电容的工作原理

电容

一、基本原理电容器的基本原理可以用图1-1来描述

当在两个正对的金属电极上施加电压时，电荷将据电压的大小被储存起来基本公式：

Q=C*V

W=1/2* C*V A2 ；

di=C*dv/dt ;

C[F]= Q • S/t-

Q:电量(C )

V:电压(V )

C:电容量(F)

S:电极面积[m2]

t :介质厚度[m]

/：相对介电常数

/：介质在真空状态下的介电常数(=8.85x10-12 F/M)

铝氧化膜的相对介电常数为7~8，要想获得更大的电容，可以通过增加表面积S或者减少其厚度t来获得。

表1-1列出了电容器中常用的几种典型的介质的相对介电常数，在很多情况下，电容器的命名通常是根据介质所使用的材料来决定的，例如：铝电解电容器、钽

电容器等。

二、常见电容类型一般根据电极、电介质材料来分有如下：

1、铝电解电容

极性电容，它的正极、负极、电介质是什么呢？经常有人会混淆，其实分别是正极铝箔、三氧化二铝（附在正极铝箔的一面）、电解液（通过负极铝箔做引脚搭接）

2、钽电解电容

极性电容，正极、负极、电介质分别是：钽丝、二氧化锰MnO2 （石墨、银层

做引脚搭接）、五氧化二钽Ta2O5 （在制造过程中形成）

3、片状多层陶瓷电容（MLCC）

无极性；贴片式；多层层叠；正负极为金属电极、电介质是陶瓷材料

4、引线式多层陶瓷电容（独石电容）

无极性；插脚式；是用MLCC电容焊接两个引脚，然后把芯用包封材料制

造而成；CC41、CT41就属于这类

5、圆形陶瓷电容（瓷介电容）

无极性；单层；正负极为金属电极、电介质是陶瓷材料；个头比较大，一般为高

压电容；CC81、CT81就属于这类

6、薄膜电容

无极性；多层层叠或卷绕；正负极为金属电极、电介质是有机薄膜材料；比如：

聚乙烯、聚脂等

7、安规电容

实际上符合各国安规标准的圆形陶瓷电容或薄膜电容；常见的，丫1、丫2为圆形陶瓷电容；XI、X2为薄膜电容。

总之：依据C[F]= Q • S/t・；以及实际制造中电容的正、负极、电介质材料选型和根据材料特点选择的制造工艺可以得知：

1、容量大的电容必须增加S,故个头大。耐压高的电容必须增加t，故一般较厚。

2、铝电解、钽电容相对来说S大，故容量可以做到很大。

3、MLCC电容的容量、耐压一般不大。

4、圆形陶瓷电容容值不大，但耐压可以做到很大。

5、薄膜电容容值不大，但耐压较高。根据应用场合和作用可分：

1、旁路电容故名思义，是给交流信号提供一个对地的低阻抗通路。也可以

称做滤波电容。2、藕合电容隔直流通交流，传递交流信号。根据di=C*dv/dt : 不难理解。直流信号dv/dt=0 ，故无电流流过电容。

3、退（去）藕电容

在驱动电路中，如果负载变化很大，会对供应源产生电压或电流冲击，加退（去）藕电容就起缓冲作用。比如：IC的VCC, IC内部电子管的开、关高速动作引起VCC变化，如果有退（去）藕电容的话，其VCC变化不会延伸到供应VCC的电源端口。

4、储能电容：根据W=1/2* C*V A2 ;不难理解电容的容量越大；工作电压越大储存的能量越大。

比如在RTC时钟电路的备电中，通过一个大容量的电容在工作时贮存电能，在掉电时，这个电容就释放电能起到很好的备电作用。

电容是板卡设计中必用的元件，其品质的好坏已经成为我们判断板卡质量的一个很重要的方面。

①电容的功能和表示方法。

由两个金属极，中间夹有绝缘介质构成。电容的特性主要是隔直流通交流，因此多用于级间

耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。电容在电路中用“C”加数字表示，比如C8，表示

②电容的分类。

电容按介质不同分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。按极性分为：有极性电容和无极性电容。按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。

③电容的容量。

电容容量表示能贮存电能的大小。电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，容抗与交流信号的频率和电容量有关，容抗XC=1/2廿c （f表示交流信号的频率，C表示电容容量）。

④电容的容量单位和耐压。

电容的基本单位是F （法）,其它单位还有：毫法（mF ）、微法（uF ）、纳法（nF ）、皮法（pF ）。由于单位F 的容量太大，所以我们看到的一般都是卩F、nF、pF的单位。换算关系：1F = 1000000 诉，1 疔=1000nF=1000000pF 。

每一个电容都有它的耐压值，用V表示。一般无极电容的标称耐压值比较高有：63V、100V、160V 、250V 、400V 、600V 、1000V 等。有极电容的耐压相对比较低，一般标称耐压值有：4V 、6.3V 、10V 、16V 、25V 、35V 、50V 、63V 、80V 、100V 、220V 、400V 等。

⑤电容的标注方法和容量误差。

电容的标注方法分为：直标法、色标法和数标法。对于体积比较大的电容，多采用直标法。

如果是0.005 ，表示0.005uF=5nF 。如果是5n ，那就表示的是5nF。

数标法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是10 的多少次方。如：102 表示10x10x10 PF=1000PF ，203 表示20x10x10x10 PF 。

色标法，沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一、二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF ）。颜色代表的数值为：黑=0 、棕=1 、红=2 、

橙=3 、黄=4 、绿=5 、蓝=6 、紫=7 、灰=8 、白=9 。

电容容量误差用符号F、G、J、K、L、M 来表示，允许误差分别对应为± 1% 、±2% 、±5% 、±10% 、±15% 、±20% 。

⑥电容的正负极区分和测量。

电容上面有标志的黑块为负极。在PCB 上电容位置上有两个半圆，涂颜色的半圆对应的引脚为负极。也有用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负。

当我们不知道电容的正负极时，可以用万用表来测量。电容两极之间的介质并不是绝对的绝

间的电阻叫做绝缘电阻或漏电电阻。只有电解电容的正极接电源正（电阻挡时的黑表笔）负端接电源负（电阻挡时的红表笔）时，电解电容的漏电流才小（漏电阻大）。反之，则电解电容的漏电流增加（漏电阻减小）。这样，我们先假定某极为“+ ”极，万用表选用R*100 或R*1K 挡，然后将假定的“ + ”极与万用表的黑表笔相接，另一电极与万用表的红表笔相接，记下表针停止的刻度（表针靠左阻值大），对于数字万用表来说可以直接读出读数。然后将电容放电（两根引线碰一下），然后两只表笔对调，重新进行测量。两次测量中，表针最后停留的位置靠左（或阻值大）的那次，黑表笔接的就是电解电容的正极。

⑦电容使用的一些经验及来四个误区。

一些经验：在电路中不能确定线路的极性时，建议使用无极电解电容。通过电解电容的纹波电流不能超过其充许范围。如超过了规定值，需选用耐大纹波电流的电容。电容的工作电压不能超过其额定电压。在进行电容的焊接的时候，电烙铁应与电容的塑料外壳保持一定的距离，以防止过热造成塑料套管破裂。并且焊接时间不应超过10 秒，焊接温度不应超过260 摄氏度。

四个误区：

ESR 并

不是 补偿的能力越强。 且不说电容容量的增大带来的体积变大， 增加成本的同时还影响空气流动 和散热。 关键在于电容上存在寄生电感， 电容放电回路会在某个频点上发生谐振。 在谐振点， 电容的阻抗小。 因此放电回路的阻抗最小， 补充能量的效果也最好。 但当频率超过谐振点时， 放电回路的阻抗开始增加， 电容提供电流能力便开始下降。 电容的容值越大， 谐振频率越低， 电容能有效补偿电流的频率范围也越小。 从保证电容提供高频电流的能力的角度来说， 电容 越大越好的观点是错误的，一般的电路设计中都有一个参考值的。

•同样容量的电容，并联越多的小电容越好，

耐压值、耐温值、容值、 ESR （等效电阻）等是电容的几个重要参数，对于 ESR 自然是越低越

好。ESR 与电容的容量、频率、电压、温度等都有关系。当电压固定时候，容量越大，

ESR 越低。在板卡设计中采用多个小电容并连多是出与 PCB 空间的限制，这样有的人就认为， 越多的并联小电阻，ESR 越低，效果越好。理论上是如此， 但是要考虑到电容接脚焊点的阻

抗，采用多个小电容并联，效果并不一定突出。

•ESR 越低，效果越好。

结合我们上面的提高的供电电路来说， 对于输入电容来说， 输入电容的容量要大一点。 相对 容量的要求，对 ESR 的要求可以适当的降低。因为输入电容主要是耐压，其次是吸收 MOSFET 的开关脉冲。对于输出电容来说，耐压的要求和容量可以适当的降低一点。 ESR

的要求则高一点，因为这里要保证的是足够的电流通过量。但这里要注意的是

越低越好，低ESR 电容会引起开关电路振荡。而消振电路复杂同时会导致成本的增加。板卡设计中，这里一般有一个参考值，此作为元件选用参数，避免消振电路而导致成本的增加。

•好电容代表着高品质。

“唯电容论” 曾经盛极一时，一些厂商和媒体也刻意的把这个事情做成一个卖点。在板卡设计中，电路设计水平是关键。和有的厂商可以用两相供电做出比一些厂商采用四相供电更稳定的产品一样，一味的采用高价电容，不一定能做出好产品。衡量一个产品，一定要全方位多角度的去考虑，切不可把电容的作用有意无意的夸大.

除电阻外，电容( Capacitor )是第二种最常用的元件。电容的主要物理特征是储存电荷。由于电荷的储存意味着能的储存，因此也可说电容器是一个储能元件，确切的说是储存电能。两个平行的金属板即构成一个电容器。电容也有多种多样，它包括固定电容，可变电容，电解电容，瓷片电容，云母电容，涤纶电容，钽电容等，其中钽电容特别稳定。电容有固定电容和可变电容之分。固定电容在电路中常常用来做为耦合，滤波，积分，微分，与电阻一起构成RC 充放电电路，与电感一起构成LC 振荡电路等。可变电容由于其容量在一定范围内可以任意改变，所以当它和电感一起构成LC 回路时，回路的谐振频率就会随着可变电容器容量的变化而变化。一般接受机电路就是利用这样一个原理来改变接收机的接收频率的。

所谓电容，就是容纳和释放电荷的电子元器件。电容的基本工作原理就是充电放电，当然还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单，主要由两块正负电极和

多，主要有如下几种：

1．隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。

2．旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。

3．耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路

4 ．滤波：这个对DIY 而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。

5．温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳

定性。

6．计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。

7．调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。

8．整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。

9．储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。

如今某

关于滤波电容、去耦电容、旁路电容作

用

滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。

1.关于去耦电容蓄能作用的理解

1）去耦电容主要是去除高频如RF 信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。

而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。

你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水，这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。

实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer 的作用。

如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，

而器件VCC 到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，

阻抗Z = i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，

会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。

而去耦电容可以弥补此不足。

这也是为什么很多电路板在高频器件VCC 管脚处放置小电容的原因之一

（在vcc 引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。）

2）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地

2.旁路电容和去耦电容的区别去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配

电网络中的RF能量。去耦电容还可以为器件供局部化的DC电压源，它在

减少跨板浪涌电流方面特别有用。

旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。

我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。

C VO

圭

耦电

容

在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位 置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（ bypass ）电容是把输

入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦

（decoupli ng ）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象 从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。 如果负载电容比较大，驱动电 路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流 比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流， 由于电路中的电感，电阻（特 别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就 是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。

去藕电容就是起到一个电池的作用， 满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦 合干扰。 旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的 开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。 高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一 般是0.1u ，0.01u 等，而去耦合电容一般比较大，是 10u 或者更大，依据电路

中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定 去耦和旁路都可以看作滤波。 去耦电容相当于电池， 避免由于电流的突变而使电 压下降，相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用 时间的大小来计算。去耦电容一般都很大，对更高频率的噪声，基本无效。旁路 电容就是针对高频来的， 也就是利用了电容的频率阻抗特性。 电容一般都可以看 成一个 RLC 串联模型。在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其 ESR 。 如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个 V 形的曲线。具体曲线 与电容的介质有关， 所以选择旁路电容还要考虑电容的介质， 一个比较保险的方 法就是多并几个电容。 信号输入

主稱电

容

去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方

面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1诉。这个电容的分布电感的典型值是5田。0.1诉的去耦电容有5 的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz

左右，也就是说，对于10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz 以上的噪声几乎不起作用。1 pF、10疔的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10(1F左右。最

好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F ，即10MHz 取0.1

p F，100MHz 取0.01 p F。

2007-12-11 19:37

滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。

去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。

旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。

1.关于去耦电容蓄能作用的理解

1）去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。

而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。你可以把总

电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水，这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。实际水是来自于大楼顶上的水塔，水塔其实是一个buffer的作用。如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件VCC到总电源有一

段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，阻抗Z = i*wL+R，线路的电感

影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一（在VCC 引脚上通常并联一个去耦电容，这样交流分量就从这个电容接地）。

2）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。

2. 旁路电容和去耦电容的区别

去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF 能量。去耦电容还可以为器件供局部化的DC 电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。

旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF 能量。这主要是通过产生A

C 旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。

我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。

在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass ）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（d ecoupling ）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。3．在一个大的电容上还并联一个小电容的原因大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称E

SL）。大家知道，电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能

不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。常使用的小电容为0.1uF 的瓷片电容，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF，几百pF的。而在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF 的电容到地（这个电容叫做退耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了。

旁路电容和去耦电容的区别

2008-09-03 17:46

旁路电容和去耦电容的区别

去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。去耦

电容还可以为器件供局部化的DC 电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF 能量。这主要是通过产生AC 旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。

我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：

一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通

过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。

在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass ）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦

（decoupling ）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路

从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，

形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印

制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下：

•电源输入端跨接一个10〜100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，

采用100uF 以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。

•为每个集成电路芯片配置一个0.01uF 的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间

小而装不下时，可每4〜10 个芯片配置一个1 〜10uF 钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz〜20MHz范围内阻抗小于1 Q,而且漏电流很小（0.5uA 以下）。

•对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM 、RAM 等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND ）间直接接入去耦电容。

•去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。说到电容，各种各样的叫法就会让人头晕目眩，旁路电容，去耦电容，滤波电容等等，其实无论如何称呼，它的原理都是一样的，即利用对交流信号呈现低

阻抗的特性，这一点可以通过电容的等效阻抗公式看出来：Xcap=1/2 jfC ,工

作频率越高，电容值越大则电容的阻抗越小.。在电路中，如果电容起的主要作用是给交流信号提供低阻抗的通路，就称为旁路电容；如果主要是为了增加电源和地的交流耦合，减少交流信号对电源的影响，就可以称为去耦电容；如果用于滤波电路中，那么又可以称为滤波电容；除此以外，对于直流电压，电容器还可作为电路储能，利用冲放电起到电池的作用。而实际情况中，往往电容的作用是多方面的，我们大可不必花太多的心思考虑如何定义。本文里，我们统一把这些应用于高速PCB设计中的电容都称为旁路电容.

般滤波是用两个电容并联，一个大，一个小

如0.1UF 100PF 并联这样大的可以滤除低频，而且还可以蓄容，是电压纹波降低

而小的电容滤除高频。起旁路作用

因为电容的特性是通高频，阻低频

这样组合比较好

一般在高频地方，都接一个小电容，起旁路作用

电容的本质是通交流，隔直流，理论上说电源滤波用电容越大越好。但由于引线和PCB 布线原因，实际上电容是电感和电容的并联电路， (还有电容本身的电阻，有时也不可忽略) 这就引入了谐振频率的概念：①=1/(LC) 1/2

在谐振频率以下电容呈容性，谐振频率以上电容呈感性。

因而一般大电容滤低频波，小电容滤高频波。

这也能解释为什么同样容值的STM 封装的电容滤波频率比DIP 封装更高

至于到底用多大的电容，这是一个参考

电容谐振频率

电容值DIP (MHz)STM (MHz)

1.0 pF

2.55

0.1 pF

16

8

0.01 p F2550

1000pF80160

100 pF250500

10 pF800 1.6(GHz)

不过仅仅是参考而已，用老工程师的话说——主要靠经验

更可靠的做法是将一大一小两个电容并联，

一般要求相差两个数量级以上，以获得更大的滤波频段。

旁路电容—

旁路电容的主要功能是产生一个交流分路，从而消去进入易感区的那些不需要的能量。旁路电容一般作为高频旁路器件来减小对电源模块的瞬态电流需求