幅平衡条件不能满足；C．该电路不能产生正弦波振荡，原因在于相位平衡条件不能满足；D．该电路不能产生正弦波振荡，原因在于振幅平衡、相位平衡条件均不能满足；3．功率放大电路与电压放大电路的区别是（）A．前者比后者电源电压高B．前者比后者电压放大倍数大C．前者比后者效率高D．前者比后者失真小4．如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV”的指示值是5μs，则所测正弦波的频率为（）A．100kHz B．50kHz C．25kHz D．20kHz5．小信号调谐放大器主要用于无线通信系统的（）A．发送设备B．接收设备C．发送设备、接收设备6．高频功率放大器主要工作在（）A．甲类B．乙类 C．甲乙类 D．丙类7．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则双边带调幅波的表达式为（）A．u DSB(t)=U C cos（ωC t＋m a sinΩt）B．u DSB(t)=U C cos（ωC t＋m a cosΩt）C．u DSB(t)=U C（1＋m a cosΩt）cosωC t D．u DSB(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt8．单频调制时，调频波的最大频偏Δf m正比于（）A．UΩB．uΩ(t)C．Ω9．鉴相的描述是（）A．调幅信号的解调B．调频信号的解调C．调相信号的解调10．下图所示框图能实现何种功能？（）其中u s(t)= U s cosωc tcosΩt， u r(t)= U r cosωc tA．振幅调制B．检波C．混频D．鉴频11．振荡器的相位平衡条件和振幅起振条件为（）A．φT（ω）＝2nл，T（jω）＝1B．φT（ω）＝0，T（jω）＝1C．φT（ω）＝2nл，T（jω）>112．调幅的描述（）A．用载波信号去控制调制信号的振幅，使调制信号的振幅按载波信号的规律发生变化。
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(1) 在半导体内部，只有电子是载流子。
(2) 在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
(3 )一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。
(4) 在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
⑸晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。
(6) 用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极
管的管脚是二极管
的正极，另一电极是负极。
(7) 三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
(8) 在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。
(9) 两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为Ai、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A，
A v= A vi+A v2。
(10) 晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。
(1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是()
A .少数载流子
B .多数载流子
C .既有少数载流子又有多数载流子
(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为()。
A. v°= i c R? B . V o = -R c i c C . v°= -I c R?
(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到()。
A. R X 100Q或R X 1000Q挡B . RX 1 Q C . RX 10K Q挡
(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于
()。
A.大电阻B •断开的开关C •接通的开关
(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I c将()。
A.随I B增加而增加B .随I B增加而减小C .与I B无关，只决定于F C和V G
(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()。
A.同相位B .相位差90° C .相位差180°
(7) NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管()。
A.基极电流不变； B .集电极对发射极电压V C E下降；C .集电极对发射极电压V CE上升
(8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将()。
A.增大B .反向C .中断
(9)在基本放大电路中，基极电阻F B的作用是()。
A.放大电流 B .调节偏置电流I BQ
C.把放大了的电流转换成电压； D .防止输入信导被短路。
(10)三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是( )。
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
三.填充题(2'X 10)
(1) 晶体三极管I E、I B、I c之间的关系式是_____________________ , △ I (/△ I B的比值叫______________________ 。
(2) PN结具有_____________________ 性能，即：力口____________________ 电压时PN结导通；加___________________ 电
压时PN结截止。
(3) 当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_____________ V,锗二极管的正向压降为____________ V。
(4) ____________________________________ NPN型晶体三极管的发射区是______ 型半导体，集电区是 ___________ 型
半导体，基区是_____________________________ 型半导体。
(5) _______________________________________ 晶体二极管因所加_____________ 电压过大而 ___________________ ，
并且出现 _____________________________________ 的现象，称为热击穿。
(9)放大器的静态是指时的工作状态。
(6) 某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位
V C- V G,则该放大器的三极管处于_____________________________ 工作状态。
⑺晶体三极管的穿透电流I CEC随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管__________________ ，所以热稳定性三极管较好。
(8) 一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而
四.问答题(2 X 10')
(1)两个稳压二极管，稳压值分别为7V和9V,将它们组成图所示两种电路，设输入端电压乂值是20V,求各电路输出电压
少？
(2)图所示出各三极管的每个电极对地的电位。
试判别各三极管处于何种工作状态
五.计算题(20')
如图所示单管放大电路中，设晶体管的B =
①估算电路的静态工作点I BQ I CQ V C E Q
②估算放大倍数。
12V 3.3V
-0.7V> 3富乍
0V 3V
© ⑷
(10)共发射极电路的输出电压与输入电压有_______________________ 的相位关系，所以该电路有时被称为
V2的值是多
(NPN管为硅管，PNP管为锗管)o
40, 5= 1.4k Q o
三.填空题(1'X 20)
1.1 E=l B+l C,交流电流放大系数B
2. 单向导电性，正偏，反偏
3. 0.7V , 0.3V
4. N , N, P
5. 反向，击穿，烧毁
6. 饱和
7. 大得多，硅
8. 增大
9. 没有输入信号
10. 倒向，反相器
四.问答题(2 X 10')
(1) (a) 7V
(b)16V
⑵(a)放大状态
(b )截止状态
(c )截止状态
(d )饱和状态
五.计算题(20')
解: (1)
l BQ=(V G-V BEQ)/R b=(12-0.7)V/400K 28uA
I CQ=B I BQ=40*28U A ~ 1.1mA
V CEQ=V G-I CQ R C=12V-1.1*5,1V疋 6.4V
(2)A 严-B R c/r be=-40*5.1/1.4 〜-146。