微电子器件!双极型晶体管寄生电容的测量实验报告
电容参数测定实验报告
一、实验目的1. 了解电容的基本原理和电容器的种类。
2. 掌握使用电桥法测定电容的原理和方法。
3. 熟悉实验仪器的使用，提高实验操作技能。
4. 分析实验数据，得出实验结论。
二、实验原理电容器是一种能够储存电荷的电子元件，其电容值表示电容器储存电荷的能力。
电容值的大小取决于电容器的结构、材料和几何形状。
本实验采用电桥法测定电容，其原理如下：电桥法测定电容的原理是利用电桥电路的平衡条件，通过比较待测电容与已知电容的比值，计算出待测电容的值。
电桥电路由四个电阻组成，其中两个电阻为已知值，另外两个电阻为待测电容和标准电容。
当电桥平衡时，待测电容与标准电容的比值等于两个已知电阻的比值。
三、实验仪器与材料1. 电桥仪2. 待测电容器3. 标准电容器4. 电阻箱5. 电源6. 万用表7. 导线8. 仪器支架四、实验步骤1. 按照实验要求搭建电桥电路，连接好电源、待测电容器、标准电容器、电阻箱和电桥仪。
2. 调节电阻箱，使电桥平衡，观察电桥仪的指示值。
3. 记录电桥平衡时的电阻值和待测电容器的值。
4. 改变待测电容器的值，重复步骤2和3，记录实验数据。
5. 根据实验数据，计算待测电容器的平均电容值。
五、数据处理与分析1. 根据实验数据，计算待测电容器的平均电容值。
2. 分析实验误差，讨论实验过程中可能存在的问题。
3. 对比理论值和实验值，分析实验结果的准确性和可靠性。
六、实验结果与讨论1. 实验结果：根据实验数据，计算得到待测电容器的平均电容值为XXX pF。
2. 实验误差：实验误差主要由以下因素引起：（1）电桥平衡精度：电桥平衡精度对实验结果影响较大，实验过程中应尽量减小平衡误差。
（2）电阻箱精度：电阻箱的精度会影响实验结果的准确性，应选择精度较高的电阻箱。
（3）测量误差：实验过程中，测量待测电容器的值和电阻值时，可能存在一定的误差。
3. 实验结论：通过本次实验，我们掌握了使用电桥法测定电容的原理和方法，提高了实验操作技能。
电容的检测实习报告(2篇)
第1篇一、实习目的通过本次实习，我旨在深入了解电容的基本原理、种类、检测方法以及在实际应用中的重要性。
通过实践操作，提高自己的动手能力，培养对电子元器件检测的兴趣，为今后从事相关领域工作打下坚实的基础。
二、实习时间与地点实习时间：2023年X月X日至2023年X月X日实习地点：XX电子科技有限公司实验室三、实习内容1. 电容的基本原理与分类电容是一种电子元件，它能够在两个导体之间存储电荷。
根据工作频率、电介质材料等不同，电容可以分为以下几类：（1）固定电容：包括瓷介电容、云母电容、金属膜电容等。
（2）可变电容：包括空气介质电容、薄膜电容、电容器等。
（3）电解电容：包括铝电解电容、钽电解电容等。
2. 电容的检测方法电容的检测方法主要有以下几种：（1）指针式万用表检测法：将万用表置于电容挡位，将测试笔分别接触电容的两个引脚，读取电容的数值。
（2）数字式万用表检测法：将数字式万用表置于电容挡位，将测试笔分别接触电容的两个引脚，读取电容的数值。
（3）LCR数字电桥检测法：利用LCR数字电桥对电容进行精确测量，可以测量电容的容量、损耗角正切值等参数。
3. 实习过程在实习过程中，我首先学习了电容的基本原理和分类，然后了解了电容的检测方法。
在实验室，我实际操作了以下几种检测方法：（1）指针式万用表检测法：我使用指针式万用表对几个固定电容进行了检测，读取了它们的容量数值。
（2）数字式万用表检测法：我使用数字式万用表对几个固定电容进行了检测，读取了它们的容量数值。
（3）LCR数字电桥检测法：我使用LCR数字电桥对几个固定电容进行了检测，读取了它们的容量、损耗角正切值等参数。
4. 实习总结通过本次实习，我深刻认识到电容在电子电路中的重要性。
以下是我对本次实习的总结：（1）掌握了电容的基本原理和分类。
（2）熟悉了电容的检测方法，并实际操作了指针式万用表、数字式万用表和LCR 数字电桥三种检测方法。
（3）提高了自己的动手能力，培养了实践操作的兴趣。
电容参数测试实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的1. 了解电容器的参数及其测试方法；2. 掌握使用示波器、万用表等仪器进行电容器参数测试的操作技巧；3. 熟悉电容器参数对电路性能的影响。
二、实验原理电容器是一种储存电荷的电子元件，其参数主要包括电容量、耐压值、损耗角正切等。
电容量是指电容器储存电荷的能力，单位为法拉（F）；耐压值是指电容器能够承受的最大电压，单位为伏特（V）；损耗角正切是衡量电容器损耗性能的参数，其值越小，电容器性能越好。
电容器参数测试实验主要通过测量电容量、耐压值和损耗角正切等参数，来评估电容器的性能。
三、实验仪器与材料1. 实验仪器：（1）示波器：用于观察电容器充放电波形；（2）万用表：用于测量电容器的电容量、耐压值和损耗角正切；（3）信号发生器：用于提供测试信号；（4）电容器：待测试的电容元件。
2. 实验材料：（1）测试电路板；（2）连接线；（3）电源。
四、实验步骤1. 连接电路：按照实验电路图连接测试电路，包括信号发生器、电容器、示波器、万用表等。
2. 测量电容量：（1）打开电源，调节信号发生器输出频率为1kHz，输出电压为5V；（2）使用万用表测量电容器的电容量，记录数据。
3. 测量耐压值：（1）使用万用表测量电容器的耐压值，记录数据；（2）将电容器接入测试电路，逐渐增加电压，观察电容器是否击穿，记录击穿电压。
4. 测量损耗角正切：（1）打开示波器，将示波器探头连接到电容器的两端；（2）使用信号发生器输出正弦波信号，调节频率为1kHz，输出电压为5V；（3）观察示波器显示的波形，记录电容器的充放电波形；（4）使用万用表测量电容器的损耗角正切，记录数据。
5. 数据处理与分析：（1）根据测量数据，计算电容器的电容量、耐压值和损耗角正切；（2）分析电容器的性能，比较不同电容器的参数差异。
五、实验结果与分析1. 电容量：根据实验数据，电容器A的电容量为10μF，电容器B的电容量为15μF。
2. 耐压值：电容器A的耐压值为50V，电容器B的耐压值为60V。
实验一双极型晶体管特性参数测量
实验一双极型晶体管特性参数测量实验目的：1.掌握双极型晶体管的基本特性参数的测量方法；2.了解双极型晶体管的放大特性。
实验仪器和材料：1.双踪示波器2.双极型晶体管3.功率电源4.电阻器5.电容器6.变阻器7.万用表实验原理：双极型晶体管是一种常用的电子元器件，通常用于放大电信号。
为了评估双极型晶体管的性能，需要测量其一些重要的特性参数，包括静态特性参数和动态特性参数。
常用的双极型晶体管特性参数有：1.静态参数a.静态输入特性：基极电流-基极电压（IB-VBE）特性曲线，用于描述基极电流与基极电压之间的关系；b.静态输出特性：集电极电流-集电极电压（IC-VCE）特性曲线，用于描述集电极电流与集电极电压之间的关系；c.静态放大系数：集电极电流与基极电流之间的比值，常用符号（β或hFE）表示；2.动态参数a.数字电压放大倍数：用于评估双极型晶体管的放大能力；b.动态输入电阻：输入信号变化引起的基极电流变化与基极电压变化之比，用于衡量信号源和输入电路之间的匹配程度；c.动态输出电阻：输出信号变化引起的集电极电流变化与集电极电压变化之比，用于评估输出电路和负载电阻之间的匹配程度。
实验步骤：1.连接电路。
按照实验电路图连接电路，确保电源的接线正确。
2.静态特性参数的测量。
b.测量不同电阻值时的IC1，记录数据c.改变基极电流IB，测量IC2的值，记录数据d.根据数据计算静态放大系数β3.动态特性参数的测量。
b.改变输入信号频率，测量输出信号幅度和相位，记录数据。
c.根据数据计算动态输入、输出电阻的值。
实验结果分析：根据实验测量到的数据，可以得到双极型晶体管的静态和动态特性参数，通过比较这些参数与标称值的差异，可以评估器件工作是否稳定。
同时，根据实验结果也可以评估双极型晶体管的放大能力和输入输出电阻的匹配情况。
注意事项：1.连接电路时，注意电源极性及电路连接的正确性，避免短路或错误连接的风险。
2.测量过程中要及时记录数据，保证准确性和可靠性。
电容测量实验报告总结(3篇)
第1篇一、实验背景电容是电子电路中常见的一种元件，用于储存电能。
电容的测量对于电子产品的性能评估、电路设计和故障排查具有重要意义。
本实验旨在通过实际操作，掌握电容的测量方法，了解不同测量方法的特点和适用范围，并提高对电容性能参数的认识。
二、实验目的1. 熟悉电容的基本概念和特性。
2. 掌握电容的测量原理和方法。
3. 熟悉不同测量方法的特点和适用范围。
4. 培养实际操作能力和数据处理能力。
三、实验原理电容的测量原理主要基于电容器的电容公式 C = Q/V，其中 C 为电容，Q 为电容器储存的电荷量，V 为电容器两极板间的电压。
通过测量电容器在给定电压下的电荷量，可以计算出电容值。
四、实验仪器与材料1. 数字万用表2. 电容器（不同容量）3. 电阻4. 信号发生器5. 示波器6. 电容测量仪五、实验方法本实验采用以下几种方法进行电容测量：1. 直接测量法：使用数字万用表的电容测量功能，直接读取电容值。
2. 交流电桥法：利用交流电桥测量电容值，通过比较已知电容和待测电容的电压，计算出待测电容的值。
3. 谐振法：通过测量电容与电感串联电路的谐振频率，计算出电容值。
4. 替代法：使用已知容量的标准电容替代待测电容，通过比较电路性能的变化，间接测量待测电容的值。
六、实验步骤1. 直接测量法：- 将待测电容器接入数字万用表的电容测量端口。
- 调节万用表至合适的量程，读取电容值。
2. 交流电桥法：- 将已知电容和待测电容分别接入交流电桥的两个桥臂。
- 调节电桥平衡，读取电容值。
3. 谐振法：- 将待测电容与电感串联，接入信号发生器。
- 调节信号发生器频率，使电路达到谐振状态。
- 读取谐振频率，根据公式计算电容值。
4. 替代法：- 将已知电容接入电路，测量电路性能。
- 将待测电容接入电路，测量电路性能。
- 比较两次测量结果，间接测量待测电容的值。
七、实验结果与分析1. 直接测量法：实验结果显示，直接测量法测量电容的精度较高，但受限于测量范围和量程。
(器件原理)双极型晶体管寄生电容的测量
《微电子器件原理》双极型晶体管寄生电容的测量实验指导书通信工程学院微电子实验室二00 八年九月双极型晶体管寄生电容的测量一、实验目的。
1、学会c-v测试仪的测量方法。
2、通过实验了解双极型晶体管寄生电容的变化。
二、仪器说明（1）概述：该仪器采用电流电压测量方法，它用微处理器通过8次电压测量来计算每次测量后要求的参数值。
用一个相敏检波器和模数转换器顺序快速完成电压测量。
正交测量通过交换测量信号的相位来进行，而不是参考相位检测。
因而不需要精密的模拟相位转换成电压矩形波电路。
通过从同一个高频信号源形成测试信号和参考信号，来保证正确的相位关系。
由微处理器根据已知的频率和测试信号相位，用ROM存储器内的程序来控制测量，以及存储在RAM中的校准数据来计算被测元件电容值。
（详细资料参看仪器使用说明手册）（2）测试器件NPN晶体管3DK4C0三、测量1、开机仪器安装连接好后，把电源开关按到ON位置，电源接通，仪器执行自检程序。
如果没有故障，测量指示灯亮。
偏置电压指示状态为(电压去)，虽然偏置电压有显示，但该电压尚未加到夹具上去。
2、连接被测件被测件引线应相当清洁且笔直，将它插入CV-2000测试座具即可。
若被测件引线脏，必须先擦干净，以保证接触良好。
3 、零校准由于温度变化或改变夹具，都会引起寄生电感变化，因此，在每天开机30分钟后，改变夹具或温度变化大于3℃时，都要完成零校准。
分两步完成；开路零校准：1．开机2.在测量功能检查之后，应按[开路校准]按钮。
在电容显示屏内出现一个零，并且通过灯亮，让人体远离仪器。
按[校准触发]键并等一会，直到通过灯重新亮，开路校准完成。
短路零校准：把随机附带的短路铜片插入测试槽按[短路校准]按钮，电容显示屏内出现一个5，并且通过灯亮，按[校准触发]键等一会直到通过灯重新亮，短路零校准完成。
完成后请将短路铜片拿开。
4、测量在零校准后按测量健，当测量指示灯亮即进入测量状态。
测量之前先晶体管判断管脚，NPN晶体管3DK4C0管脚是中间为B极，金黄色得为E极。
电容测量实验报告
电容测量实验报告电容测量实验报告引言：电容是电路中常见的一种基本元件，它在电子设备中起着至关重要的作用。
因此，准确测量电容值对于电路设计和故障排查具有重要意义。
本实验旨在通过测量不同电容的方法和技术，探讨电容的测量原理和实验方法。
一、实验目的：1. 了解电容的基本概念和特性；2. 掌握常见电容测量方法的原理和技术；3. 通过实验验证电容测量方法的准确性和可行性。
二、实验器材：1. 电容箱：用于提供不同电容值的电容器；2. 信号发生器：用于提供测量电容所需的交流信号；3. 示波器：用于观察和测量电容充放电过程的波形；4. 万用表：用于测量电容的电压和电流。
三、实验步骤：1. 连接电路：将电容箱、信号发生器和示波器按照实验电路图连接好；2. 设置信号发生器：将信号发生器的频率和振幅调整到适当的范围；3. 测量电容充电时间：通过示波器观察电容充电过程的波形，并测量电容充电时间；4. 计算电容值：根据测得的充电时间和信号发生器的频率，使用公式计算出电容值；5. 测量电容电压：将示波器连接到电容器的两端，测量电容的电压；6. 测量电容电流：将万用表连接到电容器的两端，测量电容的电流；7. 计算电容值：根据测得的电压和电流，使用公式计算出电容值。
四、实验结果与分析：通过实验测量得到的电容值与电容箱标称值进行比较，发现两者存在一定的误差。
这是由于实际电容器的制造工艺和环境因素的影响所导致的。
此外，测量电容值的精度还受到仪器的精度和测量方法的限制。
在实验中，我们还发现电容的充放电过程是一个指数增长或衰减的过程。
通过观察示波器上的波形，我们可以判断电容的充放电时间和电容的大小。
这为我们设计和调试电路提供了重要的参考依据。
五、实验总结：本实验通过测量不同电容的方法和技术，探讨了电容的测量原理和实验方法。
通过实验，我们了解了电容的基本概念和特性，并掌握了常见的电容测量方法。
同时，我们也发现了电容测量中存在的误差和限制。
电容检测实习报告
实习单位：XX电子科技有限公司实习时间：2023年3月1日 - 2023年3月31日实习岗位：电容检测工程师实习目的：通过本次实习，旨在了解电容检测的基本原理、方法和设备，掌握电容检测在电子元器件质量控制和生产过程中的应用，提高自身的实际操作能力和工程实践能力。
实习内容：一、实习初期1. 理论学习：首先，我系统学习了电容的基本概念、分类、特性及其在电子电路中的作用。
了解了电容的原理图符号、参数标示和电气特性。
2. 设备操作：在工程师的指导下，我熟悉了电容检测仪器的操作流程，包括设备的启动、校准、测试参数设置等。
3. 实验操作：通过实际操作，我学习了如何使用电容检测仪器对电容进行测量，包括直流偏置法、交流阻抗法等。
二、实习中期1. 案例分析：在工程师的带领下，我分析了多个电容故障案例，了解了电容失效的原因，如材料老化、过电压、过电流等。
2. 数据处理：学习如何对电容检测数据进行处理和分析，包括误差分析、结果评估等。
3. 实际应用：参与实际生产线的电容检测工作，对产品进行质量监控，确保产品符合质量标准。
三、实习后期1. 总结与反思：对实习期间的学习和实践进行总结，反思自己在理论知识和实际操作中的不足。
2. 撰写实习报告：根据实习经历，撰写实习报告，总结实习成果。
实习收获：1. 理论知识的巩固：通过实习，我对电容检测的相关理论知识有了更加深入的理解。
2. 实践能力的提升：通过实际操作，我掌握了电容检测仪器的使用方法，提高了自己的动手能力。
3. 问题解决能力的提高：在实习过程中，我学会了如何分析问题、解决问题，提高了自己的综合素质。
4. 团队协作能力的培养：在实习期间，我与团队成员紧密合作，共同完成了各项工作任务，培养了良好的团队协作精神。
实习总结：通过本次实习，我深刻认识到电容检测在电子元器件生产和质量控制中的重要性。
在今后的学习和工作中，我将继续努力，不断提高自己的专业素养，为我国电子产业的发展贡献自己的力量。
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双极型晶体管特性的测量与分析课程实验报告
、输出特性曲线、转移特性曲线和β、h FE 、α；原理如下所示： 输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大。
在共射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数。
输出电流与输入电流之比即为α。
调节峰值电压得到输出特性曲线，由定义可以得到参数的值C mA
C
I
I h =⎪⎫ ⎛=10
、反向击穿电压BV
CBO 、BV
CEO
和BV
EBO；
原理如下所示：
BV
CBO 是共基晶体管在发射极开路时输出端C—B间的反向击穿电压。
BV
CEO
是共射晶体管在基极开
路时输出端C—E间的反向击穿电压。
晶体管手册中（或实际测试中）的规定为：BV——发射极开路，集电极电流为规定值时，
、XJ4810半导体管特性图示仪的基本原理方框图以及各部分的作用：（1）基极阶梯信号发生器提供必须的基极注入电流。
（阶梯档）。