实验二_3_RAM62256存储器的应用
62256芯片
62256芯片62256芯片是一种静态随机存储器(SRAM)，它具有62256个存储位置，每个位置可以存储8位数据。
下面将详细介绍62256芯片的特点、工作原理以及应用领域。
62256芯片的主要特点如下：1. 高容量：62256芯片共有62256个存储位置，每个位置可以存储8位数据。
因此，它具有较高的存储容量，能够满足大部分存储需求。
2. 快速访问：62256芯片的存取时间较短，能够快速地进行数据的读写操作。
这对于一些对存储速度有要求的应用来说非常重要。
3. 静态存储器：62256芯片是一种静态随机存储器(SRAM)，不需要进行刷新操作，能够实时地保存数据。
这样可以节省系统资源并提高存储效率。
4. 低功耗：62256芯片在存储数据时不需要刷新操作，因此功耗较低。
这对于一些功耗敏感的应用来说非常有优势。
62256芯片的工作原理是通过存储单元和控制电路实现的。
每个存储单元由一个存储电容和一个存储开关组成。
控制电路的作用是控制数据的读写操作，并为存储单元提供所需要的电源和时钟信号。
在读取数据时，控制电路将读取地址发送给存储单元，并打开相应的存储开关，将存储单元中的数据输出到数据总线上。
在写入数据时，控制电路将写入地址和数据发送给存储单元，并打开相应的存储开关，将数据写入到存储单元中。
同时，控制电路还可以根据需要进行数据的复位、使能和屏蔽操作。
62256芯片主要应用于嵌入式系统中，广泛用于各种电子设备中的数据存储和缓存。
它可以存储程序代码、系统配置信息和用户数据等。
常见的应用场景包括计算机、通信设备、医疗设备、工控设备等。
随着科技的进步和应用领域的扩大，62256芯片的应用范围还将继续扩大。
总之，62256芯片是一种高容量、快速访问、低功耗的静态随机存储器。
它适用于各种数据存储和缓存应用，广泛应用于嵌入式系统中。
随着技术的不断发展，我们相信62256芯片将会有更广阔的应用前景。
谈HM62256RAM的应用
樊 太 原 一
地 提 高了工作 效 率 。不足之 处是 分 时复用 、半 双工
通信。
ｌ 工作 原 理
工 作原理 图见 图 １ 。电路 采 用 １片 随 机存 贮 芯 片 （ ＨＭ６ ２ ６ 作 为数 据存 贮 和交 换 中心 ＲＡ 。 ２５ ） Ｍ 将其 内存分页 ，Ｐ Ｃ机能 通 过 数 据 总线 将 数 据成 页 地写 入 ＲＡＭ，Ｃ ５系统再从 Ｒ ２ ＡＭ 中读 出数据 。 ＨＭ６ ２ ６ ＡＭ 的存贮 量 为 ３ ２５ Ｒ ２ＫＢ．地址 线 有 （ ～ Ａ ． ，将 ＨＭ６ ２ ６分 成 １ Ａ。 ） ２５ ，每 页 容 量 ６页
２ＫＢ，有 ２ ４ ０ ８十 地 址 单 元 ，其 低 １ １位 地 址 （ Ａ
～
数据 交换 。该 电路信 号 线 少 、 电路简 单 、成本 低 ，
可靠 性高 、灵活性 强 ，能实 现数 据成 页传送 ．极大
铁 通 山西 分 公 司 ，０ ０ １ 太 原 ３０３ 助理 工 程 师 ’ 程 师 工
维普资讯
铁 道通 言 信 号
２０ 年第 ３ ０２ ８卷 第 ３ 期
谈 ＨＭ６ ２ ６ Ａ 的 应 用 ２５Ｒ Ｍ
范 新 威
Ｃ５ ２ 语音综 合 系统 （ 以下 简称 Ｃ ５系统 ）是作 ２ 为一十 系统板 安装 在 Ｐ Ｃ机 上 ，程序 由 ｐ ｃ机 执行 ， 与Ｐ Ｃ机进 行数 据交换 。数 据 采用 并 行 方式 。由于 Ｐ Ｃ机扩 充 槽 的数 据 总 线 是 ８位 ，每 次 只 能交 换 １个字节 的数据 ，若要交 换 大量 的数 据 要 花很 长 时 间。为 了加 快数 据交 换 ，减 少数 据传 送时 间 ，虽 然 可以采用 双 口 Ｒ ＡＭ （ 地 址 和数 据 总 线 各 ２套 ， 其 ２个 Ｃ Ｕ 可 以 同时 访 问 ） Ｐ ，但其 容量 小 、价格 贵 ． 不 宜作较 大容量 的公 用存贮 器 。为此 ，设计 了一 个 高速数据交 换 电路 ，来满足 Ｐ Ｃ机 与 Ｃ ５系统 间的 ２
华北电力大学_接口实验报告
华北电力大学科技学院实验报告||实验名称实验一开发器的使用与设计实验实验二中断8259应用、定时/计数器8253应用实验三并行接口8255应用实验四存储器拓展实验实验五A/D转换结果送数码管显示课程名称微机原理实验与课程设计||专业班级学生姓名：学号：成绩：指导教师：张少敏实验日期：2013/5实验一、数据转换实验一、实验目的1、初步掌握在PC机上建立、汇编、链接和运行8086/88汇编语言程序的过程。
2、通过对两个验证性实验的阅读、调试，掌握不同进制数及编码相互转换的程序设计方法。
3、完成程序设计题，加深对数码转换的理解，了解简单程序设计方法。
二、实验条件一台计算机三、实验内容与步骤1)设二字节十六进制数存放于起始地址为3500H的内存单元中，把他们转换成ASCII码后，再分别存入起始地址为350AH的四个内存单元。
从书上ASCII码表中可知十六进制数加30H即可得到0H~9H的ASCII码，而要得到AH~FH的ASCII码，则需再加7H。
2)参考程序如下：CODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART:MOV CX,0004hMOV DI,3500HMOV AX,0000HMOV DS,AXMOV DX,[DI]A1：MOV AX,DXAND AX,000FHCMP AL,0AHJB A2ADD AL,07HA2：ADD AL,30HMOV[DI+0AH],ALINC DIPUSH CXMOV CL,04HSHR DX,CLPOP CXLOOP A1MOV AH,4CHINT21HCODE ENDSEND START四、实验结论与分析错误分析：在保存文件时，第一步忘了加后缀.ASM，导致打开不了文件。
实验结果:在调试运行后350AH的内存单元中会显示3500H中所转换的对应的ASCII码。
五、实验心得在这次课程设计的过程中的收获是很大的。
这次课程设计我主要是应用老师教的相关知识及自己的一些想法，完成了数据转换问题。
存储器扩展实验
实验一存储器扩展实验
1 实验目的
1)、熟悉存储器扩展方法。
2)、掌握存储器的读/写
2 实验预习要求
1)、复习教材中存储器扩展的有关内容，熟悉存储器扩展时地址总线、控制总线及数据总线的连接方法，
了解静态RAM的工作原理。
2)、预先编写好实验程序。
3 实验内容
1)、连接电路
2)、编写程序，将字母‘A’~‘Z’循环存储在扩展的SRAM 62256存储器芯片D8000H开始的单元中，然
后再将其从62256中读出并在屏幕上显示。
4 实验提示
1）、62256芯片的容量为32K⨯8位，芯片上的地址引脚A0~A14（共15根）连接至系统的地址总线A1~A15，用来对片内32K个存储单元进行寻址。
片选信号CS接至实验台的MY0。
芯片上的8个数据引脚D0~D7直接与系统的数据引脚相连。
控制信号RD、WR分别连接到实验台的MRD#和MWR#。
写操作时，芯片上的控制信号CS=0，WR=0，RD=1；读操作时，CS=0，RD=0，WR=1。
2）、实验程序流程图如图所示。
5 实验报告要求
1)、根据流程图编写实验程序，并说明在实验过程中遇到了哪些问题，是如何处理的。
2)、总结存储器系统的基本扩展方法。
3)、写出实验小结，内容包括实验心得（收获）、不足之处或今后应注意的问题等。
静态存储器扩展实验报告
静态存储器扩展实验报告静态存储器扩展实验报告⼀、实验⽬的1．掌握单⽚机系统中存储器扩展的⽅法；2．掌握单⽚机内部RAM和外部RAM之间数据传送的特点。
⼆、软件、硬件环境要软件、硬件环境要求1、软件环境要求Windows XP操作系统以及Keil C51 单⽚机集成开发环境。
2、硬件环境要求电脑⼀台，TD-51单⽚机系统。
三、实验内容编写实验程序，在单⽚机内部⼀段连续RAM 空间30H～3FH 中写⼊初值00H～0FH，然后将这16 个数传送到RAM 的0000H ～000FH 中，最后再将外部RAM 的0000H～000FH 空间的内容传送到⽚内RAM 的40H～4FH 单元中。
四、实验原理存储器是⽤来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM 是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1 位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
因此，静态RAM⼯作稳定，不要外加刷新电路，使⽤⽅便。
但⼀般SRAM 的每⼀个触发器是由6个晶体管组成，SRAM 芯⽚的集成度不会太⾼，⽬前较常⽤的有6116（2K×8 位），6264（8K×8 位）和62256（32K×8位）。
本实验以62256为例讲述单⽚机扩展静态存储器的⽅法。
SST89E554RC 内部有1K 字节RAM，其中768 字节（00H～2FFH）扩展RAM 要通过MOVX指令进⾏间接寻址。
内部768 字节扩展RAM 与外部数据存储器在空间上重叠，这要通过AUXR 寄存器的EXTRAM 位进⾏切换，AUXR 寄存器说明如下：EXTRAM：内部/外部RAM 访问0：使⽤指令MOVX @Ri/@DPTR 访问内部扩展RAM，访问范围00H～2FFH，300H 以上的空间为外部数据存储器；1：0000H～FFFFH 为外部数据存储器。
AO：禁⽌/使能ALE0：ALE 输出固定的频率；1：ALE 仅在MOVX 或MOVC 指令期间有效。
存储器扩展
数据存贮器扩展实验一、实验目的1、学习片外存贮器扩展方法。
2、学习数据存贮器不同的读写方法。
二、实验内容使用一片62256RAM，作为片外扩展的数据存贮器，对其进行读写。
三、实验说明本实验采用的是55H（0101，0101）与AAH（1010，1010），一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实验调试用户电路时非常有效。
编写程序对片外扩展的数据存贮器进行读写，若L1灯闪动说明RAM读写正常。
四、实验接线图图（12－1）五、实验框图六、实验步骤1、RAM_CS插孔连到译码输出P2.7插孔，P1.0连接到L0。
2、调试运行程序test12中RAM.ASM。
对62256进行读写。
若L1灯闪动，表示62256RAM读写正常。
ORG 0000HAJMP STARTORG 0030HSTART: MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000HMOV R6,#0FHMOV A,#55HRAM1: MOV R7,#0FFHRAM2: MOVX @DPTR,ACLR P1.0INC DPTRDJNZ R7,RAM2DJNZ R6,RAM1MOV DPTR,#0000HMOV R6,#0FHRAM3: MOV R7,#0FFHRAM4: MOVX A,@DPTRCJNE A,#55H,RAM6SETB P1.0INC DPTRDJNZ R7,RAM4DJNZ R6,RAM3RAM5: CLR P1.0CALL DELAYSETB P1.0CALL DELAYSJMP RAM5DELAY: MOV R5,#0FFHDELAY1: MOV R4,#0FFHDJNZ R4,$DJNZ R5,DELAY1RETRAM6: SETB P1.0SJMP RAM6END#include <reg51.h>#include <ABSACC.h>void delay(void);sbit P1_0=P1^0;void main(void){unsigned char tmp2;unsigned int tmp1,i1;SP=0x60; i1=0;for (tmp1=0;tmp1<0x3fff;tmp1++){XBYTE[0X0000+i1]=0x55;tmp2=XBYTE[0X0000+i1];if (tmp2!=0x55){while(1) P1_0=0;}P1_0=!P1_0;delay();i1++;XBYTE[0x0000+i1]=0xaa;tmp2=XBYTE[0X0000+i1];if (tmp2!=0xaa){while(1) P1_0=0;}P1_0=!P1_0;i1++;delay();}}void delay(void){unsigned char ii;unsigned int jj;for (ii=0;ii<15;ii++)for (jj=0;jj<0xFF;jj++);}。
实验二RAM扩展实验[资料]
![实验二RAM扩展实验[资料]](https://img.taocdn.com/s3/m/712ec6c1185f312b3169a45177232f60ddcce718.png)
实验二RAM扩展实验（请在实验课前写好预习报告，预习报告日期必在做实验课之前，预习报告中应该出现跟实验1内容相关的原理，电路图（可简画），流程图（或是程序，有程序就必带注释））实验仪器：pc机，8086k微机原理实验箱实验目的：1.掌握存储器芯片的特性及与CPU的连接方法。
2.掌握访问连续存储空间的方法。
注意实验报告中3个内容每人都要做，1通过实验课前仿真实验完成，2,3是实验课时完成。
每个具体实验内容包括：写出电路图，连线，流程图，程序（必须在关键地方加上注释），实验结果，问题分析和每个实验内容中的思考题。
0实验内容：（1必须在实验课前通过仿真实验完成，电路为EX2_1.DSN,程序为EX2_1.ASM）1.利用62256(32K×8bit)的静态SRAM芯片进行扩展，要求扩展的存储器容量为64KB，且要求和8086CPU相连接。
扩展后，利用此扩展的存储体进行读写访问，将内存0000H:4000H 地址开始的位置至0000H:4063H位置处依次写上0-99。
实验连线：提示：应该有哪三类线？实验流程图参考实验程序：assume cs:codecode segmentstart:mov ax,0000h ;设置DS的段地址值为0mov ds,axmov bx,4000H ;利用BX存放存储单元的偏移地址，从200H开始mov al,0 ;AL中为要写到存储单元中的数据。
初始值为1mov ds:[bx],al ;将1写入内存0000H:4000H地址处mov cx,100 ;设置循环次数为100次l1:mov ds:[bx],al ;循环体目的将AL中的值填入存储器inc bx ;偏移地址指针下移一个字节inc al ;待填充到存储单元的数据也自增1loop l1 ;根据CX的次数执行上面的循环体int 3 ;断点中断，目的是为了观察内存结果，用实验箱做实验时，不用这步code endsend start提示：如果仿真过程中把内存窗口关掉，可以按图中所示选择调试菜单中：即可出现思考问题：1）通过EX2_1.DSN仿真运行结果观察两块62256芯片写入的内容各有什么特点？为什么会产生这样的结果？2）停止运行，观察EX2_1.DSN仿真图，U7：62256芯片的片选段CE由那两个信号进行或运算获得？这两个信号都为哪种电平时才能选中这块U7：62256芯片。
单片机实验-扩展存储器读写实验
实验一：扩展存储器读写实验一.实验要求编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。
二.实验目的1．学习片外存储器扩展方法。
2．学习数据存储器不同的读写方法。
三.实验电路及连线将P1.0接至L1。
CS256连GND孔。
四.实验说明1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。
用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。
用户编程可以参考示例程序和流程框图。
本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。
不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。
读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与AA（1010，1010）。
一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。
用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执行的流程和各中间变量的值。
2．在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读写正常。
3．也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，在I状态执行SX0000↓ 55，SPACE，屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。
注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。
4．本例中，62256片选接地时，存储器空间为0000~7FFFH。
五.实验程序框图实验示例程序流程框图如下：六.实验源程序：ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000H ;置外部RAM读写地址MOV A,#55H ;测试的数据一MOV B,AMOVX @DPTR,A ;写外部RAMMOVX A,@DPTR ;读外部RAMXRL A,B ;比较读回的数据JNZ ERRORMOV A,#0AAH ;测试的数据二MOV B,AMOVX @DPTR,AMOVX A,@DPTRXRL A,BJZ PASS ;测试通过ERROR: SETB P1.0 ;测试失败,点亮LEDSJMP $PASS: CPL P1.0 ;LED状态(亮/灭)转换MOV R1,#00H ;延时DELAY: MOV R2,#00HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAYLJMP START ;循环测试END实验二P1口输入、输出实验一.实验要求1.P1口做输出口，接八只发光二极管，编写程序，使发光二极管循环点亮。
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I/O3 I/O2 I/O1
（读出）
8
实验中应该注意的问题
1. 把地址线A2~A0、数据线I/O3 ~ I/O1 、读写信号 线OE WR分别按顺序连接到几个拨码开关上，同 时连接到发光二极管上来指示信号电平的高低。
2. 写入数据时先置OE 、 WR信号为高电平，正确设 置地址和数据后，拨动WR开关，顺序为高—低— 高，依次往前8个RAM单元中写入数据00H~07H
CS OE WE I/O1～8 功能
H X X 高阻 片选无效
L H H 高阻 输出无效
L L H 输出
读
L X L 输入
写
6
实验原理图
状态显示
H
L
11 12 13 15 16 17 18 19
I/O1
…
I/O8
RAM62256
22 27
OE WE
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 CS
据线？有多少个存储单元 ？
2．实验中写入RAM数据后，当读数据时会
发现某些单元的数据变化了，为什 存储器？
10
3. 读出数据时必须首先将数据线与拨码开关断开，但 数据线仍需要和发光二极管相连，依次改变地址线 A2~A0，观察并记录读出的数据I/O3 ~ I/O1 。
4. 如果读出数据时发现个别地址的数据不正确，只需 要对此地址重新写入数据，不需要所有的地址全部 重写。
9
思考题
1．RAM62256有多少条地址线？有多少条数
10 9 8 7 6 5 4 3 25 24 21 23 2 26 1
20
7
数据记录表格
A2 A1 A0 （地址）
0 00 0 01 0 10 0 11 1 00 1 01 1 10 1 11
I/O3 I/O2 I/O1
（写入） 0 00 0 01 0 10 0 11 1 00 1 01 1 10 1 11
3
实验器件
RAM62256 、 发光二极管、拨码开关
4
32k×8位静态随机存储器 RAM62256
A0～A14：地址输入端； I/O1～I/O8：数据输入
/输出端； WE：写使能输入端； OE：输出使能输入端； CS：片选输入端； Vcc：电源（ 5V ） Vss：地
5
RAM62256引脚功能
RAM62256随机存储器的 应用
1
实验目的
熟 悉 RAM62256 的 管 脚 功 能 。 掌 握随机存储器的性能及使用方法。
2
实验内容
1. 对RAM62256中的存储单元进行写入操作。 （存储单元从000～111）
2. 读出RAM62256存储单元中的内容。（用发 光二极管显示状态）
3. 选做：用RAM62256随机存储器设计一个4 循环彩灯电路。