北京邮电期末考试试卷 08~09第一学期电子电路期末试卷
电子线路期末试卷及答案
一．判断题(答案填在表格中，对的打√，错的打×)（2’×10）(1)在半导体内部，只有电子是载流子。
(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
(3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。
(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。
(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。
(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
(8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。
A v，A．大电阻B．断开的开关C．接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将()。
A．随I B增加而增加B．随I B增加而减小C．与I B无关，只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()。
A．同相位B．相位差90°C．相位差180°(7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管()。
A．基极电流不变；B．集电极对发射极电压V CE下降；C．集电极对发射极电压V CE上升(8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将()。
A．增大B．反向C．中断（9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是()。
A．放大电流B．调节偏置电流I BQC．把放大了的电流转换成电压；D．防止输入信导被短路。
（10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。
A.放大状态B.饱和状态C.截止状态三．填充题（2’×10）(1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。
2008-2009-1电工期中试卷A
中国石油大学（北京）2008 ——2009学年第一学期《电工电子学》期中考试试卷A （闭卷）班级： 姓名： 学号： 分数：题号 一 二 三 四 五 六 总分得分★ 请将选择题答案填在后面的表中，非客观题答案写在答题纸上！本试卷共4页！一. 单项选择题：（本大题共26 小题，每题2分，总计 52 分 ）1、把 图 1 所 示 的 电 路 改 为 图 2 的 电 路，其 负 载 电 流 I 1 和 I 2 将( )。
(a) 增 大 (b) 不 变 (c) 减 小2AI I I I 12122V1Ω1Ω1Ω1Ω2V 2A图 1图 2+2、图 3示 电 路 中，用 一 个 等 效 电 源 代 替，应 该 是 一 个( )。
(a) 2 A 的 理 想 电 流 源 (b) 2 V 的 理 想 电 压 源 (c) 不 能 代 替 ，仍 为 原 电 路i AB+2 A 2 VU I 6V2S S2 Ω4 A6 V ..+U I 2 A－+图3 图4 图5 3、图4 示 电 路 中，理 想 电 压 源 发 出 的 功 率 P 为 ( )。
(a) 6 W (b) -6 W (c) 18 W4、图 5示 元 件 供 出 电 功 率 10 W ，则 电 压 U 为 ( )。
(a) －5 V (b) 5 V (c) 20 V5、有 额 定 电 压 U N ＝ 220 V 、额 定 功 率 分 别 为 100 W 和 25 W 的 两 只 白 炽 灯 泡 ，将 它 们 串 联 后 接 在 220 V 的 电 源 上，它 们 的 亮 度 情 况 是( )。
(a) PN =100 W 的灯泡亮 (b) P N = 25 W 的 灯泡亮 (c) 两 只 灯 泡 亮 度 一 样6、已 知 图6 a 电 路 中 的 U S = 2 V 。
用图b 所 示 的 等 效 电 流 源 代 替 图a 所 示 的 电 路，则 等 效 电 流 源 的 参 数 为 ( )。
北京邮电大学2008—2009学年第一学期《工科数学分析》期末考试答案(B卷)
北京邮电大学2008——2009学年第一学期《工科数学分析》期末考试试题(B 卷)参考评分标准一、填空（本大题共10小题，每小题4分，共40分）1. 极限2220lim x t x x t e dt xe →+∞=⎰. 解答： 122.0x →= . 解答：523. 已知211d f dx x x ⎡⎤⎛⎫= ⎪⎢⎥⎝⎭⎣⎦, 则1'2f ⎛⎫= ⎪⎝⎭ .解答：1-4. 极限10lim 1nx n x dx e →∞=+⎰ .解答：05.设由方程2200sin 1y x t e dt tdt +=⎰⎰确定y 为x 的函数, 则dydx = .解答：222sin y xe x -- 6. 2tan 13cos xdx x =+⎰ .解答： 2221113cos ln(4tan )ln 22cos xx C C x +++=+7.已知2cos '(),(0)0,1sin xf x f x ==+则()f x = .解答：arctan(sin )x8. 设()y x 是微分方程2(1)x y x y x y e '''+-+=满足(0)0y =, (0)1y '=的解，则20()lim x y x x x →-= . 解答：19.= .解答：2ln 1x C ⎫-+⎪⎪⎭C =-+ 10.20arctan 1x dx x +∞=+⎰_____________________________. 解答： 28π 二、(6分)求证方程0=++x cos q p x 有且只有一个实数根, 其中常数q p ,满足10<<q .证:令()cos f x x p q x =++ , 则'()1sin f x q x =-.由于 110≤<<x s i n ,q ,所以'()0f x >,所以()f x 是单调增函数.又显见 l i m (),l i m ()x x f x f x →-∞→+∞=-∞=+∞,由此该方程只有一个实数根.三、(8分)设函数()f x 在[0,1]上二阶可导, (0)(1),f f =且 |"()|2,f x ≤证明|'()| 1.f x ≤证明：对任意[0,1]x ∈，由Taylor 公式212(0)()()(0)()(0)(0)f f x f x x f x x ξη'''=+-+-<<, 212(1)()()(1)()(1)(1)f f x f x x f x x ηη'''=+-+-<<. 两式相减得2211220()()(1)()f x f x f x ηξ'''''=+-- 故221122()()(1)() f x f x f xηξ'''''=--221122()(1)()f x f xηξ''''≤-+ 22 (1)12(1) 1.x x x x ≤-+=--≤ 四、(10分)求通过点(0,0),(1,2)的抛物线，它具有以下性质：（1）对称轴平行于y 轴；（2）图形向上凸；（3）与x 轴所围图形面积最小.求该抛物线方程.解：设所求的抛物线方程为：2y ax bx c =++. 由所求抛物线过点(0,0)，知0;c =过点(1,2)，知2.a b =- 又2y ax bx =+与x 轴的交点分别为(0,0),(,0)b a-,于是曲线与x 轴所围图形的面积为 332220()()66(2)b a b b S b ax bx dx a b -=+==-⎰. 23(6)'().6(2)b b S b b -=-令'()0S b =知126,0b b ==,对应的124,2a a =-=.由于图形向上凸可知22a =该舍去. 故246y x x =-+. 五、(7分)设)(x f 可导，且满足方程00()()x xf t dt x tf x t d t =+-⎰⎰，求 )(x f 的表达式.解：设,u x t =-则 000()()(),x x x tf x t d t x f u d u uf u d u -=-⎰⎰⎰ 故原方程为 000()()()xx xf t dt x x f u d u uf u d u =+-⎰⎰⎰, 两边对x 求导, 得0()1(),xf x f u d u =+⎰ 且(0) 1.f = 再对x 求导, 得'()(),f x f x = 解此微分方程知()x f x Ce =.又由(0)1,f = 知1C =, 于是所求函数为()x f x e =.六、(7分)2220d 2.x x e x e -≤≤⎰证明：令2(),x x f x e -=则2'()(21).x x f x x e -=- 令'()0,f x =得12x =. 又212(0)1,()(2)f f f e ===, 因此2[0,2][0,2]min (),max ().f x f x e == 2220d 2.x x e x e -≤≤⎰七、(12分) (本大题共两个小题，每小题6分)(1)求摆线第一拱(sin ),(0,02)(1cos )=-⎧>≤≤⎨=-⎩x a t t a t y a t π的长度.解:20=⎰Lπ20π=⎰202sin 8.2t a dt a π==⎰(2) 讨论积分1+∞⎰的敛散性.解： 因为1=x的奇点，所以1+∞⎰212+∞=+⎰⎰.1lim 0,+→=≠x 且⎰-211d xx 收敛，所以21⎰收敛. 又1→∞=x 且12∞-⎰x dx 发散，所以2+∞⎰发散.综上所述，知1+∞⎰发散.八、(10分) 求微分方程2223cos2x x y y y xe e x '''-+=-的通解, 以及满足条件0)0(,0)0(='=y y 的特解.解：(1)特征方程0222=+-λλ，特征根i i -=+=1,121λλ，故所对应的齐次线性方程的通解为.sin cos 21x e C x e C y x x += 注意到自由项的形式，由线性方程特解的叠加原理，先设方程特解为***12y y y =+, 其中**12,y y 分别为方程 (1) 222xy y y xe '''-+=(2) 223cos2,x y y y e x '''-+=- 的特解。
北邮2020高频电子线路(通信电子电路)期末试题
北京邮电大学2019 ——2020 学年第 2 学期《高频电子线路》期末试题（A ）一、选择题：以下题目为单选题。
答案只写英文字母即可。
（每空2分，本题共20分。
）1、设某器件的伏安特性为i =1+v +v 2，若同时输入频率为5kHz 、12kHz 的两个信号，则输出信号中不可能有的频率分量为：（ ）A ． 0HzB ．5kHzC ．24kHzD ．60kHz2、以下属于反馈式正弦波振荡器平衡点的相位稳定条件的是：（ ）A. 00()()1A F ωω>B. *0|(,)|0iiiiV V A V V ω=∂<∂C.()0AF ωωϕωω=∂<∂D. 00()()1A F ωω=3、以下关于单谐振回路相位特性中描述正确的是：（ ）A ．当串联谐振回路输入信号频率高于谐振频率时，回路呈现容抗特性。
B ．当串联谐振回路输入信号频率低于谐振频率时，回路呈现感抗特性。
C ．当并联谐振回路输入信号频率高于谐振频率时，回路呈现容抗特性。
D ．当并联谐振回路输入信号频率等于谐振频率时，回路呈现感抗特性。
4、谐振回路中采用部分接入法来提高Q 值的原理是： （ ） A. 保持无功功率近似不变，降低有功功率 B. 大幅提高电抗元件的无载品质因数 C. 改变回路中元件的参数 D. 改变信号源内阻和负载电阻5、欲产生频率稳定性很高的正弦信号应该采用（ ）振荡器 A. 三端电容型 B. RC C. 晶体 D. 三端电感型6. 图1所示为魔T 混合网络，若在C 端输入信号功率为2W ，则D 端的输出功率为：（ ） A. 0W B. 1W C. -1W D. 2W7、载波频率为100MHz ，幅度为1V ，单音调制信号频率为1kHz ，调相波的调制指数m p =20，则调相波的最大频偏为（ ）A. 1kHzB. 21kHzC. 20kHzD. 42kHz8、图2所示电路中点划线框内电路的噪声系数表达式为：（ ） A. 1+R L /R so B. 1+R/R so C. 1 D. 1+R/(R+R so)CD图29、收音机接收900kHz信号时，可以同时收到700kHz和800kHz信号，但不能单独收到其中的一个台，这种干扰是：（）A. 副波道干扰B. 互调干扰C. 组合频率干扰D. 交调干扰10、在模拟锁相环中，环路方程的阶数主要由哪个模块决定：( )A. 鉴相器B. 鉴频器C. 压控振荡器D. 环路滤波器请将1～10题选择的结果，填入以下表格中：二、简答题（每题5分，本题共20分）1、在多级放大电路级联时，其噪声系数主要决定于哪一级？为什么？2、在峰值包络检波电路中，请简要说明负峰切割失真产生的原因。
2008级电路期末试卷(答案)
3分
（注：正确写出表达式 P = UI cos ϕ 形式给 2 分） （2） 两组负载总功率：0.6 PT = 42 + 20 = 62 kW QT = Q L = P tan ϕ 1 = 42 tan 53.1° = 56 kvar
tan ϕ 2 = QT = 0.9 , ϕ 2 = 42° PT
1分
λ 2 = cos 42° = 0.74
1分
（3） 由 λ 3 = cos ϕ 3 = 0.9 解得： ϕ 3 = 25.84° 所需并联的电容值： P ( tan ϕ2 − tan ϕ3 ) 62 × 103 × (tan 42° − tan 25.84°) C= T = = 1713.4μF ωU 2 314 × 2202 （注：正确写出公式形式给 3 分） （4） 并联电容后的总电流： PT IT = = 313 A U cos ϕ 3
-5
7分
10VA
6分 3分
5 2 cos ωt + 30 o
6、 10 65 （或 80.62）V
(
)
4分
二、单项选择题：在下列各题中，有四个备选答案，请将其中唯一正确的答案填入题干的括号中。 1. D 2. B 3. C 4. C 5. C 3分 3分 3分 3分 2分
三、非客观题（28 分） 1．(本小题 8 分) 解（1）回路电流法。 选回路电流 I 1 , I 2 , I 3 如图所示：
2
2分 2分
& （由变比关系通过副边电压求解。 （2）求 U ） 0
2
由变比关系可得副边电压
& = 2U & = 2 × (10 − j5) = 20 − j10 V U 2 1 1
北京邮电大学年电路分析基础期末试题及答案
北京邮电大学2009 ——2010 学年第2学期“ 电路分析基础”期末考试试题4学分(B)考试注意事项一、学生参加考试须带学生证或学院证明，未带者不准进入考场。
学生必须按照监考教师指定座位就坐。
二、书本、参考资料、书包等与考试无关的东西一律放到考场指定位置。
三、学生不得另行携带、使用稿纸，要遵守《北京邮电大学考场规则》，有考场违纪或作弊行为者，按相应规定严肃处理。
四、学生必须将答题内容做在试卷上，做在草稿纸上一律无效。
题号一二三四五六七八九十十一总分满分15 20 5 6 6 6 8 8 10 10 6得分阅卷教师15个空格，每空1分，15分）电路的理想化是有条件的，这个条件与所分析电路的工作特点有关。
集总参数电路假设实际电路的尺寸远______（大或小）于电路工作时的电磁波波长。
对于理想电压源而言，不允许_____（短或断）路。
对于具有n个节点，b条支路的平面电路，可列出______个独立的KCL方程。
互易性表示一个网络的激励和响应互换位置时，相同激励下的响应_______。
在电路中有许多电路元件成对偶关系，例如电阻R与电导G，那么对于电容C的对偶元件是________。
所有储能元件初始状态为零的电路对激励的响应称为______响应。
当二阶电路无外加激励，仅有初始储能时，若特征根为两个不等负实根，电路过度过程处于______状态。
二阶RLC串联电路，当R=_____时，电路发生等幅振荡。
9. 在正弦稳态电路中，若设某电感元件两端的电压()L u t 与流过该电感的电流()L i t 为非关联参考方向，则()L i t 超前()L u t ________°。
10. 在正弦交流稳态电路中，定义了如下几个功率：有功功率，无功功率，复功率和视在功率，其中不满足功率守恒定律的是__________。
11. 在正弦交流稳态电路中，总是消耗有功功率的元件是_________。
12. RLC 串联谐振电路的特性阻抗ρ=______。
北京邮电大学电子电路期末试卷及答案
大学 20 ——————20 20 学年第学年第学年第 1 1 学期学期《电子电路基础》期末考试试题（B）考试注意事项一、学生参加考试须带学生证或学院证明，未带者不准进入考场。
学生必须按照监考教师指定座位就坐二、书本、参考资料、书包等与考试无关的东西一律放到考场指定位置。
三、学生不得另行携带、使用稿纸，要遵守《北京邮电大学考场规则》，有考场违纪或作弊行为者，按相应规定严肃处理。
四、学生必须将答题内容做在试题卷面上学生必须将答题内容做在试题卷面上学生必须将答题内容做在试题卷面上，，做在草稿纸上一律无效做在草稿纸上一律无效。
五、试卷的最后一页是草稿纸试卷的最后一页是草稿纸试卷的最后一页是草稿纸，，可以撕下可以撕下来使用来使用来使用，，交卷时不必上交交卷时不必上交。
考试课程考试时间年 月 日 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分满分 1016 25 15 10 16 8得分 阅卷教师、单项选择填空题选择填空题（（本大题共10小题小题，，每小题1分，共10分（）（每题的四个选项中有一个是最佳选项每题的四个选项中有一个是最佳选项每题的四个选项中有一个是最佳选项，，请你先在本试卷上答题卷上答题，，然后将全部答案汇总到本题末尾的表格中然后将全部答案汇总到本题末尾的表格中））1、放大器的饱和失真属于 。
A ．非线性失真B ．交越失真C ．线性失真D ．相位失真 2、 无需外给偏压只采用自给偏置（自生偏压）方式就可工作的场效应管有 。
A ．N 沟道场效应管都行B ．N 沟道增强型MOS 管C ．P 沟道耗尽型MOS 管D ．P 沟道增强型MOS 管3、集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响 C ．参数稳定 D ．参数的相对值一致性好4、差分放大电路采用恒流源偏置的主要优点是 。
A ．提高差模电压放大倍数B . 提高共模电压放大倍数C . 提高单端输出时的共模抑制比D ．提高差模输入电阻 5、测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是在固定输入电压和相位的情况下 。
北京邮电大学《电子电路》真题2009年
北京邮电大学《电子电路》真题2009年(总分：61.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}选择题{{/B}}(总题数：18，分数：40.00)1.(473)10的BCD码是______。
• A.010*********• B.111011010• C.110001110011• D.010*********（分数：2.00）A. √B.C.D.解析：2.触发器的时钟输入的作用是______。
• A.复位• B.使输出状态取决于输入控制信号• C.置位• D.改变输出状态（分数：2.00）A.B. √C.D.解析：3.一个8位移位寄存器的移位脉冲的频率是1MHz，将8位二进制数并行地移入这个移位寄存器需要______。
• A.经过8个触发器的传输延迟时间• B.8μs• C.经过1个触发器的传输延迟时间• D.1μs（分数：2.00）A.B.C.D. √解析：4.在时序电路的状态转换表中，若状态数N=3，则状态变量数最少为______。
• A.16• B.4• C.8• D.2（分数：2.00）A.B.C.D. √解析：5.已知，其中+ABCD=0，化简后的逻辑函数为______。
A．B． C． D．（分数：2.00）A.B.C.D. √解析：6.如图所示正脉冲的脉冲宽度、脉冲重复频率、脉冲占空比为______。
• A.t p、1/T、t p/T• B.t p、1/T、t p/(T-t p)• C.t p、1/T、(T-t p)/r• D.t p、T、t p/(T-t p)（分数：2.00）A. √B.C.D.解析：7.若用万用表测试图所示晶体管开关电路，当晶体管截止时，测得的基极和集电极电位应是______。
• A.u BE=0.6V，u CE=1.5V• B.u BE=0V，u cE=2.5V• C.u BE=0.7V，u CE=0.3V• D.u BE≤0V，u CE=3.2V（分数：2.00）A.B. √C.D.解析：8.如图所示电路中，当波形E1、E2及E3为已知时，输出F的序列为______。
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四．共源型放大电路如图七所示，设 JFET 的厄尔利电压为无穷 大且工作在饱和状态下，其跨导为 gm=0.5ms，等效电容为 Cgs=3pF，Cgd=5pF。电路中其余参数为，Rs=1kΩ，RG1=300kΩ， RG2=100kΩ，RG3=1MΩ，RD=RL=R1=20kΩ。若电容 C1，C2，C3 可被认为交流短路，试：
（2）该电路有几个极点？各极点的频率值为多少？该电路的 上截止频率（fH）为多少？
（3）画波特图 （4）若为该电路加有 负反馈系数 F 为 1 的负反馈，是否会
产生自激？并说明原因 （5）该电路临界自激时的反馈系数 F 为多少。
六．设电路如图九所示，其中运放的供电电压为±20V。 （1）试分别说明运放 A1，A2 所构成的电路的功能，以及全电 路的功能 （2）设 R1=R2=R4=20kΩ，Vz=±15V，C=20μF，且电容两端的 初始电压为 0，求 Vo1 处波形的占空比级重复频率 （3）在图十中画出 Vo1，Vo 点的波形，并标出关键点的时间 及电压。
（3）计算该电路的源电压增益 Avsf=vo/vs。
八．设多级放大电路如图十二所示，设 C1、C2 可被认为交流短路。 试说明为了分别满足以下要求，应该将反馈电阻的两端分别 与图中（a）、（b）、（c）、（d）中的哪些点相连，说明加入该 负反馈之后的反馈类型（取样、相加），同时给出在深负反 馈情况下电路的输入、输出电阻值。 （1）负载电阻变动时，输出电流基本不变，且输入级向信号 源索取的电流较小。 （2）信号源近似为恒流源。
图九
七．图十一所示电路中各元件的参数为：Rs=1kΩ，RB1=68kΩ， RB2=5.1kΩ，RE1=500Ω，RC1=5.1kΩ，Rf=10kΩ，RC3=20kΩ， RC4=2kΩ，RE2=1kΩ，C=10μF。设电路级间引入的为深负反 馈，试： （1）说明电路级间负反馈的类型（包括取样方式、相加方式） （2）计算该电路的输入电阻 Ri
电路的下截止频率 fL 时，电路的增益为中频增益的_______，输入电压与输入电压 之间的相移为_______；反之，当信号频率等于上限截止频率 fH 时，电路增益为中
频增益的_______，输出电压与输入电压之间的相移为_______。
2.欲通过实验电路来观察频率响应，以下测试方法中正确的为_______。 A．保持输入电压频率不变，改变幅度 B．保持输入电压幅度不变，改变频率 C．同时改变输入电压的幅度与频率
事 考场违纪或作弊行为者，按相应规定严肃处理。
项 四、学生必须将答题内容做在试题答卷上，做在草稿纸上一律无效。
五、学生的姓名、班级、学号、班内序号等信息由教材中心统一印制。
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十
总分
满分
得分
阅卷 教师
一． 选择题
1.设某单管共射放大电路各零、极点的频率间隔差十倍以上，当输入信号频率为放大
图十二
九．试求图十三所示电路输出电压 vo 的表达式。
图十三
十．试求图十四所示电路的闭环增益 Af=Xo/Xi。
图十四
型。
A．N
B．P
C．增强
D．耗尽
图一（I）
图一（II）
5.在三极管负反馈放大电路中，若保持负载不变，欲从信号源获取较小的电流，并能
够在更换放大管时稳定输出电流，可在放大电流中引入_______。
A．电压串联负反馈
B．电压并联负反馈
C．电流串联负反馈
D．电流并联负反馈
6.请说出图二所示电路的名称：_______。
（1）画出电路的高频微变等效电路 （2）求中频时的源电压增益 Avs=Vo/Vs，输入电阻 Ri，输出电
阻 Ro （3）计算该电路源电压增益的上截止频率 fH。
图七
五．设多级放大电路的电压增益函数为 Av（jω）=1012/(jω+105)(jω+106)(jω+107) 试： （1）求该放大器的中频电压增益 Avo
A．反相积分电路
B．反相输入放大电路
C．反相输入滞回比较器 D．方波发生器
图二
7.以下各管中，无需外给偏压只需用自给偏置（自生偏压）方式就可工作的场效应管
是_______。
A．N 沟道效应管都行
B．N 沟道增强型 MOS 管
C．P 沟道耗尽型 MOS 管 D．P 沟道增强型 MOS 管
8.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用_______。
北京邮电大学 2008——2009 学年第 1 学期 《电子电路基础》期末考试试题（B）
考 一、学生参加考试须带学生证或学院证明，未带者不准进入考场。学生必须
试 按照监考教师指定座位就坐。
注 二、书本、参考资料、书包等物品一律放到考场指定位置。
意 三、学生不得另行携带、使用稿纸，要遵守《北京邮电大学考场规则》，有
即可）
（3）正常工作时，Vo=_______V （4）若电阻 R1 开路，则 Vo=_______V （5）若电阻 R2 开路，则 Vo=_______V （6）若电路 R4 开路，则 Vo=_______V
2.在单管共射、共集、共基三种基本组态中，电压偏置最大且截止频率最高的为 _______组态；在阻容耦合、直接耦合、变压器耦合三种耦合方式中，下截止频率 最低的是_______耦合。
A．对数运算电路
B．积分运算电路
C．微分运算电路
D．加减运算电路
Hale Waihona Puke 9.设由运放构成的电路如图三（I）所示，且其输入电压如图三（II）所示，则输出电 压波形为_______。
图三
A．
B．
C．
D．
二．填空题
1.已知电路如图四所示，设图中运算放大器均工作在深负反馈条件下，其运放输出电
压的最大幅值为±12V，输入电压 Vi 为 0.1V。试求下列各问题： （1）A1 引入的交流负反馈的组态为_______，A2 引入的交流负反馈的组态为_______ （2）Av1=Vo1/Vi=_______，Av2=Vo2/Vi=_______，Av=Vo/Vi=_______（写出数值
3.以运算放大器为基本放大单元构成的小信号运算电路，可利用“虚短”和“虚断” 的概念求解运算关系，其前提是电路中引入的反馈是_______
4.三种场效应管电路如图五中（a）（b）（c）所示，其中_______图中的场效应管肯定 无法实现对输入信号的线性放大，原因是_______。
三．电路如图六所示，设 MOS 管参数为：IDSS=3mA，VGS（Off）=-3V 且 RG=200kΩ，当 RD 的值分别为 3.9kΩ和 10kΩ时，判断场 效应管是处在饱和区，不变电阻区还是截止区。若管子处于 饱和区，试求相应的工作点电流 IDQ。
3.影响放大电路频率（高）特性的因素有_______，影响其低频特性的因素是_______
A．耦合电容和旁路电容的存在
B．放大电路的静态工作点不合适
C．晶体管极间电容和分布电容的存在 D．晶体管的非线性特性
4.已知场效应管的转移特性分别为图一中（I）、（II）所示，且其中漏极电路 iD 的方向
是它的实际方向，则（I）为_______沟道_______型，（II）为_______沟道_______