XRD和荧光光谱的简单教程
X射线荧光光谱
矿物成分分析 环境分析 陶瓷材料分析 催化剂成分分析 薄膜厚度测定 X射线荧光光谱法具有谱线简单、无损检测等特 点，应用不断扩大，已成 主要局限性
不能分析原子序数小于5的元素 分析灵敏度不高 对标准试样的要求很严格
1.2 X射线荧光的产生
X射线的能量与原子轨道能级差的数量级相等， 待测元素经X射线照射后，发生X射线吸收， 原子内层电子（如K层）受到激发，逐出一个 电子，形成一个空穴，此时，较外层（如L层） 上的电子发生跃迁来填补这个空穴，这时就 会发出特征的X射线。
X射线激发电子弛豫过程示意图
1.3 俄歇效应
发 射K层X射 线 数 产 生K层 空 穴 数
一般来说，对于原子序数小于11的元素以发 射俄歇电子为主，而原子序数大于11的元素 以发射X荧光射线为主，因此 XRF法更适合分析原子序数较大元素。
2. X射线荧光法定性分析
对于每种元素来说，由于各自的能级分布不同，所发射出 的能量（或波长）互不相同，称为特征谱线。特征谱线的 频率取决于电子跃迁的始态和终态的能量差。
X射线荧光光谱
1.原理
X射线光谱分析法包括： X射线荧光光谱法（XRF） X射线衍射光谱法（XRD） X射线荧光光谱法是利用元素内层电子跃迁产生 的荧光光谱，应用于元素的定性、定量分析， 特别适合于固体表面成分分析。
1.1 什么是X射线
X射线是介于紫外线和 射线之间的一种电磁 辐射，波长范围0.001~10nm,波长大于0.1nm 的X射线称“软”X射线，而波长较长的X射线 称“硬”X射线。X射线与物质作用产生衍射 现象，这是X射线作为电磁波的特征，X射线 也可看作具有一定能量的光子。
当较外层电子跃迁到空穴时，所释放出的 能量随即在原子内部被吸收又释放出另一 个较外层的电子时，此效应称为俄歇效应。 而所产生的新的光电子叫俄歇电子。它的 能量是特征的与入射辐射的能量无关。
xrd的使用方法
xrd的使用方法X射线衍射（XRD）是一种常用的材料科学分析技术，用于研究晶体结构和结构性质。
本文将介绍XRD的基本使用方法，帮助初学者更好地利用这一技术。
首先，在进行XRD实验之前，我们需要准备样品。
样品可以是晶体粉末或薄片。
对于粉末样品，需要将其细磨成均匀的粉末，而对于薄片样品，则需要制备薄片并确保表面光洁。
准备好样品后，将样品放置在XRD仪器的样品台上。
接下来，调整XRD仪器的参数。
主要的参数包括入射角、散射角、扫描范围和扫描速度。
入射角和散射角是X光束与样品的夹角，可以根据具体实验要求进行调整。
扫描范围决定了XRD仪器可以覆盖的角度范围，一般根据待测样品的预期衍射峰位置来设置。
扫描速度则影响到数据采集的时间，一般可以根据实际情况进行选择。
当调整完参数后，开始进行数据采集。
XRD仪器会扫描样品在不同散射角下的衍射强度。
通过记录衍射强度与散射角的关系，我们可以获得样品的衍射谱。
这个衍射谱中的峰代表了样品的晶格结构和晶体取向信息。
根据衍射峰的位置、强度和宽度，我们可以推断样品的晶体结构参数，例如晶胞常数和晶体取向等。
最后，数据分析是使用XRD进行材料研究的关键一步。
我们可以利用专业软件对衍射数据进行拟合和解析。
通过与数据库中已知材料的衍射数据进行比对，可以确定样品的组成和相对含量。
此外，利用衍射数据还可以计算材料的晶体结构信息，例如晶胞参数和晶格畸变等。
综上所述，XRD是一种强大的材料分析技术，可以用于研究晶体结构和性质。
通过准备样品、调整仪器参数、数据采集和数据分析，我们可以从XRD实验中获得有关样品晶格结构的重要信息。
这些信息有助于深入理解材料的性质以及其在各个领域的应用。
xrd测试原理及操作的基本流程
文章主题：xrd测试原理及操作的基本流程一、引言在材料科学与工程领域中，X射线衍射（XRD）是一种重要的分析技术，可用于对晶体结构、物相分析和晶体质量的表征。
本文将深入探讨XRD测试的原理和操作的基本流程，以便读者能够全面理解XRD 分析的重要性和实验方法。
二、XRD测试原理1. X射线衍射的基本原理X射线衍射是通过照射物质，观察衍射光的方向和强度来了解物质的结构性质。
当入射X射线与晶体的原子排列相互作用时，会出现衍射现象，从而得到关于晶体结构的信息。
2. 布拉格方程布拉格方程是描述X射线衍射条件的基本方程。
它表示为：nλ=2dsinθ，其中n为衍射级别，λ为入射X射线的波长，d为晶格间距，θ为衍射角。
3. 结晶衍射图样通过X射线衍射仪测得的数据可以绘制成结晶衍射图样，从中可以读取出晶面间距、晶格常数等信息。
三、XRD测试操作基本流程1. 样品制备与加载首先需要将待测样品研磨成粉末，并压制成均匀的薄片或圆盘。
然后将样品加载到X射线衍射仪的样品台上。
2. 仪器参数设置在进行XRD测试前，需要设置仪器的参数，包括X射线波长、入射角范围、扫描速度等。
3. 开始测试启动X射线衍射仪，开始进行测试。
X射线穿过样品，与晶体发生相互作用，产生衍射光，再由探测器接收并记录下来。
4. 数据分析与结果解读对从X射线衍射仪得到的数据进行分析与解读，可以得到有关样品晶体结构、晶胞参数等重要信息。
四、个人观点和理解作为X射线衍射技术的一种，XRD分析在材料研究和质量检测中起着关键作用。
通过XRD测试，不仅可以了解样品的晶体结构，还可以分析其中包含的物相。
掌握XRD测试的原理和操作流程对于科研工作者和工程师来说都是非常重要的。
五、总结与回顾通过本文的讨论，我们全面了解了XRD测试的原理及操作的基本流程。
X射线衍射技术的应用范围非常广泛，可以帮助我们更好地理解材料的性质和结构。
希望读者通过本文的介绍，能对XRD分析有更深入、全面和灵活的认识。
XRD仪器操作范文
XRD仪器操作范文XRD（X射线衍射）仪器被广泛应用于材料科学、地质学、化学和生物学等领域，用于确定晶体结构和分析样品的晶体结构信息。
操作XRD仪器需要一定的仪器知识和技巧。
下面将详细介绍XRD仪器的操作步骤，包括样品制备、仪器设置和数据分析。
一、样品制备1.准备样品。
首先，根据具体要求选择合适的样品。
样品可以是粉末、薄片或块状材料。
确保样品质量良好，具有足够的重现性。
2.样品制备。
对于粉末样品，先将样品细磨成细粉，可以使用研钵和研钉进行手工研磨，或者使用高能球磨机进行机械研磨。
对于薄片样品，需要先进行切割和打磨，确保表面光滑。
块状材料可以直接使用。
3.样品装填。
将制备好的样品放置在适当的样品支撑器中。
对于粉末样品，可以使用玻璃纸片、玻璃纤维滤膜或石英盖片作为支撑器。
对于薄片样品，将样品固定在适当大小的支撑器上。
对于块状材料，直接将样品放在支撑器上。
二、仪器设置1.打开仪器。
首先，确保X射线衍射仪器的安全使用和电源接通。
打开仪器电源，启动仪器。
2.样品安装。
根据仪器的不同型号，选择合适的样品安装方式。
对于粉末样品，使用样品支撑器架放在样品台上。
对于薄片样品，使用样品夹将样品固定在样品台上。
3.加载和调整样品位置。
将装有样品的样品支撑器放入样品台中，使用微调节装置调整样品位置，使其位于X射线束的正中央位置。
确保样品与X射线源之间的距离合适。
4.X射线管设置。
根据样品特性选择合适的X射线管电压和电流。
通常，较高的电压和电流可产生更强的X射线信号，但也会加大样品和探测器的热负荷。
根据样品的类型和要求进行合理设置。
5.选择扫描范围。
根据样品的特性选择适当的扫描范围。
如果已知样品中一些特定晶面的位置，则可以选择针对该晶面进行扫描。
否则，可以选择全角度扫描。
6.样品倾斜修正。
对于非理想样品，其中晶粒方向分布不均匀或有细微的倾斜，可以使用样品旋转台或倾斜台进行修正。
三、数据采集与分析1.开始扫描。
确认仪器设置良好后，可以开始进行数据采集。
xrd的工作原理及使用方法
xrd的工作原理及使用方法
X射线衍射（X-ray Diffraction，XRD）是一种常用的材料分析技术，用于研究晶体结构、晶体学和非晶态材料的结构特征。
下面是XRD的工作原理和使用方法的概述：
工作原理：XRD利用入射X射线与样品中的原子发生衍射现象，通过测量衍射图样来推导出样品的晶体结构、晶格常数、晶格畸变等信息。
其基本原理可以概括为布拉格定律，即入射X射线在晶体中的衍射现象遵循2d sinθ = nλ，其中d是晶面间距，θ是衍射角度，n是整数倍数，λ是入射X射线的波长。
使用方法：
1.准备样品：需要准备一定数量的样品，可以是晶体样品或
非晶态材料样品。
晶体样品必须具有规则的晶体结构，而
非晶态材料样品则可以是无定型的或非晶结构的材料。
2.调节仪器参数：根据样品的特性和研究目的，调整XRD仪
器的参数，如X射线管的电流和电压、入射角范围、衍射
角范围等。
选择合适的参数可以获得更准确的结果。
3.扫描样品：将样品放置在XRD仪器中的样品台上，通过控
制仪器进行扫描。
仪器将采集到的衍射数据转换为衍射图
样或衍射强度图像。
4.分析数据：根据获得的衍射图样或衍射强度图像，使用专
业的XRD分析软件对数据进行处理和分析。
这可以包括通
过模拟与标准数据的比对来确定样品的晶体结构或晶格常
数，通过解析峰的位置和形状来研究晶体的畸变等。
XRD技术可应用于多个领域，如材料科学、地球科学、生物化学等。
它可以帮助研究者了解材料的结构和性质，发现新的材料性质，并优化材料的制备和加工工艺。
X射线荧光光谱分析技术精讲PPT课件
300>
第39页/共99页
脉冲高度分布
高计数率带来的问题 ：堆积、脉冲高度漂移
escape
I[kcps]
Intensity: < 100 kcps
LiF(200) Fe KA1 FC
Intensity: 200 - 300 kcps
Pulshight shift
Pile-up effect
Pulshight-shift
Mo
B [0,18 keV] 6 e-I+
B
X-rays
ra
rc
r
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流气计数器或封闭计数器
Ar + 10% CH4 e- e- e- e- e- e- eI+ I+ I+ I+ I+ I+ I+
CH4: quench gas (electropositive!) Toxic for the FC: elektonegative gasses, e.g.
S Cl
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X射线的发生: 改变电压和电流对原级谱线 的影响（如何选择电压、电流参数）
Change in kV:
Optimum settings are predefined in SPECTRAplus !!!
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Changing of mA will change only the intensity
l = 11.3 - 0.02 nm
or
元素范围从铍 (Be)到铀 (U)
第2页/共99页
单位
Name 波长 能量 Quatum 强度
符号 单位 t]
description
X射线荧光光谱仪操作指导书
插入图片处
三、注意事项
1、测试过程中不能打开防护罩。 2、每次测试开机，软件将按程序运行约15分钟时间完成升压管流。 3、如果关机没有超过1小时，在选择参数时不需要勾选“慢管升压、管流” 。 4、未经许可，不要擅自修改工作区“管压”和“管流”参数 5、在预热阶段，如不需要关机的情况下，尽量不要关测试软件和电源。 6、测试样品应尽量水平放置，样品之中心位置应与画面中之十字交叉处对准。 7、如不需要长时间测试时，可将仪器关闭休息一下，避免发光管受热时间太长影响使用寿命。
二、操作步骤
1、测试之前一定要把仪器预热30分钟，再放入“银校正片”后进行初始化。根据仪器当时的状态，初 始化过程要持续几百秒的时间。初始化成功后，状态栏的结果将显示为PASS，者可以开始测试，如不是 则必须重新初始化。。 2、开启软件将按设定程序运行，约花15分钟左右的时间完成升到指定的升压管流，看到3个全部为OK， 者升压管流完成 3、根据样品选择工作曲线进行测试，样品一定要放在薄膜的中心，可以从摄像头中看到是否对准。 4、在测试时应该根据被测物品的材质和表处，选择相应的工作曲线对样品进行测试。测试时间为（200 —600s）。 5、测试人必须知道型号、材质、供应商并如实记录于测试信息栏，测试人才能测试该样品。 6、准备就序，然后点击“开始测量”，待样品测试完毕后，程序将自动报告测试结果。 7、测试完成并输出报告并存档。 8、测试完成后拿出样品，盖上防护罩。 9、关机时，先要关闭测试软件，再关闭仪器电源。
设备操作指导书
机种 规格 站别 作业名称 文件编号 MWI-00-000 版本 B/0 制作日期 2012-0-00
线荧光光谱仪
一、使用前检查
XXXXXX
IQC
X射线荧光光谱仪操作指引
X射线荧光光谱仪操作指引1.准备工作在操作X射线荧光光谱仪前，首先需要进行一些准备工作。
1.1样品准备根据需要分析的样品类型和要求，选择合适的样品制备方法。
常见的样品制备方法包括固体样品打磨成片、液体样品吸附在滤纸上等。
1.2仪器设置根据样品的特点和仪器的要求，设置合适的仪器参数。
包括选择合适的激发能量、选择合适的荧光光谱检测仪器、选择合适的仪器工作模式等。
2.仪器操作完成准备工作后，可以开始操作X射线荧光光谱仪。
2.1仪器开机将X射线荧光光谱仪和计算机等设备连通，并开启仪器电源。
2.2样品装载将制备好的样品装载到样品台上，并固定好。
2.3调整仪器参数根据实际需要和仪器的特点，进行合适的参数调整。
包括选择合适的激发能量和激发电流、调整荧光光谱检测仪器的增益和曝光时间等。
2.4开始测量通过计算机控制软件，选择合适的测量模式和扫描范围，并点击开始测量按钮。
2.5数据保存测量完成后，将测量得到的荧光光谱数据保存到计算机中，并进行必要的命名和分类。
3.数据处理与分析获得荧光光谱数据后，需要进行数据处理和分析，以得出样品中元素的信息。
3.1数据校正将测量得到的光谱数据进行背景校正，去除背景信号的影响。
通常采用线性背景校正或多项式背景校正方法。
3.2荧光峰识别通过荧光光谱中的峰形状和位置信息，识别出存在的荧光峰。
可利用已知标准样品的荧光光谱数据进行对比鉴定。
3.3元素定量分析根据已知标准样品的荧光峰强度和浓度关系，通过比对样品荧光峰强度，可以计算出样品中不同元素的含量。
4.结果表达与报告撰写完成数据处理与分析后，需要将结果进行表达和报告撰写。
4.1结果表述根据具体需求和目的，将样品中元素的含量等信息进行准确、简明的表述。
可用表格、图表等形式来展示。
4.2报告撰写将分析结果和方法过程等详细信息，整理成完整的实验报告或分析报告。
报告应包含目的、方法、结果、讨论和结论等内容。
5.仪器维护在完成实验后，需要对X射线荧光光谱仪进行必要的维护工作。
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S = 4π sin(α / 2) λ
由 实 验 得 S1 = 0.04713pm-1; S2 = 0.08698pm-1; S3 = 0.1265pm-1
由衍射强度公式计算: [ S ←⎯R→ C ←⎯R→ S ]
Iα=Z+2Z+[4ZCZSsin（RS）/RS]+2Zsin（R’ S）/ R’ S 即
实测样品衍射峰半高宽
仪器致宽度
§7.4 电子衍射法简介
电子、质子和中子等微观粒子都有波性，它们的射线 也会产生衍射现象，亦作测定微观结构的工具。
电子射线波长与速度v有关，根据德布罗意关系式
λ=h/p=h/ 2mE =h/ 2m(mv2 / 2) =h/ 2meV
10000V电场 ↔ 电子射线的波长12.3pm
dA、dB、dC、dD、dE、dF、dG、dH dB、dC、dA、dD、dE、dF、dG、dH dC、dA、dB、dD、dE、dF、dG、dH
2、衍射图的指标化
利用粉末样品衍射 图确定相应晶面的 晶面指面h k l的值 (又称米勒指数)就 称为指标化。
立方晶系a = b = c = ao ,α = β = γ = 90°
7.5.2 X射线荧光光谱仪
根据其分光的原理不同，X射线荧光光谱仪可分 为波长色散和能量色散两大类型。
1、波长色散型X射线荧光光谱仪
分光系统
试样
X光源
分光晶体 托架
135º 准直器
90º
检测器
检测器
托架
0º
2θ
θ
X射线发生器 检测器 记录系统
（1）X射线发生器
X射线发生器由X光管和高电压发生器组成 。荧光分析用的X光管功率较大，需用水 冷却。一般分析重元素时选用钨靶，分析 轻元素时选用铬靶，使用W-Cr靶材料的X 光管可用于较广范围的元素测量。
d=
a0
h2 + k2 + l2
sinθ = λ
2d
sin 2 θ = λ2 (h2 + k 2 + l 2 )
4a02
立方晶系(h2+k 2+l2)的可能值
Ｐ 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 25,… (缺 7,15,23 等)
定。常用分析晶体的有关参数
名称 LiF（422） LiF（420） LiF（200） 磷酸二氢铵（ADP）（112）
2d 值（nm） 0.1652 0.180 0.4027 0.614
测定元素范围 87-Fr~29-Cu 84-Po~28-Ni 58-Ce~19-K 48-Cd~16-S
Ge 异戊四醇（PET）（002） 右旋-酒石酸乙二胺（EDDT）020）
Iα=62+2•162+[4•6•16sin（RS）/RS]+[2•162sin（2RS）/2RS]
I’α=（Iα –62– 2•162）/16•8=[2sin（2RS）+3sin（RS）]/RS
I’α对RS作图
I’α(Iα)最大处的 (RS)i = 7.1; 13.5; 19.7
计算得: Ri = (RS)i /Si = 153pm; 155pm; 157pm 平均 R=155±1pm
硬脂酸铅（LOD）
0.6532 0.8742 0.8808 10.04
46-Pd~15-P 40-Zr~13-Al 41-Nb~13-Al 12-Mg~5-B
（3）检测器
把X射线光子能量转化为电能的装置，常用的有：
[1]正比计数器: 进入计数器的X光子与工作气 体产生非弹性碰撞，产生初始离子-电子对 (Ar+ 、e）即光电离。初始电子被高压电场加 速奔向阳极丝，途中撞击其它原子产生更多的 离子对，链锁反应，在0.1~0.2s时间内即可由 一个电子引发102~105个电子，这种现象称“雪 崩”。大量电子在瞬间奔向阳极，使其电流突 然增大,高电压下降，产生脉冲输出。在一定条 件下，脉冲输出幅度与入射X射线光子能量成 正比。
得到系统消光的信息，从而推得 点阵型式，并估计可能的空间 群。
3、晶粒大小的测定
晶粒大小与衍射峰宽之间满足谢乐(Scherrer)公式:
垂直于晶面 hkl方向的 平均厚度
Dhkl
=
kλ βμκl cosθ
晶体形状有关的 常数，常取0.89
衍射峰的 半高宽
βhkl必须进行双线校正和仪器因子校正
βhkl=B ― b
Mo（Z=42）：（特征波长λ和相对强度 I )
Kα1（0.0709nm） 100 ；Lα1（0.5406nm）
100；
Kα2（0.0713nm） 50 ；Lα2（0.5414nm）
12； 不同元素的同名谱线波长变化规
K律β1：（0.0632nm） 14； Lβ1（0.5176nm）
50。
Kα1 线 Fe（Z=26）为0.1936nm；
7.4.2 电子衍射法测定气体分子的几何结构
分子内原子之间的距离和相对取向是固定
的，原子之间散射次生波的干涉同样会产生
衍射。
维尔电子衍射强度公式
∑ 是： n
Iα=
A2j
+
j =1
nn
2∑ ∑ Aj A（k sinRjkS）/RjkS
j=1 k > j
S=（4π/λ）sin（λ/2）
∑ ∑ ∑ 原子散射因子Aj近
Ｉ 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 26, 28, 30,…= 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15,…(不缺)
Ｆ 3, 4, 8, 11, 12, 16, 19, 20, 24, … (出现二密一稀的规律)
（4）记录系统
记录系统由放大器、脉冲高度分析器、读数显示 等三部分组成。其中脉冲高度分析器是关键部件, 下面是脉冲高度分析器原理图:
2、能量色散型X射线荧光光谱仪
该光谱仪是将来自试样的X射线荧光不经分光直 接由半导体检测器接收，并配以多道（1000道 以上）脉冲高度分析器，按脉冲幅度大小分别 计数。以计数率即荧光强度为纵坐标，脉冲幅 度，即通道数，或光子能量，或X射线荧光波长 为横坐标，得到能量色散型的荧光光谱。
[2]不均匀效应: 对于多相合金、粉末等不均匀材 料，X射线荧光强度与颗粒大小有关，颗粒大吸 收大，颗粒小荧光强。
克服办法: 可用磨细粒度，制成液体或固熔
体。粉末表面可以压实，固体表面可以刨光表
[面3]谱。线干扰: 原子的X射线光谱比光学光谱简单
但对于复杂试样仍不可忽视。 克
服 a、选择无干扰谱线；
格 子
生的衍射只是来自晶体内
500~ 1000 pm的深度的电子
散射（相当于表面几层原
子
）
。
Ni (100) 晶体表面
§7.5 X射线荧光光谱分析
பைடு நூலகம்
X射线
原子
荧光(特征X射线)
7.5.1 X射线荧光分析方法及应用 1、莫斯莱定律及定性分析方法
莫斯莱（moseley)定律 λ = k（Z-s）-2
特征波长λ与原子序数Z关系 是定性分析的基础
3、应用
X射线荧光分析方法是一种十分有效的成分分 析方法，可测定原子序数5~92的元素的定性及 定量分析，并可进行多元素同时检测，是一种 快速精密高的分析方法，其检测限达10-5~10-9 g·g-1（或g·cm-3）。分析应用范围不断扩大， 已被定为国际标准（ISO）分析方法之一。
X荧光法与原子发射光谱有许多共同之处，但 它更具有谱线简单；方法特征性强；不破坏试 样；分析含量范围广等突出优点。随着仪器技 术及计算机技术的发展，它将成为元素分析的 重要手段之一。
[2]闪烁计数器: 它由闪烁晶体和光电倍增管组 成。当X射线穿过铍窗进入闪烁晶体时，闪烁 晶体吸收X射线并放出一定数量的可见光电 子，再由光电倍增管检测，转换成电脉冲信 号。脉冲高度与入射X射线光子能量成正比。
[3]半导体计数器: 由掺锂的硅（或锗）半导体 做成，在n、p区之间有一个Li漂移区。当X射 线作用于锂漂移区，由于锂的离子半径小，容 易漂移穿过半导体，使锂电离能，形成电子-空 穴对，它在电场作用下，分别移向n层及p层， 形成电脉冲，脉冲高度与X射线能量成正比。
Cu（Z=29）为0.1540nm；
Ag（Z=47）为0.0559nm；
Pb（Z=82）为0.0165nm
2、定量分析
在指定波长下，X射线荧光强度与被测元素 的含量成正比，是定量分析的依据。
（1）影响定量分析因素
[1]基体效应: 基体指被分析元素以外的主量元 素，而基体效应是指样品中基本化学组成以及 物理、化学状态变化，对分析谱线强度的影 响。 a、用轻元素作稀释物与试样混合均匀的稀释法； b、将样品制得很薄的薄膜样品法； c、用标样作工作曲线来校正的。
7.4.1 电子衍射法与X射线衍射法比较
穿透能力 散射对象 研究对象
适合元素
电子衍射法 小于10-4 mm 主要是原子核 适宜气体、薄膜 和固体表面结构 各种元素
X射线衍射法 可达 1 mm以上 主要是电子 适宜晶体结构
不适合元素H
由于中子穿透能力大，所以用中子衍 射法确定晶体中H原子位置就更有 效。
2πR
(度)
2R=57.3nm→ θ = L
d = nλ 2 sin θ
a, b, c, α, β, γ
相机为金属圆筒,直 径(内径)为 57.3mm, 紧贴内壁放置胶片,
在圆筒中心轴有样 品夹,可绕中心轴旋 转,样品位置和中心
轴一致。
I(2θ ) ↔ θ ↔ h,k,l