电子技术基础习题答案

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(完整版)电子技术基础习题答案三、选择题:(每小题2分,共20分)1、单极型半导体器件是(C)。

A、二极管;B、双极型三极管;C、场效应管;D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。

A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是( C)。

A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管(C)。

A、已经击穿;B、完好状态;C、内部老化不通;D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。

A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在(A)。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。

A、较大;B、较小;C、为零;D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。

A、矩形方波;B、等腰三角波;C、正弦半波;D、仍为正弦波。

9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率P CM;D、管子的电流放大倍数。

10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)A、发射结正偏、集电结正偏;B、发射结反偏、集电结反偏;C、发射结正偏、集电结反偏;D、发射结反偏、集电结正偏。

三、选择题:(每小题2分,共20分)1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。

A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。

2、基本放大电路中的主要放大对象是(B)。

A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。

3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。

A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。

电子技术基础练习题库及答案

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电子技术基础练习题库及答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。

A、✔B、×正确答案:A2、单相半波整流电路,负载电阻RL=750W,变压器次级电压有效值,U2=20V,则输出电压平均值U0为。

A、18VB、20VC、9V正确答案:C3、PN结两端加正向电压时,那么参加导电的是()A、少数载流子。

B、既有多数载流子又有少数载流子。

C、多数载流子。

正确答案:C4、符号IB表示三极管基极电流的()A、直流分量。

B、交流分量。

C、直流分量和交流分量之和。

正确答案:A5、在晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,若静态工作点设置太低,将产生()A、截止失真。

B、放大失真。

C、饱和失真。

正确答案:A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是()A、5VB、9VC、12V正确答案:C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v,则该三极管类型是()A、npn型硅管。

B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案:A8、稳压管的稳压区是指其工作在()的区域。

A、正向导通。

B、反向击穿。

C、反向截止。

正确答案:B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。

()A、差值放大器。

B、反相放大器。

C、电压比较器。

正确答案:C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态()A、无关B、有关C、不一定正确答案:B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。

A、×B、✔正确答案:A12、下列三种电路中,输入电阻最大的电路是()A、共集放大电路。

B、共射放大电路。

C、共基放大电路。

正确答案:A13、最常用的显示器件是()数码显示器。

A、七段B、五段C、九段正确答案:A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果()A、相同B、不想同C、有的相同,有的不相同。

正确答案:C15、非门的逻辑功能是()A、有0出0。

全1出1。

B、有1出1。

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电子技术基础一、 填空第一章 直流电路分析基础1.电路一般由 电源 、 负载 和 中间环 三部分组成。

2.电源是将 其他形式的能转换成电能 的装置。

3.负载是将 电能转换为其他形式的能 的设备。

4.电路的作用包括 能源转换 和 信号处理 两个方面。

5.交流电是指 大小和方向随时间变换而变化 的电压或电流。

6.数字信号是指 大小和方向不随时间变化而变化 的电压或电流信号。

7.模拟信号是指 大小和方向随时间连续变化 的电压或电流信号。

8.电路中的元件分为有源元件和无源元件,其中无源元件包括 电阻 、电感 和 电容 三种。

9.在电路中起激励作用的是独立电源,包括理想独立电流源 和 非理想电压源 。

10.电路中有两种电源,其中起激励作用的是独立电源,不起激励作用的是 受控 电源。

11. 一般来说,电流分为 直流 、 交流 和 随机电流 三种类型。

12.求出的功率如果大于0,表示该元件吸收功率 ;如果功率小于0,表示该元件 发出功率 。

13.一般来说,电压分为 直流电压 、 交流电压 和 随机电压 三种类型。

14.对于一个二端元件,在关联参考方向的时,该元件功率的计算公式习惯表示为 P=UI ;与此相反,在非关联参考方向的时,其功率计算公式习惯表示为 P= -UI 。

15.根据是否提供激励,电源分为 独立 和 受控 两种。

第二章 一阶过渡电路1.一阶过渡电路的全响应分析通常用三要素法,三要素分别指 初始值f 、 稳态值f 和 时间常数 。

2.RC 过渡电路中的时间常数的表达式为 ;RL 过渡电路中的时间常数的表达式为。

3.根据是否有信号输入,一阶过渡电路分为 零输入 响应和 零状态 响应。

4.一阶电路的全响应既可以用零输入响应和零状态响应表示,也可用 多个暂态 和 多个稳态 表示。

第三章 正弦交流电1.正弦交流电源的三要素是指 振幅 、 频率 和 出相位 。

2.已知某交流正弦电流的瞬时表达式为 ()3143i t t π⎛⎫=+ ⎪⎝⎭,则该正弦交流电流的最大值为 5 A ,频率为 50Hz ,初相位为。

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精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为 08001)共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型,其中,本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。

一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ,U =0.5V ,U =3V,该三极管处在()B E C状态。

A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是()。

A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中()。

A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。

A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流 I B=10μA时,I C=1mA;而 I B=20μA时,IC=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在()。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V,则该管为()。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V , U E=2.1V , U C= 3.6V ,则该管处于()状态。

精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。

A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。

A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是()。

(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案

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第一章数字逻辑习题1.1数字电路与数字信号1。

1.2 图形代表的二进制数0101101001.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 (ms)解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms频率为周期的倒数,f=1/T=1/0。

01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10%1。

2数制21.2。

2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4(2)127 (4)2.718解:(2)(127)D=72-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H(4)(2。

718)D=(10。

1011)B=(2。

54)O=(2.B)H1。

4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:(1)43 (3)254.25解:(43)D=(01000011)BCD1。

4。

3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28(1)+ (2)@(3)you (4)43解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示。

(1)“+"的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H(2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331。

6逻辑函数及其表示方法1。

6.1在图题1。

6。

1中,已知输入信号A,B`的波形,画出各门电路输出L的波形.解: (a)为与非, (b)为同或非,即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+(A ⊕B )=AB+AB A B A B ⊕AB AB A B ⊕ AB +AB 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知,A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。

电子技术基础习题答案

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第1章检测题(共100分, 120分钟)一、填空题: (每空0.5分, 共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。

这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。

这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。

2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。

三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。

3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移;PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。

扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。

空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。

7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。

三、选择题:(每题2分, 共20分)2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳( A )元素构成旳。

A.三价;B.四价;C.五价;D.六价。

3.稳压二极管旳正常工作状态是( C )。

A.导通状态;B.截止状态;C.反向击穿状态;D.任意状态。

5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是( A )而成。

A.多子扩散;B.少子扩散;C.少子漂移;D.多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V, VB=2.8V, VC=4.4V, 阐明此三极管处在( A )。

A.放大区;B.饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+答案

《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+参考答案一.填空题:(共59题)1.PN结正向偏置时,应该是P区的电位比N区的电位高。

2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。

3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。

4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。

5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。

6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。

7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。

8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 0+9.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。

10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。

11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。

12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。

13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。

14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。

15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。

16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。

17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。

18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。

19.线性状态的理想集成运算放大器,两输入端电位差=0。

20.线性状态的理想集成运算放大器,两输入端的电流=0。

21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。

22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。

23.将交流电变换成直流的过程叫整流。

24.在单相桥式整流电路中,如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。

25.在输出电压平均值相等的情况下,三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。

27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。

28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。

29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案:B2、根据作业指导书或样板之要求,不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案:C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了? ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案:D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案:B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案:A6、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高,各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小,变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案:C8、在三极管放大电路中,三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案:D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案:C10、某三极管,测得其发射结反偏,集电结反偏,则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案:B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案:B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为:1、100、-100,则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案:B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案:D14、在基本放大电路中,集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案:C15、在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

电子技术基础与技能学习指导与同步练习(第3版)习题答案

同步练习答案第1章1.1 二极管一、判断题1.×2.×3.√二、填空题2.空穴型;多数载流子;少数载流子;电子型;多数载流子;少数载流子3.死区电压;导通;反向击穿电压;反向击穿5.0.5V;0.2V;0.7V;0.3V6.最大整流电流I FM;最高反向工作电压U RM;反向饱和电流I R7.导通;2.3mA8.正;负9.9.7;7三、选择题1.A 8.A A12.A四、综合题4.输出电压u o的波形如图1所示。

图11.2 二极管整流及滤波电路一、判断题二、填空题1.交流电;直流电;单相导电2.脉动的;较平滑的3.负载电流较小;负载电流较大且变化5.1.5;266.67三、选择题1.C 4.A 5.A 6.C 7.C四、综合题1.2.1360.09222200OV OLUI I AR====⨯236301.2 1.2O U U V ===选择二极管和电容的参数如下:0.09FM I A〉,RM U 〉0.02(35)(35)(150250)22200L T C F R μ≥==⨯6.(1)20 (2)50;28.28(3)电容C 开路且某一二极管开路;9第2章2.1 三极管 一、判断题4.√ 5.√二、填空题4.集电;基;发射;50;PNP 5.基;NPN 三、选择题6.B7.A8. C 四、综合题 1.2.mA I I I C E B 2.08.56=-=∆-∆=∆ 292.08.5==∆∆=B C I I β 3.(1)数值如表2;(2)β=50;(3)I CBO =0.0002mA ;(4)I CEO =0.0102mA 表22.2 三极管基本放大电路 一、判断题2.×4.×6.√二、填空题6.大 ;负担;小;带负载三、选择题3.A 4.C8.A四、综合题1.(a)图不能正常放大,因为R B =0,+V CC 将输入交流信号短路到地。

(b )图不能正常放大,因为R C =0将输出交流信号短路到地。

电子技术基础(上习题)(附答案)

电子技术基础一、 填空第一章 直流电路分析基础1.电路一般由 电源 、 负载 和 中间环 三部分组成。

2.电源是将 其他形式的能转换成电能 的装置。

3.负载是将 电能转换为其他形式的能 的设备。

4.电路的作用包括 能源转换 和 信号处理 两个方面。

5.交流电是指 大小和方向随时间变换而变化 的电压或电流。

6.数字信号是指 大小和方向不随时间变化而变化 的电压或电流信号。

7.模拟信号是指 大小和方向随时间连续变化 的电压或电流信号。

8.电路中的元件分为有源元件和无源元件,其中无源元件包括 电阻 、电感 和 电容 三种。

9.在电路中起激励作用的是独立电源,包括理想独立电流源 和 非理想电压源 。

10.电路中有两种电源,其中起激励作用的是独立电源,不起激励作用的是 受控 电源。

11. 一般来说,电流分为 直流 、 交流 和 随机电流 三种类型。

12.求出的功率如果大于0,表示该元件吸收功率 ;如果功率小于0,表示该元件 发出功率 。

13.一般来说,电压分为 直流电压 、 交流电压 和 随机电压 三种类型。

14.对于一个二端元件,在关联参考方向的时,该元件功率的计算公式习惯表示为 P=UI ;与此相反,在非关联参考方向的时,其功率计算公式习惯表示为 P= -UI 。

15.根据是否提供激励,电源分为 独立 和 受控 两种。

第二章 一阶过渡电路1.一阶过渡电路的全响应分析通常用三要素法,三要素分别指 初始值f (0) 、 稳态值f (∞) 和 时间常数τ 。

2.RC过渡电路中的时间常数的表达式为 τ=RC ;RL 过渡电路中的时间常数的表达式为τ=lR 。

3.根据是否有信号输入,一阶过渡电路分为 零输入 响应和 零状态 响应。

4.一阶电路的全响应既可以用零输入响应和零状态响应表示,也可用 多个暂态 和 多个稳态 表示。

第三章 正弦交流电1.正弦交流电源的三要素是指 振幅 、 频率 和 出相位 。

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电子技术基础习题答案
前言
电子技术是现代社会非常重要的一项技术,也是许多工程领域不可或缺的技能。

学习电子技术需要大量的练习和实践,只有通过练习才能深刻理解和掌握相关知识。

本文将提供一些电子技术基础习题的答案,供学生们参考和练习。

习题答案
1. 带有负电荷的粒子在电场中受到力的作用方向是什么?
答:带有负电荷的粒子在电场中会受到向电场正方向的力的作用。

2. 系统中两个电差同向的电动势相等,此时电流大小为多少?
答:此时电流大小为0。

3. 电压和电势有什么区别?
答:电压是两个电势差的表现,电势是场控制下电荷的能力。

4. 等效电路中的等效电阻如何计算?
答:等效电路中的等效电阻是指在等效电路中取代多个独立电阻,使其电学性
质与原电路相同的电阻。

计算等效电阻需要使用串联和并联公式。

5. 什么是放大器?
答:放大器是一种用来放大电信号的电路,它可以增加电信号的电压、电流或
功率,起到放大信号的作用。

6. 如何计算电荷的单位?
答:电荷的单位是库仑(C),1库仑等于1安的电流在1秒钟内通过一定截面
的导体产生的电荷量。

7. 什么是导体?
答:导体是指能够传递电流的物质,通常具有低电阻、高导电性、易受到外加
电势的作用等特性。

8. 什么是虚地?
答:虚地是指在电路中有一个虚拟的电势连接点,通常使用符号GND表示。

在实际电路中,这个电势连接点并不与地之间真正连接,而是作为一个参考点使用,将各个电路元件的电势值与其比较。

9. 如何计算电场强度?
答:电场强度是指单位正电荷在电场中所受到的力的大小,计算公式为E=F/q,其中E表示电场强度,F表示电场中受到的力,q表示电荷量。

10. 什么是半导体?
答:半导体是一种介于导体和绝缘体之间的物质,具有在一定温度下电导率介
于导体和绝缘体之间的特性。

半导体在现代电子技术中有着非常重要的应用价值。

以上是一些电子技术基础习题的答案,希望能帮助学生们加深对相关知识的理解。

电子技术是一个广泛而又有挑战性的学科,在学习过程中需要大量的实际练习和实践。

希望学生们多加努力,不断提高自己的技能水平,为现代社会的发展做出更多的贡献。

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