芯片减划工艺 中电智能卡
中芯国际推出非接触性智能卡技术
中芯国际推出非接触性智能卡技术
佚名
【期刊名称】《金卡工程》
【年(卷),期】2004(8)7
【总页数】1页(P41-41)
【关键词】中芯国际集成电路制造有限公司;非接触性智能卡;MOS场效应晶体管;智能卡
【正文语种】中文
【中图分类】TN492
【相关文献】
1.VeriFone终端加入威士智能卡计划 Paragon推出I-Ticket非接触卡意法半导体签订JavaTM SIM卡解决方案许可协议金普斯的卡片得到德国电子签名认证东方英卡推出增强型多功能智能卡国际知名餐饮连锁集团Komala采用握奇智能卡捷德为建设部城市通卡项目提供安全认证模块(PSAM) 斯伦贝谢推出512K闪存产品丰富其手机通信卡系列深圳毅能达北京生产基地投产 2002年中国智能卡市场形势报告会深圳举行 [J],
2.非接触式智能卡支付终端已推出 [J],
3.华大电子推出非接触智能卡芯片系列 [J], 无
4.HID Global与索尼宣布推出支持NFC的非接触式智能卡读卡器平台 [J],
5.恩智浦半导体公司针对非接触智能卡应用推出突破性微控制器IC [J],
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南方电网首批符合国密要求的电能计量安全芯片诞生
南方电网首批符合国密要求的电能计量安
全芯片诞生
南方电网科研院在今年5月获得国家密码管理局颁布的《商用密码产品生产定点单位》资质证书后，近日，由该院研发的智能电表安全芯片（CSG0110A）、智能终端安全芯片（CSG0210A）和用户购电卡（CSG0310A）等一系列拥有完全自主知识产权的产品，成为南方电网首批符合国家商用密码产品要求的安全芯片，并将加装于终端表计，从而为南方五省区的电能计量自动化信息安全保驾护航。
电力信息作为涉及国家安全的重要内容之一，关系到电力各个环节运行的安全、稳定。
随着国家对信息安全重视程度的日益提高，确保电力信息安全已成为国家关注的重点。
国家密码管理局作为国家密码算法标准制定和审批的唯一权威部门，已编制和审批通过的算法包括SM1、SM2、SM3、SM4、SM7、SM9等，并已在各领域广泛应用。
根据国家《商用密码管理条例》和《商用密码产品生产管理规定》，采用密码技术对不涉及国家秘密内容的信息进行加密保护或安全认证的产品必须通过国家密码管理局的生产认证。
南网科研院目前是南方电网首个也是唯一一个商用密码产品生产资质单位，标志着该院在信息安全领域的研究方向和研究成果已获国家权威部门的认可。
上述安全芯片的研发，为南方电网电能计量自动化信息安全防护研究奠定了坚实的基础。
近年来，南方电网公司积极开展费控体系研究与试点建设，使用计量终端、费控智能电表完成客户用电信息采集，实现电费智能化管理。
在这个基础上，该公司通过研发采用国家认证密码算法的安
全芯片，将原有的费控体系升级为安全费控体系，电费管理安全化、智能化水平进一步提升。
原标题:首批符合国密要求的电能计量安全芯片诞生。
晶片制造中的节能减排技术有哪些
晶片制造中的节能减排技术有哪些在当今的科技时代，晶片作为电子设备的核心组件，其制造过程中的能源消耗和环境影响备受关注。
为了实现可持续发展，晶片制造业积极探索和采用各种节能减排技术，以降低能耗、减少排放，提高资源利用效率。
首先，先进的制程工艺优化是晶片制造节能减排的关键之一。
随着半导体技术的不断进步，制程节点越来越小，这不仅提高了晶片的性能，还在一定程度上降低了能耗。
例如，更小的线宽意味着在相同面积的晶片上可以集成更多的晶体管，从而减少了晶片的面积和制造过程中的能源消耗。
此外，通过优化工艺流程，减少不必要的步骤和重复操作，也能够降低能源消耗和提高生产效率。
能源管理系统的应用也是不可或缺的。
这类系统能够实时监测和分析生产线上各个环节的能源消耗情况，为企业提供精确的数据支持。
通过对这些数据的深入挖掘和分析，企业可以发现能耗的高峰和低谷，找出能源浪费的环节，并针对性地采取措施进行优化。
例如，在能源消耗低谷时段安排高能耗的生产任务，或者对高能耗设备进行升级改造，以提高其能源利用效率。
高效的冷却系统对于晶片制造的节能减排同样重要。
在晶片制造过程中，大量的设备会产生高温，需要冷却系统来维持正常运行。
传统的冷却方式往往能耗较高，而新型的冷却技术，如液冷技术和热管技术，能够更有效地带走热量，降低冷却系统的能耗。
同时，优化冷却系统的布局和管道设计，减少阻力和热损失，也能够提高冷却效率，降低能源消耗。
在设备选型方面，选择节能型的制造设备是节能减排的基础。
新一代的制造设备通常采用更先进的技术和设计，具有更高的能源利用效率。
例如，采用节能电机、变频驱动器等节能设备，可以根据实际需求灵活调整设备的运行功率，避免了能源的浪费。
此外，设备的定期维护和保养也能够确保其始终处于最佳运行状态，提高能源利用效率，减少故障和停机时间，从而降低能源消耗和排放。
原材料的选择和管理也对节能减排产生影响。
选择环保型、可回收利用的原材料，能够减少生产过程中的废弃物和污染物排放。
智能芯片卡
智能芯片卡智能芯片卡（Smart Chip Card）是一种集成了智能芯片技术的卡片，它主要用于存储和处理个人信息、实现电子支付、身份验证以及数据传输等功能。
智能芯片卡的出现改变了传统的磁条卡或磁性卡的使用方式，提高了信息安全性和交易效率。
下面将介绍智能芯片卡的工作原理、应用领域以及未来发展趋势。
智能芯片卡的工作原理主要是通过芯片上的集成电路实现数据的读写和处理。
芯片上集成了处理器、内存、加密模块等功能模块，它们可以实现对数据的存储、加密和解密、计算以及与外部设备的通信。
智能芯片卡通常采用非接触式的通信方式，即通过无线射频技术与读卡器进行通信，也可以通过接触式的方式与读卡器进行数据交换。
智能芯片卡内部的软件可以根据不同应用需求进行定制，以实现不同的功能，如存储银行卡信息、身份认证、电子票务等。
智能芯片卡的应用领域广泛，最常见的就是在电子支付领域。
智能芯片卡可以存储银行卡信息，实现无接触式的快速支付，使得消费者在购物、交通等方面更加方便快捷。
此外，智能芯片卡还广泛应用于身份认证领域，如企事业单位门禁卡、身份证、驾驶证等。
智能芯片卡还可以应用于电子票务、旅游等领域，实现门票的购买、刷卡入场等功能。
智能芯片卡作为信息安全的重要手段，具有一定的优势和发展空间。
首先，智能芯片卡采用了加密算法，使得数据的传输更加安全可靠。
其次，智能芯片卡具有较强的处理能力和存储能力，可以实现更复杂的功能，如多个应用的集成、交互式操作等。
另外，智能芯片卡可以与物联网技术相结合，实现与设备的互联互通，为智能家居、智能交通等领域的发展提供支持。
然而，智能芯片卡仍然存在一些挑战和改进的空间。
首先，智能芯片卡的安全性需要不断提高，以应对日益复杂的网络攻击和黑客技术。
其次，随着移动支付的普及和发展，智能芯片卡需要更好地与移动设备相结合，实现更便捷的支付方式。
此外，智能芯片卡的成本还需要进一步降低，以促进其在更广泛的应用场景中的推广和应用。
人工智能芯片的能耗与效能优化技术教程
人工智能芯片的能耗与效能优化技术教程随着人工智能的迅猛发展，人工智能芯片的研究和应用成为了热点领域。
而在这个领域中，能耗与效能的优化技术尤为重要。
本文将为大家介绍人工智能芯片能耗与效能优化的相关技术，帮助读者更好地理解和应用人工智能芯片。
人工智能芯片的能耗优化技术包括硬件设计和软件优化两个方面。
首先，从硬件设计的角度来看，以下几个技术可以帮助降低人工智能芯片的能耗。
第一，低功耗的电路设计。
采用低功率电路设计可以有效降低整个芯片的功耗。
常见的低功耗电路设计技术包括时钟门控技术、电源电压逻辑技术和适度缩减位宽等。
第二，精简的片上存储器。
片上存储器在人工智能芯片中占据了很大的面积，功耗也很高。
采用合适的存储器优化策略，例如合理设计存储器层次结构、增加存储器的并行性和减小存储器的位宽，可以有效降低芯片的能耗。
第三，优化的通信与数据传输。
在人工智能芯片中，通信与数据传输也是能耗的重要来源。
采用合理的通信和数据传输策略，例如多层次通信设计、合适的数据压缩与解压缩技术，可以降低芯片的能耗。
从软件优化的角度来看，以下几个技术可以帮助提升人工智能芯片的效能。
第一，算法优化。
在人工智能领域中，选择合适的算法可以显著提升芯片的效能。
例如，采用适当的量化算法、剪枝算法和近似计算算法等，可以减少计算量和存储需求，提升芯片的效能。
第二，并行计算。
人工智能算法中的计算量往往非常庞大，通过合理的并行计算策略可以有效利用芯片中的计算资源，加速计算过程。
例如，通过并行计算单元的设计和合理的任务分配策略，可以极大提升芯片的效能。
第三，内存管理。
合理的内存管理可以减少芯片的数据访问次数，降低功耗。
例如，合理利用缓存、预取策略和数据对齐等技术，可以减少芯片对外存储器的访问次数，提升效能。
此外，为了更好地优化人工智能芯片的能耗和效能，还可以采用混合的硬件-软件优化策略。
这种策略通过将硬件和软件优化相结合，发挥各自的优势，可以实现更好的性能。
智能卡芯片行业实施方案
智能卡芯片行业实施方案20xx年xx月智能卡芯片是指粘贴或镶嵌于卡中的内置嵌入式CPU芯片产品。
智能卡内部配备有微处理器、输入/输出设备接口、存储器（如EEPROM）及芯片操作系统，可在与读卡器进行数据交换时，对数据进行加密、解密，从而确保交换数据的准确可靠。
智能卡芯片由于具有存储容量大、安全保密性好、使用寿命长等优点，在公共交通、公共事业、校园一卡通、身份识别、智能终端等领域正得到越来越多的应用，例如金融IC卡、SIM卡、社保卡、二代身份证、读卡器等。
智能卡芯片产品包括双界面CPU卡芯片、非接触式/接触式CPU卡芯片等。
牢固树立创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，发挥区域示范引领作用，加快产业领域体制机制创新，促进城市建设发展转型，实现产业发展进一步提升。
为推动区域产业转型升级、持续健康发展，制定本规划方案，请结合实际认真贯彻执行。
第一条发展路线以优势企业为主体，以产业重点产品服务应用为导向，以重大项目建设为支撑，以基地园区、产业集群为载体，推进区域产业转型升级，确保产业健康持续发展。
第二条原则1、坚持创新发展。
实施创新驱动发展战略，突破并推广关键核心内容，加快新产品研发与应用进程，完善标准体系，增强自主创新和品牌建设能力。
2、组织引导，市场推动。
坚持组织引导，以政策、规划、标准等手段规范市场主体行为，综合运用价格、财税、金融等经济手段，发挥市场配置资源的决定性作用，营造有利于产业发展的市场环境，实现市场由被动向主动的转化。
3、协同推进。
以区域协同发展为契机，找准产业发展定位和发展方向，完善产业协同创新体系，积极对接本地创新资源和优质产业，主动延伸产业链条，构建具有国际竞争力的产业集群和产业链，促进产业结构优化升级和协调发展，打造产业创新中心。
4、因地制宜，特色发展。
紧密结合区域发展要素条件，充分发挥比较优势，围绕核心产业，引进培育龙头企业，形成各具特色、差异发展的发展新格局。
5、人才为先。
CSP工艺封装智能卡模块技术研究
1）成本低 传统智能卡模块封装工艺载带为外国公司进 口，加工过程的金丝、包封材料等成本高。而 CSP 模 块封装工艺使用国产 FR-4 载板，加工过程中仅需 要锡膏与底部填充胶水，成本更低。 2）生产效率高 传统智能卡模块封装工艺需要单颗模块加工进 行压焊和包封，整体生产工艺较为繁琐且效率低。而 CSP 模块封装工艺是对整个晶圆的二次布线、植锡 球，生产效率更高。 3）产品稳定性、可靠性高 传统智能卡模块封装工艺采用金丝键合的方式 实现芯片与载带的电气连接。而 CSP 模块封装工艺 采用锡球焊接的方式实现芯片与载板的电气连接。 相比之下，CSP 模块封装工艺的电气连接强度更高、 线路更短、导通性能更好，产品的稳定性、可靠性高。 4）模块散热性能好
CIC 中国集成电路 China lntegrated Circult
封装
CSP 工艺封装智能卡模块技术研究
王久君 中电智能卡有限责任公司
摘要：CSP 工艺封装智能卡模块技术是用 CSP 封装工艺技术替代传统的智能卡模块封装金丝键合的封 装工艺。该技术属于智能卡行业首创，在智能卡模块封装领域，不管是在国内还是国外，尚没有此工艺技 术封装智能卡模块。该封装工艺和封装设备及相关测试设备均为自行研发，并全部实现国产化。CSP 工 艺封装智能卡模块技术跟原有传统智能卡卷带式模块封装技术的区别在于：传统智能卡模块是以进口 载带正贴片，打金线键合、塑封料塑封的封装工艺，而 CSP 工艺封装智能卡模块技术是以 FR-4 树脂覆 铜板，借助芯片二次布线、锡球植入技术，以芯片倒装和回流焊接为主，无需金线键合和塑封料塑封。简 单地说，就是将原有的金线键合芯片封装形式改成 SMT（Surface Mounted Technology）贴片封装形式实 现芯片级封装的一种封装技术，简化了封测的工艺流程。CSP 工艺封装智能卡模块技术增加了产品的可 靠性，提升了生产效率和成品率。 关键词：CSP 模块；智能卡模块；封装工艺
上海贝岭依靠技术进步大力推进国产IC卡产业化
上海贝岭依靠技术进步大力推进国产IC卡产业化
隆星
【期刊名称】《工业技术进步》
【年(卷),期】2000(000)002
【总页数】3页(P12-14)
【作者】隆星
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】F426.6
【相关文献】
1.依靠技术进步推进科技创新大力推广节能四新技术 [J], 上海市经委节能环保处
2.创新发展大力推进我国卫星导航定位产业化进程——2008导航定位产业技术进步与创新专家论坛在北京举行 [J],
3.依靠科技壮大龙头大力推进农业产业化经营 [J], 陈庆严
4.依靠科技兴农大力推进农业产业化进程——四平市农业产业化初见成效 [J], 宋彦慧
5.依靠科技大力推进农业产业化进程 [J], 何心益;张勇
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中电智能卡有限责任公司COB封装厂
减薄划片工艺介绍
减薄划片工艺介绍—生产流程
减薄划片工艺介绍
背面减薄 贴磨片膜 抛光 贴划片膜 揭磨片膜 划片
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减薄划片工艺介绍—贴磨片膜
Chuck table CCD Alignme nt
Robot
Double load port
Work flow:
Wafer load Wafer alignment
BG tape laminating
W f unload Wafer l d
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减薄划片工艺介绍—贴磨片膜
Machine specification: 1.Wafer size 8 inch O.F., 8 inch V-notch, 12 inch wafer thickness ≧300μm;
V-notch
O.F.
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减薄划片工艺介绍—贴磨片膜
2.Load port 8 inch wafer: wafer cassette, FOSB 12 inch wafer: FOUP, FOSB
Wafer cassette
FOUP
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减薄划片工艺介绍—贴磨片膜
3. 磨片膜型号 Tape Type: UV tape, blue tape, bump tape; Tape Width:230～340mm; Tape Thickness:100～300 μm;
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减薄划片工艺介绍—背面减薄和贴划片膜
Machine model: DGP8761+DFM2800 DFM2800 DGP8761 3 主轴，4磨片平台
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减薄划片工艺介绍—背面减薄和贴划片膜
生产流程:
1) ) Cassette 2) Transfer with robot pick 3) Alignment at the position table 4) To C/T with transfer arm 1 5) Rough grinding with Z1‐axis 6) Fine grinding with Z2‐axis 7) Dry ry polish with Z3 3‐axis 8) Wafer cleaning at C/T 9) To Spinner with transfer arm 2 10) Wafer cleaning / dry at spinner section 11) To DFM2800 UV irradiation 12)Transfer to the mounting table 13) Dicing tape mounting using ring 14) Transfer to the peeling table 15) Back grinding tape peeling 16) Load wafer to the frame cassette
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减薄划片工艺介绍—背面减薄和贴划片膜
1. Z1/Z2 Spindle: Diamond wheel, Φ300mm; Z3 Spindle: Dry polishing wheel，为海绵,Φ450mm; 同时选配 G tti DP Getting DP, 可以有效防止memory wafer f 的电迁移效应； 的电迁移效应
2. Damage of back side
#2000 Dry yp polish
TEM (x 106)
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减薄划片工艺介绍—背面减薄和贴划片膜
Wafer厚度控制
1. Z1 axis配置1套Inline process gauge Z1 axis i 配置2个Inline li process gauge， 厚度检测范围为0～1800um；Z1轴磨片速度分为 3段, 速度范围：0.1um/s～80um/s。
2. Z2 axis分别配置1套Inline process gauge 和1套Non-contact gauge，厚度检测范围为 ； 轴磨片 度分为 段, 速度范围 度范围 10～200um；Z2轴磨片速度分为3段, ：0.1um/s～80um/s；当磨片厚度在10～200um 范围可使用Non-contact gauge测量wafer厚度， 而Inline process gauge抬起不接触wafer表面， 可避免gauge接触wafer形成的痕迹；
I li process gauge Inline
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3. Warpage
Warpage：12 inch 50 µm mirror wafer，磨轮金刚砂颗粒越小wafer warpage越小；Z1使用320#、360#的磨轮，对应的金刚砂颗粒为3050um；Z2使用4800#、6000#的磨轮，对应的金刚砂颗粒为2 30-50um2-5um；Z3 dry polish pad为海绵
5mm05mm
14 mm
14mm 5 mm0.5 mm
2000#4800#Dry Polish
1. 12 inch wafer 加工能力: ≧50µm
2. Wafer 厚度均匀性: ≦3µm
3. 粗糙度
320# wheel, Ra ≦0.20µm 6000# wheel, Ra≦0.002µm Dry polish, Ra≦0.0003µm
主要配置：
1双主轴功率为12KW 设备型号：DFD6362
1.Z1/Z2双主轴，功率为1.2KW ，
最大转速为60000RPM ；可以实现Step cut ，Dual cut
2.配置接触式测高功能、非接触式测
高功能、刀片破损报警功能、划片槽宽度检测功能；
生产流程：
1.Arm 1从frame cassette取出wafer，
放置在alignment stage上面，对中，
Arm 2将wafer放置在chuck table上；
22.通过低倍和高倍显微镜识别图像校准
wafer水平位置，以及确认划片槽位置和
切割位置；
3.Z1, Z2轴开始切割；
4.切割后wafer通过Arm 2传送至
spinner table进行wafer表面的清洗；
5.清洗后通过Arm 1将芯片传送至frame
cassette；
双主轴切割
为空气悬浮主轴，主轴功率为1.2KW
Z2Z1，最大转速可达60000RPM ，工作转速30000-50000RPM ，更换刀片时具有自动锁死防止主轴旋转。
轴轴
硬刀刀片规格
参数Z1Z2刀外径（mm ）55.5655.56刀内径（mm ）19.0519.05刀片厚度（μm ）30～3525～30700900600750刀片长度（μm ）700～900600～750金刚砂颗粒
2000#
4000#
St t
Step cut 降低chipping -Z1Step cut
Z1轴使用较厚的刀片, Z2轴使用较薄的刀片；
-Z1刀片先划片，Z2刀片后划片切割侧面呈阶梯Wafer Blade 后划片，切割侧面呈阶梯状；Dual cut Tape
提高产能
-Z1,Z2刀片使用同一型号的刀片刀完全切开Dual cut
的刀片，一刀完全切开wafer ；
-适用于wafer 厚度≧150um，划片槽宽度≧ 80um的低端产品，wafer chipping 较多；
Wafer thickness(μm)150Tape thickness(μm)80Feed speed (mm/s)Feed speed (mm/s)50Cut depth (μm)65Cut mode
Step cut t i t
0510Dummy Wafer, Step cut, kerf
width 1535DI water resistance 0.5～1.0M Ω
width 15～35 μm
感谢您的聆听！
我们以为客户提供优质高效的封装服务为目标！。