半导体物理基础 总复习
(完整word版)半导体物理知识点总结.doc
一、半导体物理知识大纲核心知识单元 A：半导体电子状态与能级（课程基础——掌握物理概念与物理过程、是后面知识的基础）半导体中的电子状态（第 1 章）半导体中的杂质和缺陷能级（第 2 章）核心知识单元 B：半导体载流子统计分布与输运（课程重点——掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法）半导体中载流子的统计分布（第 3 章）半导体的导电性（第 4 章）非平衡载流子（第 5 章）核心知识单元 C：半导体的基本效应（物理效应与应用——掌握各种半导体物理效应、分析其产生的物理机理、掌握具体的应用）半导体光学性质（第10 章）半导体热电性质（第11 章）半导体磁和压阻效应（第12 章）二、半导体物理知识点和考点总结第一章半导体中的电子状态本章各节内容提要：本章主要讨论半导体中电子的运动状态。
主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。
阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。
最后，介绍了Si、Ge 和 GaAs 的能带结构。
在 1.1 节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。
（重点掌握）在 1.2 节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。
介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。
（重点掌握）在 1.3 节，引入有效质量的概念。
讨论半导体中电子的平均速度和加速度。
（重点掌握）在1.4 节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。
（重点掌握）在 1.5 节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。
（理解即可）在 1.6 节，介绍 Si 、Ge 的能带结构。
（掌握能带结构特征）在 1.7 节，介绍Ⅲ -Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs 的能带结构。
（掌握能带结构特征）本章重难点：重点：1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点；三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。
半导体器件物理复习纲要word精品文档5页
第一章 半导体物理基础能带：1-1什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？1-2试定性说明Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。
1-3、试指出空穴的主要特征及引入空穴的意义。
1-4、设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E v (k)分别为：2222100()()3C k k k E k m m -=＋和22221003()6v k k E k m m =－；m 0为电子惯性质量，1k a π=；a ＝0.314nm ，341.05410J s -=⨯⋅，3109.110m Kg -=⨯，191.610q C -=⨯。
试求：①禁带宽度；②导带底电子有效质量；③价带顶电子有效质量。
题解：1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥E g ）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。
其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。
如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。
1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。
温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。
反之，温度降低，将导致禁带变宽。
因此，Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数。
1-3、准粒子、荷正电：+q ； 、空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n ）； 、E P =-E n （能量方向相反）、m P *=-m n *。
空穴的意义：引入空穴后，可以把价带中大量电子对电流的贡献用少量空穴来描述，使问题简化。
1-4、①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝2023k m ＋2102()k k m -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝143k ， 由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min =2104k m ；由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0；并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝22106k m ；∴Eg ＝E min －E max ＝221012k m ＝222012m a π ＝23423110219(1.05410)129.110(3.1410) 1.610π----⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯＝0.64eV②导带底电子有效质量m n2222200022833C d E dk m m m =+=；∴ 22023/8C n d E m m dk == ③价带顶电子有效质量m ’ 22206V d E dk m =-，∴2'2021/6V n d E m m dk ==- 掺杂：2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？2-4、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？题解：2-1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。
半导体物理学期末总复习
与理想情况的偏离的原因
理论分析认为，杂质和缺陷的存在使得 原本周期性排列的原子所产生的周期性 势场受到破坏，并在禁带中引入了能级， 允许电子在禁带中存在，从而使半导体 的性质发生改变。
间隙式杂质、替位式杂质
杂质原子位于晶格原子间的间隙位置， 该杂质称为间隙式杂质。
间隙式杂质原子一般比较小，如Si、Ge、 GaAs材料中的离子锂（0.068nm）。
电子占据或基本上是空的一
个标志
玻尔兹曼分布函数
当E EF
所以
k0T
时，由于
exp(
E EF k0T
)
1 exp( E EF ) exp( E EF )
k0T
k0T
费米分布函数转化为
1，
fB
(E)
exp(
E EF k0T
)
exp( EF k0T
)
exp(
E k0T
ED
As
N型半导体
施主能级
EC ED
EV
半导体的掺杂
受主：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的空穴， 并成为带负电的离子。如Si中的B
B
P型半导体
EA
受主能级
EC
EA EV
半导体的掺杂
Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge晶体中分别为受主和施主杂 质，它们在禁带中引入了能级；受主能级比价带顶 高 E，A 施主能级比导带底低 ED ，均为浅能级，这两 种杂质称为浅能级杂质。
考虑电子的自旋情况，电子的允许量子态密度
为V （/ 4 3），每个量子态最多只能容纳一个电子。
kx
2
nx L
(nx
半导体物理复习试题及答案复习资料
半导体物理复习试题及答案复习资料一、引言半导体物理是现代电子学中至关重要的一门学科，其涉及电子行为、半导体器件工作原理等内容。
为了帮助大家更好地复习半导体物理，本文整理了一些常见的复习试题及答案，以供大家参考和学习。
二、基础知识题1. 请简述半导体材料相对于导体和绝缘体的特点。
答案：半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的导电特性。
与导体相比，半导体的电导率较低，并且在无外界作用下几乎不带电荷。
与绝缘体相比，半导体的电导率较高，但不会随温度显著增加。
2. 什么是本征半导体？请举例说明。
答案：本征半导体是指不掺杂任何杂质的半导体材料。
例如，纯净的硅（Si）和锗（Ge）就是本征半导体。
3. 简述P型半导体和N型半导体的形成原理。
答案：P型半导体形成的原理是在纯净的半导体材料中掺入少量三价元素，如硼（B），使其成为施主原子。
施主原子进入晶格后，会失去一个电子，并在晶格中留下一个空位。
这样就使得电子在晶格中存在的空位，形成了称为“空穴”的正电荷载流子，因此形成了P型半导体。
N型半导体形成的原理是在纯净的半导体材料中掺入少量五价元素，如磷（P）或砷（As），使其成为受主原子。
受主原子进入晶格后，会多出一个电子，并在晶格中留下一个可移动的带负电荷的离子。
这样就使得半导体中存在了大量的自由电子，形成了N型半导体。
4. 简述PN结的形成原理及特性。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体的结合所形成。
P型半导体和N型半导体在接触处发生扩散，形成电子从N区流向P区的过程。
PN结具有单向导电性，即在正向偏置时，电流可以顺利通过；而在反向偏置时，电流几乎无法通过。
三、摩尔斯电子学题1. 使用摩尔斯电子学符号，画出“半导体”的符号。
答案：半导体的摩尔斯电子学符号为“--..-.-.-...-.”2. 根据摩尔斯电子学符号“--.-.--.-.-.-.--.--”，翻译为英文是什么？答案：根据翻译表，该符号翻译为“TRANSISTOR”。
半导体物理期末复习知识要点汇编
一、半导体物理学基本概念有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。
其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。
空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。
回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。
施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。
受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。
杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。
n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。
p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。
浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。
浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。
深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。
深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。
位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。
杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。
直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间同一位置时称为直接带隙。
直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。
间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间不同位置时称为间接带隙。
间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。
平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级。
半导体物理复习归纳
半导体物理复习归纳————————————————————————————————作者: ————————————————————————————————日期:一、半导体的电子状态1、金刚石结构（Ｓi、Ge）Si、Ge原子组成，正四面体结构，由两个面心立方沿空间对角线互相平移１/４个空间对角线长度套构而成。
由相同原子构成的复式格子。
2、闪锌矿结构（GaAｓ)３-5族化合物分子构成，与金刚石结构类似,由两类原子各自形成的面心立方沿空间对角线相互平移1/４个空间对角线长度套构而成。
由共价键结合,有一定离子键。
由不同原子构成的复式格子。
3、纤锌矿结构（ＺnＳ)与闪锌矿结构类似，以正四面体结构为基础,具有六方对称性,由两类原子各自组成的六方排列的双原子层堆积而成。
是共价化合物，但具有离子性，且离子性占优。
4、氯化钠结构（NaＣl)沿棱方向平移1／2,形成的复式格子。
5、原子能级与晶体能带原子组成晶体时,由于原子间距非常小,于是电子可以在整个晶体中做共有化运动，导致能级劈裂形成能带。
6、脱离共价键所需的最低能量就是禁带宽度。
价带上的电子激发为准自由电子，即价带电子激发为导带电子的过程,称为本征激发。
7、有效质量的意义a.有效质量概括了半导体内部势场的作用（有效质量为负说明晶格对粒子做负功)b.有效质量可以直接由实验测定c.有效质量与能量函数对于k的二次微商成反比。
能带越窄,二次微商越小，有效质量越大。
8、测量有效质量的方法回旋共振。
当交变电磁场角频率等于回旋频率时,就可以发生共振吸收。
测出共振吸收时电磁波的角频率和磁感应强度,就可以算出有效质量。
为能观测出明显的共振吸收峰，要求样品纯度较高,且实验要在低温下进行。
9、空穴价带中空着的状态被看成带正电的粒子，称为空穴。
这是一种假想的粒子，其带正电荷+q，而且具有正的有效质量m p＊。
10、轻／重空穴重空穴:有效质量较大的空穴轻空穴：有效质量较小的空穴11、间接带隙半导体导带底和价带顶处于不同k值的半导体。
半导体物理知识复习
爱因斯坦关系:
kT D q
电流密度方程
载流子的输运方程
在漂移－扩散模型中
jn qn n E qDnn
方程形式1
j p q p p E qDpp
漂移项
扩散项
爱因斯坦关系
k BT k BT p Dn n Dp q q
方程形式2
J n qnnn
J p qn p p
在杂质半导体中：
多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度 少子的浓度主要取决于温度
+ + + + + + -
N型半导体的 简化表示法
P型半导体的 简化表示法
载流子在半导体中的运动
当无外加电场作用时，半导体中的载 流子做不规则热运动，对外不呈现电 特性 在外加或内建电场作用下，载流子将 有定向的“漂移运动”并产生漂移电 流 当载流子浓度分布不均匀时，将从高 浓度区域向低浓度区域做定向运动， 即“扩散运动”，同时产生扩散电流 半导体中的电流为漂移电流与扩散电 流之和
半导体中的能带
在同一个原子能 级上产生的共有化 运动多样 可以有各种速度 从一个原子能级 可以演变出许多共 有化量子态 一组密集的能级：能带 禁带，带隙 原子能级 能带
半导体中的能带
(价带、导带和带隙)
Si，Ge等晶体中，内层到最 外层价电子填满相应的能带
导 带
Eg
价 带
价带：被电子填充的能量最高的能带，价电子填充 能量最高 价带以上能带基本为空 导带： 未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差
物质的分类 按照导电 能力的差 别，可以 将物质分 为：
104 cm) 导体(电阻率小于
半导体物理复习资料
第一章 半导体中的电子状态1.导体、半导体、绝缘体的划分：Ⅰ导体内部存在部分充满的能带，在电场作用下形成电流；Ⅱ绝缘体内部不存在部分充满的能带，在电场作用下无电流产生； Ⅲ半导体的价带是完全充满的，但与之上面靠近的能带间的能隙很小，电子易被激发到上面的能带，使这两个能带都变成部分充满，使固体导电。
2.电子的有效质量是*n m ，空穴的有效质量是*p m ；**np m m -=，电量等值反号，波矢k 与电子相同 能带底电子的有效质量是正值，能带顶电子的有效质量是负值。
能带底空穴的有效质量是负值，能带顶空穴的有效质量是正值。
3.半导体中电子所受的外力dtdkh f ⋅=的计算。
4.引进有效质量的意义：概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。
第二章 半导体中杂质和缺陷能级1.施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级E D ；施主能级很接近于导带底；受主能级：被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级E A ；受主能级很接近于价带顶。
施主能级图 受主能级图2.浅能级杂质：杂质的电离能远小于本征半导体禁带宽度的杂质，电离后向相应的能带提供电子或空穴。
深能级杂质：能级位于禁带中央位置附近，距离相应允带差值较大。
深能级杂质起复合中心、陷阱作用；浅能级杂质起施主、受主作用。
3.杂质的补偿作用：半导体中同时含有施主和受主杂质，施主和受主先相互抵消，剩余的杂质发生电离。
在Ⅲ-Ⅴ族半导体中(Ga-As )掺入Ⅳ族杂质原子(Si )，Si 为两性杂质，既可作施主，亦可作受主。
设315100.1-⨯=cm N A ，316101.1-⨯=cm N D ；则316100.1-⨯=-=cm N N n A D 由p n n i ⋅=2，可得p 值；①p n ≈时，近似认为本征半导体，i F E E =；②p n μμ=时，本征电导p n σσ=； p n >>时，杂质能级靠近导带底；第三章 半导体中载流子的统计分布1.费米分布函数(简并半导体)⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⋅-+=Tk E E E f F 0exp 11)((本征)；⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⋅-+=T k E E E f F 0exp 2111)((杂质)；玻尔兹曼分布函数(非简并半导体) ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⋅-=T k E A E f B0exp )(；2.费米能级：TF N F E ⎪⎭⎫⎝⎛∂∂==μ；系统处于热平衡状态，也不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级。
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掌握熟悉了解第一章半导体物理基础一、能带理论1、能带的形成、结构：导带、价带、禁带•当原子结合成晶体时，原子最外层的价电子实际上是被晶体中所有原子所共有，称为共有化。
•共有化导致电子的能量状态发生变化，产生了密集能级组成的准连续能带---能级分裂•价带：绝对0度条件下被电子填充的能量最高的能带；结合成共价键的电子填充的能带。
•导带：绝对0度条件下未被电子填充的能量最低的能带2、导体、半导体、绝缘体的能带结构特点•禁带的宽度区别了绝缘体和半导体；而禁带的有无是导体和半导体、绝缘体之间的区别；绝缘体是相对的，不存在绝对的绝缘体。
3、导电的前提：不满带的存在二、掺杂半导体1、两种掺杂半导体的能级结构。
2、杂质补偿的概念三、载流子统计分布1、费米函数、费米能级：公式1-7-9和1-7-10，及其简化公式1-7-11和1-7-122、质量作用定律，只用于本征半导体：公式1-7-273、用费米能级表示的载流子浓度：公式1-7-28和1-7-294、杂质饱和电离的概念（本征激发）5、杂质半导体费米能级的位置：公式1-7-33和1-7-37。
意义（图1-13，费米能级随着掺杂浓度和温度的变化）。
6、杂质补充半导体的费米能级四、载流子的运输1、（1.8节）载流子的运动模式：散射－漂移－散射。
平均弛豫时间的概念2、迁移率，物理意义：公式1-9-4和1-9-5（迁移率与电子自由运动时间和有效质量有关），迁移率与温度和杂质浓度的关系3、电导率，是迁移率的函数：公式1-9-10和1-9-114、在外电场和载流子浓度梯度同时存在的条件下，载流子运输公式：1-9-24～1-9-275、费米势：公式1-10-5：电势与费米能级的转换6、以静电势表示的载流子浓度1-10-6和1-10-7或1-10-9和1-10-107、爱因斯坦关系：反映了扩散系数和迁移率的关系。
在非热平衡状态下也成立。
公式1-10-11和1-10-12 五、非平衡载流子1、概念：平衡与非平衡（能带间的载流子跃迁）；过剩载流子2、大注入和小注入3、产生率、复合率、净复合率4、非平衡载流子的寿命：从撤销外力，到非平衡载流子消失。
单位时间内每个非平衡载流子被复合掉的概率 ，净负荷率5、载流子的寿命 ：反映衰减快慢的时间常数，标志着非平衡载流子在复合前平均存在的时间6、准费米能级1-12-1、1-12-27、直接复合、间接复合8、非平衡少子寿命与本征半导体的关系：在掺杂半导体中，非平衡少子的寿命比在本征半导体中的短， 和多子浓度成反比，即与杂质浓度成反比。
9、基本控制方程：1-15-3、1-15-4、1-15-2参考题（例子）1、请画出导体、半导体、绝缘体的能带结构示意图，并解释它们之间的区别。
2、什么是费米能级？请写出费米函数。
ττ/1τ/p ∆τ3、什么是质量作用定律？它的适用范围？4、请写出N 型和P 型半导体的费米能级公式，并解释其费米能级与掺杂浓度和温度之间的关系。
5、请画出两种杂质半导体的能级结构，并解释。
第二章 PN 结一、热平衡PN 结1、PN 结的形成，能带图形成原理以及结构（会画）2、突变和缓变PN 结3、PN 结的内建电势2-1-7和2-1-194、电势和电场的面积关系：5、泊松方程：电荷密度、电场、电势的关系E CEE C E V EF EC E F E i E V EWE M 0021=∆ψ()a d N n N p k qdx d --+-=022εψdxd E ψ-=()a d N n N p k qdx dE --+=ε二、加偏压的PN 结1、能带的变化特点：偏离平衡态，出现准费米能级（图2-5）；2、扩散近似；正向注入和反向抽取：边界处少子浓度与外加偏压的关系3、边界条件2-2-1和2-2-12三、理想PN 结的直流电流－电压特性 1、理想情况的几个假设：（1）～（4）2、能够画出正、反偏压下PN 结少子分布、电流分布和总电流示意图。
（图2-7、2－8）3、公式2-3-16及其近似2-3-224、空穴和电子的扩散长度表达式及意义。
空穴和电子的扩散长度表达式及意义（两个意义：扩散区域；少子扩散电流衰减为1/e ）。
空穴扩散区、电子扩散区四、空间电荷区的复合电流和产生电流 1、图2－11，分三个阶段低偏压：空间电荷区的复合电流占优势 偏压升高： 扩散电流占优势 更高偏压： 串联电阻的影响出现了2/1)(P P P D L τ=2/1)(n n n D L τ=五、隧道电流1、了解隧道电流的概念及产生条件。
2、江崎二极管的电流-电压特性（图2-13） 六、I-V 特性的温度依赖关系1、图2－14和2－15：在相同电压下，电流随温度升高。
七、耗尽层电容（势垒电容、结电容）和扩散电容 1、概念、形成原因2、扩散电容在低频正向偏压下特别重要。
八、PN 结二极管的频率特性 1、二极管等效电路图2-19 2、二极管直流电导或扩散电导 扩散电容九、电荷存储和反向瞬变 1、PN 结的开关作用。
2、反向瞬变和电荷存储的概念3、根据2－21的载流子分布，解释2－20所示的电流、电压特性（分三个阶段）。
十、PN 结击穿1、雪崩击穿的产生原理：碰撞电离、倍增效应。
2、齐纳击穿：由隧道效应产生TD V I g =Tp D V IC 2τ=参考题（例子）1、请画出PN结形成前后的能带图，并解释PN结形成过程。
2、什么是正向抽取和反向注入？3、耗尽层电容和扩散电容是如何形成的？4、分三个阶段解释反向瞬变。
第三章双极结型晶体管一、双极结型晶体管的结构1、NPN和PNP型晶体管的结构及电路符号。
“双极型”的解释。
2、图3－2：硅平面外延NPN晶体管的版图和截面图。
3、图3-3：硅平面外延NPN 晶体管的净掺杂浓度分布 二、基本工作原理1、四种工作模式对应的偏压情况2、图3-5 NPN 晶体管共基极放大电路图及对应能带图3、图3-6：放大工作条件下的工作电流分量：会画，解释各个电流的形成原理。
4、几个电流增益概念：发射极注射效率、基区运输因子、共基极电流增益、共发射极电流增益。
三、正向有源工作模式下的电流传输1、放大条件下，基极电流和集电极电流的表示方法。
（计算题） 图3-11四、埃伯斯－莫尔方程1、图3-15：四种工作模式下的少数载流子分布，会画。
2、图3-14：E-M 等效电路 五、缓变基区晶体管1、基区杂质分布不均；产生内建电场；加强电子漂移。
Webster 效应：相当于扩散系数增加一倍。
六、基区扩展电阻和电流聚集1、发射极电流集聚效应：基区扩展电阻的存在，使发射结电压降低，kTqV B B nB E C B E eX n qD A I /0)/(=kTqV pE E pE E E pE E pE BBE eL p qD A dx dp qD A I I /0)/(|)/(|=-=≈发射极电流集中在发射结边缘附近解决方法：采用周长/面积比很高的梳状结构。
七、基区宽度调变效应1、基区宽度调变效应：基区宽度与VCE 的关系2、Early 效应：IC 与VCE 的关系 八、晶体管的频率响应 1、截至频率的概念2、各种频率的定义：共基极截至频率、共发射极截至频率、增益－带宽乘积3、影响载流子运输的4个延迟：基区渡越时间（公式3-8-12）、发射结过渡电容充电时间、集电结耗尽层渡越时间、集电结电容充电时间。
公式3-8-15、3-8-164、Kirk 效应：也称为基区展宽效应 十、晶体管的开关特性 1、开：饱和状态关：截至状态2、理解：开－关过程与载流子的存储和运输有关，需要有一个过程3、各开关时间的定义：导通时间、上升和下降时间、贮存时间4、最重要的贮存时间：定义，与该时间相对应的载流子的存储和运输过程。
十一、击穿电压1、根据击穿条件，分析“共发射极击穿电压 比共基极击穿电压 低很多”。
0CB BV 0CE BV参考题（例子）1、当BJT工作在放大条件下时，画出电流分布2、名词解释：Webster效应、Kirk效应、Early效应3、请根据基区载流子的变化过程，解释晶体管的开关特性。
4、影响晶体管开关过程的时间是哪一个？为什么？5、计算题第六章金属－氧化物－半导体场效应管一、理想MOS结构的表面空间电荷区1、理想MOS结构的假设2、MOS 电容器的结构：半导体表面电荷层具有一定的厚度3、表面势：空间电荷区中电场的出现使半导体表面与体之间产生一个电位差4、载流子的积累、耗尽和反型：栅极电压、半导体表面载流子特点、能带图（图6-4）5、反型和强反型条件：6-1-19和6-1-20MOSFET 工作在强反型条件下。
6、导电沟道的概念二、理想MOS 电容器1、分四种情况讨论MOS 电容器的电容－电压特性：积累区、平带情况、耗尽区、反型区（高频和低频），会画图6-7和图6-9。
三、沟道电导和阈值电压1、什么是阈值电压。
公式6-3-72、沟道电导公式6-3-4四、实际MOS 的电容－电压特性1、功函数的影响、截面陷阱和氧化物电荷的影响，使平带电压VFB<02、实际的阈值电压公式6-4-12，能够解释其中4项的来源。
五、MOS 场效应晶体管1、三种工作状态：线性、开始饱和、饱和，对应的沟道变化情况2、沟道夹断的原理六、等效电路和频率响应1、截至频率的概念，公式6-6-9，截至频率与那些因素有关 SG V V ψ+=0七、亚阈值区1、亚阈值电流和亚阈值传导（弱反型）八、MOS场效应晶体管的类型九、影响阈值电压的其余因素衬底掺杂（正比）、氧化层厚度（正比）——器件隔离作用、衬底反向偏压（正比）十、器件尺寸比例1、短沟道效应：三种效应。
（线性区的阈值电压下降、迁移率场相关效应及载流子速度饱和效应、亚阈值特性退化，器件夹不断）2、按比例缩小：两种方式。
参考题（例子）1、根据V G的变化，分三段（积累、耗尽、反型）定性地解释并画出MOS系统的C-V特性图。
2、什么是MOSFET的截至频率？请写出公式，并解释与那些物理因素由关系。
3、什么是阈值电压？解释阈值电压的构成（给出公式）4、什么是按比例缩小？请写出最小尺寸与参数的关系。