三极管接成二极管的特点与用途
电子元器件——二极管、三极管、集成电路介绍

电感
电感器的图形如上面所示。在电子制作中虽然使用得不是很多,但它们 在电路中同样重要。电感器和电容器一样,也是一种储能元件,它能把 电能转变为磁场能,并在磁场中储存能量。电感器用符号L表示,它的基 本单位是亨利(H),常用毫亨(mH)为单位。它经常和电容器一起工作,构 成LC滤波器、LC振荡器等。另外,人们还利用电感的特性,制造了扼流 圈、变压器、继电器等。 电感器的特性恰恰与电容的特性相反, 它具有阻止交流电通过而让直流电通过的特性。 小小的收音机上就有不少电感线圈,几乎都 是用漆包线绕成的空心线圈或在骨架磁芯、铁 芯上绕制而成的。有天线线圈(它是用漆包线在 磁棒上绕制而成的)、中频变压器(俗称中周)、 输入输出变压器等等。
第三课 电子元器件—二极管、三级管、集成电路
根据二极管正向电阻小,反向电阻大的特点,将万用表拨到 电阻挡(一般用R×100或R×1k挡。不要用R×1或R×10k挡, 因为R× 1挡使用的电流太大,容易烧坏管子,而 R×10k挡 使用的电压太高,可能击穿管子 ) 。用表笔分别与二极管的 两极相接,测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次,与黑 表笔相接的一端为二极管的正极。同理,在所测得较大阻值 的一次,与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的 正、反向电阻均很小,说明管子内部短路;若正、反向电阻 均很大,则说明管子内部开路。在这两种情况下,管子就不 能使用了。
第三课 电子元器件—二极管、三级管、集成电路
2、开关元件
二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接 通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断 开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。
3、限幅元件
二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗 管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度 限制在一定范围内。
三极管基极串二极管的作用

三极管基极串二极管的作用
在电子学中,三极管是一种非常重要的半导体器件,具有电流放大和开关的功能。
而基极串二极管,通常是指在三极管的基极上串联一个二极管。
这种结构在实际应用中有多种作用,以下是几个可能的用途:
1.开关作用:当基极接二极管的基极电流为零时,三极管处于截止状态,不导电;当基极电流大于零时,三极管处于饱和状态,导通电流。
这种开关特性使得基极接二极管在数字电路和逻辑电路中起到重要的作用,可以实现信号的开关和控制。
2.稳压作用:通过在基极接二极管的基极和发射极之间加上一个稳压电阻,可以使得输出电压保持在一个稳定的值。
这种稳压特性使得基极接二极管成为稳压器的一部分,这种应用常见于各种需要电压调节和控制的电路中。
总的来说,三极管基极串二极管的作用主要取决于具体的应用场景和电路设计需求。
在实际应用中,工程师们会根据需要选择适当的器件和电路结构来实现所需的功能。
如果需要更深入的了解或特定的应用场景,建议咨询专业的电子工程师或查阅相关的专业文献。
晶体二极管和三极管

正半周波形正常 低频调 制信号 加一小偏压
t
O O
u ui
O 负半周波形压扁 (b)检波后的电流波形
D
ui
C 偏 压 R
uo
t
(a)检波前调幅波形
(c)小信号检波电路
图 26 小信号检波原理图解
信号。实际电路中的负载可以是耳机,也可以是下一级低频放 大器,由于直流信号对耳机或低频放大器的隔直流电容不起作 用,只有低频调制信号被送到耳机中发出声音或被下一级放大 器放大。小信号检波的原理图解如图 26 所示,图中( a)是 检波前的高频调幅波形, 经二极管检波后的电流波形如图 (b), (c)是小信号检波的实际电路。 二极管的另一个重要的用途就是整流。 整流是把 50 赫兹的 交流电变成直流,这在本丛书的上一册中作过介绍,这里就不
玻壳 引线 金属电极 引线
晶片
金属细丝
PN 结 (b)面接触型
支架
(a)点接触型 图 28 二极管的内部结构
硅管和锗管。这两种管子在起始导通电压上差别较大,所谓起
始导通电压就是二极管正向伏安特性非线性区域中的拐弯点所 对应的电压。一般硅管的起始导通电压约为 0.6V,锗管约为 0.2V。由于硅管的导通电压较高,用它作小信号检波时灵敏度 低, 线性差。 但硅管的反向耐压较高 , 允许的工作温度也较高, 因此适用于 整流和开关等大电流的场合。 锗管的 起始导通电压较小,反向耐压低,允 许的工作温度也较低, 因此适用于小 信号的检波电路。 晶体二极管有玻璃管壳、 金属管 壳、 塑料管壳和环氧树脂管壳等多种 封装形式。 (参见图 29)体积较小 的检波管一般都采用玻璃管壳(图 2 9 中最上面的那种) ,整流管多采用 图 29 几种常见的晶体二极管 塑料或环氧树脂管壳, 一些电流较大 的整流二极管采用金属管壳, 而且管壳的一端还做成螺杆状 (图 29 中最下面的那种) ,以便于在散热板上安装。 晶体二极管的种类和型号很多。 即使是同一型号的二极管, 因制造工艺等方面的原因,它们的实际性能也略有差别。用来 表明二极管性能的数据,叫作二极管的参数。二极管的主要参 数有下列几个: ⒈最大整流电流(IOM) : 是指二极管长期安全工作时允许通过的正向平均电流的最 大值。因为电流流过 PN 结时要耗散一定的功率,使结温升高。 当电流过大,结温超过一定的限度时就会把 PN 结烧坏。为了 保证安全,二极管整流时的工作电流不能超过此值。 ⒉最高 反向工作电压(VRM) : 这个参数又叫最大允许反向电压。是指允许加在二极管两 端反向电压的最大值, 它反映了二极管对反向电压的承受能力。
课件:二极管、三极管、晶闸管知识讲解

vi
+
D
+
0
t
vi
RL
vo
6
vo
-
-
0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚 未击穿前,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由 于电源电压发生波动,或其它原因造成
6
电路中各点电压变动时,负载两端的电 压将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字 表示
管加反向电压时,不管控制极加
怎样的电压,它都不会导通,而
处于截止状态,这种状态称为晶
闸管的反向阻断。
主回路加反向电压
c 触发导通 d 反向阻断
可控硅只有导通和关断两种工作状态,它具有 开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化, 此条件见下表
状态
条件
说明
从关断到导通
1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
图a
开关断开
b 正向阻断
(2)触发导通 在图(c)所示
电路中,晶闸管加正向电压,在
控制极上加正向触发电压,此时
指示灯亮,表明晶闸管导通,这
种状态称为晶闸管的触发导通。
(3)反向阻断 在图(d)所示
电路中,晶闸管加反向电压,即
a极接电源负极,k极接电源正极,
此时不论开关s闭合与否,指示
灯始终不亮。这说明当单向晶闸
单向可控硅的结构
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型 硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三 个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引 出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制 极G,所以它是一种四6 层三端的半导体器件。
二极管和三极管--原理

二极管图三极管工作(gōngzuò)原理三极管是电流放大器件,有三个极,分别(fēnbié)叫做集电极C,基极B,发射极E。
分成NPN和PNP两种。
我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
一、电流(diànliú)放大下面的分析仅对于NPN型硅三极管。
如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。
这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。
三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够(nénggòu)提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流变化(biànhuà)被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。
如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib 的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。
如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。
我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。
二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。
这有几个原因。
首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V)。
当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0。
但实际中要放大的信号往往远比 0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时,基极电流都是0)。
如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流,上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻),那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出。
双极型晶体三极管的开关特性

1 0.7 mA 10
0.03mA
iB
3
0.7 10
mA
0.23mA
三极管临界饱和时的基极电流: 而
I BS
VCC uCES
Rc
5 0.3 mA 50 1
0.094 mA
因为0<iB<IBS,三极管工作在放大
状态。iC=βiB=50×0.03=1.5mA,
输出电压:
uo=uCE=UCC-iCRc=5-1.5×1=3.5V
状态称为放大状态。
2.2 双极型晶体三极管的开关特性
(3)三极管的饱和状态和可靠饱和的条件
当输入电压vI增加
:A. iB增加,工作点上移,当工作点上移至Q3点时,三
极管进入临界饱和状态。
B. iB再增加,输出iC将不再明显变化 。
当输入电压vI增加 :C.工作点向上移至Q3点以上,饱和深度增加,进入可
2.2 双极型晶体三极管的开关特性
(4)三极管开关的过渡过程
td:延迟时间,上升到0.1Icmax tr:上升时间, 0.1Icmax到0.9Icmax
ton = td +tr ton开通时间
ts:存储时间,下降到0.9Icmax tf:下降时间,下降到0.1Icmax
toff = ts +tf toff关断时间
iC=βiB
uCE=VCC- iCRc
可变
饱和
iB>IBS 发射结正偏 集电结正偏 uBE>0,uBC>0
iC=ICS uCE=UCES=
0.3V 很小, 相当开关闭合
+VCC Rc iC
Rb b
c
uo
ui
iB
e
iB(μA)
二极管三极管区别

二极管三极管区别一、根本区别二极管与三极管的根本区别在于:二极管有两个脚,三极管三个脚,三极管有电流放大作用(即,基极电流对集电极电流的控制作用。
)二极管没有放大作用,它具有单向导电的特性。
放大:是基极电流对集电极电流的控制作用,表现为:基极的电流变化,反映在集电极就是一个成比例(集电极电流=基极电流乘以三极管的放大倍数)的电流变化。
放大的实质是通过三极管的电流控制功能,从电源获取能量,将基极输入的模拟量放大输出在集电极负载上(电流的变化,在负载上又表现为电压的变化)。
所以,实际放大的是基极输入的模拟量。
二、工作原理的区别二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管现以很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。
二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常[1]广泛。
三极管的工作原理三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。
但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。
IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。
),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫建立偏置 ,否则会放大失真。
二级管主要就是单向导电性,三极管主要是电压,电流的放大。
三、种类区别晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG(旧)或(T)表示,二极管以D表示。
二极管和三极管的形成机理和工作原理

二极管和三极管的形成机理和工作原理二极管(Diode)是一种非线性电子元件。
它有两个电极,即正极(P 型)和负极(N型)。
结构上,P型材料有过剩的空穴而N型材料有过剩的自由电子。
这两种类型的材料在接触的区域形成一个PN结。
PN结在二极管中起到了关键作用。
形成机理:形成PN结的过程涉及半导体物理学中的杂质掺杂和结构设计。
杂质掺杂是将少量的杂质(掺杂剂)引入到半导体材料中。
在制造P型半导体时,将元素如硼(B)、镁(Mg)等加入到硅(Si)材料中。
在制造N型半导体时,将元素如磷(P)、砷(As)等加入到硅材料中。
杂质的加入会改变半导体材料的电子结构,形成P型和N型半导体。
当将P型和N型半导体材料连接在一起时,形成PN结。
在PN结区域,P型半导体中的空穴和N型半导体中的自由电子互相扩散。
当空穴和自由电子相遇时,它们会发生复合。
这会在PN结区域形成一个较窄的无载流子(少数载流子)区域,也被称为耗尽区。
在这个区域内,材料中的正电荷和负电荷会形成静电场。
这个静电场会阻止进一步的扩散,形成一个稳定的电势差。
工作原理:二极管的工作原理基于PN结的电流流动特性。
当二极管的正极(P型材料)与正电压连接,负极(N型材料)与负电压连接时,称为正向偏置。
在这种情况下,耗尽区变窄,正电荷和负电荷的静电场减弱。
这使得自由电子可以轻松地越过电位垒,流经二极管。
这种流动会产生一个正向电流,在电路中流经二极管。
当二极管的正极与负电压连接,负极与正电压连接时,称为反向偏置。
在这种情况下,耗尽区变宽,静电场增强。
这会扩大电位垒,使得自由电子无法越过它。
因此,在反向偏置下,几乎没有电流通过二极管。
只有在反向电压达到杂质掺杂引入时的峰值电压(称为击穿电压)时,电流才会流动。
此时,二极管处于击穿状态。
二极管在电子学中有许多应用。
最常见的应用是作为整流器,将交流电转换为直流电。
它也用于电压稳压器、振荡器、开关等。
二极管的关键特性是具有低导通电阻和高击穿电压。
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三极管接成二极管的特点与用途在电子电路中,常见到晶体三极管接成二极管的形式使用,特别是在集成电路中,这种情况更为普遍。
在图1的分立元件组成的差动式放大电路中,T4三极管的基极和集电极是短接在一起的,构成了一个二极管,在电路中起温度补偿作用。
T4三极管的材料和类型与T3完全相同,这是因为同类型三极管的温度系数更为接近和一致,所以温度补偿的效果更好。
其补偿原理是:未加入T4、R2之前,T3、R1、R3构成一个恒流源。
I3=(Ec-Ube3)/[R3+(R1/B)],其特点是动态电阻大,静态电阻小,作为T1、T2的射极有源负载,抑制共模放大。
由于T3的Ube3易受温度影响,使I3也易受温度影响而发生变化。
加入了T4、B2之后,I3=Ec-Ube3-R1I4/[R3+(R1/β)],当温度变化引起Ube3↓时,由于T3与T4完全相同,Ubet 也↓,I4=Ec-Ube4/(R1+R2),使得I4↑从而使I3=Ec-Ube3↓-R1I4↑/[R3+(R1/β)]基本保持恒定,补偿了温度变化引起的电流变化,从而起到了温度补偿的作用。
就是说,在分立元件电路中,若三极管接成二极管使用,大都是作为温度补偿使用的。
转载请注明转自“维修吧-”在集成电路内使用的二极管,多用作温度补偿元件或电位移动电路,一般也是采用三极管构成。
三极管接成的二极管形式,大都采用集电极和基极短接的方式,这与集成电路的制造工艺有关。
这样接成的二极管正向压降,接近于同类型三极管的Ube值,其温度系数亦与Ube的温度系数接近,故能较好地补偿三极管发射结的温度特性。
这是模拟集成电路的一个重要特点。
在集成电路中,根据用途的不同,所使用的二极管相当于三极管的发射极一基极结或集电极一基极结组合而成。
由于集成电路采用硅材料作衬底,所以正向电压为0.6-0.9V,反向击穿电压,用发射极-基极结时为7—9V;用集电极-基极结时为30-50V。
在集成电路中,三极管接成二极管使用有多种组合方式,它的特性参数如附表所示。
利用温度补偿原理和半导体三极管PN结的非线性伏安特性,再和集成运算放大器配合,可以对输入信号实现对数运算和反对数运算。
组成电路如图2、3所示。
转载请注明转自“维修吧-”在上述电路中,三极管被接成二极管的形式,可以称为对数晶体管或对数元件,即把对数元件接于集成运算放大器的反馈回路中,就构成了对数放大器。
如把对数元件接于运算放大器的反相输入回路中,就可组成简单的反对数放大器。
在对数放大器和反对数放大器的基础上还可构成乘法运算放大器和除法运算放大器等,此处不再介绍。
由此看来,由三极管连接而成的二极管,有与众不同的特点和奇妙的用途,这对我们使用已有的电子元件开发新的应用电路,给予了一个很好的启示。
集成直流对数放大器摘要:在对数放大器应用中,直流对数放大器在压缩传感器信号动态范围的应用中仍然占据主导地位,是一种高性价比的解决方案。
本文推导了直流对数放大器的传输函数,从双极型晶体管的VBE到IC特性。
讨论了目前集成直流对数放大器的电路结构以及各种误差对对数性能的影响,并给出了MAX4206设计范例。
最后,还给出了通过校准改善对数放大器性能的方法以及设计细节。
本文还发表于Maxim工程期刊,第56期(PDF, 950kB)。
半个多世纪以来,工程师一直采用对数放大器来压缩信号和进行计算。
尽管在计算应用中,数字IC几乎全部取代了对数放大器,工程师还是采用对数放大器进行信号压缩。
因此,对数放大器仍旧是许多视频、光纤、医疗、测试以及无线系统中的关键元件。
顾名思义,对数放大器的输出和输入之间为对数函数关系(由于对应不同的底,对数函数之间仅差一个常数系数,因此对数的底并不重要)。
利用对数函数,您可以压缩系统信号的动态范围。
将宽动态范围的信号进行压缩有多种优点。
组合应用对数放大器和低分辨率ADC 通常可以节省电路板空间,并降低系统成本。
否则,可能需要采用高分辨率ADC。
而且,通常当前系统中已经包含低分辨率ADC,或者微控制器已内置这种ADC。
转换成对数参数也有利于很多实际应用,例如以分贝表示测量结果的应用,或者转换特性为指数或近似指数的传感器应用。
上世纪90年代,光纤通信领域开始采用对数放大器电路来测量某些光学应用中的光信号强度。
在这之前,精密对数放大器IC不但成本高,而且体积也较大;只有少数电子系统能承担这种高昂的成本。
这些IC解决方案的唯一替代方案是采用分立元件构建对数放大器。
由分立元件构建对数放大器不但电路板面积更大,而且通常对温度变化敏感,必须仔细进行设计和布板。
还需要各构成元件之间高度匹配,以便在较宽的输入信号范围内保证良好的性能。
从那以后,半导体制造商开发出了体积更小、价格更低的集成对数放大器产品,其温度特性较好并且也增加了更多功能。
对数放大器的分类对数放大器主要分为3类。
第一类是直流对数放大器,一般处理变化较慢的直流信号,带宽可达到1MHz。
毫无疑问,最普遍的实现方法是利用pn结固有的对数I-V传输特性。
这些直流对数放大器采用单极性输入(电流或者电压),通常是指二极管、跨二级管、线性跨导和跨阻对数放大器等。
由于采用电流输入,直流对数放大器通常用于监视宽动态范围的单极性光电二极管电流—值或者比例值。
不但光纤通信设备需要光电二极管电流监视功能,化学和生物样品处理设备中也可以找到这种电路。
也有其它类型的直流对数放大器,例如基于RC电路时间-电压对数关系的对数放大器。
但是这种电路一般比较复杂,彼此差异较大,分辨率和转换时间与信号有关,并且对温度变化比较敏感。
第二类对数放大器是基带对数放大器。
这类电路处理快速变化的基带信号,适用于需要对交流信号进行压缩的应用(通常是某些音频和视频电路)。
放大器输出与瞬时输入信号的对数成正比。
一种特殊的基带对数放大器是“真对数放大器”,其输入双极性信号,并输出与输入极性一致的压缩电压信号。
真对数放大器可用于动态范围压缩,例如射频IF级和医疗超声波接收器电路等。
最后一类对数放大器是解调对数放大器,或连续检波对数放大器。
这类对数放大器对RF信号进行压缩和解调,输出整流信号包络的对数值。
RF收发器普遍采用解调对数放大器,通过测量接收到的RF信号强度来控制发射器输出功率。
经典的直流对数放大器在典型的基于pn结的直流对数放大器中,采用双极型晶体管来产生对数I-V关系。
如图1所示,运算放大器的反馈通路采用了晶体管(BJT)。
根据所选的不同晶体管类型(npn或者pnp),对数放大器分别是电流吸收或者电流源出型(图1a和1b)。
采用负反馈,运算放大器能够为BJT的基-射结提供足够的输出电压,可确保所有输入电流由器件的集电极吸入。
注意,悬浮二极管方案会使运放输出电压中包含等效输入失调;基极接地的方法则不会出现这一问题。
图1a. 直流对数放大器的基本BJT实现方案,具有电流吸收输入,产生负输出电压图1a. 直流对数放大器的基本BJT实现方案,具有电流吸收输入,产生负输出电压图1b. 将BJT由npn型改为pnp型,对数放大器变为电流源出电路,输出为正极性。
图1b. 将BJT由npn型改为pnp型,对数放大器变为电流源出电路,输出为正极性。
增加输入串联电阻后,直流对数放大器也可以采用电压输入。
采用运算放大器的虚地作为参考端,输入电压通过电阻转换为成比例的电流。
显然,运算放大器输入失调必须尽可能小,才能实现精确的电压-电流转换。
双极型晶体管实现方案对温度变化敏感,但采用基准电流和片内温度补偿能够显著降低这种敏感性,下文将对此进行讨论。
基本对数放大器电路基本对数放大器在IC设计中使用了跨导线性电路,因此也称做跨导线性(Translinear)对数放大器。
跨导线性电路是电流模电路的主要组成部分,是许多线性和非线性模拟集成电路的理论基础。
跨导线性的概念在1975年由Barrie Gillbert创立,跨导线性对数放大器就是基于双极性(BJT)三极管的对数特性。
如图1图1 三极管的对数特性若将ic视为激励信号电流,UBE看作响应信号电压,将输入偏流为零的隔离放大器接在集电极C与基极B之间以隔离iB的影响。
可以看出,理想BJT的UBE与其ic是理想的对数关系。
等式中,Is是BJT的饱和电流,它与温度密切相关。
此外热电压UT也依赖于温度。
在集成的跨导线性对数放大器中这种受温度影响的缺点已被一个具有同样温度变化特性的三极管修正,而且可以确保对数斜率的稳定性。
信号压缩在现实世界中,一些信号往往具有很宽的动态范围。
比如雷达、声纳等无线电系统中,接收机前端信号动态范围可达120dB以上;光纤接收器前端的电流也可从“pA”级到“mA”级。
宽动态范围往往给应用设计带来很多问题。
一方面,线性放大器无法处理这样宽的动态范围。
另一方面,DA变换中,在保证分辨率的情况下,模数转换器的位数会随动态范围的增大而增大。
因此,在处理宽动态范围的信号时,常常将其动态范围压缩到一个可以处理的程度。
如果一个系统中阻抗是线性的,信号的功率与电压的平方成正比,信号的动态范围既可以用电压表示也可以用功率来表示。
在工程应用中,动态范围的压缩分为“线性压缩”和“非线性压缩”。
线性压缩是指放大器的增益与信号的大小无关,输出基本保持恒定。
线性压缩的特点使谐波失真小,其本质是一种“压控放大器”(VCA)。
非线性压缩方面最好的例子就是对数放大器。
它是输入输出信号成对数关系的器件,它对信号动态范围的压缩不需要像AGC系统那样提取输入信号的电平来控制增益,其增益与信号的大小成反比,在通信、雷达、电子对抗、电子测量中有着广泛的应用。
对数放大器的实质多年来,人们对对数放大器本质的认识有一些模糊。
通常人们把它看作是一种放大器,反而淡化了其非线性的特性,把它们看作特殊类型的放大器更是不对。
尽管这些电路提供一些放大功能,如在RF和IF放大器中,它对小信号呈现出高增益等等,但它们真正的用途是实现精确的对数变换,严格地说,这些电路应该叫做“对数变换器”。
但多年来人们已经习惯了“对数放大器”的叫法。
IC厂商也不愿因为改名而使用户对他们的产品性质和用途造成误解。
因此,本文也将沿用“对数放大器”这一名称。
对数放大器的分类在许多文献中,对数放大器的分类也是相当混乱的,根据实现对数函数依据的不同,有的将其分为二极管、三极管对数放大器和级联对数放大器,有的将其分为真对数放大器和似对数放大器等等。
但几十年来,随着半导体理论、工艺和模拟集成电路的发展,许多对数放大器实现的方法已经被淘汰,其分类方法也未尽科学。
目前根据市场上现有的对数放大器结构和应用领域的不同,可将对数放大器分为三类:基本对数放大器、基带对数放大器和解调对数放大器。
基本对数放大器也称跨导线性(Translinear)对数放大器,它基于双极性三极管(BJT)的对数特性来实现信号的对数变换。