金刚石薄膜
金刚石薄膜的特性及应用
7.声传播速度快, 是优良的传声材料。日 本的索尼公司已成批出售用金刚石薄膜 制造的频率达40000Hz的高保真度扬声 器。
8. 化学性能稳定, 耐腐蚀性能好。利用 该特性, 可制做核反应堆的内壁和航天器 的涂层, 还可以用作太阳能电池的减反射 膜和耐腐蚀涂层。
9.有良好的生物学性能。成都科技大学 在钦合金基体上镀金刚石薄膜制做人工 心脏瓣膜, 经测定: (1)抗凝血能力优于钦合金基体； (2)表面张力为5.4×10-2N/m, 与低温各 向同性碳接近; (3)溶血率为 3.7%, 符合标堆要求（标准 <5%)。
五、目前需要解决的问题
１.提高膜的质量和成核密度 由于制膜条件控制不当, 膜的结构成分往 往会包括金刚石相, 石墨相和碳的聚合物相, 此外还有空洞, 人们把这种膜称之为类金刚 石膜（DLC膜）。DLC膜虽然类似金刚石 膜,但毕竟比金刚石膜差, 在DLC膜中, C的 四重配位 SP３和三重配位SP2的比例对膜 的结构和性质的影响很大。一般来说, 四重 配位越多, 膜的性质越接近于金刚石。
目录
• 一、引言 • 二、金刚石薄膜的性能及其应 用 • 三、金刚石薄膜的合成方法 • 四、金刚石薄膜的分析和表征 • 五、目前需要解决的问题
三、金刚石薄膜的合成方法
1.低压化学气相沉积法（CVD法） ２.物理气相沉积法（PVD法） ３.化学气相翰运法（ＣＶＴ法）
1.低压化学气相沉积法（CVD法）
该法生长金刚石薄膜所用的原料除氢气外, 碳源多用CH4及其它碳氢化合物, 如C2H2、 C2H6、C2H8等, 用甲醇、乙醇和三甲胺等有 机化合物为原料也能生长出金刚石型薄膜 ①热丝CVD法 ②等离子体增强化学气相沉积法（PCVD )
热丝CVD法
基本原理是含碳气相组分在高温下分解 离化后沉积在基体上形成金刚石膜。 热丝CVD装置如图所示, 主要由真空反 应室, 抽真空系统, 进气控制系统和 基板加热系统组成。真空反应室是 由石英管制做的, 反应室内有热灯丝, 样品支架和测温热电偶等, 样品支架 可以转动, 抽真空系统由机械泵和 真空计组成。碳源气体和氢气按一定比 例混合后进人反应室, 其流量用质量 流量计控制, 碳源气体浓度一般<= 5%(体积比)。 。
mpcvd金刚石膜的拉曼光谱学
一、概述金刚石是一种极具硬度和热导率的材料，因其在各种工业和科学领域具有重要的应用价值。
金刚石膜的制备方法中，微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术因其制备速度快、成本低、质量稳定等优势，被广泛应用于金刚石膜的制备中。
拉曼光谱学作为一种非破坏性的表征手段，对金刚石膜的结构和性质具有重要的研究价值。
本文将就MPCVD金刚石膜的拉曼光谱学进行探讨。
二、MPCVD金刚石膜的制备1. MPCVD技术的基本原理MPCVD是一种利用微波等离子体在化学气相沉积过程中产生的活性碳原子来沉积金刚石薄膜的技术。
其基本原理是利用微波的电磁场激发离子体，使之发生电离和激发状态转变，从而产生活性碳原子。
这些活性碳原子在沉积表面上发生化学反应，生成金刚石薄膜。
2. MPCVD金刚石膜的制备步骤制备MPCVD金刚石膜包括基板表面的清洁、金刚石种子层的沉积、金刚石膜的沉积等步骤。
其中金刚石种子层的沉积是制备金刚石薄膜的关键步骤。
三、拉曼光谱学在金刚石膜研究中的应用1. 拉曼光谱的基本原理拉曼光谱是一种通过材料与激发光产生的散射光的频率差来研究物质结构和性质的方法。
在拉曼光谱中，激发光与样品分子发生相互作用后，会产生散射光。
散射光中比入射光频率低的被称为斯托克斯线，而比入射光频率高的被称为反斯托克斯线。
2. 拉曼光谱在金刚石膜研究中的应用拉曼光谱学在金刚石膜研究中，主要用于分析金刚石薄膜的晶体结构、内应力、非晶含量和氢杂质等。
通过观察拉曼光谱峰的强度、位置和形状变化，可以对金刚石薄膜的质量和结构特征进行表征。
四、MPCVD金刚石膜的拉曼光谱学研究现状目前国内外已有大量学者对MPCVD金刚石膜的拉曼光谱学进行了深入研究。
根据文献报道，MPCVD金刚石膜的拉曼光谱主要包括特征拉曼峰、线宽和位置等参数的研究。
五、MPCVD金刚石膜的拉曼光谱学研究存在的问题和挑战1. 样品表面形貌不均匀由于MPCVD金刚石膜在制备过程中容易出现表面粗糙和颗粒堆积等问题，导致样品表面形貌不均匀，进而影响了拉曼光谱的测试结果。
材料科学中的金刚石薄膜制备技术
材料科学中的金刚石薄膜制备技术近年来，材料科学领域中的金刚石薄膜制备技术引起了广泛的关注。
金刚石是世界上最硬的物质之一，具有非常优异的力学性能、磁学性能和热学性能等。
由于其优异的机械和热学性能，金刚石薄膜已广泛应用于微电子、生物医学、航空航天和高速切削加工等领域。
金刚石薄膜制备技术有多种方法，包括化学气相沉积、物理气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、离子束沉积、热解法、溅射法等。
这些方法都有自己的优势和限制，需要针对不同应用场合进行选择。
其中物理气相沉积是最常用的方法之一。
在物理气相沉积中，最常用的金刚石沉积源是石墨。
通过热解石墨在真空中形成的碳离子，然后在底板上沉积成薄膜。
这种方法制备的金刚石薄膜质量高，可控性强，具有较高的生长速率和生长面积，很适合制备大面积的金刚石薄膜。
此外，等离子体增强化学气相沉积也是一种常用的制备金刚石薄膜的方法。
它利用等离子体使一种气体解离成离子和自由基，然后将其沉积在底板上。
与物理气相沉积相比，等离子体增强化学气相沉积生长的金刚石薄膜结构更加致密，分子束需在高真空下进行，可有效控制沉积速率、形成金刚石结晶的取向、控制金刚石颗粒的大小等。
离子束沉积方法也被广泛用于制备金刚石薄膜。
离子束沉积是利用精细控制的离子束使靶材表面原子沉积在基体表面。
它具有高生长速率、大生长区域、高沉积效率和微观结构控制等特点。
这种方法需要在高真空环境下进行，因此需要昂贵的真空设备，制备成本较高。
与上述方法相似的是，热解法也是一种常见的制备金刚石薄膜的方法。
它通过热分解炔烃在真空或惰性气氛中生成金刚石结晶。
在生长过程中，金刚石薄膜的结晶取向和沉积速率都可以通过控制沉积条件来制定和改革。
这种方法具有简单、可控、可与微电子芯片制造过程相结合等优点，但由于需要高温条件和压力，对实验设备和技术人员要求较高。
溅射法则是制备金刚石薄膜的前沿研究热点之一。
该方法利用金刚石靶材的离子束轰击特定的沉积基底，通过反应在基底上沉积的碳溶质形成金刚石薄膜。
金刚石薄膜技术及其应用
金刚石薄膜技术及其应用金刚石是一种硬度极高的天然矿物，于20世纪60年代起被学界广泛研究。
随着材料科学技术的不断进步，金刚石薄膜技术也逐渐成为研究的热点之一。
本文将从金刚石薄膜技术的原理、制备方法及其应用的方面进行阐述。
一、金刚石薄膜技术原理金刚石薄膜技术主要利用化学气相沉积（CVD）的方式在基材表面生长金刚石薄膜。
这种方法通常需要高温（在800℃以上）和高气压的气氛下进行，需要一些特殊的条件。
CVD是一种利用热分解气体在表面形成固体物质的工艺。
在CVD法生长金刚石薄膜的过程中，应先将气流中的气体分离出不含杂质、单质态的纯氢气，在高温下将氢气还原出单质氢原子，在这些氢原子的作用下，金刚石的碳原子就会在基材表面上生长。
二、金刚石薄膜技术制备方法金刚石薄膜的制备方法主要分为两大类：基于低压CVD技术和基于高压CVD技术。
基于低压CVD技术中，使用的气体通常是甲烷和氢气的混合物，在真空条件下进行反应。
将这些气体通过高温反应炉，使得甲烷分解成纯碳离子。
碳离子被氢气还原后，随后沉积在准备好的表面上，形成一层金刚石薄膜。
而基于高压CVD技术，则是在准备好的基板中，使用气压较高的气体进行反应。
这种方法通常能够得到更厚的金刚石薄膜。
三、金刚石薄膜技术的应用金刚石薄膜技术的应用场景非常广泛，以下将介绍一些典型的应用场景和案例：1. 电子技术领域金刚石薄膜是一个重要的电学材料，在电子技术领域有着广泛的应用价值。
例如，金刚石薄膜是一种优秀的绝缘材料，可以用于制造高性能半导体元件、纳米晶体管和高功率器件。
2. 机械工业领域由于金刚石薄膜极其硬度极高和耐磨性能强，在机械工业领域也有着广泛的应用价值。
例如，在高速切削和精细加工方面，金刚石薄膜的应用能够明显提高加工效率和加工精度。
另外，金刚石薄膜也可以用于制造高强度、高硬度的刀具和轴承零部件。
3. 生命科学领域除此之外，金刚石薄膜技术在生命科学领域也有另外一些应用场景。
例如，金刚石薄膜可以被用作人工眼视网膜和人工髋关节等器官的材料。
金刚石薄膜
金刚石薄膜金刚石薄膜，20世纪80年代中后期迅速发展的一种优良的人工制备材料。
通常以甲烷、乙炔等碳氢化合物为原料，用热灯丝裂解、微波等离子体气相淀积、电子束离子束轰击镀膜等技术，在硅、碳化硅、碳化钨、氧化铝、石英、玻璃、钼、钨、钽等各种基板上反应生长而成。
不仅具有金刚石的硬度，还有良好的导热性、良好的从紫外到红外的光学透明性和高度的化学稳定性。
在半导体、光学、航天航空工业、大规模集成电路等领域有广泛的应用前景，已在硬质切削刀具、X射线窗口材料、贵重软质物质保护涂层等方面应用。
[1]参考资料[1] 金刚石薄膜．大辞海[引用日期2020-11-17]从20世纪70年代起，原苏联就开始了金刚石薄膜的研究工作，开发出了化学气相沉积法，即CVD法。
日本于80年代初，借鉴原苏联的技术，开发出微波CVD法（MW CVD）；美国从1984年投入力量，开始追赶。
从1987年掀起了世界范围的金刚石薄膜热；西方国家把当今世界称为新金刚石时代；1988年10月在日本东京召开“首届国际新金刚石科学技术研讨会”，16个国家、360名代表参加；1990年9月在美国华盛顿召开了第二届“新金刚石研讨会”，有18个国家、470名代表参加，发表了180篇文章，其中有一半以上是有关CVD法。
近年来，日本每年拿出1亿美元投入到薄膜开发；1991年美国政府拨款约1千万美元。
不久将来以金刚石薄膜为基础的新一代电子产品，会大量出现。
有下面几例可说明当今金刚石薄膜的生产技术水平：①1991年美国应用脉冲激光方法，在铜衬底上成功地合成出金刚石单晶；②日本于1991年取得金刚石薄膜沉积速度达1000μm/h的水平；③1991年，乌克兰超硬材料研究所研制出直径达半米的薄膜，并向一米直径进军；④金刚石薄膜的沉积温度，已降至350℃。
我国“七五”规划863工程金刚石薄膜开发项目执行以来，已有30多个大学及院所，以及公司从事开发研究，取得可喜的进展，大多数国外采用的方法国内均有并已达到了实际应用水平。
金刚石薄膜的性质、制备及应用
金刚石薄膜的性质、制备及应用金刚石薄膜因其独特的物理、化学性质而备受。
作为一种具有高硬度、高熔点、优良光学和电学性能的材料，金刚石薄膜在许多领域具有广泛的应用前景。
本文将详细探讨金刚石薄膜的性质、制备方法以及在各个领域中的应用，旨在为相关领域的研究提供参考和借鉴。
金刚石薄膜具有许多优异的物理和化学性质。
金刚石是已知的世界上最硬的物质，其硬度远高于其他天然矿物。
金刚石的熔点高达3550℃，远高于其他碳材料。
金刚石还具有优良的光学和电学性能。
其透明度较高，可用于制造高效光电设备。
同时，金刚石具有优异的热导率和电绝缘性能，使其在高温和强电场环境下具有广泛的应用潜力。
制备金刚石薄膜的方法主要有物理法、化学法和电子束物理法等。
物理法包括热解吸和化学气相沉积等，可制备高纯度、高质量的金刚石薄膜。
化学法主要包括有机化学气相沉积和溶液法等，具有沉积速率快、设备简单等优点。
电子束物理法是一种较为新兴的方法，具有较高的沉积速率和良好的薄膜质量。
各种方法的优劣和适用范围因具体应用场景而异，需根据实际需求进行选择。
光电领域：金刚石薄膜具有优良的光学性能，可用于制造高效光电设备。
例如，利用金刚石薄膜制造的太阳能电池可将更多的光能转化为电能。
金刚石薄膜还可用于制造高品质的激光器、光电探测器和光学窗口等。
高温领域：金刚石的熔点高达3550℃，使其在高温环境下具有广泛的应用潜力。
例如，金刚石薄膜可应用于高温炉的制造，提高炉具的耐高温性能和加热效率。
金刚石薄膜还可用于制造高温传感器和热电偶等。
高压力领域：金刚石具有很高的硬度，使其在高压环境下保持稳定。
因此，金刚石薄膜可应用于高压设备的制造，如高压泵、超高压测试仪器等。
金刚石薄膜还可用于制造高精度的光学镜头和机械零件等。
本文对金刚石薄膜的性质、制备及应用进行了详细的探讨。
作为一种具有高硬度、高熔点、优良光学和电学性能的材料，金刚石薄膜在光电、高温、高压力等领域具有广泛的应用前景。
金刚石薄膜 退火处理
金刚石薄膜退火处理全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：金刚石是自然界中最坚硬的材料之一，具有优异的导热性和化学稳定性，因此被广泛应用于各种领域，如电子、光电、医疗等。
金刚石薄膜是一种人工合成的金刚石材料，具有比天然金刚石更高的硬度和稳定性。
金刚石薄膜在制备过程中可能会存在一些缺陷和应力，影响其性能和稳定性。
为了提高金刚石薄膜的质量和稳定性，通常需要进行退火处理。
退火是金刚石薄膜制备过程中的一道重要工艺，其目的是通过加热和冷却过程来缓解应力和消除缺陷，从而提高金刚石薄膜的硬度和稳定性。
退火处理通常分为两种类型：热退火和光热退火。
热退火是指将金刚石薄膜置于高温炉中加热一段时间，然后缓慢冷却至室温，以实现应力缓解和缺陷消除。
光热退火则是利用激光或其他光源直接照射金刚石薄膜表面，通过局部加热来实现退火效果。
退火处理对金刚石薄膜性能的影响是多方面的。
退火处理可以有效减少金刚石薄膜中的残余应力和缺陷，提高其硬度和稳定性。
退火处理还可以改善金刚石薄膜的结晶结构和晶粒尺寸，提高其导热性和光学性能。
退火处理还可以使金刚石薄膜与衬底之间的结合更加均匀牢固，提高其使用寿命和可靠性。
在进行金刚石薄膜退火处理时，需要考虑一些关键因素。
首先是退火温度和时间的选择，通常需要根据金刚石薄膜的具体制备工艺和性能要求来确定最佳的退火参数。
其次是退火过程中的气氛控制，如保护气氛和真空度的选择，可以有效减少金刚石薄膜的氧化和污染。
退火过程中的加热速率和冷却速率也需要适当控制，以避免金刚石薄膜因快速温度变化而产生裂纹和应力。
金刚石薄膜退火处理是一项复杂而重要的工艺，可以显著改善金刚石薄膜的性能和稳定性。
通过合理设计和控制退火工艺参数，可以实现金刚石薄膜的优化和定制化，满足不同领域的需求。
未来，随着金刚石薄膜制备技术和退火工艺的进一步发展，金刚石薄膜在更广泛的应用领域中将发挥更重要的作用。
第二篇示例：金刚石薄膜是一种新型的材料，在各个领域都有着广泛的应用。
金刚石薄膜分类
金刚石薄膜分类金刚石薄膜是一种具有广泛应用前景的新型材料，其独特的性能和结构使其在各个领域中发挥着重要作用。
本文将从金刚石薄膜的制备方法、特性和应用领域等方面进行介绍，以期能够让读者对金刚石薄膜有一个全面的了解。
一、制备方法金刚石薄膜的制备方法主要有化学气相沉积法、物理气相沉积法和化学液相沉积法等。
其中，化学气相沉积法是最常用的制备金刚石薄膜的方法之一。
该方法通过在适当的反应条件下，使金刚石晶体在基底表面上沉积形成金刚石薄膜。
物理气相沉积法则是利用高能离子束或激光束对金刚石靶材进行轰击，使其脱离靶材并沉积在基底表面上。
化学液相沉积法则是利用一定的溶液体系，在适当的温度和压力下，使金刚石晶体在基底表面上沉积形成金刚石薄膜。
二、特性金刚石薄膜具有许多优异的特性，使其在各个领域中得到广泛应用。
首先，金刚石薄膜具有极高的硬度和耐磨性，是目前已知最硬的材料之一，能够抵抗各种外力的损伤和磨损。
其次，金刚石薄膜具有优异的导热性能，能够快速将热量传导到基底材料中，有效地提高了器件的散热效果。
此外，金刚石薄膜还具有良好的化学稳定性和生物相容性，不易受到化学物质的腐蚀和生物体的排斥，可以在恶劣的环境中长时间稳定地工作。
三、应用领域由于金刚石薄膜的特殊性能，它在多个领域中都有广泛的应用。
首先，在电子领域，金刚石薄膜被用作半导体材料的衬底，可以提高器件的性能和稳定性。
其次，在光学领域，金刚石薄膜被用于制备高效率的光学器件，例如激光器和太阳能电池等。
再次，在机械领域，金刚石薄膜被用作润滑材料，可以减少机械零件之间的摩擦和磨损。
此外，金刚石薄膜还可以应用于生物医学领域，用于制备生物传感器和人工关节等医疗器械。
金刚石薄膜是一种具有广泛应用前景的新型材料。
通过不同的制备方法，可以得到具有不同特性的金刚石薄膜。
这些特性使其在电子、光学、机械和生物医学等领域中得到了广泛的应用。
随着科技的不断进步和发展，相信金刚石薄膜将在更多领域中发挥重要作用，为人类的生活和工作带来更多的便利和创新。
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表3 各种气 热丝法 直流放电法（低压）
速率/
（m / h）
30~100
面积 /cm2
<1
0.3~2
100
〈0.1
70
质量/拉 曼测试
衬底
金刚石薄膜及其应用
--Diamond Carbon Films
概述
金刚石是自然界中硬度最高的物质，金刚石的 热导率是所有已知物质中最高的，室温（300K） 下金刚石的热导率是铜的5倍。
金刚石是一种宽禁带材料，其禁带宽度为5.5eV，
因而非掺杂的本征金刚石是极好的电绝缘体，
它的室温电阻率高达
图1 碳的相图
各种动力学因素：
反应过程中输入的热能或射频功率等的等离子体能量、反 应气体的激活状态、反应气体的最佳比例、沉积过程中成 核长大的模式等对生成金刚石起着决定性的作用。
选用与金刚石有相同或相近晶型和点阵常数的材料作基片， 降低金刚石的成核势垒。却提高了石墨的成核势垒。
石墨在基片上成核的可能性仍然存在，并且一旦成核，就 会在其核上高速生长，还可能生成许多非晶态碳，因此， 需要有一种能高速除去石墨和非晶态碳的腐蚀剂，相比之 下，原子氢是最理想的腐蚀剂，它能同时腐蚀金刚石和石 墨，但它对石墨的腐蚀速率比腐蚀金刚石的速率高30~40 倍，这样就能有效地抑制石墨相的生长。
衬底材料
大面积 生长速率
掺杂
外延生长 选择性生
长 低温生长 缺陷控制
超薄膜
Si, Mo, Cu, WC, 石英，石墨，高 Si, Mo, Cu, WC, 石英，石墨，高压金刚石，
压金刚石，天然金刚石，金刚石复 天 然 金 刚 石 ， 金 刚 石 复 合 片 ，
合片， c BN, Ta, Si3 N 4 , Al2 O3
1016 Ω cm
金刚石透光范围宽，透过率高，透射性能优良。
金刚石具有极好的抗腐蚀性和优良的耐气候性 等特点。
概述
研究证实，用化学气相沉积法制备的金刚石薄 膜，其力学、热学、光学等物理性质已达到或 接近天然金刚石。
这些优异性能使得它在机械工业、电子工业、 材料科学及光学领域中有着广阔的应用前景， 是一种新型材料。
天然金刚石 100001)
440~5901) 12001） 201) 180001）
3.6 2.41 5.5 225nm 至远红外 2) 1016
高质量 CVD 金刚石多晶薄膜 9000~10000
接近天然金刚石 10~20
2.8~3.5 2.4 5.5
接近天然金刚石 >1012
表2 国内外金刚石薄膜的研究情况对照
表1列出了天然金刚石与CVD金刚石薄膜的主 要物理性能的比较。
表1 天然金刚石和CVD金刚石薄膜的物理性质
物理性质 硬度/（kg/mm2） 体积模量/GPa 杨氏模量/GPa 热导率/[W/(cm·K)],300K 纵波声速/(m/s) 密度/(g/cm3) 折射率（590nm 处） 能带间隙宽度/eV 透光性 电阻率/（ Ω cm ）
100 以上
c BN ,W , Al2O3 ，高速钢，Ta, Ni, 钢，Pt,
Si3N4
微波等： 150 以上；热灯丝： 300
65m / h
100μm/h 以上，最高达 930μm/h
掺 B，p 型半导体，1Ω cm 以下； 掺 B，p 型半导体，1010 cm
离子注入
0.1m / h ）
厚为 50nm 的金刚石连续薄膜
金刚石薄膜的结构
金刚石虽是一种原子构成，但是它的晶格是 一个复式格子，由2个面心立方的布喇菲原 胞沿其空间对角线位移1/4的长度套购而成， 金刚石结构的结晶学原胞如图所示，在1个 面心立方原胞内有4个原子，这4个原子分别 位于4个空间对角线的1/4处。
金刚石结构
金刚石薄膜的制备方法
图1是碳的相图，从碳的相图看，只有离子束法 需高真空，而热丝CVD法和微波等离子体CVD 法在低真空下就能合成金刚石薄膜，直流等离 子体喷射法和火焰法可以在常压下进行。
这些区域都是石墨的稳定区和金刚石的亚稳区， 既然是金刚石的亚稳区，就有生成金刚石的可 能性。然而，由于两相的化学位十分接近，两 相都能生成。
微波等离子体法 （ECR2.45GHz）
180
1（低压） 30（高压）
0.1
〈2 + + + 〈2 + + +
-/+
3
+++
40
+++
〈40 -/+
Si,Mo Mo,Si
快速，晶质好 高速，晶质好
面积太小 面积较小，有缺陷
Si,Mo,BN,Ni 氧化硅
Mo
氧化硅， Mo ,Si,WC
速率高
晶质好，稳定性 好
掺 P，n 型半导体，100 cm（不适器件制备）
同质外延：（100），（110），（111） 同质外延：（100），（110）和（111）
异质外延： c BN 、Si、Ni
在硅衬底实现了金刚石薄膜的选 在硅衬底实现了金刚石薄膜及单个金刚石颗
择性生长
粒的选择性生长
400℃
300~400℃
基本无缺陷的金刚石颗料（生长速率
+ + + Si, Mo,TiN
+++ +
Si, Mo，氧 化硅等
Si, Mo氧化 硅等
优点 简单 简单，大面积 简单，大面积
缺点 面积小，稳定性差 易受污染 晶质不好，速率低
直流放电法（中压） 20~25
直流等离子喷射法
930
RF法（低压）
〈0.1
RF法（101325Pa）
微波等离子体法 （0.9~2.45GHz）
低压，面积适中
速率低，晶质差、 易污染 面积小，不稳定 速率低、面积小
速率低，质量不太 好
低压合成金刚石薄膜的机理
金刚石可以不在碳相图的稳定区内生成，而在金刚 石的亚稳态区生成，这已由大量的实验所证实。
各种动力学因素：
通常用甲烷进行热解沉积。由于石墨的生成自由能大于金 刚石，当提高甲烷浓度时，石墨的生长速率将会提高，而 且比金刚石还快，故一般采用低于1%的甲烷含量。
若沉积基片的温度超过1000℃，则石墨的生成速率就会大 幅度增加，考虑到工艺上的可能性，基片温度约为 800~1000℃。
原子氢的存在有利于稳定sp3键。为了得到较高比例的原 子氢，采用微波、射频或直流电弧放电，热丝或火焰分解， 以及催化等方法。