华宏半导体新员工光刻工艺培训测试题
半导体器件制造工艺改进与创新考核试卷
B.干法刻蚀
C.化学气相沉积
D.等离子体刻蚀
7.以下哪些因素会影响半导体器件的热稳定性？（）
A.材料的热导率
B.晶体管的尺寸
C.电路的工作频率
D.环境温度
8.在集成电路设计中，以下哪些方法可以减少功耗？（）
A.降低工作电压
B.减小晶体管尺寸
C.提高工作频率
D.采用多阈值电压设计
9.以下哪些技术常用于半导体器件的表面修饰？（）
B. PMOS使用N型掺杂，NMOS使用P型掺杂
C. PMOS的阈值电压为负，NMOS的阈值电压为正
D. PMOS和NMOS的制造工艺完全相同
8.下列哪种技术不属于先进的半导体制造技术？（）
A. EUV光刻技术
B.纳米压印技术
C.铜互连技术
D.传统光刻技术
9.在半导体制造中，以下哪种方法通常用于去除牺牲氧化层？（）
10.在半导体器件制造中，__________是用于提高硅片表面平整度的工艺。
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
1.硅是N型半导体材料，其掺杂元素通常是硼。（）
2.光刻工艺中，曝光时间越长，光刻图案越清晰。（）
3.在半导体器件制造中，离子注入可以在较低温度下进行。（√）
13. D
14. A
15. D
16. D
17. A
18. D
19. D
20. D
二、多选题
1. ABCD
2. AB
3. ABCD
4. AB
5. ABC
6. AD
7. ABC
8. AB
9. AC
10. ABCD
SMT新员工入职培训考试试卷
SMT新员工入职培训考试试卷部门：姓名：工号：得分：一、选择题（每小题2分，共30分）1、SMT车间的湿度范围是（）。
A、10%-70%B、40%-70%C、10%-50%D、60%-80%2、清洁烙铁头的方法是（）A、用水洗B、用湿润的海绵块C、随便擦一下D、用布3、钢网的开孔类型有哪些？（）。
A、方形B、圆形C、椭圆形D、以上都是4、SMT车间的温度为（）。
A、25±3℃B、18±3℃C、30±3℃D、32±3℃5、以下哪种材料是贴片回流工艺的必须材料 ( )。
A、锡膏B、锡丝C、助焊剂D、高温胶带6、以下哪种材料是波峰焊接工艺的必须材料 ( )。
A、锡膏B、锡条C、酒精D、波峰载具7、以下哪种材料是手工焊接工艺的必须材料 ( )。
A、锡丝B、锡条C、酒精D、电烙铁8、以下元件没有极性之分的是（）。
A、二极管B、三极管C、保险丝D、电解电容9、作业完毕后有多余的物料应该怎么办（）。
A、直接扔掉B、分类收集C、带回家D、丢在产线10、我们公司SMT车间规定的烙铁使用温度为（）。
A、250±50℃B、没有要求C、380±20℃D、420±50℃11、下图示什么类型元件（）A、电阻B、电容C、电感D、IC12、下图物料有极性的是（）A、 B、C、 D、13、单面PCB的特点是什么？（）A、焊盘都在一面B、过孔都在一面C、焊盘和过孔都在一面D、以上都不对14、清理、清洁、整理、整顿、______ 、安全为6S。
（）A、打扫B、素养C、环保D、以上都不对15、以下哪些物料是SMT的物料？（）A、塑料粒子B、成圈铜皮C、电阻、电容D、以上都不是二、判断题（对的在括号内划“√”，错的划“×”。
每小题2分，共计30分。
）1、在做功能测试时前，需要确认用电安全。
（）2、进入SMT车间，做的第一件事是先要更换静电服饰并检验静电手环是否合格。
光刻工艺设备升级考核试卷
B.光刻板平整度
C.环境振动
D.操作人员经验
12.光刻工艺设备升级后，以下哪些操作可能会变得更加简便？（）
A.光刻板更换
B.光刻胶涂覆
C.参数设置
D.设备维护
13.以下哪些材料可以用作光刻工艺中的基底层？（）
A.硅片
B.玻璃
C.塑料
D.金属
14.以下哪些技术可以提高光刻工艺的生产效率？（）
A.光学邻近效应修正技术
B.双光束光刻技术
C.欧洲极紫外光刻技术
D.光刻板优化技术
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.光刻工艺中，用于保护不需要曝光区域的材料称为______。（）
2.光刻工艺设备升级时，提高分辨率的关键是______。（）
3.光刻胶的灵敏度通常用______来表示。（）
8.光刻板在光刻工艺中的主要作用是______。（）
9.光刻工艺设备升级时，应考虑设备与现有工艺的______。（）
10.光刻工艺中，常用的光刻胶类型有正性光刻胶和______。（）
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
1.光刻工艺设备升级后，对位精度一定会提高。（）
C.显微镜
D.烤箱
9.以下哪些技术可以减少光刻工艺中的缺陷产生？（）
A.光学邻近效应修正技术
B.双光束光刻技术
C.欧洲极紫外光刻技术
D.光刻胶优化
10.光刻工艺设备升级时，以下哪些是设备制造商需要考虑的？（）
A.设备成本
B.技术先进性
C.市场需求
D.设备颜色
11.以下哪些因素会影响光刻工艺中的对位精度？（）
半导体工艺原理测试题及答案大全
半导体工艺原理测试题及答案大全一、选择题（每题2分，共20分）1. 下列关于半导体材料的叙述中，错误的是：A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
B. 半导体材料的导电性随温度升高而增加。
C. 半导体材料的导电性受光照影响。
D. 半导体材料的导电性不受掺杂影响。
答案：D2. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于：A. 沉积薄膜B. 氧化C. 刻蚀D. 形成图案答案：D3. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 无掺杂D. 以上都是答案：D4. 氧化层在半导体工艺中的作用不包括：A. 保护B. 绝缘C. 导电D. 隔离答案：C5. 扩散工艺在半导体工艺中主要用于：A. 形成晶体管B. 形成绝缘层C. 形成金属层D. 形成氧化层答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 在半导体工艺中，____是形成晶体管PN结的关键步骤。
答案：扩散2. 半导体工艺中的氧化层通常采用____材料。
答案：二氧化硅3. 光刻胶在光刻过程中的作用是____。
答案：形成掩模4. 离子注入技术可以用于____掺杂。
答案：N型或P型5. 在半导体工艺中，____技术用于去除不需要的材料。
答案：刻蚀三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述CMOS工艺中晶体管的工作原理。
答案：在CMOS工艺中，晶体管的工作原理基于PN结的开关特性。
N型晶体管（NMOS）在栅极电压高于源极电压时导通，而P型晶体管（PMOS）在栅极电压低于源极电压时导通。
通过控制栅极电压，可以实现晶体管的开关控制。
2. 描述氧化层在半导体工艺中的作用。
答案：氧化层在半导体工艺中主要起到保护、绝缘和隔离的作用。
它可以保护硅片不受化学腐蚀，防止杂质扩散，同时作为绝缘层隔离不同的晶体管或电路元件，确保电路的稳定性和可靠性。
3. 离子注入技术在半导体工艺中的应用是什么？答案：离子注入技术在半导体工艺中主要用于掺杂，通过将掺杂原子注入硅片，可以精确控制掺杂的类型、浓度和深度，从而制造出具有特定特性的半导体器件，如晶体管、二极管等。
半导体工艺半导体制造工艺试题库2 答案
一、填空题（每空1分，计20分）1、微电子器件制造用单晶材料的直径越来越大，大直径单晶的制备方法主要有 直拉法 和 区熔法 。
2、常用的测量SiO 2薄膜厚度的方式有 比色法 和 双光干涉法 。
3、在工艺中，可用热分解 硅烷（SiH 4） 进行多晶硅薄膜的淀积。
4、在集成电路制造工艺中，通常采用 蒸发 和 溅射 进行铝膜的制备。
5、曝光前，光刻胶对于特定显影液来说是可溶的，曝光后，不能溶解于此显影液中，此光刻胶为 负胶 （正胶或负胶）。
6、工艺中主要采用含 氟（F ） 的气体来进行SiO 2的干法刻蚀；同时，在刻蚀气体中，添加一定量的氧元素，可以 提高 （提高或降低）刻蚀速率。
7、在离子注入后，通常采用退火措施，可以消除由注入所产生的晶格损伤，常用的退火方式有 普通热退火 、 电子束退火 、 离子束退火 等。
8、常用的去胶方式有 溶剂去胶 、氧化去胶和 等离子体去胶 。
9、工艺中常用 磨角染色法 来测量扩散后的结深。
10、二氧化硅的湿法刻蚀中，采用的腐蚀液是 氢氟酸（HF ） ，而用于刻蚀氮化硅的腐蚀液通常是 热磷酸（H 3PO 4） 。
11、蒸发工艺中，常采用 钨丝（W ） 作为加热器。
12、光刻胶的核心成分是 感光树脂 。
二、选择题（每题2分，多项单项均有，计22分）1、加工净化车间的沾污类型主要有（ A 、B 、C 、D ）（A ）颗粒 （B ）金属杂质 （C ）有机物沾污 （D ）静电释放2、在IC 工艺中，制备高质量的SiO 2薄膜采用氧化方式，常用的氧化方式有（A 、B 、D ） （A ）水汽氧化 （B ）湿氧氧化 （C ）热分解正硅酸乙酯 （D ）干氧氧化3、SiO 2薄膜在微电子工艺中的主要用途有（A 、B 、C 、D ） （A ）掺杂用的掩蔽膜 （B ）对器件的保护和钝化作用 （C ）器件间的隔离 （D ）MOS 管的栅电极材料4、集成电路制造工艺中，对薄膜的质量有如下哪些要求（A 、B 、C 、D ） （A ）好的厚度均匀性 （B ）高纯度和高密度（C ）良好的台阶覆盖 （D ）良好的填充高的深宽比比间隙的能力5、薄膜淀积结束后，需进行的质量检测项目有哪些（A 、B 、C 、D ）（A ）膜厚 （B ）折射率 （C ）台阶覆盖率 （D ）均匀性 6、根据掩膜版与晶片表面的接触，光学曝光有如下哪几种曝光方式（A 、B 、C ） （A ）投影式 （B ）接触式 （C ）接近式 （D ）步进式 7、下述哪些离子是等离子体（A 、B 、C 、D ）（A ）电子 （B ）带电离子 （C ）带电原子 （D ）带电分子 8、在热扩散工艺中，需要控制的工艺参数主要有（A 、B 、C ）（A ）扩散时间 （B ）扩散温度 （C ）杂质源流量 （D ）离子能量 9、下列哪种物质是磷扩散时的固态杂质源（ D ）（A ）BBr 3 （B ）POCl 3 （C ）PH 3 （D ）偏磷酸铝 10、离子注入机中，偏束器的作用是（ C ）（A ）加速 （B ）产生离子 （C ）消除中性离子 （D ）注入扫描 11、下述哪些措施可以有效消除沟道效应（A 、C 、D ） （A ）大剂量注入 （B ）降低靶温 （C ）增大注入的倾斜角度 （D ）增加靶温三、判断题（每题1分，计14分）1、在氢氧合成氧化工艺中，要定期检查氢气、氧气、氮气气体管道是否存在漏气。
华宏半导体新员工光刻工艺培训测试题
2005年新员工PR设备培训测试题部门：姓名：工号：一．填空题：1.PR用于（中文或英文均可），广义上指（英文）工艺。
2.通常所说的PR工艺是指，和及检查工艺。
3.光刻机用于把上的图形暴光到硅片上去。
4.投影式光刻机按发展阶段可分为式光刻机，式光刻机和____________式光刻机。
5.涂胶机中的AD 单元用物质对硅片表面进行处理，使硅片表面从变成。
6.涂胶机中的HP单元用于涂胶后硅片的，以去除光刻胶中的。
7.显影机中的WEE单元称为单元。
8.显影机的显影液配管系统中的脱气系统用于排除显影液中混有的。
9.SEM的中文名为，用在硅片上进行扫描，然后捕捉在硅片表面上反射的，并测量其能量的分布，以获取图形的信息。
10.套刻精度测定机计测硅片上图形的第一层和第二层之间的，其直接反映了光刻机的精度。
二．选择题：1．扫描步进式光刻机在暴光时的工作方式为：（）A. 掩膜板和硅片均不动B. 掩膜板和硅片均做扫描运动C. 掩膜板做扫描运动，硅片不动D. 掩膜板不动，硅片做扫描运动2．I线光刻机的特征为：（）A. 光源为激光，波长为248nmB. 光源为激光，波长为365nmC. 光源为水银灯，波长为248nmD. 光源为水银灯，波长为365nm3．光刻机中（）的因素会影响光刻胶图形的尺寸。
A. 照明光学系统和自动聚焦系统B. 照明光学系统和对准系统C.自动聚焦系统和对准系统D. 激光干涉计系统和对准系统4．涂胶机的光刻胶供给系统的Suck Back阀门用于：（）A. 把光刻胶压缩到胶泵处B. 把光刻胶打到喷嘴处C. 在吐胶结束时进行回吸D. 对光刻胶温度进行精确控制5. PEB处理在什么位置：（）A. 在涂胶和暴光之间B. 在暴光和显影之间C. 在涂胶之前D. 在显影之后答卷完成，谢谢您的参与！。
半导体设备操作人员技能培训与考核试卷
C.随意更改设备的工艺参数
D.按照操作规程进行设备操作
5.下列哪种材料是半导体工艺中常用的光阻材料？（）
A.硅
B.硼
C.光刻胶
D.砷
6.以下哪个单位用于表示电量的基本单位？（）
A.安培
B.伏特
C.欧姆
D.库仑
7.在半导体设备操作过程中，下列哪种气体是剧毒的？（）
A.氮气
B.氩气
14.以下哪些检测方法可以用来评估半导体器件的质量？（）
A.电流-电压特性测试
B.功能测试
C.扫描电子显微镜观察
D.红外光谱分析
15.以下哪些材料可以用作半导体器件的绝缘层？（)
A.硅氧化物
B.硅氮化物
C.聚酰亚胺
D.铝
16.以下哪些因素会影响半导体器件的封装质量？（）
A.封装材料的选择
B.封装过程中的温度控制
A.光刻胶的质量
B.曝光光源的波长
C.显影液的浓度
D.操作人员的经验
12.以下哪些设备常用于半导体工艺中的蚀刻过程？（）
A.湿法蚀刻机
B.干法蚀刻机
C.磨抛机
D.清洗机
13.以下哪些因素可能导致半导体器件的热损伤？（）
A.高温环境下的长时间操作
B.设备冷却系统的故障
C.材料的热导率低
D.操作人员的不当操作
C.在高温环境下操作设备
D.定期进行设备维护
14.以下哪个因素可能导致半导体器件的漏电现象？（）
A.材料纯度
B.工艺温度
C.环境湿度
D.设备电压
15.以下哪个设备主要用于去除半导体表面的有机污染物？（）
A.蒸汽氧化炉
B.磁控溅射仪
半导体入厂考试题及答案
半导体入厂考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料中，硅（Si）和锗（Ge）属于哪一类半导体？A. 本征半导体B. 元素半导体C. 复合半导体D. 绝缘体答案：B2. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于实现以下哪个步骤？A. 氧化B. 扩散C. 刻蚀D. 离子注入答案：C3. 下列哪个参数是衡量半导体材料导电能力的重要指标？A. 载流子浓度B. 禁带宽度C. 电子亲和力D. 晶格常数答案：A4. PN结在正向偏置时，下列哪个现象会发生？A. 耗尽区变宽B. 耗尽区变窄C. 电流增加D. 电流减少答案：B5. 半导体器件中的MOSFET是哪种类型的晶体管？A. 双极型晶体管B. 金属氧化物半导体场效应晶体管C. 结型场效应晶体管D. 绝缘栅双极晶体管答案：B6. 在半导体制造过程中，CMP（化学机械抛光）技术的主要作用是什么？A. 提高表面平整度B. 增加材料的导电性C. 减少材料的电阻率D. 提高材料的机械强度答案：A7. 半导体器件中的二极管在反向偏置时，其导电特性如何？A. 导电性增强B. 导电性减弱C. 几乎不导电D. 导电性不变答案：C8. 下列哪个因素会影响半导体器件的热稳定性？A. 材料的热导率B. 器件的封装C. 环境温度D. 所有以上选项答案：D9. 在半导体工艺中，湿法刻蚀和干法刻蚀的主要区别是什么？A. 刻蚀速率B. 刻蚀方向性C. 使用的刻蚀介质D. 刻蚀后的表面粗糙度答案：C10. 半导体器件中的晶体管在饱和区工作时，其漏电流如何变化？A. 随栅极电压变化B. 随漏极电压变化C. 几乎不变D. 随源极电压变化答案：C二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 半导体材料的掺杂可以是以下哪些类型的杂质？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 同质掺杂D. 异质掺杂答案：A, B2. 半导体器件中的MOSFET在以下哪些区域工作时，其漏电流会显著增加？A. 饱和区B. 线性区C. 截止区D. 亚阈值区答案：A, B3. 下列哪些因素会影响半导体器件的电学特性？A. 掺杂浓度B. 温度C. 光照D. 湿度答案：A, B, C, D4. 半导体工艺中的氧化过程可以产生以下哪些类型的氧化物？A. 二氧化硅B. 三氧化二铝C. 氧化铟D. 氧化锌答案：A5. 在半导体器件设计中，以下哪些参数需要考虑以优化器件性能？A. 阈值电压B. 载流子迁移率C. 漏电流D. 击穿电压答案：A, B, C, D三、判断题（每题1分，共10分）1. 半导体材料的禁带宽度越小，其导电性越好。
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2005年新员工PR设备培训测试题
部门：姓名：工号：
一．填空题：
1.PR用于（中文或英文均可），广义上指（英文）工艺。
2.通常所说的PR工艺是指，和及检查工艺。
3.光刻机用于把上的图形暴光到硅片上去。
4.投影式光刻机按发展阶段可分为式光刻机，式光刻机和____________式光刻机。
5.涂胶机中的AD 单元用物质对硅片表面进行处理，使硅片表面从变成。
6.涂胶机中的HP单元用于涂胶后硅片的，以去除光刻胶中的。
7.显影机中的WEE单元称为单元。
8.显影机的显影液配管系统中的脱气系统用于排除显影液中混有的。
9.SEM的中文名为，用在硅片上进行扫描，然后捕捉在硅片表面上反射
的，并测量其能量的分布，以获取图形的信息。
10.套刻精度测定机计测硅片上图形的第一层和第二层之间的，其直接反映了光刻机
的精度。
二．选择题：
1．扫描步进式光刻机在暴光时的工作方式为：（）
A. 掩膜板和硅片均不动
B. 掩膜板和硅片均做扫描运动
C. 掩膜板做扫描运动，硅片不动
D. 掩膜板不动，硅片做扫描运动
2．I线光刻机的特征为：（）
A. 光源为激光，波长为248nm
B. 光源为激光，波长为365nm
C. 光源为水银灯，波长为248nm
D. 光源为水银灯，波长为365nm
3．光刻机中（）的因素会影响光刻胶图形的尺寸。
A. 照明光学系统和自动聚焦系统
B. 照明光学系统和对准系统
C.自动聚焦系统和对准系统
D. 激光干涉计系统和对准系统
4．涂胶机的光刻胶供给系统的Suck Back阀门用于：（）
A. 把光刻胶压缩到胶泵处
B. 把光刻胶打到喷嘴处
C. 在吐胶结束时进行回吸
D. 对光刻胶温度进行精确控制
5. PEB处理在什么位置：（）
A. 在涂胶和暴光之间
B. 在暴光和显影之间
C. 在涂胶之前
D. 在显影之后
答卷完成，谢谢您的参与！。