模拟电路第五章知识点总结
模拟电路知识点

模拟电路 全书 知识点绪论1. 模拟信号和数字信号·模拟信号:时刻持续、幅度持续的信号(图)。
·数字信号:时刻、幅度离散的信号(图) 2.放大电路的大体知识·输入电阻i R :是从放大器输入口视入的等效交流电阻。
i R 是信号源的负载,i R 从信号源吸收信号功率。
·输出电阻o R :放大器在输出口对负载L R 而言,等效为一个新的信号源(这说明放大器向负载L R 输出功率o P ),该信号源的内阻即为输出电阻。
·放大器各类增益概念如下: 端电压增益:oV iV A V =源电压增益:o iVS V s s iV R A A V R R ==+ 电流增益:o I iI A I =互导增益:oG i I A V =互阻增益:o I iV A I =负载开路电压增益(内电压增益):0L o V iR V A V →∞=,00LV V LR A A R R =+功率增益:0||||P V I iP A A A P == ·V A 、G A 、R A 、I A 的分贝数为20lg A ;p A 的分贝数为20lg p A 。
·不同放大器增益不同,但任何正常工作的放大器,必需1>P A 。
·任何单向化放大器都能够用模型来等效,可用模型有四种(图)。
·频率响应及带宽:o ()()()V i V j A j V j ωωω=或()()V V A A ωϕω=∠()V A ω—— 幅频相应(图):电压增益的模与角频率的关系。
()ϕω—— 相频相应:输出与输入电压相位差与角频率的关系。
BW —— 带宽:幅频相应的两个半功率点间的频率差H L BW f f =-。
·线性失真:电容和电感引发,包括频率失真和相位失真(图) ·非线性失真:器件的非线性造成。
第二章 晶体二极管及应用电路一、半导体知识1.本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅(Si )和锗(Ge )(图),一些金属化合物也具有半导体的性质如砷化镓GaAs 。
模电第五章答案解析

【例5-1】电路如图 (a)、(b)所示。
(1)判断图示电路的反馈极性及类型;(2)求出反馈电路的反馈系数。
图(a) 图(b)【相关知识】负反馈及负反馈放大电路。
【解题思路】(1)根据瞬时极性法判断电路的反馈极性及类型。
(2)根据反馈网络求电路的反馈系数。
【解题过程】(1)判断电路反馈极性及类型。
在图(a)中,电阻网络构成反馈网络,电阻两端的电压是反馈电压,输入电压与串联叠加后作用到放大电路的输入端(管的);当令=0时,=0,即正比与;当输入信号对地极性为♁时,从输出端反馈回来的信号对地极性也为♁,故本电路是电压串联负反馈电路。
在图(b)电路中,反馈网络的结构与图(a)相同,反馈信号与输入信号也时串联叠加,但反馈网络的输入量不是电路的输出电压而是电路输出电流(集电极电流),反馈极性与图(a)相同,故本电路是电流串联负反馈电路。
(2)为了分析问题方便,画出图(a) 、(b)的反馈网络分别如图(c)、(d)所示。
图(c) 图(d)由于图(a)电路是电压负反馈,能稳定输出电压,即输出电压信号近似恒压源,内阻很小,计算反馈系数时,不起作用。
由图(c)可知,反馈电压等于输出电压在电阻上的分压。
即故图(a)电路的反馈系数由图(d)可知反馈电压等于输出电流的分流在电阻上的压降。
故图(b)电路的反馈系数【例5-2】在括号内填入“√”或“×”,表明下列说法是否正确。
(1)若从放大电路的输出回路有通路引回其输入回路,则说明电路引入了反馈。
(2)若放大电路的放大倍数为“+”,则引入的反馈一定是正反馈,若放大电路的放大倍数为“−”,则引入的反馈一定是负反馈。
(3)直接耦合放大电路引入的反馈为直流反馈,阻容耦合放大电路引入的反馈为交流反馈。
(4)既然电压负反馈可以稳定输出电压,即负载上的电压,那么它也就稳定了负载电流。
(5)放大电路的净输入电压等于输入电压与反馈电压之差,说明电路引入了串联负反馈;净输入电流等于输入电流与反馈电流之差,说明电路引入了并联负反馈。
模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)

绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如:V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如:v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如:v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如:等。
二.信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o?三.频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴,少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子,少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
模电各章重点内容及总复习-CHP5--7

E5-2 R=1K Ω,E=10V ,ui=20sin(ωt) V ,分别画出输出电压uo解:-20V< ui<10V ,D1截至,uo=ui 10V< ui<20V ,D1导通,uo=10V解:-20V< ui<10V ,D2截至,uo=10V10V< ui<20V ,D2导通,uo=ui【6-1】有两个晶体管分别接在电路中,工作在放大状态时测得三个管脚的电位分别如下,试判断晶体管的三个电极及类型(硅管、锗管、NPN 型管、PNP 型管) 晶体管II 为锗管,1——集电极,2——基极,3——发射极 晶体管I 为硅管,1——基极,2——发射极,3——集电极 【6-2】判断晶体管的状态-12V-18VT +6V -0.2VT -3V-5.6VT1.6V1.4VT放大 放大 截止 饱和(a)图为NPN 型三极管,V B >V E ,发射结正偏;V C >V B ,集电结反偏,所以三极管处于放大状态 (b)图为PNP 型三极管,V B <V E ,发射结正偏;V C <V B ,集电结反偏,所以三极管处于放大状态 (c)图为NPN 型三极管,V B <V E ,发射结反偏;V C >V B ,集电结反偏,所以三极管处于截止状态 【6-4】放大电路如下图。
已知V CC =12V,R C =3K Ω, R B =240K Ω,β=60,U BE =0.7V 。
(1)估算Q 点;(2)静态时,C1,C2上的电压各为多少?并标出极性。
-.==60 2.8mA =12-2.8m 3K 3.6CC BEQ BQ CQ BQ B CEQ CC CQ C V U I I I R U V I R Vμβμ-===⨯==-⨯=1207解:(1)47A ,47240K(2)静态时,C1上电压为0.7V ,C2上电压为3.6V ,极性如图所示。
模拟电子技术重要知识点整理

模拟电⼦技术重要知识点整理模拟电⼦技术重要知识点整理第⼀章绪论1.掌握放⼤电路的主要性能指标都包括哪些。
2.根据增益,放⼤电路有哪些分类。
并且会根据输出输⼊关系判断是哪类放⼤电路,会求增益。
第⼆章运算放⼤器1.集成运放适⽤于放⼤何种信号?2.会判断理想集成运放两个输⼊端的虚短、虚断关系。
如:在运算电路中,集成运放的反相输⼊端是否均为虚地。
3.运放组成的运算电路⼀般均引⼊负反馈。
4.当集成运放⼯作在⾮线性区时,输出电压不是⾼电平,就是低电平。
5.在运算电路中,集成运放的反相输⼊端不是均为虚地。
6.理解同相放⼤电路、反相放⼤电路、求和放⼤电路等,会根据⼀个输出输⼊关系表达式判断何种电路能够实现这⼀功能。
7.会根据虚短、虚断分析含有理想运放的放⼤电路。
第三章⼆极管及其基本电路1.按导电性能的优劣可将物质分为导体、半导体、绝缘体三类,导电性能良好的⼀类物质称为导体,⼏乎不导电的物质称为绝缘体,导电性能介于中间的称为半导体。
2.在纯净的单晶硅或单晶锗中,掺⼊微量的五价或三价元素所得的掺杂半导体是什么,其多数载流⼦和少数载流⼦是是什么,⼜称为什么半导体。
3.半导体⼆极管由⼀个PN结做成,管⼼两侧各接上电极引线,并以管壳封装加固⽽成。
4.半导体⼆极管可分为哪两种类型,其适⽤范围是什么。
5.⼆极管最主要的特性是什么。
6.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况。
7.杂质半导体中少数载流⼦浓度只与温度有关。
8.掺杂半导体中多数载流⼦主要来源于掺杂。
9.结构完整完全纯净的半导体晶体称为本征半导体。
10.当掺⼊三价元素的密度⼤于五价元素的密度时,可将N型转型为P型;当掺⼊五价元素的密度⼤于三价元素的密度时,可将P型转型为N型。
11.温度升⾼后,⼆极管的反向电流将增⼤。
12.在常温下,硅⼆极管的开启电压约为0.3V,锗⼆极管的开启电压约为0.1V。
13.硅⼆极管的正向压降和锗管的正向压降分别是多少。
14.PN结的电容效应是哪两种电容的综合反映。
《模拟电子技术基础》第五章

& Us
& Ui
rim
& U b'e
中频等效电路
& R’L U o
& Uo rim & = = A vm & Us R s + rim
Next
Home
2
(2)低频特性
仅考虑C (a) 仅考虑 1 的影响
& C1 R’b rbb’ rb’e gmUb'e C2
Rs
& A vsl 1
& & & Uo U o U i' = = ' & & & Us Ui Us rim rim + R s + 1 jω C 1
( b )当 f = f L时, (ω ) = 45 o ; ( c )当 f = 0 . 1 f L时, (ω ) ≈ 90 o
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Home
4
(2)低通电路
1 & Vo (ω ) jω C 1 & (ω ) = AV = = & Vi (ω ) R + 1 1 + jω RC jω C
β的频率响应特性曲线
2
特征频率
f 令 20 lg β 0 20 lg 1 + T = 0 f β
& α=
& β & 1+ β
=
α0
f 1 + j f α
fα > f T > f β
求得 f T ≈ β 0 f β
共基截 止频率
f α = (1 + β 0 ) f β ≈ f T
模拟电路各章知识点总结

模拟电路各章知识点总结第一章:电路基础1.1 电路的基本概念电路是由电气元件(例如电阻、电容、电感等)连接而成的网络。
电路中电流和电压是基本的参数,描述了其中元件之间的相互作用。
电路按照其两个端点的特性可以分为单端口电路和双端口电路。
1.2 电路的基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律以及其他电路定律描述了电路中电流和电压之间的关系。
其中欧姆定律描述了电阻元件电流和电压之间的关系,而基尔霍夫定律描述了电路中电流和电压的分布和流动规律。
1.3 电路的等效变换电路中电气元件可以通过等效电路进行简化处理。
例如将若干电阻串并联为一个等效电阻等。
第二章:基本电路元件2.1 电阻电阻是电路中最基本的元件之一,它的作用是阻碍电流的流动。
在电路中,电阻可以通过串联和并联的方式连接。
电阻的阻值与其材料、长度和横截面积有关系。
2.2 电容电容是电路中用来存储电荷的元件,它在电路中具有很多重要的应用。
电容的存储能量与其带电电压和电容量有关。
2.3 电感电感是电路中具有电磁感应作用的元件,其具有对电流变化的响应。
电感的存储能量与其感抗和电流有关。
2.4 理想电源理想电源是电路中常用的元件,可以提供恒定的电压或电流。
其特点是内部阻抗为零或者无穷大。
第三章:基本电路分析方法3.1 直流电路分析直流电路是电路分析中最简单的一种情况。
在直流电路中,电源提供的是恒定电压或电流,不会发生周期性或者随时间改变的变化。
3.2 交流电路分析交流电路分析是在电路中考虑电压和电流随时间变化的情况。
常见的交流电路分析包括使用复数形式进行计算。
3.3 电路的参数测量方法电路中常用的参数测量方法有欧姆表、万用表等。
它们可以测量电阻的阻值、电压的大小以及电流的大小等参数。
第四章:模拟电路设计4.1 放大器设计放大器是模拟电路中广泛应用的电路元件,可以放大电压或者电流的幅值。
常见的放大器有运放放大器、差分放大器等。
4.2 滤波器设计滤波器是可以去除特定频率成分的电路,可以用于信号处理、通信和音频等领域。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流,从而控制集电极电流,实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大,共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用,输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置,使其工作在放大区,保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性,实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子,是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同,可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结,具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下,PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性,即只有在正向电压作用下才能导通,反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似,具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管,其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区,具有稳压的作用。
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第五章 放大电路反馈原理与稳定化基础
一、反馈放大器的基本概念 1.反馈极性与反馈形式
负反馈:与输入叠加后输入幅值降低。
正反馈:与输入叠加后输入幅值升高。
主反馈:从多级电路的末级向输入级的输入回路的反馈。
局部反馈:多级电路中主反馈之外的反馈环路。
直流反馈:电路中直流电压或直流电流的反馈。
交流反馈:交流或动态信号的反馈。
2.理想反馈方块图和基本反馈方程式
表征放大电路的输出量X o 、输入量X i (或X s )和反馈量X f 之间关系的示意图统称方块图。
理想方块图是指:①信号只沿箭头方向传输,即信号从输入端到输出端只通过基本放大电路,而不通过反馈网络;②信号从输出端反馈到输入端只通过反馈网络而不通过基本放大电路。
基本反馈方程式:
()()
()()1()()o f i X s A s A s X s A s B s =
=
+
3.环路增益和反馈深度
开环增益()A s 与反馈系数()B s 的乘积称为环路增益:
()()()T s A s B s = 反馈深度:
()1()1()()
=+=+
F s T s A s B s
4.负反馈放大器的分类
电压并联负反馈:
i
R
F
电流串联负反馈:
R
L 电压串联负反馈:
v R L
R
电流并联负反馈:
i L
R
二、负反馈对放大器性能的影响 1.闭环增益的稳定性
闭环增益稳定性比开环增益稳定性提高到(1AB +)倍
2.输入电阻
串联负反馈能使闭环输入电阻if R 增加到开环输入电阻i R 的1AB +倍; 并联负反馈能使闭环输入电阻R if 减小到开环输入电阻R i 的1
1AB
+。
(或者说减小1AB +倍,注意说法区别)
3.输出电阻
电压负反馈使闭环输出电阻of R 降低到其开环输出电阻o R 的1
1so A B
+;(或者
说减小1AB +倍,注意说法区别)
电流负反馈能使闭环(从末级晶体管的输出电极向反馈放大电路看入的等效)输出电阻R of 增大到(1)ss A B +倍。
4.信号源内阻对负反馈放大器性能的影响
信号源内阻越小,串联负反馈效果越好;
if fs f s if
R A A R R =
+
信号源内阻越大,并联负反馈效果越好。
s
fs f s if
R A A R R =+
三、负反馈放大器的分析与计算(多级放大器,包括BJT 和MOS )
1.四种类型负反馈放大器的电压增益vf s A
电压串联负反馈:
v vs vs
vf s
B A 1A A +=
电压并联负反馈:
rf s s
s s o s o vf s A R 1i R v v v A ===
电流串联负反馈:
'L
gf s s
'L c s o vf s
R A v R i v v A ⋅=== 电流并联负反馈:
s
'L if s s s 'L c s o vf s
R R A R i R i v v A ⋅=== 2.深度负反馈时vf s A 的计算
电压串联负反馈:
v vf s B 1A ≈
电压并联负反馈:
1F s o vf s R R v v A -≈=
电流串联负反馈:
F 'L
s o vf
vf s R R v v A A -===
电流并联负反馈:
s 'L
e2e2F s 'L i s 'L if s
vf s R R R R R R R B 1R R A A ⋅+=-≈-=
3.负反馈放大器的方块图分析法(AB 分离法)
找A 的方法:
(1)当输出电压反馈时,另输出短路(0V o
= ),反馈放大电路的输入回路就是A 的输入回路;
(2)输出电流反馈时,令输出开路,反馈电路的输入回路即为A 的输入回
路;
(3)输入并联反馈时,令输入短路,反馈放大电路的输出回路即A 的输出回路;
(4)输入串联反馈时,另输入开路,即得A 的输出回路。
求反馈网络B 的方法
(1)输入并联反馈时,令输入电压0V i = ,求出g B 或i
B ; (2)输入串联反馈时,令输入电流0I i = ,求出r B 或v B 。
四、负反馈对放大器频域和时域特性的影响 1.负反馈对放大器传输函数极零点的影响
纯电阻负反馈网络时,负反馈不影响闭环极点与零点的数目,亦不改变闭环零点的值,只改变闭环极点的值;闭环极点的数值随反馈系数B 由零到无限大变化而变。
在开环增益函数不变时,闭环增益函数的极点在s 平面上的位置将随反馈系数B 的大小而移动(这被称为根轨迹)。
2.单极点闭环系统的响应特性
低通单极点负反馈系统的上升时间和通频带的乘积是一个常数。
负反馈使频带展宽到(1+AB )倍,所以上升时间要下降(1+AB )分之一。
五、负反馈放大器的稳定性
1.负反馈放大电路产生自激振荡的原因及条件
在某一频率下,(21)180A B n ϕϕ+=+⨯,()f X j ω与()i X j ω由中频区的同相变为反相,使放大电路的净输入信号由中频时的减小变为增加,放大电路由负反馈变成了正反馈。
当()()1A j B j ωω=-时,即使输入端不加信号(()0i X j ω=),
输出端也会产生输出信号,电路产生自激振荡。
2.负反馈放大电路稳定性的判断
比较0f 与C f 的大小。
若0C f f >,则电路稳定;若0C f f ≤,则电路会产生自激振荡。
其中0f 为180A B ϕϕ+=-时的频率,C f 为()()1A j B j ωω=时的频率。
3.稳定裕度
增益裕度:
20lg ()()o
m f f G A j B j ωω==
相位裕度:
180c
m A B
f f ϕϕϕ==-+
当m G ≤–10dB 且m ϕ≥45°时,负反馈放大电路可靠稳定。
六、相位补偿原理与技术
在基本放大器或反馈网络中人为地增加一些C 或RC 元件,称为相位补偿,又称为频率补偿,主要包括主极点补偿、极点分离的密勒电容补偿。
主极点补偿和密勒极点补偿都会减小放大器的带宽,其中主极点补偿对带宽的削减程度会大于密勒补偿。