第14章 MOS开关电容电路

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mos开关电路原理图

mos开关电路原理图

mos开关电路原理图MOS开关电路原理图。

MOS开关电路是一种常用的电子电路,它具有高速开关和低功耗的特点,广泛应用于数字电路、模拟电路和功率电子领域。

本文将介绍MOS开关电路的原理图及其工作原理。

MOS开关电路由MOS管组成,MOS管是一种场效应晶体管,由金属氧化物半导体构成。

MOS管有N沟道型和P沟道型之分,分别用于NMOS和PMOS开关电路。

NMOS开关电路的原理图如下图所示:[图1,NMOS开关电路原理图]在NMOS开关电路中,当输入端施加高电平时,MOS管导通,输出端接地;当输入端施加低电平时,MOS管截止,输出端高阻。

PMOS开关电路的原理图如下图所示:[图2,PMOS开关电路原理图]在PMOS开关电路中,当输入端施加低电平时,MOS管导通,输出端接地;当输入端施加高电平时,MOS管截止,输出端高阻。

MOS开关电路的工作原理是基于MOS管的导通特性。

当MOS管的栅极施加一定电压时,形成电场,使得沟道导电。

通过控制栅极电压,可以实现MOS管的导通和截止,从而实现开关功能。

MOS开关电路具有高速开关和低功耗的特点,适用于数字信号处理、模拟信号开关和功率控制等领域。

在数字电路中,MOS开关电路可以实现逻辑门、触发器和寄存器等功能;在模拟电路中,MOS开关电路可以实现信号开关、模拟开关和运算放大器等功能;在功率电子领域,MOS开关电路可以实现电源开关、逆变器和变换器等功能。

总之,MOS开关电路是一种功能强大的电子电路,具有广泛的应用前景。

通过合理设计和优化,可以实现高性能、低功耗的电子系统。

希望本文对MOS开关电路的原理和应用有所帮助,谢谢阅读!。

MOS管开关电路图九种简单的简易详解

MOS管开关电路图九种简单的简易详解

MOS管开关电路图九种简单的简易详解
今天我们分享的是,MOS管开关电路图九种简单的简易详解,请看下方
第一种:mos管开关电路图
MOS管的开关特性
静态特性
MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。

由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

工作特性如下:
※uGS<开启电压UT:MOS管工作在截止区,漏源电流iDS基本为0,输出电压uDS≈UDD,MOS管处于“断开”状态,其等效电路如下图所示。

※ uGS>开启电压UT:MOS管工作在导通区,漏源电流iDS=UDD/(RD+rDS)。

其中,rDS为MOS管导通时的漏源电阻。

输出电压UDS=UDD·rDS/(RD+rDS),如果rDS>>RD,则uDS≈0V,MOS管处于“接通”状态,其等效电路如上图(c)所示。

动态特性
MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。

下图(a)和
(b)分别给出了一个NMOS管组成的电路及其动态特性示意图。

高二物理竞赛:MOS开关及其等效电路+课件

高二物理竞赛:MOS开关及其等效电路+课件
绝缘栅场效应管
场效应管特点
只有一种载流子参与导电;
输入电阻高; 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、 成本低。
绝缘栅型场效应管
由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导 体场效应管,或简称 MOS 场效应管。
特点:输入电阻可达 109 以上。
类型
N 沟道 P 沟道
增强型 耗尽型
增强型 耗尽型
耗尽型场效应管:VGS = 0时漏源间存在导电沟道的MOS管 增强型场效应管:VGS = 0时漏源间不存在导电沟道的MOS管
N 沟道增强型 MOS 场效应管 1. 结构
源极
栅极 漏极
S
SiO2 G
D
D
N+
N+
G
P 型衬底
S
P 沟道增强型 MOS 场效应管
源极 S
栅极 SiO2 G
漏极 D
P+
P+
MOS开关及其等效电路
MOS开关及其等效电路
1 高、低电平产生的原理
当S闭合,O=0 V
(低电平)
当S断开, O=+5 V (高电平)
vI
+5
V R
R
vo
S
理想的开关应具有两个工作状态: 接通状态:要求阻抗越小越好,相当于短路。 断开状态:要求阻抗越大越好,相当于开路。
(b)带拉电流负载
0 1 1 电流方向? 1 0
VGVGVGGGS
S SS
G GG
DD
N+NN++
N+NN++
P 型P 衬型底衬夹底断区 P 型衬底
BB
由于夹断区的沟道电阻很大,VDS 逐渐增大时,导电 沟道两端电压基本不变,ID 因而基本不变。

mos大电流电源开关电路

mos大电流电源开关电路

mos大电流电源开关电路MOS大电流电源开关电路是一种使用MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)来实现电源通断控制的电路。

MOS管具有高输入阻抗、低导通电阻和易于控制的优点,因此在电源开关电路中得到了广泛应用。

以下是一个基本的大电流电源开关电路:电路元件主要包括:1. 主开关MOS管(M1):负责控制电源的通断。

2. 偏置电阻(R1):为MOS管提供正向偏置电压。

3. 电感(L1)和电容(C1):用于抑制开关过程中产生的电磁干扰(EMI)和减小电压脉冲。

4. 负载电阻(R2):为电源负载提供电流。

5. 保护元件:如保险丝、TVS二极管等,用于防止电路过载和短路等异常情况。

在工作过程中,当控制信号(如开关信号、PWM信号等)作用于MOS管的栅极时,MOS管导通,电源向负载提供电流;当控制信号消失时,MOS管关断,电源与负载断开。

为了提高电路的性能,可以对电路进行优化:1. 选择合适的MOS管:根据电路需求选择具有合适导通电阻、漏极电流和开关速度的MOS管。

2. 优化偏置电阻:适当增大偏置电阻,可以降低MOS管的导通电阻,提高电路的工作效率。

3. 采用软开关技术:通过使用谐振电路或其他软开关技术,可以减小开关过程中的损耗,提高电路的寿命。

4. 添加滤波电容:增大滤波电容,可以减小电源输出电压的波动,提高电路的稳定性。

5. 优化保护电路:根据实际需求,选择合适的保护元件,并合理设置保护阈值,以确保电路的安全可靠。

总之,MOS大电流电源开关电路在众多应用场景中发挥着重要作用。

通过合理设计电路元件和优化电路性能,可以实现高效、稳定、安全的电源控制。

mos管开关电路原理

mos管开关电路原理

mos管开关电路原理摘要:本文将介绍mos管开关电路的基本原理,并探讨其应用和特点。

mos管作为一种重要的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中的开关电路中。

mos管开关电路具有低功耗、高稳定性和快速响应等特点,成为现代电子技术中不可或缺的组成部分。

一、mos管的基本结构和工作原理mos管即金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),它由金属层、氧化物层和半导体层构成。

mos管可以分为n沟道型(nMOS)和p沟道型(pMOS)两种类型,其工作原理基本相同。

mos管的工作原理可简单描述为:在mos管的栅极施加一定电压时,栅极和源极之间的氧化物层形成一个绝缘层,控制着漏极和源极之间的导电通道的导电性。

当栅极电压为正时,nMOS管的导电通道打开,pMOS管的导电通道关闭;当栅极电压为负时,nMOS 管的导电通道关闭,pMOS管的导电通道打开。

通过控制栅极电压的变化,可以实现mos管的开关控制。

二、mos管开关电路的应用mos管开关电路被广泛应用于各种电子设备中,其中包括但不限于以下几个方面:1. 逻辑门电路:mos管开关电路可以用来实现各种逻辑门电路,如与门、或门、非门等。

通过组合不同的mos管开关电路,可以构建复杂的逻辑功能,实现数字电路的设计和控制。

2. 数字信号处理:mos管开关电路常用于数字信号处理中,用来实现信号的放大、滤波、开关控制等功能。

通过控制mos管开关电路的导通和截止,可以实现对数字信号的精确处理和控制。

3. 电源管理:mos管开关电路在电源管理中起到关键作用。

例如,DC-DC变换器中使用mos管开关电路实现电压的升降转换;电池保护电路中使用mos管开关电路实现对电池的充放电控制等。

mos 管开关电路能够提供高效的电源管理和保护功能。

4. 瞬态保护:mos管开关电路还可用于实现电路的瞬态保护。

开关电容电路

开关电容电路
⎛ WLCox ⎞ WLCox ⎟Vin − (VDD − Vthn ) = ⎜1 + ⎜ ⎟ CH ⎠ CH ⎝
MOS采样开关的误差
因此,电荷注入效应引起的输出误差可分成: a) 增益误差: Vout WLCox = 1+ 表现为非单位增益。 Vin CH WLCox b) 固定的失调电压误差: ΔVout = (VDD − Vthn ) CH c) 非线性误差: 考虑体效应,引入阈值电压和输入电压的非线性关系
开关电容放大器
放大:S1和S2断开,S3导通
t = t0 Vin = V0
因为,x点电荷守恒,注入问题。 考虑S2的注入: S2比S1先关断,S2 的沟道电荷注入采样开关。 对NMOS开关, Δq = W2 L2Cox (Vck − Vx − Vth )
Vout R =− 2 Vin R1
是一个反相放大器。 若运放的增益不是无限大,则可能引入误差。 当输出阻抗很高时,电阻R2使运放增益下降,误差增加。 电阻的工艺绝对误差很大,而电容的工艺绝度误差相对较小 问题:为什么不能用电容代替电阻?
基本概念
在反相放大器中,用电容代替电阻。 如图:若运放增益无限大,则:
基本概念
上述开关电容电路的特点: 工作分二个过程: 采样:对模拟输入信号进行采样,没有放大功能。 放大:对采样输入信号进行放大,而不是处理连续信号 放大需要一定的时间,使输出达到一定的精度。 因为放大过程是电荷转换过程,需要充放电电流。 电路需要一个时钟来确定每个阶段。因此开关电容电路是 一种离散时间系统。 和电阻负载相比,电容负载不会影响运放的输出阻抗。 电容易匹配,精度高。 虚地必须是高阻,使电荷不会损失。因此,适用于MOS管
Vout C =− 1 Vin C2

mos管典型开关电路

mos管典型开关电路

mos管典型开关电路
MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导
体器件,常用于开关电路中。

MOS管的典型开关电路包括MOSFET
(金属氧化物半导体场效应晶体管)和CMOS(互补金属氧化物半导体)电路。

MOSFET是一种三端器件,包括栅极(Gate)、漏极(Source)
和源极(Drain)。

在典型的开关电路中,MOSFET可以用作开关来
控制电流的通断。

当栅极施加正电压时,会形成电场,使得漏极和
源极之间形成导通通道,电流得以通过,此时MOSFET处于导通状态;当栅极施加负电压或者不施加电压时,电场消失,通道关闭,电流
无法通过,MOSFET处于截止状态。

这种特性使得MOSFET在数字电
路中被广泛应用,用于开关控制和放大信号。

CMOS电路是一种由PMOS(P型MOS)和NMOS(N型MOS)组成
的互补型MOS电路。

CMOS电路在数字集成电路中得到广泛应用,其
典型的开关电路包括逻辑门电路和触发器电路。

在CMOS逻辑门中,
当输入信号为高电平时,NMOS管导通,PMOS截止,输出为低电平;
当输入信号为低电平时,NMOS截止,PMOS导通,输出为高电平。


种结构使得CMOS电路具有低功耗、高噪声容限和良好的抗干扰能力,
因此被广泛应用于集成电路中的数字逻辑电路和存储器电路中。

总的来说,MOS管在典型的开关电路中发挥着重要作用,无论是作为单独的MOSFET还是组成的CMOS电路,它们都在数字电路和集成电路中发挥着重要的作用。

MOS管电路工作原理及详解ppt课件

MOS管电路工作原理及详解ppt课件

但UG比US大(或小)多少伏时MOS管才会饱和导通呢?
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电路符号
饱和导通问题:
UG比US大(或小)多少伏时MOS管才会饱和导通呢? 这要看具体的MOS管,不同MOS管需要的压差不同。
在笔记本主板上用到的NMOS可简单分作两大类: 信号切换用MOS管: UG比US大3V---5V即可,实际上只
输入
S极
G极
N沟道
PMOS管正确接法:
S极接输入;D极接输出。
假如反接:
D接输入,S接输出。
输出
S极
G极
P沟道
D极
输出
由于寄生二极管直接导通,因此
S极电压可以无条件到D极,MOS
管就失去了开关的作用。
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D极
输入
同样失去了开关作用。
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电路符号
小结:“MOS管的开关条件”
前面解决了MOS管的接法问题,接下来谈谈MOS管的 开关条件:
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图1
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电路符号
两张截图里, 你发现了几处错误?
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答案在文档最后面。
图2
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实物
实物篇
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实物 看看这些MOS管:
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呵呵,都是很常见的吧? 能告诉大家, 哪个脚是S(源极)吗?
哪个脚是D(漏极)?
G(栅极)呢? 是P沟道还是N沟道MOS? 呵呵,这个有点难哦。
如果MOS管用作隔离时,(不论N沟道还是P沟道), 寄生二极管的方向一定是和主板要实现的单向导通方向 一致。
笔记本主板上用PMOS做隔离管的最常见,但也有极少 的主板用NMOS来实现。
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第14章 MOS开关电容电路
概述 14.1 开关电容等效电阻电路 14.2 开关电容积分器 14.3 开关电容低通滤波器
作业
概述
MOS开关电容电路(SC电路)是由MOS模拟开关和MOS电 容组成,电路在时钟信号的控制下,完成电荷的存储和 转换。它和运放、比较器等基本电路组合起来,可以构 成多种功能的电路。如SC等效电阻电路、SC积分电路、 SC滤波电路等。 为了突出对开关电容基本工作原理的论述,假定各元 件具有理想特性,即模拟开关的导通电阻为零,关断电 阻为无限大,不存在寄生电容;并假定模拟开关栅电压 的设计满足使开关正常工作的条件。此外还假定MOS电 容没有损耗;不考虑时钟信号的上升、下降沿;运算放 大器的增益和输入电阻足够高,并且频带足够宽。 用MOSFET构成的模拟开关可 用简单的单掷开关符号表示。
(1)采样频率fc应比信号最高频率fs高得多,即要求fc>>fs, 才能使被采样的信号不失真地被还原。
(2)1端和2端的电压V1和V2不能受开关闭合的影响,这样可 避免开关闭合时,引起电路瞬变和瞬时信号电平的变化。
二、串联型开关电容等效电阻电路 当φ为高电平时,M1导通M2截止, 电容C1上存储电荷量Q为:Q=C1(V1V2)。 当φ为低电平时,M2导通M1截止,电容C1通过M2放电, 电容C1上电荷量变为零。
作业
14.1、14.2、14.3、14.4
CP的存在改变了积分器的特性,而且CP是随加在其两 端电压的不同而变化的非线性电容,这就失去了开关电 容积分器易于得到准确和稳定的时间常数的优点。然而 这些电容是在制造开关电容积分器时不可避免的,因此 需要设法在电路结构上解决。
当φ为高电平时,开关S1、S2接通,S3、S4断开,此 时输出电压Vo为 CP2和C1被充电到等于Vi的电压,而CP3因为和运算 放大器的输入端相连,所以两端的电压为零。 在φ为低电平时,S1和S2断开,S3和S4接通,此时 CP2、CP3和C1被短路。 可见,在一个时钟周期内,CP2和CP3都不会影响电 路中电荷的正常转移,从而消除了寄生电容对积分器 性能的影响。
14.1 开关电容等效电阻电路
SC等效电阻电路由MOS模拟开关和MOS电容组成, 这种电路可以等效为一个电阻。
根据MOS开关和MOS电容在电路中的连接方式不 同,可以分为串联型和并联型两种。 规定所有的MOS开关和MOS电容均接在串臂的, 称为串联型。
MOS开关或MOS电容或它们两者均接在并臂的, 称为并联型。
在开关接通和断开的一个周期Tc内,电容C1上的电荷 变化量△Q为:△Q=C1(V1-V2)。可见,△Q与并联型SC 等效电阻电路在开关接通和断开的一个周期内电容C1上 的电荷变化量相同。所以此电路在一个周期Tc内,1端 向2端传递的平均电流和此电路的等效电阻Reff的表达式, 与并联型SC等效电阻电两个MOS模拟开关管M1、M2分别受两 相互补时钟控制,它们具有同频、相位 相反、振幅相等而不重叠的特性。 当φ为高电平时,M1导通M2截止, 相当于简化图中的开关S1接向l端。电 压V1向电容Cl充电至V1,此时电容C1 上储存的电荷量为Q1=Cl.V1。 当φ为低电平时,M2导通M1截止,相当于开关S1接向 2端。电容C1通过2端的负载放电形成电压V2,电容Cl上 储存的电荷量为Q2=Cl.V2 。在这个过程中,通过电容C1 从1端传送至2端的电荷量△Q为
14.3 开关电容低通滤波器
只利用MOS开关和电容即可构成简单的滤波器,不需 要制作电阻。此外,网络的频率响应取决于时钟频率及 两个电容的比值,而与电容的绝对数值无关。
对于有源低通滤波器,因要求RC乘积大,而且精度高, 故这种电路过去一直难以实现集成化。SC电路的出现, 解决了这一难点。因为SC低通滤波电路不仅不需用电阻, 而且电路的截止频率和电压增益只与电容比有关,而与 电容的绝对值无关。因此开关电容的利用,为滤波器的 单片集成找到了理想的途径。目前,开关电容滤波器已 成为大规模集成电路研究领域中的一个重要方面。
14.2 开关电容积分器
当fc一定时,SC积分器的传递函数只与C1和C2的比值 有关,而与它们的绝对值无关。
在集成电路工艺中,要获得精确的电容值很难,而要 获得精确的电容比却不难实现。采用特种工艺,电容比 的精度可达到0.0l%,并且具有良好的温度稳定性。 这种积分器的缺点是寄生电容的影响较大。
CPl是模拟开关管M1源-衬底的寄生电容,CP2和CP3是M1和M2的 漏—衬底电容以及与电容C1相关的上极板和互连线的寄生电容, CP4是M2的源—衬底电容和运算放大器的输入电容,CP5和CP6是与 积分电容C2相关的上下极板的寄生电容。 各寄生电容对电路性能的影响不同,CPl与信号源并联,通常信 号源内阻较小,所以CPl的影响可忽略。 CP2和CP3直接与C1并联, 其影响必须考虑,令CP=CP2+CP3,C1’=C1+CP。若运算放大器具 有理想特性,则CP4和CP5的影响可以忽略,可以看作运算放大器 负载的电容CP6的影响也可忽略。综上所述,如果输入信号源的内 阻足够小,且运算放大器具有理想特性,则只需考虑CP2和CP3的 影响,其作用相当于使C1的值增加了Cp。
时间常数将只取决于时钟频率和两个电容Cl和C的比值。而时钟 频率通常比较稳定、准确,所以时间常数将主要取决于C1/C。在 MOS集成电路工艺中,两个电容的比值主要取决于电容的版图设计 尺寸和光刻偏差,这些是比较容易控制的。所以,把电阻比和时 间常数的精确控制归结到电容比值的控制是非常有利的。 开关电容电路易于实现稳定、准确的时间常数。而在模拟电路 中常遇到与时间有关的特性,如频率特性、延迟特性等,因此 MOS开关电容电路得到了广泛的应用,并促进了模拟集成电路的 发展。 要注意两个条件:
当电容C1固定时,改变时钟频率可以调节等效电阻的大小。 同时,只要精确控制时钟频率和电容C1的数值,就可以得到精 确的等效电阻。而要做到这一点,比直接做一个精确的电阻要容 易得多,而且可以缩小芯片面积。例如,一般MOS电容C1的数值 在0.1~100pF左右,如果取C1=lpF,时钟频率fc=100kHz,则 可得到一个10MΩ的等效电阻。而一个lpF的MOS电容的面积约为 0.0lmm2,为制造10MΩ电阻所需面积的1%。故采用MOS模拟开关 电容电路代替电阻,将大大有利于MOS模拟电路集成度的提高。
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