基片集成波导的研究与应用

合集下载

K_u波段小型化波导缝隙阵列天线的设计与实现

K_u波段小型化波导缝隙阵列天线的设计与实现

K_u波段小型化波导缝隙阵列天线的设计与实现
王小明;翁子彬;焦永昌;张福顺
【期刊名称】《微波学报》
【年(卷),期】2008(24)3
【摘要】基片集成波导(SIW)是一种新型高Q值、低损耗的集成波导结构,易于设计和加工,可广泛应用于微波毫米波集成电路。

本文设计并制作了一种SIW五元谐振缝隙阵天线,它能大大减轻阵列天线重量和减小尺寸,且成本低,便于加工和集成。

实验结果表明:在工作频段内,其理论和测试结果吻合,回波损耗低于-10dB,方向图良好,具有较高的工程实用性。

【总页数】3页(P33-35)
【关键词】缝隙阵列天线;基片集成波导;小型化
【作者】王小明;翁子彬;焦永昌;张福顺
【作者单位】西安电子科技大学天线与微波技术国家重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TN823.24;TN252
【相关文献】
1.Ku波段波导混合缝隙阵列全向天线的设计与实现 [J], 王莉莉;李迎松;杨晓冬;杨祁
2.L波段宽带超低副瓣波导缝隙阵列天线设计 [J], 陈良圣
3.X波段低副瓣波导缝隙阵列天线设计 [J], 简玲;石磊;陈晓鹏
4.关于口径双波段波导缝隙阵列天线设计技术的研究 [J], 吴淼;陆凯;
5.应用于毫米波车地通信的小型化间隙波导缝隙阵列天线设计 [J], 第五健健;张健穹;王庆峰;李相强
因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

基片集成缝隙天线及阵列研究

基片集成缝隙天线及阵列研究

基片集成缝隙天线及阵列研究I. 内容综述随着无线通信技术的飞速发展,基片集成缝隙天线及阵列的研究日益受到学术界和产业界的关注。

本文旨在对基片集成缝隙天线及阵列的研究现状、发展趋势和关键技术进行全面的梳理和分析,为相关领域的研究者提供一个全面的理论参考和实践指导。

首先本文对基片集成缝隙天线的基本原理进行了简要介绍,基片集成缝隙天线是一种利用微纳加工技术制造的具有特殊结构和性能的天线,其主要特点是在基片上形成一定数量的缝隙,通过控制缝隙的数量和宽度来实现频率选择性、阻抗匹配等功能。

近年来随着纳米技术和MEMS技术的发展,基片集成缝隙天线的设计和制造取得了显著的进展,其性能也得到了很大的提高。

其次本文对基片集成缝隙天线阵列的研究现状进行了详细的梳理。

基片集成缝隙天线阵列是一种由多个基片集成缝隙天线组成的天线系统,其主要优点是具有较强的方向性和空间分辨率。

目前基片集成缝隙天线阵列的研究主要集中在以下几个方面:一是优化阵列结构以提高阵列增益和方向性;二是设计高效的馈源和耦合器以满足阵列的工作频段;三是研究阵列的波束形成和自适应算法以实现对多径干扰的抑制。

本文对基片集成缝隙天线及阵列的发展趋势进行了展望,随着5G、物联网等新兴技术的快速发展,对无线通信系统的需求将越来越高,这将为基片集成缝隙天线及阵列的研究提供广阔的应用空间。

未来的研究重点将集中在以下几个方面:一是进一步提高基片集成缝隙天线的性能,如降低尺寸、提高功率效率等;二是研究新型的阵列结构和材料,以满足不同场景下的需求;三是开发新的阵列设计和仿真方法,以提高阵列设计的效率和准确性。

A. 研究背景和意义随着科技的不断发展,无线通信技术在各个领域的应用越来越广泛。

其中基片集成缝隙天线(FSSMA)作为一种新型的天线结构,具有较高的增益、低的剖面尺寸和可调谐性等优点,已经在很多领域取得了显著的应用效果。

然而目前对FSSMA的研究主要集中在单天线性能分析和设计优化方面,对于阵列天线的研究相对较少。

一种新型的HMSIW宽带带通滤波器

一种新型的HMSIW宽带带通滤波器

一种新型的HMSIW宽带带通滤波器宋秋雨;李旺东【摘要】提出一种基于半模基片集成波导和缺陷地结构的新型宽带带通滤波器,将半模基片集成波导的高通特性与改进的哑铃形缺陷地结构的低通特性结合,实现了一种宽带小型化的带通滤波器.仿真与测试结果表明,该滤波器中心频率为5.3 GHz,相对带宽为53%,通带范围内插入损耗小于1.6 dB.该滤波器具有宽带小型化,容易集成等优点.%A novel wideband bandpass filter based on half mode substrate integrated waveguide (HMSIW) and defected ground structure is proposed in this paper. A compact wideband bandpass filter was realized by combining the highpass charac-teristic of half mode substrate integrated waveguide with the lowpass characteristic of the improved periodic dumbbell-shaped de-fected ground structure. The simulated and measured results show that the center frequency of the filter is 5.3 GHz, its relative bandwidth is 53%, and the insertion loss in the passband is less than 1.6 dB. This filter has the advantages of wideband and miniaturization, and is easy to integrate.【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2013(036)002【总页数】3页(P126-128)【关键词】半模基片集成波导;缺陷地结构;哑铃形缺陷地结构;宽带带通滤波器【作者】宋秋雨;李旺东【作者单位】陕西延长石油(集团)有限责任公司研究院,陕西西安710075;陕西延长石油(集团)管道运输公司,陕西延安716000【正文语种】中文【中图分类】TN911-34近年来,基片集成波导(SIW)在微波及毫米波电路设计中得到了广泛的应用。

基于基片集成波导的巴特勒矩阵馈电网络

基于基片集成波导的巴特勒矩阵馈电网络

基于基片集成波导的巴特勒矩阵馈电网络文瑞虎;王海彬;李元光;孙学文【摘要】针对传统无线电引信多波束精确探测成本高、功耗大的问题,提出将基于基片集成波导的Butler矩阵作为馈电网络应用于多波束阵列天线中.信号从一个端口输入被平均分配到四个输出端口,同时各个端口之间保持一个恒定的相位差,从而使得波束指向固定角度,不同的输入端口对应不同的相位差从而使得天线阵列波束指向不同的方向.实验结果表明:该馈电网络在工作频段内各输出端口等功率输出,输出端相位差与理论分析一致.%Traditional multi-beam radio fuze has the problems of high cost and high power consumption. In order to solve these problems, the substrate integrated waveguide Butler matrix was used as the multi-beam array antennas' feed network. Signals were input from one port and divided equally into four output ports,and there was a constant phase subtraction among the outputs so that the beam could point to a fixed direction. When the signal input was from different port,the outputs had a different phase subtraction so that the beam pointed to the different directions. The test results showed that, in the work band, the signals were output equally from different ports and the output phase subtraction well matched with the theoretical analysis.【期刊名称】《探测与控制学报》【年(卷),期】2011(033)005【总页数】6页(P29-33,40)【关键词】多波束天线;Butler矩阵;基片集成波导;馈电网络【作者】文瑞虎;王海彬;李元光;孙学文【作者单位】机电动态控制重点实验室,陕西西安710065;西安机电信息研究所,陕西西安710065;机电动态控制重点实验室,陕西西安710065;西安机电信息研究所,陕西西安710065;西安机电信息研究所,陕西西安710065;西安机电信息研究所,陕西西安710065【正文语种】中文【中图分类】TN711.30 引言将多波束天线[1]应用于无线电引信探测技术,可以实现对目标的精确探测,达到高效毁伤。

基片集成波导带通滤波器的设计

基片集成波导带通滤波器的设计

Dein o u sr t n e r td wa e u d ( I )b n p s les sg fs b taeitg a e v g i e S W a d a sf tr i
W U a - a g DI Ra gj n W U o g Xinl n , i NG n - a , i Qin
( c o lo e to i inc ndTe h oo y,Anh iUn v riy,H ee 3 0 9,Chia S h o fElcr ncS e ea c n lg c u i est fi2 0 3 n)
Ab ta tTh u sr t tg a e v g iet c nq ema e o sbet a o lt ic i icu sr c : es b ta ei e r t dwa e u d e h i u k si p s il h t c mp e ecru t n l — n t a dn ln rcr uty rn i o s n e tn u a v g ie r a rc td i ln rf r sn ig p a a ic ir ,ta st n ,a d rc a g lrwa e ud sa efb iae n a p a a o m u i g a i sa d r rn e ic i b a d n t i a e ,af t rd sg eh d d rv dfo as n h sst c nq e tn a d p i td cr ut o r .I h sp p r i e e inm t o e ie r m y t e i e h i u l u ig t em eal ip r g i r s n e . On x mp ei ie sn h t l cda h a m sp e e td i ee a l sgy n,a d t er s l b u rc lsmu a n h e ut y n me ia i l— t n o h a i o n o tH F S s o h tt i p r a h i e sb e i n t eb ss f o A s f S h wst a h sa p o c Sf a il. Ke r s s b taei tg ae v g ie a d a sf t r ln rcr uty ywo d :u s rt n e r td wa e ud ;b n p s i e ;p a a ic i l r

基于SIW技术的毫米波滤波器研究与设计

基于SIW技术的毫米波滤波器研究与设计

基于SIW技术的毫米波滤波器研究与设计杨君豪;孙曼;张金玲【摘要】基于基片集成波导(substrate integrated waveguide,SIW)结构设计了两款四阶的耦合带通滤波器,使用三维全波电磁场仿真软件HFSS对设计的两款滤波器进行了仿真设计和优化.由仿真结果分析得出,两款滤波器的工作频率均位于毫米波频段.第一款SIW滤波器实现了切比雪夫型响应,中心频率为20 GHz,带宽为2 GHz,通带内的插入损耗低于1.5 dB,回波损耗低于-20 dB,在阻带中对信号的衰减程度可以达到50 dB.第二款SIW滤波器实现了准椭圆函数型的响应,中心频率为29.1 GHz,带宽为300 MHz,通带内的插入损耗低于1 dB,回波损耗低于-20 dB,在通带到阻带的过渡中实现了两个陷波点.仿真结果表明,在毫米波滤波器设计中引入SIW结构,有利于优化滤波器尺寸,得到较好的滤波器性能指标,是毫米波滤波器发展的一个重要方向.【期刊名称】《电波科学学报》【年(卷),期】2019(034)004【总页数】6页(P518-523)【关键词】毫米波;带通滤波器;基片集成波导(SIW);切比雪夫响应;准椭圆函数响应;交叉耦合【作者】杨君豪;孙曼;张金玲【作者单位】北京邮电大学,北京100876;中国移动福建分公司,福建362200;北京邮电大学,北京100876;北京邮电大学,北京100876【正文语种】中文【中图分类】TN713引言毫米波无线通信技术是微波无线通信技术向更高频段的延伸,近年来得到了广泛关注与重视,其主要原因有:毫米波对应的频谱资源丰富;毫米波自身的传输特性良好;现代芯片制造工艺的快速发展为毫米波通信设备的制造提供了保障;毫米波通信技术已经成为许多新兴技术的发展需要. 滤波器作为通信系统中重要的组成部分,发挥着对信号频率分割和提取的功能,其性能的优劣直接影响了整个系统的通信质量. 研究小体积、高性能的毫米波滤波器对于实现收发组件单片化,以及促进毫米波技术的发展具有重要意义.基片集成波导(substrate integrated waveguide, SIW)结构是2000年提出的一种新型电路结构,它兼有传统金属波导和微带电路等平面传输线的双重优点[1-3], 其辐射损耗低、功率容量大、易与平面电路集成且抗干扰能力强. 近年来,对SIW 技术的关注度不断增加,相关的技术在微波及毫米波电路领域得到了广泛的应用[4-6]. 基于SIW结构设计的滤波器具备波导滤波器损耗低、Q值高和功率容量大的优点,同时还具备了微带线滤波器尺寸小、易集成的优点. 在滤波器朝着小型化、集成化发展的过程中,电磁兼容、电磁干扰等技术问题也日益突出. 将SIW结构运用到滤波器的设计中是毫米波电路发展的一个重要方向.2003年,文献[7]在绝缘介质基片中加入周期排列的金属通孔,通过四个中心偏置的金属化通孔的直径大小与偏离度控制各谐振腔之间的耦合,实现了三阶的滤波器结构. 这是第一款真正意义上的SIW滤波器.2005年,文献[8]将电磁带隙(electromagnetic band gap, EBG)结构运用到滤波器的设计中,设计出了一款应用周期性EBG结构的SIW滤波器. 该滤波器实现了超宽带特性与结构上的紧凑性,既具备了EBG结构的阻带特性,又保留了SIW结构本身的高通特性. 随后,利用圆形SIW谐振腔进一步实现SIW滤波器的小型化. 圆形SIW谐振腔滤波器的结构特点在于可以通过改变输入首末两端的角度来调节滤波器的品质因数.近年来,频率选择性表面(frequency selective surface, FSS)、互补开口谐振环(complementary split ring resonator, CSRR)和周期排列的十字形缺陷地(defected ground structure, DGS)结构相继被应用到SIW腔体滤波器与SIW矩形谐振滤波器中. 基于FSS设计的SIW滤波器具有单边陡降效应,通过调节腔体尺寸可以实现低频、高频陡降特性的转换,并能通过单元结构合成实现双边的陡降特性;应用耦合开口谐振环技术的SIW滤波器在利用微扰原理实现双模特性的同时,实现了阻带上的传输零点,提高了带外抑制特性;基于周期十字型DGS结构设计的SIW滤波器在提高了高频带外抑制的同时,保持了谐振腔的品质因数. 此外,应用到SIW滤波器的结构还包括共面波导、缺陷地等[9-12].针对毫米波通信系统中对滤波器小型化、高性能的需求,本文对SIW结构在毫米滤波器设计中的应用进行了研究. 对SIW的结构特点、传输特性进行了分析,结合在耦合谐振带通滤波器的设计中常用的耦合矩阵法,设计了两款工作频率位于毫米波频段的带通滤波器. 第一款为直接耦合型SIW滤波器,馈电方式采用微带线——SIW的直接转换结构,滤波器响应形式为传输零点位于无穷远传处的切比雪夫型带通滤波器. 为了进一步实现滤波器小型化、高带外抑制性能的需求,设计了第二款交叉耦合型SIW滤波器,馈电方式采用共面波导——SIW转换结构,进一步缩小了滤波器整体大小,且滤波器响应形式为通带两侧各有一个传输零点的准椭圆函数型带通滤波器,提高了滤波器带外抑制性能. 通过电磁仿真软件分别对两款滤波器进行了仿真,并对仿真结果进行了分析.1 SIW毫米波滤波器的理论分析1.1 SIW的结构特点SIW结构特点在于它将周期排列的金属圆柱或金属通孔嵌入介质基片,以此来达到与矩形金属波导侧壁类似的效果,将电磁波限制在基片上下两个金属面和两排金属通孔间. SIW的结构示意如图1所示. 其中,d表示金属通孔的直径,s表示相邻金属孔间圆心到圆心的距离,h表示基板厚度,l表示两列金属孔之间的距离.图1 SIW结构示意图Fig.1 Configuration schematic of SIW由于金属圆孔之间存在间隔,使得电磁波会在孔间产生泄露,造成了SIW结构特有的漏波特性. 漏波损耗的程度主要由金属通孔的直径d和相邻金属孔的间距s决定. 为了尽量减小漏波损耗,SIW尺寸的一般设计原则有[13]d<0.2λg,s<2d,d<0.2l.(1)由式(1)可以看出,s/d的数值即孔间隙越小,电磁波越难以在孔间发生泄露. 但从实际的角度出发,由于制造工艺有限,过小的孔直径和孔间距无疑会给实际生产带来困难. 因此对于SIW结构来说,选取合适的d值与s值,使得整个结构漏波损耗小且易于加工是相当有必要的. 图2是SIW单个谐振腔模型,两端采用微带线直接过渡型转换结构.图2 SIW单个谐振腔结构Fig.2 Configuration of a single SIW resonator通过对如图2所示的SIW单个谐振腔进行仿真优化,当d取0.5 mm,s取1 mm时,工作在30 GHz的SIW谐振腔实现了与传统矩形波导相似的传输特性. 在d与s值确定的情况下,谐振频率fc主要由两列金属孔之间的距离l决定,计算公式如下:(2)图2的SIW谐振腔的电场分布情况如图3所示.由仿真结果可以看出,通过谐振腔的电磁波被有效地限制在两排金属孔之间,几乎没有在孔间产生漏波损耗.图3 SIW谐振腔电场分布Fig.3 Magnitude of electric field distribution in the SIW cavity at resonance frequency1.2 SIW的转换结构SIW主要由介质基板和金属化通孔构成,虽然它也是一种平面结构,但是在实际电路应用中SIW难以和其他平面电路直接相连,因此SIW滤波器设计中应用了常用平面电路(如微带线)到SIW的转换结构,用来解决SIW连接与测试的问题.SIW与平面电路之间的转换结构一般有如下设计要求[8]:能实现较宽的工作带宽、较小的插入损耗和较简易的加工结构.SIW滤波器常用的五种基本平面电路转换结构如图4所示[14-17]. 其中,(a)为直接过渡结构,适用于SIW的等效阻抗与微带线特性阻抗相同的情况;(b)为凸型过渡结构,在实现SIW与微带结构过渡的同时完成了二者阻抗的匹配;(c)是凹型过渡结构,通过一段共面波导的过渡来完成阻抗匹配;(d)是SIW滤波器设计中最为常见的锥形过渡结构,其结构简单,能起到很好的展宽频段的效果,在实现微带线与SIW的阻抗匹配的同时,又减小反射带来的影响;(e)是共面波导过渡结构,相比于其他过渡结构,该结构最为紧凑,能够在体积更小的滤波器中发挥很好的作用. 其主要由一段共面波导短截线和两条短路槽构成,实现的效果与锥型过渡类似. 在后续设计中分别采用了(a)和(e)的过渡结构.(a) 直接过渡 (b) 凸型过渡 (c) 凹型过渡 (a) Direct (b) Convex (c) Concave transition transition transition(d) 锥型过渡 (e) 共面波导过渡 (d) Cone transition (e) CPW transition图4 SIW 滤波器平面电路转换结构Fig.4 Transitions from planar circuits to SIW filter 2 SIW毫米波带通滤波器的设计与仿真2.1 直接耦合型SIW带通滤波器本节设计了一款直接耦合的SIW带通滤波器,采用直接耦合的形式,工作频率覆盖19~21 GHz,通带内插入损耗小于1.5 dB,回波损耗小于-20 dB,带外抑制特性良好. 具体设计过程如下:根据所需设计的滤波器中心频率和带宽,确定滤波器的截止频率,通过公式(1),由截止频率计算得出滤波器中SIW谐振腔的尺寸. 由于设计中实现的滤波器为耦合谐振器带通滤波器,因此采用耦合矩阵法计算出各谐振腔之间的耦合系数和外部品质因数. 利用电磁仿真软件HFSS建立子工程,通过仿真得到耦合系数和外部品质因数与谐振腔的物理尺寸之间的对应关系,计算得到滤波器各部分的尺寸大小. 建立初步的滤波器整体模型,并设置相关的激励和边界条件. 其中,金属圆柱可以用边界条件为perfect E的圆柱面代替. 对模型进行仿真分析,仿真得到的响应波形与理论上会存在误差,该误差可以通过对整体模型的进一步优化来减小或消除.通过仿真对比得到,在谐振频率处于20 GHz时,谐振腔宽度H=10.5 mm. 根据技术指标要求,确立该滤波器使用的阶数为4阶. 采用耦合系数法,利用Matlab编程计算得出该滤波器的归一化耦合矩阵为(3)通过转换可以得到相邻谐振腔之间的耦合系数,转换公式如下:Mi,j=WFB×mi,j,i≠j.(4)计算得到M1,2=0.083 6,M2,3=0.060 59,M3,4=0.082 36. 滤波器的外部Q值是影响滤波性能的一个重要因素,可以通过式(5)得到:(5)式(4)、(5)中:WFB表示滤波器的相对带宽;M0,1表示输入端口与第一个谐振腔之间的M矩阵耦合系数;M4,5表示输出端口与最后一个谐振腔之间的M矩阵耦合系数,由“N+2”型耦合矩阵的计算方法可以得到. 带入数值后得到品质因数Q1=Q2=17.3.综上计算得到了谐振器之间的相关系数,使用电磁仿真软件HFSS建立该SIW之间耦合带通滤波器的初始模型,通过参数扫描对模型尺寸进行调整,以实现较好的传输特性.直接耦合SIW滤波器平面结构如图5所示. 从图中可以看出,四个由金属板面与金属圆柱组成的四个谐振腔呈横向排列. 第一个和第二个谐振腔通过过渡结构接入源和负载,各谐振腔通过横向的耦合窗口进行能量的传递.整个滤波器平面尺寸为26 mm×15 mm,具体尺寸为:L1=4.0 mm,L2=4.5 mm,W0=4.3 mm,W1=3.2 mm,W2=3.0 mm,H=10.5 mm.图5 直接耦合SIW滤波器平面结构图Fig.5 Top view of the direct coupled SIW filter通过电磁仿真软件HFSS得到的S11、S21仿真曲线如图6所示,因为滤波器采用直接耦合,所实现的响应为切比雪夫型响应. 从仿真结果可以看出,在滤波器通带19~21 GHz的范围内,插入损耗始终小于1.5 dB,回波损耗始终小于-20 dB. 带外抑制特性十分良好,在通带外的17 GHz处,对信号的衰减程度达到了50 dB.图6 直接耦合SIW滤波器S参数仿真曲线Fig.6 Simulated S parameters of the direct coupled SIW filter2.2 交叉耦合型SIW带通滤波器2.1节中所设计的SIW直接耦合带通滤波器,实现的是一般的切比雪夫响应,其传输零点位于无穷远处. 为了在通带与阻带的过渡带中实现明显的下陷,即在通带的两边实现一对陷波点,本小节用置于腔体中心的金属孔对代替原SIW滤波器中的金属孔窗口,设计了一款实现交叉耦合的SIW带通滤波器. 工作频率覆盖28.9~29.2 GHz,通带内插入损耗小于1 dB,回波损耗小于-20 dB,带外抑制特性良好.为了使设计的滤波器结构更为紧凑,该滤波器在连接端采用共面波导过渡结构,在输入、输出两端加入了共面波导短截线和1/4波长短路槽.共面波导过渡结构与其他过渡结构相比更适用于小体积的SIW滤波器,相应的代价是该转换结构会使滤波器的通带带宽受到限制. 采用耦合系数法,利用Matlab编程计算得到该滤波器的耦合矩阵如式(6)所示,引入交叉耦合后,矩阵中M1,4与M4,1的数值不再为零.(6)通过电磁仿真软件HFSS建立该滤波器的初始模型,模型的平面结构如图7所示. 可以看到,滤波器由三对纵向金属孔构成了四个谐振腔. 通过调整孔间距W1、W2,可以改变对应的耦合量. 对比2.1节设计的直接耦合型SIW滤波器,本款滤波器的尺寸更小、结构更为紧凑. 整体的尺寸为4 mm×14 mm,其中W1=0.65mm,W0=2.10 mm,W2=1.10 mm,L1=2.50 mm,L2=2.35 mm,H=2.80 mm.图7 交叉耦合SIW滤波器平面示意图Fig.7 Top view of the cross coupled SIW filter通过电磁仿真软件HFSS得到的滤波器S11、S21仿真曲线如图8所示.图8 交叉耦合SIW滤波器S参数仿真曲线Fig.8 Simulated S parameters of the cross coupled SIW filter从仿真曲线可以看出,通带内插入损耗小于1 dB,回波损耗小于-20 dB,在通带两边各产生一个陷波点,带外抑制特性良好.对上述设计的两款SIW带通滤波器进行对比分析,由滤波器的平面结构示意图可知(如图5、图7所示,其中图5中馈电结构采用微带线——SIW直接转换结构,图7中馈电结构采用共面波导——SIW转换结构),共面波导转换结构使滤波器整体更加紧凑,进一步缩小了滤波器的整体大小,实现了滤波器小型化的应用需求.由仿真结果S参数曲线可知(如图6、图8所示),设计的第二款准椭圆函数型SIW带通滤波器,通过引入交叉耦合,在通带两侧各引入了一个传输零点,在相同阶数下,相比较于传输零点在无穷远处的切比雪夫型SIW带通滤波器,提高了带通滤波器的选择性,抑制更加陡峭.3 结论本文针对毫米波滤波器的设计,引入SIW结构,研究了SIW的结构特点及传输特性,结合耦合谐振带通滤波器设计中的耦合矩阵法,设计了两款工作频率位于毫米波频段的带通滤波器,并通过电磁仿真软件HFSS分别进行了仿真.结果表明,两款滤波器均实现了设计指标,满足毫米波通信系统需求. 分析得出,将SIW结构应用到毫米波滤波器的设计中,有利于优化滤波器尺寸,得到较好的滤波器性能指标,是毫米波滤波器发展的一个重要方向.参考文献【相关文献】[1] CASSIVI Y, PERREGRINI L, ARCIONI P, et al. Dispersion characteristics of substrate integrated rectangular waveguide[J]. IEEE microwave & wireless components letters, 2002, 12(9):333-335.[2] DESLANDES D, WU K. Integrated microstrip and rectangular waveguide in planar form[J]. IEEE microwave & wireless components letters, 2002, 11(2):68-70.[3] HONG W. Development of microwave antennas, components and subsystems based on SIW technology[C]//IEEE International Symposium on Microwave, Antenna, Propagation and EMC Technologies for Wireless Communications, 2006: 14.[4] LI H, HONG W, CUI T J, et al. Propagation characteristics of substrate integrated waveguide based on LTCC[C]//IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. IEEE, 2003:2045-2048.[5] YAN L, HONG W, WU K, et al. Investigations on the propagation characteristics of the substrate integrated waveguide based on the method of lines[J]. IEE proceeding H:microwaves, antennas and propagation, 2005, 152(1): 35-42.[6] ZHANG Y L, HONG W, XU F, et al. Analysis of guided-wave problems in substrate integrated waveguides:numerical simulations and experimental results[C]//IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. IEEE, 2003:2049-2052.[7] DESLANDES D, WU K. Single-substrate integration technique of planar circuits and waveguide filters[J]. IEEE transactions on microwave theory & techniques, 2003, 51(2): 593-596.[8] HAO Z C, HONG W, CHEN J X, et al. Compact super-wide bandpass substrate integrated waveguide (SIW) filters[J]. IEEE transactions on microwave theory & techniques, 2005, 53(9): 2968-2977.[9] ESPARZA N, ALCN P, HERRN L F, et al. Substrate Integrated waveguides structures using frequency selective surfaces operating in stop-band (SBFSS-SIW)[J]. IEEE microwave & wireless components letters, 2016, 26(2):113-115.[10] CHOUDHARY D K, CHAUDHARY R K. A compact SIW based filtering power divider with improved selectivity using CSRR[C]//Progress in Electromagnetics Research Symposium, Singapore, 2017.[11] ZHOU H, HONG W, TIAN L, et al. A polarization-rotating SIW reflective surface with two sharp band edges[J]. IEEE antennas & wireless propagation letters, 2016, 15:130-134.[12] XU S, MA K, MENG F, et al. Novel defected ground structure and two-side loading scheme for miniaturized dual-band SIW bandpass filter designs[J]. IEEE microwave & wireless components letters, 2015, 25(4): 217-219.[13] XU F, WU K. Guided-wave and leakage characteristics of substrate integrated waveguide[J]. IEEE transactions on microwave theory & techniques, 2005, 53(1):66-73. [14] NAM H, YUN T S, KIM K B, et al. Ku-band transition between microstrip and substrate integrated waveguide (SIW)[C]//2005 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings. Suzhou, 4-7 December, 2005.[15] WANG Z, PARK C W. Novel substrate integrated waveguide (SIW) type high power amplifier using microstrip-to-SIW transition[C]//IEEE Microwave Conference Proceedings, 2014:101-103.[16] DU M, XU J, DONG Y, et al. LTCC SIW-vertical-fed-dipole array fed by a microstrip network with tapered microstrip-to-SIW transitions for wideband millimeter-wave applications[J]. IEEE antennas & wireless propagation letters, 2017, 16(99):1953-1956. [17] FANG R Y, LIU C F, WANG C L. Compact and broadband CB-CPW-to-SIW transition using stepped-impedance resonator with 90°-bent slot[J]. IEEE transactions on components packaging & manufacturing technology, 2013, 3(2):247-252.。

一种新型基片集成波导合成器的设计

收 稿 1期 :0 0— 4—0 3 21 0 6
如图 1 所示 ,I 由上下 两 个 金 属 导体 层 和 中 SW
作者简介: 国强 , 18 张 男,93年生 , 助理工程师 ( 硕士) 研究方向为射频 . R组件的设计。 , r /
第 3期
张 国 强 : 种 新 型基 片 集 成 波 导 合 成 器 的 设 计 一
1 引言
在现 代相控 阵雷 达 系 统 中 ,/ T R组 件作 为核 心 部 件而广 泛采用 。组件 对元器 件的基本 要求就 是小 型化 、 易集 成 。传 统 的矩 形波导 具有结 构简单 , 功率 容 量大 的优 点 , 带 电路 具 有 体 积 小 、 集 成 的特 微 易
点 。但是 , 这两种 器件 的过 渡往 往 需 要设 计 复杂 的 波 导 一 带转换 结构 来 实 现 , 就 势 必造 成 机械 加 微 这 工难 度大 , 成本 高等问题 … 。
第3 9卷 第 3期( 总第 13期 ) 5
21 0 0年 9月
火 控 雷达 技 术
Fie Co m lRa a c n lg r nf d rTe h oo y
V 13 o3 Sr s13 o.9N . ( e e 5 ) i
S p.201 e 0

种 新 型基 片集成 波 导合 成 器 的设 计
tm s i 2 d n t dn aert S u l s s- B ads n igw v i WR)i 12 . o 0 a a o( s .5 K y o d : abn ; u saei ertdw vgie( I ; i es np rm t s e w r s K —ad sbt t n ga a eud SW) ds r o aa e r r t e p i e

提高基片集成波导圆极化天线轴比带宽方法概述

提高基片集成波导圆极化天线轴比带宽方法概述张叶枫;郭园园;刘明飞【摘要】概述了提高基片集成波导圆极化天线轴比带宽的方法.首先介绍了圆极化天线的基本知识;其次介绍了基片集成波导圆极化天线存在的问题;最后分析了提高基片集成波导圆极化天线轴比带宽的方法,为设计基片集成波导宽带圆极化天线提供依据和指导.【期刊名称】《电子世界》【年(卷),期】2017(000)020【总页数】2页(P158-159)【关键词】基片集成波导;圆极化天线;轴比带宽【作者】张叶枫;郭园园;刘明飞【作者单位】武警工程大学研究生管理大队13队;武警工程大学研究生管理大队13队;武警工程大学研究生管理大队13队【正文语种】中文圆极化天线常用于雷达通信系统,可以解决极化失配和多径效应等问题。

基片集成波导是通过在上下底面为金属层的低损耗介质基片上,利用金属化通孔阵列而实现的[1],作为一种新型的导波结构,因其低剖面、易于平面集成、功率容量大等优势,在众多领域应用广泛。

2009年,一种基于基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)矩形腔的圆极化天线首次被提出[2],该天线在顶面刻蚀十字交叉缝隙,采用共地共面波导馈电结构,性能良好。

经过十多年的发展,基片集成波导圆极化天线种类繁多。

由于基片集成波导的低剖面结构和大多数结构采用的单馈电方式,基片集成波导圆极化天线的轴比带宽较低,一般在3%以下。

因此,拓展基片集成波导圆极化天线的轴比带宽是研究的重点和难点。

为此,许多学者进行了探索并取得了显著的成果,经归纳整理,主要是通过改变馈电方式来提高天线的轴比带宽。

改进的提高SIW圆极化天线轴比带宽的馈电方式主要分为以下三种:加载分支耦合器馈电法、加载枝节的带状线馈电法和顺序旋转馈电。

其中顺序旋转馈电法又可分为三种实现方法:采用微带结构的威尔金森功分器、采用基片集成波导结构的功分器和采用同轴线-SIW结构的功分器。

波导微带


罴 疆 鬟
200"8·15 10:36.11
频率(GHz)
图4仿真结果

3结论 基于场模式匹配以及阻抗变换的方法在不同传输系统转换设计中常常使用,此过渡解
决了脊波导重复安装导致性能下降的问题,可望在实际中验证和使用。
参考文献 【I】薛良金<毫米波工程基础)哈尔滨工业大学出版社2004年 【2】 JiaLin Li, Wei Shao ”A NOVEL WAVEGUIDE-TO-MICROSTRIP TRANSITION FOR
A-A。截面电场分布
B-B’截面电场分布
C-C’截面电场分布D-D’截面电场分布 图2各截面所对应的电场分布图
在csr中背对背仿真的结构如图3所示
图3背对背的过渡结构 通过宽带阶梯加脊波导把矩形波导的主模波阻抗变换到微带特性阻抗以实现过渡·在 这种结构中,加脊波导由一些减高波导组成,以便使波导高度从b逐渐变化到低阻抗实现 阻抗匹配,通过查表我们可以得到3阶切比雪夫阻抗变换器的数值,从而确定该过渡的物 理尺寸.脊波导特性阻抗可以采用近似公式…计算。波导采用BJ320(a-7.12mm,b23·56mm), 介质的相对介电常数为2.2,厚度为0.254m:阶梯的高度相差0.5u.长度分别为:i.6mm, 1.4mm,2.0mm,介质探入波导的长度为2.3mm。仿真结果如图4,我们可以看到在 3lGffz一40GHz其回波损耗均在lOdB以下,插损在0.6dB左右。
意如图1所示:

BC D
A‘
B。C‘D‘
圈1过渡的纵剖国
那么各个截面上的电场分布如图2所示,在A—A’截面上传播的是波导的主模T卧,经 过脊波导的变换。场逐渐被集中压缩到介质之中,场模式也从TE-n逐渐变化到微带线上的 TEM波模式,从而实现了波导到微带的变化,脊波导不仅实现了场模式的匹配,而且也完 成了阻抗匹配…。

基于基片集成波导技术的QPSK微波调制器


孔阵列所构成 , 所 以这 种 结 构 可 以 利 用 P C B和 L T C C工 艺 精 确的实现 , 并 可 与微 带 电路 实 现 无 隙集 成 。
1 QP S K 微 波 调 制 器 设 计 方 案
Q P S K微 波 调 制 器 主要 由本 地 振 荡 、 模拟乘法器 、 谐 波 滤
方 龚 ,于洪喜 ,杨 飞
( 中 国 空 间技 术 研 究 院 西安 分 院 陕 西 西安 7 1 0 1 0 0 )
摘要: Q P S K是 一种频带利用率和抗噪声 能力很强 的调制方 式, 广泛应用 于军事和卫星通信领域。 本文采用基片集成
波导( S u b s t r a t e i n t e g r a t e d w a v e g u i d e , S I W) 技 术设计仿真 了一个 X频段 Q P S K微 波调 制 器 , 电路 的相 位 误 差 在 工 作 频
r f e q u e n c y r a n g e o f 8 . 5 - 1 0 。 2 GHz .
Ke y w o r d s : Q P S K mo d u l a t i o n ; s u b s t r a t e i n t e g r a t e d w a v e g u i d e ; X b a n d
载 波 直 接 调 制 目前 已 被 看 作 是 降 低 无 线 通 信 系 统 的 成 本 和 复 杂 度 的重 要 方 法 [ 1 - 2 ] 。 传 统 的 微 波 发 信 机 基 本 上 都 采 用
中频 调 制 再 上 变 频 至 微 波 频 段 的方 案 。 中频 调 制 技术 比较 成 熟 。 易 于 设计 制造 。 还 能 保 证 一 定 的 中频 功 率 , 但 系 统 结 构 复杂 , 体积 大 , 成 本 高 。由于 中频 频 率 相
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
1
南京邮电大学硕士研究生学位论文
第一章 绪论
研究了此种新型的波导结构,他们发现周期性金属化通孔可以当做金属壁来使用。2000 年以 来,吴柯教授提出了基片集成波导SIW(Substrate Integrated Waveguide )的概念[7][8][9],东南 大学洪伟教授等在SIW导波特性、不连续性、各种器件和微波系统方面做了深入的研究和实 验[10][11],随后,基于SIW设计理念的大量的理论研究和器件被相继开发出来[12][13]。基片 集成波导是近些年来提出的一种高性能低损耗小型化的传输线,用周期性金属通孔代替传统 矩形波导的金属侧壁,其电磁波传播特性与传统的矩形波导类似并且可以在 PCB 板上或者 LTCC工艺实现,兼具有平面传输线和传统金属波导的优点,并且在电路连接上,可以与现在 的平面电路无缝的集成,众多的优点使得基片集成波导在微波毫米波电路领域成为未来电路 的发展趋势。 在微波毫米波电路系统的设计过程中,需要便宜和可靠的印刷电路以及其它平面封装技 术,基于PCB技术和LTCC技术设计出的微波器件和电路系统的性能,与材料的介电常数及损 耗角正切有密切的联系。在设计各种器件和电路之前,介质的介电常数和损耗角正切的测量 对器件的设计和制造尤为重要,介质损耗在微波毫米波段是不可忽略的一项重要指标。在过 去的几十年中,有大量的研究和设计有关于复介电常数和损耗角的测量方法,参看文献 [14][15][16][17][18],在某些场合,而金属波导谐振法是最准确的测试测量方法,然而PCB板 及LTCC的测量方法则用传统的谐振法较难以实行, 而基于基片集成波导技术则很方便的将矩 形波导的优点带入到介电常数的测量当中,因而在要求不高的情况下,采用基片集成波导谐 振器的方法可以方便低成本的进行介质基板的特性测量。 近年来,无线通信特别是移动通信的迅猛发展,使得有限的频率资源日趋紧张,在频分 多址通信系统中为了避免系统干扰,射频前端需要性能优良的滤波器降低通带内的损耗和带 外信号的干扰。传统的腔体滤波器固然可以提供系统需要的高选择性,较低的插入损耗和高 品质因数,在对腔体滤波器体积要求比较低的场合,如雷达、通信基站等高功率的通信系统 中广泛采用。然而对系统的体积要求较高的场合,为了进一步减小滤波器的体积,通常用微 带线等平面传输线的方式实现滤波器的小型化。由于微带线等平面电路和器件较高的辐射损 耗,较低的品质因数,在微波毫米波频段上,微带滤波器还难以广泛应用,而基片集成波导 设计思路的出现,使得在高频段不但有利于实现电路和器件的小型化,又可达到所需的优异 的性能指标。在实现形式上,PCB 板上实现的 SIW 滤波器,如果所有腔体均在同一平面上, 体积依然偏大,而且多腔的耦合主要还停留在一维方向的耦合,不能有效的降低整个滤波器 的体积。而采用成熟的 LTCC 等多层工艺的封装技术,结合 SIW 的思路可以设计出的性能指 标可媲美接近腔体滤波器滤波器, 并且体积相对于微带平面半开放滤波器和基于 PCB 的 SIW 腔体滤波器更小。因此,基于 LTCC 的多层 SIW 的腔体滤波器的研究和设计有着很实际的意
1.1 基片集成波导技术背景及其简介
在近一百年的历史当中,微波技术有了突飞猛进的发展,特别是在二次世界大战的推动 下,极大的促进了微波技术的实用化和微波理论的系统化发展。微波应用已经涉及无线电广 播、卫星通信、移动通信以及材料的微波测量、医学检验和研究各个领域,在各种应用中, 导波结构的地位非常重要。早期第一代的微波系统主要采用金属波导和同轴线作为传导电磁 波和进行器件设计的基础。虽然金属波导器件有其固有的低损耗,高Q值,功率容量大、良 好的温度稳定性、牢固的机械结构等优点[1][2],但是随着系统复杂度的提高和人们对小型化 的迫切需求,某些领域的电路逐渐不再采用波导和同轴线作为导波部件。从 1960 年开始出现 的平面微波电路标志着第二代微波电路的萌芽,成为近代微波电路的发展导向和基石,它们 是由微带元件、集总元件和微波固态器件等无源和有源微波元件组成,由于工艺的发展和有 源器件集成度的提高,越来越多的系统采用平面电路去构建整个系统[3],因此除了特殊应用 场合外,大而笨重的波导和同轴线淡出人们的视野,取而代之的是带状线、微带线、共面波 导等平面传输线[4],采用上述传输线不仅使得整个系统的设计十分紧凑,平面电路器件的安 装和焊接均很方便,这使得当今的通信系统体积大大降低,成本明显下降,加速了微波通信 系统的实用化和民用化过程。 随着社会的发展,人们对大容量高速度的通信的需求越来越大,较低频段的频谱已经非 常拥挤,高频微波频段有着极为丰富的频谱资源,但在这一频段,平面传输线也暴露出缺点, 微带电路和早期的带状线电路不再作为首选电路,因为微带平面电路半开放的电磁场结构, 容易出现干扰模式,电磁波的泄露和辐射比较严重,由平面传输线构成的器件插入损耗大, Q 值较低,不适合做高频微波电路。在电磁波的高频段,平面传输线构成的器件和连接电路 已经部分不适用,迫切的需要一种适合高频微波电路并且损耗小 Q 值高的微波毫米波集成技 术。 1992 年,最早由一位日本学者H.Furuyama提出栅格波导的结构和概念,1998 年,为了将波 导的优良导波特性应用到小型化的微波电路中,Hirokawa[5]和Uchimura[6]分别提出并系统的
Key words: SIW, Microstrip to SIW Transition, Microwave test
II
南京邮电大学学位论文原创性声明
本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得 的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包 含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得南京邮电大学或其它 教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的 任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。
南京邮电大学 硕士学位论文 基片集成波导的研究与应用 姓名:王哲 申请学位级别:硕士 专业:电磁场与微波技术 指导教师:秦卫平 2011-03
南京邮电大学硕士研究生学位论文
摘要
Hale Waihona Puke 摘 要基片集成波导(SIW)是最近十年来出现的低插入损耗,高品质因数,高功率容量的 一种新型波导器件,基于 PCB 和 LTCC 等工艺实现的各种 SIW 无源及有源器件兼具有传 统金属波导和平面电路的优点, 且生产成本和设计复杂度在微波毫米波频段具有无可比 拟的优势。 本文的主要内容是基于基片集成波导谐振法的复介电常数测量和基于 LTCC 多层工艺 的腔体滤波器的设计。 本文第一章介绍了基片集成波导的产生背景以及近年来国际上关于基片集成波导的 发展趋势与应用领域,并对文章的主要内容做以总体叙述。为了解决基片集成波导器件与 外围电路的连接测试问题,第二章在阐述常用的几种基片集成波导的转换结构和性能参数 并确定本文使用的耦合方式和馈电结构的基础上,详细论述了基于基片集成波导的介电常 数的谐振法测量。首先介绍了传统的介电常数的测量测试方法和各自方法的优缺点,然后 结合基片集成波导技术,提出了一种新的采用谐振法的测试模型,并对其性能和测试准确 度进行了一系列的仿真实验。第三章则对基于基片集成波导技术和 LTCC 多层工艺的微波 滤波器,进行了一些有益的设计与仿真。将经典的腔体滤波器用多层基片集成波导的思路 进行实现,并且采用 LTCC 工艺,更有利于将其与其他有源器件无缝的融合在整个电路板 上。
研究生签名:_____________ 日期:___________
南京邮电大学学位论文使用授权声明
南京邮电大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送 交学位论文的复印件和电子文档,可以采用影印、缩印或其它复制手段保存论 文。本文电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。除在保密期内的保密论文 外,允许论文被查阅和借阅,可以公布(包括刊登)论文的全部或部分内容。 论文的公布(包括刊登)授权南京邮电大学研究生院(筹)办理。
关键词:基片集成波导,微带-基片集成波导转换器,微波测量
I
南京邮电大学硕士研究生学位论文
Abstract
Abstract
Substrate Integrated Waveguide (SIW) is appeared over the past decade, low insertion loss, high quality factor, high power capacity of a new type of waveguide devices, A variety of SIW passive and active devices based on PCB and LTCC technology has the advantages of traditional metal waveguide and planar circuit. Production costs and design complexity in the microwave and millimeter wave band have an unparalleled advantage. The main content in this paper is measurement of complex permittivity based on substrate integrated waveguide resonant method and multilayer LTCC technology-based cavity filter design. The first chapter of the paper describes SIW's background, recent trends and applications at the international level. Then make a general description about the main contents of article. In order to solve the problem of connections between substrate integrated waveguide devices and other circuit and for the convenience of the test, the second chapter firstly introduced several commonly used conversion SIW structure and performance parameters, determined the coupling and feed structure in this paper. Secondly discussed resonance measurement in detail based on the dielectric constant of SIW. Then describes the measurement of the dielectric constant of traditional testing methods and their advantages and disadvantages, combined the SIW technology, proposed a new test model using resonance method, for its performance and test accuracy, a series of simulation experiments will be done. In the third chapter, some useful design and simulation will be made for microwave filters based on Substrate integrated waveguide technology and LTCC multilayer technology. If realize the classical multi-cavity filter with the idea of SIW, using LTCC technology, it will be more beneficial to its seamless integration of other active devices in the circuit board.
相关文档
最新文档