基片集成波导
一种新型基片集成脊波导结构的设计
一种新型基片集成脊波导结构的设计1. 引言1.1 背景介绍脊波导是一种常用的光学波导结构，具有较高的光的传输效率和方向性。
传统的脊波导结构存在一些问题，比如光损耗较大、集成度不高等。
为了解决这些问题，研究人员提出了一种新型基片集成脊波导结构。
这种结构利用基片作为底部支撑层，通过一系列微加工工艺制备出具有特殊形状的脊波导结构，从而实现了更高的光传输效率和集成度。
这种新型结构在光通信、光传感等领域具有广泛的应用前景，因此引起了研究人员的广泛关注和研究。
本文旨在探讨这种新型基片集成脊波导结构的设计原理、制备工艺、性能分析以及实验结果，为其在实际应用中的推广和优化提供理论和实验基础。
1.2 研究目的本研究的目的是设计一种新型基片集成脊波导结构，以实现对光波导的高效控制和传输。
通过研究这种新型结构的设计原理和制备工艺流程，我们希望能够解决传统波导结构存在的一些问题，并进一步提高其性能表现。
具体来说，我们的研究目的包括以下几个方面：1. 提高波导的传输效率和带宽，以满足高速通信系统对光波导性能的需求；2. 优化波导的耦合效率，实现更高的能量传输效率；3. 探索新型波导结构在光子器件中的应用潜力，为光电子学领域的发展提供新的思路和解决方案；4. 通过性能分析和实验结果的验证，进一步验证新型基片集成脊波导结构的优势和可行性，为未来相关研究提供参考和借鉴。
2. 正文2.1 新型基片集成脊波导结构设计新型基片集成脊波导结构设计是本研究的核心内容，通过结合基片集成技术和脊波导结构，可以实现更高效的光学器件。
我们设计了一种特殊的基片结构，能够在光波导中实现更好的光场传输效果。
我们在基片上引入脊波导结构，进一步优化了光的传输路径，提高了光学器件的性能。
这种新型设计不仅能够减小器件尺寸，提高集成度，还能够改善器件的光学特性，使其具有更好的性能和稳定性。
在设计过程中，我们采用了先进的光学仿真工具进行模拟，通过调整各个参数的数值，优化了波导的结构参数，使其能够实现更高效的光场传输。
基片集成波导及其微带过渡的设计
舰 船 电 子 对 抗
ＳＨ Ｉ ＰＢ０Ａ ＲＤ ＥＬＥＣＴＲ０ Ｎ Ｉ Ｃ０ Ｕ ＮＴ ＥＲ Ｍ ＥＡ ＳＵ ＲＥ Ｃ
Ａ ｕ ．２ １ ｇ ０２
Ｖｏ ． ５ Ｎｏ ４ Ｉ３ ．
第 ３ ５卷第 ４期
基 片集 成波 导及 其 微 带过 渡 的设 计
赵 元 英 袁 皓 ，
收 稿 日期 ： ０ ２ ５—１ ２ １ —０ ０
０ 引 言
矩形 波导具 有 功 率 容量 大 、 耗 小 、 辐射 、 损 无 品 质 因数高 的特点 ， 高频波 段其优 势更 加 明显 ， 在 因此 在微 波 、 米波 电路 和系统 中被广 泛应 用 ， 在许 多 毫 现 毫米波 设备 的输 入 输 出端 口均 为 波 导形 式 。但 是 ， 由于其 体积 大 ， 量 大 ， 本 高 ， 须通 过 各 种 过渡 重 成 必
（． 国 电子 科 技 集 团公 司 １ 所 ， 家庄 ０ ０ ５ ；． １中 ３ 石 ５ ０ １ ２ 云南 大学 ， 明 ６０ ９ ） 昆 ５ ０ １
摘 要 ： 了工作 于毫米波频段 的基片集成波导 （Ｉ ， 了基片集成波 导及其微带过 渡的原理和结构 ， 推 设计 ＳＷ）阐述 公式
导 出过 渡 结 构 中各 种 参 数 的 计 算 方 法 ， 过 ＨＦ Ｓ软 件 进 行 仿 真 ， 作 了 ＳＷ 与 微 带 过 渡 的 样 品并 测 试 ， 果 表 明 通 Ｓ 制 Ｉ 结
ｔ ｎ ｌ Ｓ Ｓｌ ｓ ｈａ 一 １ Ｂ ｒ ｍ ５ ５ Ｇ Ｈ ｚｔ ７ ５ Ｇ Ｈ ｚ． ｕｒ Ｏ Ｓ ｉ ｅ ｓ ｔ ｎ ０ ｄ ｆｏ ３ ． ｏ ３ ．
Ｋｅ ｒ ： ｕｂ ｔ ａ ｅ ｉ ｅ ｒ ｔ ｄ ｗａ ｅ ｉ ｅ； ｃ ｏ ｔ ｉ ｒ ｎｓｔｏ ｉ ｐ ｄ ｎｃ ｙ ｗｏ ｄｓ ｓ ｓ ｒ ｔ ｎｔ ｇ ａ ｅ ｖ ｇｕ ｄ ｍｉｒ ｓ ｒｐ ｔ ａ ｉｉ ｎ；ｍ ｅ ａ ｅ
基片集成波导技术的研究共3篇
基片集成波导技术的研究共3篇基片集成波导技术的研究1随着科技的不断发展，无线通信和光通信成为人们生活中必不可少的一部分。
为了实现更高速、更安全、更稳定的通信，基片集成波导技术逐渐引起人们的关注。
本文将从基片集成波导技术的概念、特点、优势以及市场应用四个方面进行介绍。
一、基片集成波导技术的概念基片集成波导技术是利用半导体工艺技术将微波电路元器件制作在单片集成电路芯片制造过程中的一种技术。
也就是说，基片集成波导技术是把微波电路与基片电路有机的结合在一起，实现互联互通的技术。
二、基片集成波导技术的特点基片集成波导技术有以下三个特点：1. 集成度高：基片集成波导技术是通过将微波电路与单片集成电路进行结合，将微波元器件互联互通的功能与芯片电路进行有机的结合，从而实现电路的高度集成，大大简化了电路的结构，提高了系统的稳定性。
2. 小型化：由于基片集成波导技术体积小，微波电路在集成电路表面形成的结构也很小，可制成非常小型化的波导设备。
3. 精度高：基片集成波导技术采用的是微细加工技术，可以在芯片电路的表面上制造出微米级别的微波电路结构，精度高，噪声小，所以在高频传输上更加精准。
三、基片集成波导技术的优势基片集成波导技术具有以下优势：1. 技术成熟度高：基片集成波导技术是利用现有的半导体工艺技术进行制造，并且随着技术不断发展，技术成熟度也逐渐提高。
2. 互联互通性好：基片集成波导技术能够将微波电路与单片集成电路有机的结合在一起，常用于实现基于微波的无线通信和光通信的复杂系统互联互通。
由于网络的运行效率和稳定性强，所以基片集成波导技术被广泛应用于工业控制、通信系统和卫星通信等领域。
3. 成本低：由于基片集成波导技术采用的是微细加工技术，制造生产比较容易和快捷，因此成本低。
四、市场应用基片集成波导技术的市场应用包括无线通信、光通信、微波电子学、太阳能电池、卫星通信、雷达系统、无线电定位等领域。
总之，基片集成波导技术是一种非常重要的技术，可以满足人们对高速、高效、高精度无线通信和光通信的要求，同时也带来了很多商机和发展空间。
基片集成波导技术的研究
基片集成波导技术的研究一、本文概述随着现代通信技术的飞速发展，波导技术作为微波毫米波系统中的重要组成部分，其性能优劣直接关系到整个系统的传输效率和稳定性。
基片集成波导技术（SIW，Substrate Integrated Waveguide）作为一种新型的波导结构，近年来受到了广泛的关注和研究。
SIW技术结合了传统波导和微带线的优点，具有低损耗、高Q值、易于集成等优点，因此在微波毫米波集成电路、天线、滤波器等领域具有广阔的应用前景。
本文旨在全面介绍基片集成波导技术的研究现状、基本原理、设计方法以及应用实例。
我们将回顾SIW技术的发展历程，分析其相比于传统波导和微带线的独特优势。
然后，我们将详细介绍SIW的基本理论和设计方法，包括SIW的传输特性等效电路模型、模式分析以及优化设计等方面。
接着，我们将通过一些具体的应用实例，展示SIW技术在微波毫米波系统中的实际应用效果。
我们还将讨论SIW技术的未来发展趋势和研究方向，以期为相关领域的研究者提供有益的参考和启示。
通过本文的阐述，我们期望读者能够对基片集成波导技术有一个全面而深入的了解，为该技术的进一步研究和应用提供坚实的理论基础和实践指导。
二、基片集成波导技术概述基片集成波导技术（SIW，Substrate Integrated Waveguide）是一种在微波和毫米波频段内实现波导传输的新型平面传输线技术。
该技术通过在介质基片上集成金属化通孔阵列来模拟传统矩形波导的行为，从而实现了波导传输的平面化、小型化和集成化。
SIW技术自21世纪初提出以来，在微波毫米波系统、集成电路、天线等领域中得到了广泛的应用和研究。
SIW技术的主要优势在于其兼具了传统矩形波导和微带线等平面传输线的优点。
与微带线相比，SIW具有更高的Q值、更低的辐射损耗和更高的功率容量；与传统矩形波导相比，SIW则具有平面化、小型化、易于集成和加工成本低等显著优势。
SIW的这些特点使得它在微波毫米波系统中具有广泛的应用前景，尤其是在高性能、高集成度的系统中表现出色。
第6讲++基片集成波导+II
(2.10)
可见，慢波场的横向分布至少有一个是按双曲函数变化的
，因为双曲函数只有一个零点，这时电场的切向分量不能
同时在所有边界上为零。可见，四壁光滑的导体构成的均
匀传输系统，如波导、同轴线等无论如何也不能传输慢波
。因为这类传输系统所有边界上的电场切向分量均要等于
零。由(2.5)可知，第n次第6空讲+间+基片谐集成波波导的+II 场为
C o n s ts c i o n s(k x x )s c i o n s(k y y )e j t c
(2.6)
并且
kc2kx2ky 2k22( v)21(vvp)2
(2.7)
其中 v 1 。慢波要求vp<v，由上式可知，只有kc为
虚数时才能满足，所以kx和ky中至少有一个是虚数并且 kx2 ky2 0 ，即电磁场在一个传输系统中以慢波传输，必 须满足横向本征值kc(横向即垂直于传播方向的方向)为虚 数的条件。场分量Ψ可以第6讲表++示基片为集成下波导面+II 三式之一：
4.3 周期性结构
慢波特性
C o n s tc s h h(k x x )c s h h (k yy )e j t c
(2.8)
C o n s ts c i o n s(k x x )c s h h (k y y )e j t c (2.9)
C o n s tc s h h (k x x )s c i o n s(k y y )e j t c
第6讲++基片集成波导+II
4.3 周期性结构
Floquet定理
20世纪50年代，因为微波真空管装置中降低电磁波相 速的慢波结构的应用，对周期性结构的研究主要集中在慢 波结构上;
基片集成波导的原理
基片集成波导的原理
基片集成波导（Substrate Integrated Waveguide，简称SIW）是一种在介质基片上实现传输电磁波的波导结构。
它利用微波电路和封装技术，使得传统的金属波导得以通过在介质基片上刻蚀几何结构来实现，从而实现微型化和集成化。
基片集成波导的原理如下：
1.介质基片：基片集成波导使用介质基片作为传输介质，通
常采用具有低介电损耗和高介电常数的材料，如陶瓷（LTCC）、石英、聚合物等。
介质基片具有规定的形状和厚度，用于形成波导的结构。
2.金属禁带：在介质基片上，通过在上方和下方各刻蚀一层
金属，形成金属禁带。
金属禁带用于限制电磁波能量在基片内的传播，从而形成波导效应。
3.模式传输：在基片上刻蚀特定的几何结构和尺寸，使得电
磁波在基片内以某种模式进行传输，例如TE模式（横电场模式）或TM模式（横磁场模式）等。
具体的结构形状和尺寸决定了不同模式的传输特性。
4.电磁波传输：通过在基片结构内的电磁波传输，波导效应
能够实现低损耗和低辐射的传输。
基片集成波导具有较高的带宽和较低的传输损耗，因此在微波和毫米波频段的应用中具有很大的潜力。
基片集成波导的优点包括尺寸小、成本低、集成度高、实现微
型化和集成化设计等。
这使得它在射频和微波电路、通信系统、雷达、天线等领域有广泛的应用。
《2024年基片集成波导技术的研究》范文
《基片集成波导技术的研究》篇一一、引言随着无线通信技术的快速发展，基片集成波导技术（Substrate Integrated Waveguide, SIW）在微波和毫米波电路中得到了广泛的应用。
该技术以其高集成度、高稳定性和低成本的优势，逐渐成为了射频领域研究的重要方向。
本文将对基片集成波导技术的研究进行深入的探讨。
二、基片集成波导技术概述基片集成波导技术是一种在印刷电路板（PCB）上实现的微波传输线技术，它采用平面结构设计，使得射频电路具有较高的集成度。
与传统的同轴线和矩形波导相比，SIW技术具有结构简单、体积小、易于制造等优点。
在毫米波和微波系统中，基片集成波导被广泛用于信号传输、耦合和辐射等功能。
三、基片集成波导技术的研究进展（一）理论研究早期对基片集成波导技术的研究主要集中在理论分析和建模上。
学者们通过电磁仿真软件（如HFSS）对SIW进行建模，分析了其传播特性和损耗特性，为后续的工程应用奠定了基础。
（二）工艺制造随着工艺技术的不断发展，基片集成波导的制造工艺也得到了不断优化。
从最初的厚膜工艺到现在的薄型PCB工艺，SIW的制造工艺已经越来越成熟，制造成本也在不断降低。
（三）应用领域基片集成波导技术在无线通信领域得到了广泛应用。
在5G 基站、卫星通信、雷达系统等领域，SIW技术都发挥着重要作用。
此外，SIW技术还被应用于生物医学、汽车雷达等领域。
四、基片集成波导技术的关键问题及解决方案（一）传输损耗问题由于基片材料和金属层的损耗，基片集成波导的传输损耗问题较为突出。
为降低传输损耗，可采用低损耗的介质材料和优化结构设计等措施。
此外，采用新型的表面处理技术也能有效降低传输损耗。
（二）信号泄漏问题由于SIW的结构特点，信号在传输过程中容易发生泄漏。
为解决这一问题，需优化波导壁的阻抗匹配设计，减小信号的反射和散射。
同时，在设计中要充分考虑结构的尺寸和布局等因素，避免可能产生信号泄漏的潜在问题。
五、展望未来研究趋势与挑战（一）研究方向与趋势未来，基片集成波导技术将进一步朝着小型化、集成化和多功能化方向发展。
基片集成波导缝隙阵天线设计
基片集成波导缝隙阵天线设计随着无线通信技术的快速发展，天线作为无线通信系统中不可或缺的一部分，其性能和设计受到了广泛。
其中，基片集成波导缝隙阵天线具有体积小、重量轻、易于集成等优点，成为了研究的热点。
本文将介绍一种基于基片集成波导缝隙阵天线的分析与设计。
在基片集成波导缝隙阵天线设计中，首先需要考虑的是材料的选取。
常见的基片集成波导材料包括陶瓷、玻璃、硅等。
这些材料具有高导电性、高绝缘性、低损耗等特点，能够有效降低天线的传输损耗。
同时，为了满足天线的小型化需求，我们还需要选择具有较高介电常数的材料，以减小天线的尺寸。
在确定材料后，我们需要对天线的形状和接口进行设计。
基片集成波导缝隙阵天线的常见形状包括矩形、圆形、椭圆形等。
这些形状的设计需要根据实际应用场景和通信标准来进行选择。
同时，为了实现天线的高性能和宽频带特性，我们还需要考虑接口的设计，包括如何连接天线与传输线，以及如何实现天线与其他设备的兼容性。
具体设计中，我们需要先确定缝隙阵的形状和大小。
这可以通过在基片集成波导上刻蚀一定形状和大小的缝隙来实现。
同时，我们还需要根据通信标准的要求，选择合适的缝隙长度和宽度。
为了提高天线的辐射效率和方向性，我们还需要对天线进行辐射特性和方向图的分析与优化。
在仿真阶段，我们使用电磁仿真软件对设计好的基片集成波导缝隙阵天线进行性能预测。
通过仿真，我们可以得到天线的辐射特性、方向图、增益等性能指标。
分析仿真结果，我们可以发现天线的性能优势和不足之处，从而进行针对性的优化。
实验验证是天线设计的重要环节。
在此阶段，我们实际制作天线并对其进行测试。
具体操作过程包括搭建测试平台、连接天线与测量设备等。
通过实际测量，我们可以得到天线的实际性能指标，并将其与理论分析和仿真结果进行比较。
实验验证结果表明，所设计的基片集成波导缝隙阵天线在辐射特性、方向图等方面均表现出较好的性能，符合预期设计目标。
本文通过对基片集成波导缝隙阵天线的设计与制作进行分析，探讨了其优势和应用前景。
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Filter
C波段椭圆函数滤波器 2005年，东南大学洪伟等人提出了一种采用LTCC的SIW的C波段四级 的椭圆函数滤波器。中心频率为4GHz，带宽150MHz，带内损耗0.6dB， 在3.29GHz、3.89GHz、4.11GHz、4.75GHz分别有四个传输零点。
CSSRs加载的基片集成波导滤波器
CSSRs刻蚀于印制板的顶层
CSSRs刻蚀于印制板的底层
等效电路模型
等效电路模型
fz 2
1
Ls(Cs C
Simulate frequency response corresponding to the basic cell of Fig.2 (thin line) and Fig.3 (thick line).
基片集成波导技术研究
张小川 导师：徐军
研究背景
各种导波结构可分为两大类，即平面结构和非平面结构。平面结构包括微带 线、共面波导、槽线等等。非平面结构包括矩形波导、同轴线、介质波导等等。
◇平面结构适合系统的混合集成，然而，这种结构也存在着自身的缺陷，由于 导体损耗、辐射损耗、介质损耗的存在，使得平面结构不利于工作在毫米波频 段，也无法构成高Q值的部件。
Substrate Integrated Waveguide Quasi-elliptic Filter based on split ring resonator
其中SIW腔体为双模工作，谐 振模式：TE102和TE201模，
f0=2c0r
r 2 s 2效长度
weqv
w d2 0.95b
d2 leqv l 0.95b
裂环谐振器的谐振频率
2
3
a
c
2 0
ln 2c r 3
t
待解决的问题
目前针对半波基片集成波导结构及应用的研究刚刚起步，还没有有效的理论 来指导设计，因此建立有效的此类结构的数值模型；然后得出结果指导设计 成为必要。
5、功分器
S. Germain等人用实现了“T”型和“Y”型功分器，工作在Ka波段，“T” 型功分器回波损耗优于19dB的相对带宽达到10.2％，而“Y”型功分器回 波损耗优于18.5dB的相对带宽为25.2％。
S Germain, D Deslandes and K Wu. Development of Substrate Integrated Waveguide Power Dividers, Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering, 2003, Vol.3: 19211924
基片集成波导
金属波导
半波基片集成波导（HMSIW）的概念
在波导结构中，对于主模来说，在传播方向的中心面是电场最强的地方（法 向电场为零，切向磁场为零），所以中心面可以被看作是磁壁，根据这种思 想，通过假想的磁壁将SIW从中心面切割成两部分，这样一个SIW就变成两个 HMSIW,这种新结构继承了SIW的传播特性，这种假想的磁壁只是为了论证这 种思想，考虑到实际应用的情况，从切面延长一点，这样可以防止能量的辐 射。
◇非平面结构的损耗低，故可以构成高性能部件。但是作为一种立体结构，非 平面结构很难与平面结构或有源器件有效集成。
正是为了解决上述矛盾，一种基于介质基片的波导结构被提了出来，这就 是我们所研究的对象——基片集成波导（SIW）。它为平面集成电路的研 究开辟了全新的领域。
基片集成波导的概念
基片集成波导（Substrate Integrated Waveguide，简称 SIW）是一种近年内出现的新型微波传输结构, 是基片集成电路 的一个重要内容，其基本思想是在介质基片上用相邻很近的金 属化通孔形成电壁，与上下金属面一起构成类似于普通波导的 结构。
基片集成波导和微带传输线的转接形式
由于工作频段低, s＜＜d, 因此不同的孔间距对传播特性的影响很小.
基片集成波导和微带线插损测试
长度为100mm，介电常数 2.2,a=14mm, s=0.4mm,d=0.8mm,T1=5mm,t2=1.5mm.
Applications of SIW and HMSIW
▪ 1、通过数值计算得到HMSIW的相位常数和损耗影子等特性参数随 过孔半径、缝隙尺寸等结构参数的影响。
▪ 2、通过数值计算拟合出半波基片集成波导的宽度 等效的金属波导宽度， 便于以后设计中应用。
▪ 3、系统的研究HMSIW中的几种不连续结构，包括：感性金属杆、H面不 连续性结构、各种拐角、Y分支结构等等
LTCC 滤波器
Jong-Hoon Lee, Stephane Pinel等设计了一个中心频率为 60GHz的带通滤波器，实测结果如下：中心频率58.7GHz，中 心频率处插入损耗为2.14dB，3dB带宽为1.38% ( 0.9 GHz).
Jong-Hoon Lee, Stephane Pinel “Low-Loss LTCC Cavity Filters Using System-onPackage Technology at 60 GHz” IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 53, NO. 12, DECEMBER 2005
半波基片集成波导
基片集成波导
CST仿真的主模场分布（8GHz），基片厚度为1mm，0.5mm处的电场分布 S_Parameter (S11,S21)
国内外研究现状
1、1998年J.Hirokawa等人曾对类似SIW的层叠结构进行了 分析，但是没有明确的提出基片集成波导的概念。
2、2002年K.Wu等人用边界积分模式展开法对SIW的色散 特性进行了分析。
CMRC加载基片集成波导滤波器
1个CMRC加载
仿真的S参数
等效电路模型
等效电路模型ADS仿真结果
1个CMRC加载
仿真的S参数
介质基片为TMM10,介电常数9.2,厚度1mm 中心频率为5.35GHz, 带宽为1.7GHz
销钉加载半波基片集波导滤波器
印制板加工图 等效电路模型
仿真结果
采用基片为：TMM10 介电常数9.2，厚度1mm。 1dB为7.14GHz-7.61GHz,相对带宽为6%
Antenna
基片上构造了一个 4×4 的谐振式基片集成 波导阵列天线，基片采用介电常数为 2.4、 损耗角正切为0.001 的材料，基片厚度为 1.5 毫米，金属通孔的直径为 1 毫米，通孔间距 为 2 毫，每一个谐振单元由 4 条与波导轴线 等距的缝隙构成谐振阵。该天线工作在 10GHz，具有 600 MHz 的工作带宽，方向 性系数为15.7dB，图 1.1 为其实物图。
基片集成波导缝隙天线阵实物图
由于填充了介质，工作波长小于自由空间 中的波长所以使得该结构相比矩形波导具
有更小的面积，而它的重量、侧面高度更 是远小于矩形波导，但是却具有毫不逊
色的性能，充分显示了基片集成波导的实 用价值。
Bong S Kim, Jae W Lee and Kwang S Kim, etc. PCB substrate integrated waveguide-filter using via fences at millimeter-wave. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2004, Vol.2:1097-1100
Bing Liu, Wei Hong,, Yuan-Qing Wang, Qing-Hua Lai, and Ke Wu, “Half Mode Substrate Integrated Waveguide(HMSIW) 3-dB Coupler” IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, VOL. 17, NO. 1, JANUARY 2007
（六）HMSIW耦合器
The measured return loss (S11) of the SIW coupler is below 13.1 dB from 10.06 to 11.35 GHz, and the isolation (S41)is better than 14.1 dB over the frequency range of 10.4 GHz–11.6 GHz and the power equality for (S21) and (S31) is -4.4 ±0.4 dB in the frequency range of 10.5–11.9 GHz.
结论：由上面的分析可以看出，无论在理论还是应用方面，这种新型 波导结构已经越来越受到重视。
相位常数
介电常数 1,a=20mm,
s=5mm,d=10mm, 上图为普通波导，中间 s/d=0.5时的场分布，下 图为s＝d时的场分布
相位常数随缝隙的变化
衰减因子随缝隙的变化
从损耗因子随缝隙变化的轨迹，可以看出，当满足s≤0.2λ这个条件时， 泄漏损耗可以忽略不计。
3、H. Li等人采用频域有限差分法研究了SIW的传播特性， 并给出了传播参数与金属通孔周期的关系。（2002年）
4、D.Deslandes研究了微带线与基片集成波导的互连问题， 该文采用微带劈形结构实现SIW与50欧姆微带线匹配 （2001年），同年，他们还分析了SIW与共面波导的互连问 题。 5、D.Deslandes对SIW进行了改进，在波导内加入两排空气 孔，改善了SIW的性能。
振荡器
文献报道了一种基于基片集成波导的振荡器，该振荡器利用由基片集成波 导形成的矩形腔体作为谐振和反馈部件，工作频率为12.02GHz，有载Q值 测量为 178。