169熔丝位配置与说明
AVR第10讲复位熔丝位设置
通过JTAG 接口实现对Flash、EEPROM、熔丝位和锁定位的编程熔丝位1.选择时钟源CKSEL0-3和启动时间SUT0, SUT12.掉电检测BODLEVEL,BODEN3.选择BOOT区大小BOOTRST,BOOTSZ0, BOOTSZ14.SPIEN=0,串行下载使能；JTAGEN=1,边界扫描功能禁用；OCDEN=1片上调试禁用5.EESAVE=1芯片擦出时EEPROM内容不保留6.CKOPT=1振荡器由CKSEL0-3决定如果不需要Boot Loader 功能，则整个Flash 都可以为应用代码所用。
Boot Loader 具有两套可以独立设置的Boot 锁定位。
用户可以灵活地选择不同的代码保护方式。
用户可以选择：• 保护整个Flash 区，不让MCU 进行软件升级• 不允许MCU 升级 Boot Loader Flash 区• 不允许MCU 升级应用Flash 区• 允许MCU 升级整个Flash 区ATmega16 有两个熔丝位字节。
Notes: 1. 在SPI 串行编程模式下SPIEN 熔丝位不可访问。
2. CKOPT 熔丝位功能由CKSEL 位设置决定，详见P23 “ 时钟源” 。
3. BOOTSZ1..0 默认值为最大Boot 大小，详见 P244Table 100。
4. 不论锁位与JTAGEN熔丝位设置为什么，产品出厂时不对OCDEN编程。
对OCDEN 熔丝位编程后会使能系统时钟的某些部分在所有的休眠模式下运行。
这会增加功耗。
5. 如果没有连接JTAG 接口，应尽可能取消JTAGEN 熔丝位的编程状态，以消除存在于JTAG 接口之TDO 引脚的静态电流。
熔丝位的状态不受芯片擦除命令的影响。
如果锁定位1(LB1) 被编程则熔丝位被锁定。
在编程锁定位前先编程熔丝位。
ATmega16 提供了6 个锁定位，根据其被编程(“0”) 还是没有被编程(“1”) 的情况可以获得Table 104 列出的附加性能。
AVR单片机熔丝位设置教程
0表示已编程，1表示未编程，未选中熔丝低位BODLEVEL设置BOD电平1（2.7V），0（4V）因为M16L可以工作在2.7v－5.5v所以触BODEN BOD功能（电源检测）1（禁止），0（允许）SUT1复位启动时间选择SUT0CKSEL3时钟源选择CKSEL2时钟源选择CKSEL1时钟源选择CKSEL0时钟源选择熔丝高位OCDEN OCD功能允许1：OCD功能禁止；0：OCD功JTAGEN JTAG允许1：JTAG禁止； 0：JTAG允许NACKOPT选择这两种放大器模式 CKOPT＝0：高幅度振荡输出；CKOPT＝1：低幅度振荡输出EESAVE烧录时EEPROM数据保留 1：不保留；0：保留BOOTSZ1引导区程序大小及入口 00： 1024Word/0xc00；BOOTSZ001： 512Word/0xe00；10： 256Word/0xf00；11： 128Word/0xf80BOOTRST 复位入口选择 1：程序从0x0000地址开始 0：复位后从BOOT区执行（参考BOOTSZ0/1）BOD功能：作为一个正式的系统或产品，当系统基本功能调试完成后，一旦进行现场测试阶段，请注意马上改写熔丝位的配置，启用AVR的对于5V系统，设置BOD电平为4.0V；对于3V系统，设置BOD电平为2.7V。
然后允许BOD检测。
这样，一旦AVR的供电电压低于BOD电平，AVR进入RESET（不执行程序了）。
而当电源恢复到BOD电平以上，AVR才正式开始从头执行程序。
SPIEN: SPI下载允许 1：SPI下载禁止；0：SPI下载使能当CKOPT 被编程时振荡器在输出引脚产生满幅度的振荡。
这种模式适合于噪声环境，以及需要通过XTAL2 驱动第英文中文On-Chip Debug Enabled 片内调试使能JTAG Interface Enabled JTAG 接口使能Serial program downloading (SPI) enabled 串行编程下载(SPI) 使能 (ISP下载时该位不能修改)Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle; 芯片擦除时EEPROM的内容保留Boot Flash section size=xxxx words 引导(Boot)区大小为xxx个词Boot start address=$yyyy; 引导(Boot)区开始地址为 $yyyyBoot Reset vector Enabled 引导(Boot)、复位向量使能Brown-out detection level at VCC=xxxx V; 掉电检测的电平为 VCC=xxxx 伏Brown-out detection enabled; 掉电检测使能Start-up time: xxx CK + yy ms 启动时间 xxx 个时钟周期 + yy 毫秒Ext. Clock; 外部时钟Int. RC Osc. 内部 RC(阻容) 振荡器Ext. RC Osc. 外部 RC(阻容) 振荡器Ext. Low-Freq. Crystal; 外部低频晶体Ext. Crystal/Resonator Low Freq 外部晶体/陶瓷振荡器低频Ext. Crystal/Resonator Medium Freq 外部晶体/陶瓷振荡器中频Ext. Crystal/Resonator High Freq 外部晶体/陶瓷振荡器高频时钟总表时钟源 启动延时 熔丝外部时钟 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT=00外部时钟 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SUT=01外部时钟 6 CK + 65 ms CKSEL=0000 SUT=10内部RC振荡1MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0001 SUT=00内部RC振荡1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0001 SUT=01内部RC振荡1MHZ1 6 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10内部RC振荡2MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0010 SUT=00内部RC振荡2MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0010 SUT=01内部RC振荡2MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0010 SUT=10内部RC振荡4MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0011 SUT=00内部RC振荡4MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0011 SUT=01内部RC振荡4MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0011 SUT=10内部RC振荡8MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0100 SUT=00内部RC振荡8MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0100 SUT=01内部RC振荡8MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0100 SUT=10外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0101 SUT=00外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=01外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0101 SUT=10外部RC振荡≤0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=11外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0110 SUT=00外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=01外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0110 SUT=10外部RC振荡0.9-3.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=11外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0111 SUT=00外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=01外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0111 SUT=10外部RC振荡3.0-8.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=11外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=1000 SUT=00外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=01外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=1000 SUT=10外部RC振荡8.0-12.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=11低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1001 SUT=00低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=01低频晶振(32.768KHZ) 32K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=00 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1010 SUT=01 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1010 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=11 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1011 SUT=00 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1011 SUT=01 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1011 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1011 SUT=11 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=00 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1100 SUT=01 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1100 SUT=10中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=11 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1101 SUT=00 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1101 SUT=01 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1101 SUT=10 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1101 SUT=11 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=00 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1110 SUT=01 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1110 SUT=10高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=11 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1111 SUT=00 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1111 SUT=01 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1111 SUT=10 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1111 SUT=11 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1111 SUT=00 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1111 SUT=01 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1111 SUT=10 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1111 SUT=11在2.7v－5.5v所以触发电平可选2.7v或4.0v。
Atmega16熔丝位定义
Atmega16熔丝位定义一、熔丝位概述ATmega16有高、低两个熔丝位字节，通过熔丝的设定，可以对系统时钟、启动时间、BOOT 区设定、保密位设定以及某些特定功能的使能。
各熔丝位的具体定义以及出厂默认值如表1所示。
其中，1表示该位未被编程，0表示该位已经被编程。
表1ATmega16熔丝位位号定义描述默认值熔丝位高字节7OCDEN OCD 使能位1（未编程，OCD 禁用）6JTAGEN JTAG 测试使能0（编程，JTAG 使能）5SPIEN 使能串行程序和数据下载0（被编程，SPI 编程使能）4CKOPT 振荡器选项1（未编程）3EESAVE 执行芯片擦除时EEPROM 的内容保留1（未被编程），EEPROM 内容不保留2BOOTSZ 1选择Boot 区大小0（被编程）1BOOTSZ0选择Boot 区大小0（被编程）0BOOTRST 选择复位向量1（未被编程）熔丝位低字节7BODLEVEL BOD 触发电平1（未被编程）6BODEN BOD 使能1（未被编程，BOD 禁用）5SUT1选择启动时间1（未被编程）4SUT0选择启动时间0（被编程）3CKSEL3选择时钟源0（被编程）2CKSEL2选择时钟源0（被编程）1CKSEL1选择时钟源0（被编程）0CKSEL0选择时钟源1（未被编程）图1AVR_fighter 熔丝位默认值二、熔丝位详解1、JTAG 和OCD 使能位表2JTAG 和OCD 使能OCDEN 为OCD 片上调试系统使能位，默认为1，必须对JTAGEN 熔丝位进行编程才能使能JTAG 测试访问端口。
此外还必须保持所有的锁定位处于非锁定状态，才能真正使片上调试系统工作。
作为片上调试系统的安全特性，在设置了LB1或LB2任一个锁定位时片上调试系统被禁止。
否则，片上调试系统就会给安全器件留下后门。
在JTAG 调试时，使能OCDEN、JTAGEN 两位，并保持所有的锁定位处于非锁定状态；在定义描述10OCDEN 片上调试使能位OCD 禁止OCD 允许JTAGENJTAG 测试使能位JTAG 禁止JTAG 允许实际使用时为降低功耗，不使能OCDEN JTAGEN，大约减少2-3mA的电流。
ATMEGA128熔丝位配置详解
ATMEGA128熔丝位配置详解熔丝位配置2009-07-29 11:51在配置熔丝位时应特别注意，部分熔丝位（如OCDEN、JTAGEN和SPIEN等）的配置是不可逆的2009年04月17日星期五 11:28引言AVR系列单片机在仿真调试之前，首先必须对AVR的熔丝位和锁定位进行配置。
如果配置不当，则可能造成单片机不能正常工作，严重时可能导致单片机死锁。
因此，对单片机熔丝位和锁定位的正确配置显得尤为重要。
熔丝位是对单片机具体功能和工作模式的限定，其正确配置与否直接影响到单片机能否正常工作;锁定位是对单片机的程序和数据进行加密，以防止单片机中的程序和数据被读出或写入。
在进行配置时，一般先配置熔丝位，再配置锁定位。
锁定位又分为引导程序区锁定位和程序及数据存储器锁定位两类。
对引导程序区锁定位进行编程可以实现两套保护模式，即应用区保护模式和Boot Loader区保护模式；不同的编程配置可以实现不同的加密级别。
对程序及数据存储器锁定位进行编程可以禁止对并行和SPI/JTAG串行编程模式中Flash和EEPROM进一步编程，从而对程序和存储器中的数据进行保护。
由于引导程序锁定位和程序及数据存储器锁定位的配置具有可逆性，因此可根据不同的需要多次编程，灵活改变。
但是，在配置熔丝位时应特别注意，部分熔丝位（如OCDEN、JTAGEN和SPIEN等）的配置是不可逆的。
在采用单一编程下载情况下（例如只采用JTAG下载或者只采用AVRISP并行下载），一旦配置后将不可改变。
鉴于熔丝位配置的重要性，本文以AVR系列的ATmega128单片机为例，详细介绍熔丝位的配置以及在配置过程中常出现的一些问题，并给出相应的解决办法，成功地解决了因熔丝位配置不当而引起的单片机不能正常工作和死锁等一系列问题。
1 熔丝位的配置ATmega128的熔丝位共有3个字节：熔丝位扩展字节、熔丝位高字节和熔丝位低字节。
表1、表2和表3分别描述了所有熔丝位的功能、默认值以及它们是如何映射到熔丝位字节的。
熔丝位解释
一、正确配置AVR的熔丝位对AVR熔丝位的配置是比较细致的工作，用户往往忽视其重要性，或感到不易掌握。
下面给出对AVR 熔丝位的配置操作时的一些要点和需要注意的相关事项。
（1）在AVR的器件手册中，对熔丝位使用已编程（Programmed）和未编程（Unprogrammed）定义熔丝位的状态，“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”（禁止）；“Programmed”表示熔丝状态为“0”（允许）。
因此，配置熔丝位的过程实际上是“配置熔丝位成为未编程状态“1”或成为已编程状态“0””。
（2）在使用通过选择打钩“√”方式确定熔丝位状态值的编程工具软件时，请首先仔细阅读软件的使用说明，弄清楚“√”表示设置熔丝位状态为“0”还是为“1”。
（3）使用CVAVR中的编程下载程序时应特别注意，由于CVAVR编程下载界面初始打开时，大部分熔丝位的初始状态定义为“1”，因此不要使用其编程菜单选项中的“all”选项。
此时的“all”选项会以熔丝位的初始状态定义来配置芯片的熔丝位，而实际上其往往并不是用户所需要的配置结果。
如果要使用“all”选项，应先使用“read->fuse bits”读取芯片中熔丝位实际状态后，再使用“all” 选项。
（4）新的AVR芯片在使用前，应首先查看它熔丝位的配置情况，再根据实际需要，进行熔丝位的配置，并将各个熔丝位的状态记录备案。
（5）AVR芯片加密以后仅仅是不能读取芯片内部Flash和E2PROM中的数据，熔丝位的状态仍然可以读取但不能修改配置。
芯片擦除命令是将Flash和E2PROM中的数据清除，并同时将两位锁定位状态配置成“11”，处于无锁定状态。
但芯片擦除命令并不改变其它熔丝位的状态。
（6）正确的操作程序是：在芯片无锁定状态下，下载运行代码和数据，配置相关的熔丝位，最后配置芯片的锁定位。
芯片被锁定后，如果发现熔丝位配置不对，必须使用芯片擦除命令，清除芯片中的数据，并解除锁定。
ATMEGA8寄存器和熔丝位介绍
ATMEGA8寄存器和熔丝位介绍ATMEGA8寄存器和熔丝位介绍及FLASH操作一、ATMEG8寄存器介绍1.状态寄存器（SREG）在I/O空间的地址为：3FH，在数据空间地址为：005FHI T H S V N Z CBit7——I：全局中断允许位。
Bit6——T：位复位存储。
Bit5——H：半进位标志位。
Bit4——S：符号标志位，S=N⊕V符号标志位S是负数标志位N和2的补码溢出标志位V两者的异或值。
Bit3——V：2的补码溢出标志位。
Bit2——N：负数标志位。
负数标志位表示在一个算数或逻辑操作后的结果是否为负数。
Bit1——Z：零值标志位。
Bit0——C：进位标志位。
2.X、Y、Z地址指针寄存器。
寄存器R26-R31除了可能作通用工作寄存器用外，还可两两合并，组成3个16位寄存器X、Y、Z，作为间接寻址操作中的地址指针寄存器使用，这样就可以在整个数据空间实现间接寻址操作。
3.堆栈指针寄存器（SP）堆栈指针寄存器用来保存临时数据、局部变量、中断或子程序的返回地址。
4.振荡器校准寄存器（OSCCAL）CAL7CAL6CAL5CAL4CAL3CAL2CAL1CAL0用法不详。
5.MCU控制寄存器（MCUCR）SE SM2SM1SM0ISC11ISC10ISC01ISC00 Bit7——SE：休眠使能位为了使MCU执行SLEEP指令后进入休眠模式，SE必须置位。
为了确保休眠模式是程序员的有意行为，建议只在SLEEP指令前一条指令置位SE。
MCU一旦唤醒立即清除SE。
Bit6-4——SM2:0休眠模式选择位000：空闲模式001：ADC噪声抑制模式010：掉电模式011：省电模式100：保留101：保留110：standby模式。
只在使用外部晶振或谐振器时有用。
Bit3:2——ISC11、ISC10：中断1触发方式控制位00：INT1低电平产生中断请求。
01：INT1引脚上任意的逻辑变换将引发中断10：INT1下降沿引发中断请求11：INT1上升沿触中断请求如果SREG寄存器的I标志位和相应的中断屏蔽位置位的话，外部中断1由INT1引脚触发Bit1：0——ISC01、ISC00中断0触发方式控制位00：INT0低电平产生中断请求。
ATmega16熔丝位设定.docx
ATmega16熔丝位设定特别注意，要使用外部晶体，必须设置熔丝，否则芯片会使用默认的内部晶体。
1、M16的出厂设置内部RC 振荡1MHz 6 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10 JTAGEN=1默认状况下JTAG已编程（即PC2-PC5为高电平不可以被拉低），如果PC2->PC5要用作普通10 口，需要取消JTAG编程，或者在程序开始时执行以下命令：MCUCSR |= 1 << JTD;MCUCSR |= 1 << JTD; /注意要连续操作两次。
恢复Fu^e&Lock2.1低位（时钟及启动时间设置）2.1.1、BOD（Brown-out Detection）掉电检测电路BODLEVEL（BOD电平选择）:1 （2.7V 电平）0（4.0V 电平）BODEN（BOD功能控制）:1 （BOD功能禁止）0（BOD功能允许）一旦VCC下降到触发电平（2.7v或4.0v）以下，MUC复位；当VCC电平大于触发电平后，经过tTOUT延时周后重新开始工作。
2.1.2、复位启动时间选择SUT 1/0:当选择不同晶振时，SUT有所不同。
如果没有特殊要求推荐SUT 1/0设置复位启动时间稍长，使电源缓慢上升。
2.1.3、CKSEL3/0:时钟源选择时钟源外部时钟外部时钟外部时钟内部RC振荡1MHZ 内部RC振荡1MHZ 内部RC振荡1MHZ1 启动延时熔丝6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT=006 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SUT=016 CK + 65 ms CKSEL=0000 SUT=106 CK + 0 ms CKSEL=0001 SUT=006 CK + 4.1 ms CKSEL=0001 SUT=016 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10JTAG功能也要连续两次操作。
熔丝低位0NCNCNCMCE l NC1MG'NC Q] NC 加密位1.0 MHz2.0 MH24.0 MHz3.0 MHz读岀低位值El 旨立值阳扩展f立值0读出訪A 写入加瓷値FF 读出写入BODLEVEL BCOEN5UT1 SUTOCK5ELJ CK5ELZ CKStLl CISELO O 匚DENTT嶠EN5PIEHCKOPT020DQTS?1BOOTSZBL012BLB1LBL0OLLB2BLEOSLBtZ ：D7^S~位酉战方式向导方武2、熔丝位配置说明10=丄ns L0H=n3S>19 sill o +>19 >191 00=丄ns 10 L L=n3S>19 sill 99 + >19 >11 H=丄ns00l4=ims>10 sill + >i9>iL 0 匸丄ns 00 L L=n3S>19 sill o + >19 >11 10=丄nSOOHCSMO sill 99 + >19 892 00=丄ns00l4=ims>10 sill + >19 892 H=丄ns H0L=n3S>19 SW9901=丄ns l40L=imS>10 sill L t+ >10 >19 L10=丄ns H0L=n3S>19 sill o +>19 >191 00=丄ns L LO sill99+ >19 >11H=丄nSOLOL=imS>10 sill + >i9>iL 0 匸丄ns 010 L=n3S>19 sill o + >19 >11 10=丄nSOLOL=imS>10 sill 99 + >1989200=丄nSOLOL=imS>10 sill + >19 892 (ZHIAIO C-6 0)兽鑒艸聂圖/篦耳解出 (ZHIAIO C-6 0)兽鑒艸聂圖/篦耳解出(ZHIAI0 C-6 0)兽鑒艸聂圖/篦耳解出 (ZHIAI0 C-6 0)兽鑒艸聂圖/篦耳解出 (ZHIAI0 C-6 0)兽鑒艸聂圖/篦耳解出 (ZHIAI0 C-6 0)兽鑒艸聂圖/篦耳解出 (ZHIAI6 0-k0)兽鑒艸聂圖/篦耳解劲 (ZHIAI6 0-k0)兽鑒艸聂圖/篦耳解劲 (ZHIAI6 0-k0)兽鑒艸聂圖/篦耳解劲 (ZHIAI6 0-k0)兽鑒艸聂圖/篦耳解劲 (ZHIAI6 0-k0)兽鑒艸聂圖/篦耳解劲 (ZHIAI6 0-k0)兽鑒艸聂圖/篦耳解劲 (ZHIAI6 0-k0)兽鑒艸聂圖/篦耳解劲 (ZHIAI6 0-k0)兽鑒艸聂圖/篦耳解劲0 L=』nS LOO L=n3S>19 sin 99 + >19>12£ 10=丄ns 100 匸imSMO sill 99 + >o 川 00=丄ns LOOL=ims>io sin Lt + >K )>uH=丄nSOOOL=imS>iO sill Lt + MO 9 ZHIAIO SkO'8 鑒艸03 混场 0 匸丄ns 000 L=n3S>19 sill 99 + >19 81 ZHI/\IOSkO'8 鑒艸810=丄ns 000L=n3S>19 sill L> + >19 8L ZHI/\IOSkO'8 鑒艸8 腮 00=丄 ns oooL=n3S>i9 SHI 0+>19 81 ZHI/\IOSkO'8 鑒艸8 腮 I4=_ms Ll40=ims>0 SHI "ZHIAIO'8-Oe 鑒艸8 腮 oi=丄 ns 14 心 ims>o SHI 99 + >19 81ZHIAIO'8-Oe 鑒艸8 腮 10=丄nssill + >1981 ZHIAIO'8-Oe 鑒艸8 腮 oo=ins L L 心imSMOSHI 0 +>19 81 ZHIAIO'8-Oe 鑒艸8 腮 H =丄 nsoi40=ims>osin " + >09ZHI/\IOe-6O 鑒艸8 腮 oi=丄 nsoi40=ims>o sin 99 + >19 81ZHI/\IOe-6O 鑒艸8 腮 10=丄ns0!40=ims>10 sill + >1981 ZHI/\IOe-6O 鑒艸8 腮 00=丄 nsoi40=ims>osin 0 +>19 81 ZHI/\IOe-6O 鑒艸8 腮 H =丄ns LO 心ims>osin "ZHI/\I6O> 鑒艸8 腮 oi=丄ns m 心ims>o sin 99 + >19 81 ZHI/\I6O> 鑒艸8 腮 io=丄ns m 心ims'o sin+ >1981 ZHI/\I6O> 鑒艸8 腮 oo=_ms LO 心ims>o sin 0+>19 81 ZHI/\I6O> 鑒艸8 腮oi=丄 ns oo 心 ims>o sm 99 + >19 9 ZHIAI8 鑒艸8 滙M io=丄 ns oo 心 ims>o sin "ZHIAI8 鑒艸8 滙Moo=丄 ns oo 心 ims>osm 0 + >19 9ZHIAI8 鑒艸8 滙M 01=丄ns H00=13S>19 sm 99 + >19 9 ZHIAI17 鑒艸8 滙M 10=丄ns H00=13S>19 sm " ZHIAI17 鑒艸8 滙M oo=ins H00=13S>19 sm 0 + >19 9 ZHIAI17 鑒艸8 滙Moi=丄 ns (Hooms'osm 99 + >19 9ZHIAIS 鑒艸8 滙M(ZH>189Z Se)艸曾解劲 (ZH>189Z Se)艸曾解劲 (ZH>189Z Se)艸曾解劲io=丄ns (Hooms'o sm " ZHIAIS 鑒艸8滙M oo=insoLOO=n3S>i9 sm 0 + >19 9 ZHIAIS 鑒艸8滙M中频石英/ 陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 中频石英/ 陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 高频石英/ 陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 高频石英/ 陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 高频石英/ 陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 高频石英/ 陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1101 SUT=10 16K CK + 65ms CKSEL=1101 SUT=11 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=00 258 CK + 65 ms CKSEL=1110 SUT=01 1K CK + 0 ms CKSEL=1110 SUT=10 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=11高频石英/ 陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1111 SUT=00高频石英/ 陶瓷振荡器(3.0- MHZ) 高频石英/ 陶瓷振荡器(3.0- MHZ) 高频石英/ 陶瓷振荡器(3.0- MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1111 SUT=01 16K CK + 4.1ms CKSEL=1111 SUT=10 16K CK + 65ms CKSEL=1111 SUT=11高于8M 选8M 的。
ATmega 熔丝锁定位详解
启动延时 6 CK + 0 ms 6 CK + 4.1 ms 6 CK + 65 ms 6 CK + 0 ms 6 CK + 4.1 ms 6 CK + 65 ms 6 CK + 0 ms 6 CK + 4.1 ms 6 CK + 65 ms 6 CK + 0 ms 6 CK + 4.1 ms 6 CK + 65 ms 6 CK + 0 ms 6 CK + 4.1 ms 6 CK + 65 ms 18 CK + 0 ms 18 CK + 4.1 ms 18 CK + 65 ms 6 CK + 4.1 ms 18 CK + 0 ms 18 CK + 4.1 ms 18 CK + 65 ms 6 CK + 4.1 ms 18 CK + 0 ms
00
6 CK
01
6 CK
101
6 CK
4.1ms 65ms
BOD 方式 快速上升电源 慢速上升电源
11 注：1、芯片出厂设置
保留
外部时钟源：当 CKSEL 编程为 0000 时，使用外部时钟源作为系统时钟，外部时钟信号从 XTAL1 输入。如果 CKOPT=0（编程），则 XTAL1 和 GND 之间的片内 36pF 电容被使用。
使用外部振荡器时的工作模式配置：
熔丝位
工作频率范围
C1、C2 容量(pF)
CKOPT2
CKSEL3..1
(MHz)
(仅适用石英晶振)
1
101
0.4-0.9
仅适合陶瓷振荡器1
1
110
AVR单片机熔丝位设置方法
A VR单片机熔丝位设置方法A VR Studio中STK500处理熔丝位有巨大的优势：它是以功能组合让用户配置。
这种方式与小马(PnoyProg2000,SL-ISP)相比，具有以下的优势(优势是如此明显，可以用“巨大优势”来形容)：1. 有效避免因不熟悉熔丝位让芯片锁死(这是初学者的恶梦)2. 不需要靠记忆与查文档，就能配置熔丝位(这也是初学者的恶梦)这是我们网站为何推荐使用STK500下载器的又一原因。
操作界面如下：(注意：下图中，打勾的表示选中，代表0。
没有打勾的表示1)。
上图的资料整理如下(该表下面有中文翻译与说明)：On-Chip Debug Enabled; [OCDEN=0]JTAG Interface Enabled; [JTAGEN=0]Serial program downloading (SPI) enabled; [SPIEN=0]Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle; [EESA VE=0]Boot Flash section size=128 words Boot start address=$1F80; [BOOTSZ=11]Boot Flash section size=256 words Boot start address=$1F00; [BOOTSZ=10]Boot Flash section size=512 words Boot start address=$1E00; [BOOTSZ=01]Boot Flash section size=1024 words Boot start address=$1C00; [BOOTSZ=00] ; default valueBoot Reset vector Enabled (default address=$0000); [BOOTRST=0]CKOPT fuse (operation dependent of CKSEL fuses); [CKOPT=0]Brown-out detection level at VCC=4.0 V; [BODLEVEL=0]Brown-out detection level at VCC=2.7 V; [BODLEVEL=1]Brown-out detection enabled; [BODEN=0]Ext. Clock; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0000 SUT=00]Ext. Clock; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0000 SUT=01]Ext. Clock; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0000 SUT=10]Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0001 SUT=00]Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0001 SUT=01]Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0001 SUT=10]; default value Int. RC Osc. 2 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0010 SUT=00]Int. RC Osc. 2 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0010 SUT=01]Int. RC Osc. 2 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0010 SUT=10]Int. RC Osc. 4 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0011 SUT=00]Int. RC Osc. 4 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0011 SUT=01]Int. RC Osc. 4 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0011 SUT=10]Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0100 SUT=00]Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0100 SUT=01]Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=0101 SUT=00]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=0101 SUT=01]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=0101 SUT=10]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0101 SUT=11]Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=0110 SUT=00] Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=0110 SUT=01] Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=0110 SUT=10] Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0110 SUT=11] Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=0111 SUT=00]Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=0111 SUT=01] Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=0111 SUT=10] Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0111 SUT=11]Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=1000 SUT=00] Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=1000 SUT=01] Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=1000 SUT=10] Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=1000 SUT=11] Ext. Low-Freq. Crystal; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1001 SUT=00]Ext. Low-Freq. Crystal; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1001 SUT=01]Ext. Low-Freq. Crystal; Start-up time: 32K CK + 64 ms; [CKSEL=1001 SUT=10]Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 258 CK + 4 ms; [CKSEL=1010 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 258 CK + 64 ms; [CKSEL=1010 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 1K CK + 0 ms; [CKSEL=1010 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1010 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1011 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 16K CK + 0 ms; [CKSEL=1011 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 16K CK + 4 ms; [CKSEL=1011 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 16K CK + 64 ms; [CKSEL=1011 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 258 CK + 4 ms; [CKSEL=1100 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 258 CK + 64 ms; [CKSEL=1100 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 1K CK + 0 ms; [CKSEL=1100 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1100 SUT=11]Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1101 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 16K CK + 0 ms; [CKSEL=1101 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 16K CK + 4 ms; [CKSEL=1101 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 16K CK + 64 ms; [CKSEL=1101 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 258 CK + 4 ms; [CKSEL=1110 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 258 CK + 64 ms; [CKSEL=1110 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 1K CK + 0 ms; [CKSEL=1110 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1110 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1111 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 0 ms; [CKSEL=1111 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 4 ms; [CKSEL=1111 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 64 ms; [CKSEL=1111 SUT=11]上表的英文翻译说明如下：英文中文On-Chip Debug Enabled片内调试使能JTAG Interface EnabledJTAG 接口使能Serial program downloading (SPI) enabled串行编程下载(SPI) 使能(ISP下载时该位不能修改)Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle;芯片擦除时EEPROM的内容保留Boot Flash section size=xxxx words引导(Boot)区大小为xxx个词Boot start address=$yyyy;引导(Boot)区开始地址为$yyyyBoot Reset vector Enabled引导(Boot)、复位向量使能Brown-out detection level at VCC=xxxx V;掉电检测的电平为VCC=xxxx 伏Brown-out detection enabled;掉电检测使能Start-up time: xxx CK + yy ms启动时间xxx 个时钟周期+ yy 毫秒Ext. Clock;外部时钟Int. RC Osc.内部RC(阻容) 振荡器Ext. RC Osc.外部RC(阻容) 振荡器Ext. Low-Freq. Crystal;外部低频晶体Ext. Crystal/Resonator Low Freq外部晶体/陶瓷振荡器低频Ext. Crystal/Resonator Medium Freq外部晶体/陶瓷振荡器中频Ext. Crystal/Resonator High Freq外部晶体/陶瓷振荡器高频注：以上中文是对照A Tmega16的中、英文版本数据手册而翻译。
ATMEL MCU熔丝位设置快速入门
ATMEL MCU熔丝位(Fuse)快速入门操作界面如下：(注意：下图中，打勾的表示选中，代表0。
没有打勾的表示1)。
图的资料整理如下(该表下面有中文翻译与说明)：On-Chip Debug Enabled; [OCDEN=0]JTAG Interface Enabled; [JTAGEN=0]Serial program downloading (SPI) enabled; [SPIEN=0]Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle; [EESAVE=0]Boot Flash section size=128 words Boot start address=$1F80; [BOOTSZ=11]Boot Flash section size=256 words Boot start address=$1F00; [BOOTSZ=10]Boot Flash section size=512 words Boot start address=$1E00; [BOOTSZ=01]Boot Flash section size=1024 words Boot start address=$1C00; [BOOTSZ=00] ; default value Boot Reset vector Enabled (default address=$0000); [BOOTRST=0]CKOPT fuse (operation dependent of CKSEL fuses); [CKOPT=0]Brown-out detection level at VCC=4.0 V; [BODLEVEL=0]Brown-out detection level at VCC=2.7 V; [BODLEVEL=1]Brown-out detection enabled; [BODEN=0]Ext. Clock; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0000 SUT=00]Ext. Clock; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0000 SUT=01]Ext. Clock; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0000 SUT=10]Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0001 SUT=00]Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0001 SUT=01]Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0001 SUT=10]; default value Int. RC Osc. 2 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0010 SUT=00]Int. RC Osc. 2 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0010 SUT=01]Int. RC Osc. 2 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0010 SUT=10]Int. RC Osc. 4 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0011 SUT=00]Int. RC Osc. 4 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0011 SUT=01]Int. RC Osc. 4 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0011 SUT=10]Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0100 SUT=00]Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0100 SUT=01]Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=0101 SUT=00]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=0101 SUT=01]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=0101 SUT=10]Ext. RC Osc. - 0.9 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0101 SUT=11]Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=0110 SUT=00] Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=0110 SUT=01] Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=0110 SUT=10] Ext. RC Osc. 0.9 MHz - 3.0 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0110 SUT=11] Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=0111 SUT=00] Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=0111 SUT=01] Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=0111 SUT=10] Ext. RC Osc. 3.0 MHz - 8.0 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0111 SUT=11] Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 0 ms; [CKSEL=1000 SUT=00] Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 4 ms; [CKSEL=1000 SUT=01] Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 18 CK + 64 ms; [CKSEL=1000 SUT=10] Ext. RC Osc. 8.0 MHz - 12.0 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=1000 SUT=11] Ext. Low-Freq. Crystal; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1001 SUT=00]Ext. Low-Freq. Crystal; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1001 SUT=01]Ext. Low-Freq. Crystal; Start-up time: 32K CK + 64 ms; [CKSEL=1001 SUT=10]Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 258 CK + 4 ms; [CKSEL=1010 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 258 CK + 64 ms; [CKSEL=1010 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 1K CK + 0 ms; [CKSEL=1010 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1010 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1011 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 16K CK + 0 ms; [CKSEL=1011 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 16K CK + 4 ms; [CKSEL=1011 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Low Freq.; Start-up time: 16K CK + 64 ms; [CKSEL=1011 SUT=11]Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 258 CK + 4 ms; [CKSEL=1100 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 258 CK + 64 ms; [CKSEL=1100 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 1K CK + 0 ms; [CKSEL=1100 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1100 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1101 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 16K CK + 0 ms; [CKSEL=1101 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 16K CK + 4 ms; [CKSEL=1101 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator Medium Freq.; Start-up time: 16K CK + 64 ms; [CKSEL=1101 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 258 CK + 4 ms; [CKSEL=1110 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 258 CK + 64 ms; [CKSEL=1110 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 1K CK + 0 ms; [CKSEL=1110 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 1K CK + 4 ms; [CKSEL=1110 SUT=11] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 1K CK + 64 ms; [CKSEL=1111 SUT=00] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 0 ms; [CKSEL=1111 SUT=01] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 4 ms; [CKSEL=1111 SUT=10] Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 64 ms; [CKSEL=1111 SUT=11]上表的英文翻译说明如下：英文中文On-Chip Debug Enabled 片内调试使能JTAG Interface Enabled JTAG 接口使能Serial program downloading (SPI) enabled 串行编程下载(SPI) 使能 (ISP下载时该位不能修改)Preserve EEPROM memory through theChip Erase cycle;芯片擦除时EEPROM的内容保留Boot Flash section size=xxxx words 引导(Boot)区大小为xxx个词Boot start address=$yyyy; 引导(Boot)区开始地址为 $yyyy Boot Reset vector Enabled 引导(Boot)、复位向量使能Brown-out detection level at VCC=xxxx V; 掉电检测的电平为 VCC=xxxx 伏Brown-out detection enabled; 掉电检测使能Start-up time: xxx CK + yy ms 启动时间 xxx 个时钟周期 + yy 毫秒Ext. Clock; 外部时钟Int. RC Osc. 内部 RC(阻容) 振荡器Ext. RC Osc. 外部 RC(阻容) 振荡器Ext. Low-Freq. Crystal; 外部低频晶体Ext. Crystal/Resonator Low Freq 外部晶体/陶瓷振荡器低频Ext. Crystal/Resonator Medium Freq 外部晶体/陶瓷振荡器中频Ext. Crystal/Resonator High Freq 外部晶体/陶瓷振荡器高频注：以上中文是对照 ATmega16的中、英文版本数据手册而翻译。
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A VRStudio5 JTAG下载ATmega169芯片内部8MHZ校准RC振荡器5V电源
以前上传过一次截图，但是没有说明，所以重新做了一份文档，供大家参考,希望可以和大家交流经验，另外掉电检测触发电平配置与官网配置好像对应不上，但是烧录片子确实这么配置的，希望知道原因的朋友解惑。
Fuse Bit : 0 被编程 1 未被编程 E2 3F FB
CKSEL0 = 0 系统时钟选择 8MHZ内部校准RC振荡器熔丝位低字节E2
CKSEL1 = 1 CLOCK select
CKSEL2 = 0
CKSEL3 = 0
SUT0 = 0 Start up time
SUT1 = 1
CKOUT = 1 CLOCK OUT
CKDIV8 = 1 时钟8分频
BOOTRST = 1 复位向量地址地址·0X0000 高字节3F
BOOTSZ0 = 1 选择BOOT区大小 BOOT128
BOOTSZ1 = 1
EESAVE = 1 EEPROM内容擦除控制默认擦除
WDTON = 1 看门狗
SPIEN = 1 SPI下载
JTAGEN = 0 JTAG使能
OCDEN = 0 在线调试 On chip debug
BODLEVEL0 = 1 掉电检测触发电平2.7V 扩展熔丝位低三位FB
BODLEVEL1 = 1 brown out detection
BODLEVEL2 = 0 此处与169数据手册提供的图表对应不上希望知道的朋友在我百度空间留
言解惑。