第3章 场效应管放大电路习题答案
第3章场效应管放大电路习题答案

第3章场效应管放大电路3-1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。
(⨯)(2)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
(⨯)3-2选择正确答案填入空内。
(1)U GS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管(2)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将A。
A.增大B.不变C.减小3-3改正图P3-3所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共源接法。
图P3-3解:(a)源极加电阻R S。
(b)漏极加电阻R D。
(c)输入端加耦合电容。
(d)在R g支路加-V G G,+V D D改为-V D D改正电路如解图P3-3所示。
解图P3-33-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(c)所示。
A 、R i和R o。
(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解u图P3-4解:(1)在转移特性中作直线u G S =-i D R S ,与转移特性的交点即为Q 点;读出坐标值,得出I D Q =1m A ,U G S Q =-2V 。
如解图P3-4(a )所示。
解图P3-4在输出特性中作直流负载线u D S =V D D -i D (R D +R S ),与U G S Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U D SQ ≈3V 。
如解图P3-4(b )所示。
(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。
mA/V 12DQ DSS GS(off)GSDm DS=-=∂∂=I I U u i g UΩ==Ω==-=-=k 5M 1 5D o i Dm R R R R R g A g u3-5 已知图P3-5(a )所示电路中场效应管的转移特性如图(b )所示。
第三章习题解答

第三章习题解答一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,( )它只能放大交流信号。
( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,( )它只能放大直流信号。
( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( )(5)互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用,第二级应采用。
(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用,第二级应采用。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用,第二级应采用。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且,输出电阻R o<100,第一级应采用,第二级应采用。
三、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数(4)差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使。
基本放大电路习题解答

第2章自测题、习题解答自测题2一、在括号内用“”或“X”表明下列说法是否正确。
(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5 )放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
()解:(1 )X (2)V (3)X (4)X (5)V (6)X (7)X试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
解:(a ) 不能。
因为输入信号被直流电源U BB 短路。
(b ) 可能。
(c ) 不能。
因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载(叠加)在静 态电压之上,必然失真。
(d ) 不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e ) 不能。
因为输入信号被C 2短路。
(f ) 不能。
因为输出信号被U CC 短路,恒为零。
(g ) 可能。
(h ) 可能。
(i ) 不能。
因为T 截止。
已知U cc = 12V ,晶体管的=100 , R b = 100k Q 。
填空:要求先填文字表达式后填得数。
(1)当U j = 0V 时,测得U BEQ =,若要基极电流I BQ = 20 A ,则R b 和R W 之和R b = ____ k Q; 而右测得 U CEQ = 6V ,贝~ ____________________________ k Qo (2)若测得输入电压 有效值U i =5mV 时,输出电压(d> to m(g!1 (h) (0图 T2- 2在图T2 — 3所示电路中,有效值U ° =, 则电压放大倍数 A = __________________ 沁 ____ 。
第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案

第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题(1)按照结构,场效应管可分为 。
它属于 型器件,其最大的优点是 。
(2)在使用场效应管时,由于结型场效应管结构是对称的,所以 极和 极可互换。
MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起,则 极和 极也可互换。
(3)当场效应管工作于恒流区时,其漏极电流D i 只受电压 的控制,而与电压 几乎无关。
耗尽型D i 的表达式为 ,增强型D i 的表达式为 。
(4)一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ,则该管的DSS I = ,p U = 。
(5)某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示,由图可知该管的DSS I = ,p U = 。
(6)N 沟道结型场效应管工作于放大状态时,要求GS 0u ≥≥ ,DS u > ;而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时,要求GS u > ,DS u > 。
(7)耗尽型场效应管可采用 偏压电路,增强型场效应管只能采用 偏置电路。
(8)在共源放大电路中,若源极电阻s R 增大,则该电路的漏极电流D I ,跨导m g ,电压放大倍数 。
(9)源极跟随器的输出电阻与 和 有关。
答案:(1)结型和绝缘栅型,电压控制,输入电阻高。
(2)漏,源,源,漏,源。
(3)GS u ,DS u ,2GS D DSS P 1u i I U =− ,2GS D DO T 1u i I U=−。
(4)16mA ,4V 。
(5)习题3.1.5图4mA ,−3V 。
(6)p U ,GS p u U −,T U ,GS T u U −。
(7)自给,分压式。
(8)减小,减小,减小。
(9)m g ,s R 。
3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。
解:3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6(a )所示。
若图中的场效应管为N 沟道结型结构,且p 4V U =−,DSS 1mA I =。
(完整版)第四章场效应管习题答案..

第四章 场效应管基本放大电路4-1 选择填空1.场效应晶体管是用_______控制漏极电流的.a 。
栅源电流b 。
栅源电压c 。
漏源电流d 。
漏源电压 2.结型场效应管发生预夹断后,管子________。
a 。
关断b 。
进入恒流区c 。
进入饱和区 d. 可变电阻区 3.场效应管的低频跨导g m 是________.a. 常数 b 。
不是常数 c. 栅源电压有关 d. 栅源电压无关 4。
场效应管靠__________导电.a 。
一种载流子b 。
两种载流子 c. 电子 d. 空穴 5。
增强型PMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零 b 。
小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 6. 增强型NMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零b. 小于零 c 。
等于零 d. 或大于零或小于零 7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。
a. 增强型b. 耗尽型 c 。
结型 d 。
增强型和耗尽型 8. 分压式电路中的栅极电阻R G 一般阻值很大,目的是__________。
a 。
设置合适的静态工作点b 。
减小栅极电流c. 提高电路的电压放大倍数 d 。
提高电路的输入电阻 9. 源极跟随器(共漏极放大器)的输出电阻与___________有关。
a. 管子跨导g m b 。
源极电阻R S c. 管子跨导g m 和源极电阻R S 10。
某场效应管的I DSS 为6mA ,而I DQ 自漏极流出,大小为8mA ,则该管是_______.a 。
P 沟道结型管b 。
N 沟道结型管c 。
增强型PMOS 管d 。
耗尽型PMOS 管e 。
增强型NMOS 管 f. 耗尽型NMOS 管解答:1。
b 2。
b 3.b ,c 4. a 5.b 6.a 7。
b,c 8。
d 9.c 10。
d4-2 已知题4—2图所示中各场效应管工作在恒流区,请将管子类型、电源V DD 的极性(+、—)、u GS 的极性(>0,≥0,〈0,≤0,任意)分别填写在表格中。
模拟电子技术教程第3章习题答案

第3章 习题1. 概念题:(1)在放大电路中,三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
(2)电源的作用是 为能量转换提供能源 ,如果离开电源,放大器可以工作吗?( 不能 )(3)单管放大器的讲解从电容耦合形式开始,这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ,如果信号和负载直接接入,其 工作点 的计算将要复杂的多。
(4)在共射放大器的发射极串接一个小电阻,还能认为是共射放大器吗?( 能 )在共集放大器的集电极串接一个小电阻,还能认为是共集放大器吗?( 能 )(5)在模电中下列一些说法是等同的,(A 、C 、F )另一些说法也是等同的。
(B 、D 、E )A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析(6)PN 结具有单向导电性,信号电压和电流的方向是随时间变化的,而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大,这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
(7) β大的三极管输入阻抗 也大 ,小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。
(8)画直流通路比画交流通路复杂吗?(不)在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ,直流电流源可认为 开路 ,二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。
(9)求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ,单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器,其次是共 源 放大器。
(10)对晶体管来说,直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ,交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ,对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗?( 无 )(11)在共射级放大器或共源放大器中,电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。
(12)放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真,引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。
第3章场效应答案

习题答案3.1 已知场效应管的输出特性或转移如题图3.1所示。
试判别其类型,并说明各管子在∣U DS ∣= 10V 时的饱和漏电流I DSS 、夹断电压U GSOff (或开启电压U GSth )各为多少。
解:FET 有JFET 和MOSFET ,JFET 有P 沟(GS U 只能为正)和N 沟(GS U 只能为负)之分。
MOSFET 中有耗尽型P 沟和N 沟(GS U 可为正、零或负),增强型P 沟(GS U 只能为负)和N 沟(GS U 只能为正)。
图 (a):N 沟耗尽型MOSFET ,DSS I =2mA,3-=)th (G S U V 。
图 (b):P 沟结型FET ,DSS I =3mA, 3=)th (GS U V 。
图 (c):N 沟增强型MOSFET ,DSS I 无意义 ,51.U )th (GS =V 。
3.2 已知某JFET 的I DSS =10mA ,U GSoff =-4V ,试定性画出它的转移特性曲线,并用平方律电流方程求出u GS =-2V 时的跨导g m 。
解:(1)转移特性如下图所示。
u GS /Vi /mA (a)u GS /Vi/mA(b)u DS /V(c)题图3.1)/(5.2215)421()4(102)1(2)1(.22V m A U u U I du di g U u I i g V U GSoffGS GSoff DSS GS Dm GSoffGS DSS D m GS =⨯=--⨯-=--==-=故因为时的=-求3.3 已知各FET 各极电压如题图3.3所示,并设各管的2)(=th GS U V 。
试分别判别其工作状态(可变电阻区,恒流区,截止区或不能正常工作)。
解:图 (a)中,N 沟增强型MOSFET ,因为3=GS U V 2=>)th (GS U V ,2-=GD U V 2==)th (GS U V ,所以工作在恒流区。
图 (b)中,N沟耗尽型MOSFET ,5=GS U V 2-=>)th (GS U V ,0=GD U V 2-=>)th (GS U V ,所以工作在可变电阻区。
模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件

U GS 2 ID ID S( 1 ) S U GS (o f) f
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD
2)动态性能指标的计算:微变等效电路
2 gm ID ID O Q U G S (th )
2 g ID ID m S S Q U G S (o ff)
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出 四种状态下的UGS和UDS 的值,判断各状态下的管子工作在什 么区。( a.恒流区 b.可变电阻区 c.截止区 )
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD 1)静态工作点的分析计算。 • 利用场效应管栅极电流为0,得到栅源电压与 漏极电流之间关系式。 • 列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程,求解UGSQ和IDQ,并推算 UDSQ。 • 注意解算后应使得管子工作在恒流区。
5
U 2 GS ID IDO ( 1 ) U GS (th )
-
3-7:如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解:
I I ( 1 ) 0 . 5 m A D Q D S S U G S ( o f f)
2
U G S Q
U GSQ U GQ U SQ 2V RS1 U GSQ ID 2V 4 k 0 . 5 mA
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 绝缘栅型N沟道耗尽型ห้องสมุดไป่ตู้场效应管。 • 因为没有漏极电阻, 使交流输出信号到地 短路uo无法取出。 • 不能。
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 满足正常放大条件。 如在输入端增加大电 阻RG,可有效提高输入 电阻。 • 能。
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第3章场效应管放大电路
3-1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。
(⨯)
(2)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
(⨯)
3-2选择正确答案填入空内。
(1)U GS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有B 。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
(2)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将 A 。
A.增大
B.不变
C.减小
3-3改正图P3-3所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共源接法。
图P3-3
解:(a)源极加电阻R S。
(b)漏极加电阻R D。
(c)输入端加耦合电容。
(d)在R g支路加-V G G,+V D D改为-V D D
改正电路如解图P3-3所示。
解图P3-3
3-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(c)所示。
A 、R i和R o。
(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解
u
图P3-4
解:(1)在转移特性中作直线u G S =-i D R S ,与转移特性的交点即为Q 点;读出坐标值,得出I D Q =1mA ,U G S Q =-2V 。
如解图P3-4(a )所示。
解图P 3-4
在输出特性中作直流负载线u D S =V D D -i D (R D +R S ),与U G S Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U D S Q ≈3V 。
如解图P3-4(b )所示。
(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。
mA/V 12DQ DSS GS(off)
GS
D
m DS
=-=
∂∂=
I I U u i g U
Ω
==Ω==-=-=k 5
M 1 5D o i D
m R R R R R g A g u
3-5 已知图P3-5(a )所示电路中场效应管的转移特性如图(b )所示。
求解
电路的Q 点和u
A 。
图P 3-5
解:(1)求Q 点:
根据电路图可知, U G S Q =V G G =3V 。
从转移特性查得,当U G S Q =3V 时的漏极电流 I D Q =1mA
因此管压降 U D S Q =V D D -I D Q R D =5V 。
(2)求电压放大倍数:
20V
mA 22D
m DO DQ GS(th)
m -=-===
R g A I I U g u
3-6电路如图3-6所示,已知场效应管
的低频跨导为g m ,试写出u
A 、R i 和R o 的表达式。
图P 3-6
解:u
A 、R i 和R o 的表达式分别为 D
o 2
13i L
D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥
3-7 电路如图3-7所示。
已知V DD =12V ,GG V =2V ,R G =100kΩ,R D =1kΩ, 场效应管T 的 I DSS =8mA 、U GS(off)=-4V 。
求该管子的I DQ 及静态工作点处的g m 值。
图P 3-7 解:
DQ I =2mA m g =2ms
3-8已知某种场效应管的参数为U GS(th)=2V ,U (BR)GS =30V, U (BR)DS =15V ,当U GS =4V 、 U DS =5V 时,管子的I DQ =9mA 。
现用这种管子接成如图p3-8所示的四种电 路,电路中的R G =100kΩ, R D1=5.1KΩ,R D2=3.3kΩ,R D3=2.2kΩ,R S =1kΩ。
试问各电路中的管子各工作于:放大、截止、可变电阻、击穿四种状态中的哪一种?
图P 3-8
解:先求场效应管的x 值。
由已知的
GS U =4v
时
DQ I =9mA
及
()GS th U =2v ,代人公式2()[]D GS GS th i K u U =-,可求得
K =2.25mA /2
V .
图(a)管子击穿.图(b)管子击穿 图(c)可变电阻区 图(d )放大区
3-9在图p3-9所示的四种电路中,R G 均为100 kΩ,R D 均为3.3kΩ,V DD =10V ,GG V =2V 。
又已知:T 1的I DSS =3mA 、
U GS(off)=-5V ;T 2的U GS(th)=3V ;T 3的I DSS =-6mA 、U GS(off)=4V ;T 4的I DSS =-2mA 、U GS(off)=2V 。
试分析各电路中的场效应管工作于放大区、截止区、可变电阻区中的哪一个工作区?
图P 3-9
解:图 a T1为N 沟道JF ET ,由图可知T1工作于放大区
图 b T2工作于截止状态 图c 工作于可变电阻区 图 d 工作于放大区
3-10 试判断图p3-10所示的四种电路中,哪个(或哪几个)电路具有电压放大作用。
图P 3-10
解d
3-11 电路如图3-11所示。
其中-V DD =-20V ,R G =1MΩ, R D =10kΩ, U GSQ =2V ,管子的I DSS =-2mA 、U GS(off)=4V ,各电容器的电容量均足够大。
试求: (a) I DQ 及R S1的数值;
(b) 为使管子能工作于恒流区,R S2不能超过什么值。
解:(a ) DQ I =-0.5mA 14S R K =Ω
(b) 222S R K <Ω
3-12 电路如图3-12所示。
已知V DD =30V ,R G1=R G2=1MΩ, R D =10kΩ,管子的U GS(th)=3V ,且当U GS =5V 时I D 为0.8mA 。
试求管子的U GSQ 、I DQ 、U DSQ 。
解: 1.8DQ I mA = 12DSQ U V = GSQ U =6V
3-13电路如图3-13所示。
已知-V DD =-40V ,R G =1MΩ,R D =12kΩ,R S =1kΩ,场效应管的I DSS =-6mA 、U GS(off)=6V 、r ds >>R D ,各电容器的电容量均足够大。
试求: (a) 电路静态时的I DQ 、U GSQ 、U DQ 值; (b) 电路的A u 、R i 、R o 值。
解(a )
2.3DQ I mA =-
12.4DQ U V =- 10.1DSQ U V =-
(b) 14.9
112u i o A R M R k =-=Ω=Ω
3-14电路如图3-14所示。
其中R G =1.1MΩ,R S =10kΩ,场效应管的g m =0.9mS 、 r ds 可以忽略,各电容器的电容量均足够大,电源电压V DD 的大小已足以保证管子能工作于恒流区。
试求A u 、R i 和R o 的值。
解:0.9 1.11u i o A R M R k ==Ω=Ω
图P 3-11 图P 3-12
图P 3-13 图P 3-14
3-15 在图3-15所示的电路中,R D = R S =5.1kΩ,R G2=1MΩ, V DD =24V ,场效应管的I DSS =2.4mA 、U GS(off)=-6V ,各电容器的电容量均足够大。
若要求管子的U GSQ =1.8V ,求: (a) 1G R 的数值; (b)
DQ I 的值;
(c)
1
1o u i
U A U =
及22o u i U A U =
的值。
解: (a)1 4.7G R M =Ω (b) 1.18DQ I mA = (c) 1
1o u i
U A U =
=0.74 22o u i U A U ==-0.74
图P 3-15 图P 3-16
3-16 电路如图3-16所示。
设场效应管的跨导为g m ,r ds 的影响必须考虑,各电容器的电容量均足够大。
试求该电路输出电阻R o 的表达式。
解://'//['(1')]O D O D S ds m S R R R R R r g R ==++
3-17 电路如图3-17所示。
已知电路中的R G =1MΩ, R D =10kΩ,R S =2kΩ,负载电阻R L =4kΩ,负载电容C L =1000pF ,场效应管的C gs 、C gd 、C ds 和r ds 的影响均可以忽略。
试求该电路的上限截止频率f H 。
图P 3-17
解:
1
55.72(//)H D L L
f kHz R R C π=
=。