Nand Flash与Nor Flash 芯片区别
nor and nand flash de区别
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash 结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了他的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND 的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。
任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND 器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以6?～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。
NOR型flash与NAND型flash的区别
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓 冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很 多，计算机内存就是DRAM的。
内存工作原理：
内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会 放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量 小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
4、可靠性和耐用性:
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
NAND闪存NOR闪存 区别
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。NAND规格晶片多应用在小型记忆卡，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中。
NVRAM 非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory)，是指断电后仍能保持数据的一种RAM。
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
如果通俗地解释非易失性存储器，那就是指断电之后，所存储的数据不丢失的随机访问存储器。
之所以加如此的定语，是因为：
1.与此对应的随机访问存储器（Random Access Memory，RAM）包含SRAM和DRAM（其又分为SDRAM，DDR SDRAM，DDR2 SDRAM ，RDRAM，Direct RDRAM），断电之后信息就丢失了。其中，DRAM又分为SDRAM（由6个晶体管组成），DDR SDRAM（有一个晶体管组成），DDR2 SDRAM（利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据，使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍） ，和采用RSL技术的RDRAM，Direct RDRAM），
NANDflash、ANDFlash和NORflash的区别
NAND flash、AND Flash 和NOR flash 的区别Flash的架构大致上可分为具程序执行能力的NOR架构以及储存数据的NAND和AND 架构，Flash与其它新兴非挥发性技术相较，最大的优势在于其可以用一般的半导体制程生产、成本低，但是其读写速度较DRAM慢，可擦写次数也有极限，加上在进入纳米制程之后，预期将会碰到物理极限，据业界人士表示Flash在45nm以下几乎不可能再有发展，所以尽管在短期内Flash依然会是非挥发性存储器主流，但地位可能不见得稳固。
NOR Flash存储器NOR Flash市场目前由Intel和AMD公司主导，其主要功能是程序的储存，如PC中的BIOS，便携式产品像手机、PDA的快速成长是带动近年来NOR Flash快速成长的主要原因，除了量的提升之外，也包括了高容量产品的需求。
NOR Flash尽管近两年成长不如NAND Flash，但是两者原本的市场应用要求就不同，NOR Flash因为新兴应用所带来的成长还是相当可观。
在技术上，Intel不久前才发表1Gb的NOR Flash产品，为增加资料储存密度，Intel利用MLC(多重单元)技术，在一个储存单元存放两位数字(2bits in 1cell)。
日前AMD也表示要发展密度更高的(每单元存放四位数字)技术，不过技术难度就困难许多，目前还未看到实际成绩。
NAND和AND Flash存储器以储存数据为主要功能的NAND和AND Flash，是目前市场上最当红的存储器，近两年来的新兴应用都以此技术为主，包括小型存储卡、随身电子盘等都是。
根据IDC公司的调查报告指出，快闪存储卡的全球市场规模随着便携式产品的成长而出现爆发性的需求，2001年整体市场出货量为4500万片，2002年提升到5300万片，2003年再成长到7000万片左右，2004年将突破1亿片的市场规模。
不过由于NAND Flash相对上属于封闭的市场，专利权掌握在少数厂商手中，以Toshiba 和Samsung公司为主，SanDisk和M-System公司也取得部分专利和技术授权，包括拥有AND Flash专利的Renesas公司，目前数据型的Flash产能缺口大约在30％~50％之间，此情况预计在2004年中期之间才有可能缓解。
nand flash和nor flash区别
NAND FLASH和NOR FLASH是当前比较主流的两种结构类型的闪存芯片，应用十分广泛。
这两类芯片都是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。
他们在读取速度、写入速度、容量、坏快、擦写次数、适用性都有明显的区别NAND FLASH和NOR FLASH是当前比较主流的两种结构类型的闪存芯片，应用十分广泛。
这两类芯片都是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。
但它们之间也存在着巨大的差异，具体表现在以下几个方面。
1、读取速度NOR FLASH的读取速度比NAND FLASH稍快一些。
读取数据时，NAND FLASH 首先需要进行多次地址寻址，然后才能访问数据；而 NOR FLASH是直接进行数据读取访问。
2、写入速度NAND FLASH 由于支持整块擦写操作，所以其擦除和写入速度比NOR FLASH要快很多。
3、容量NAND FLASH 采用大量的地址线和数据线复用，而NOR FLASH直接通过地址线引脚来寻址。
因此，NAND FLASH在面积和工艺相同的情况下，可以提供更高的容量，能够相应地降低生产成本。
4、坏块NAND FLASH器件由于其大容量的特点，是允许存在坏块的（存在失效地址单元），NAND FLASH 生产厂商如果在生产过程中消除坏块会导致成品率太低、性价比很差，所以在出厂前要在高温、高压条件下检测生产过程中产生的坏块，对产生的坏块写入坏块标记，防止用户使用时向坏块写入数据；而NOR FLASH是不允许出现失效地址单元。
5、擦写次数FLASH由于写入和擦除数据时会导致介质的氧化降解，而NOR FLASH 擦写次数寿命只有NAND FLASH 的十分之一，故NOR FLASH 并不适合频繁地擦写。
6、适用性NOR FLASH较容易与其它芯片进行连接，可以直接使用，而NAND FLASH在使用前必须先写入驱动程序，而且为了防止向坏块写入内容，必须建立块地址的虚拟映射。
NAND flash和NOR flash的区别详解
NAND flash和NOR flash的区别详解ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDRRAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。
NandFlash与NorFlash芯片区别
Nand Flash与Nor Flash 芯片区别Nand Flash与Nor Flash经常在一些地方被提到,一直没认真去理解它们的区别,因此,今天花了一段时间仔细理解了一下,下面把我的笔记放在这里:1、NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place,这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。
优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵,NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
优点:大存储容量,而且便宜。
缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。
另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。
任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行(1NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。
(2擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s, NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4MFLASH,有的SECTOR 擦除时间为60ms,而有的需要最大6S。
与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms(3当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
●NOR的读速度比NAND稍快一些。
●NAND的写入速度比NOR快很多。
●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
●大多数写入操作需要先进行擦除操作。
●NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
(4接口差别NORflash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
emmc、Nandflash、Norflash之间的区别
emmc、Nandflash、Norflash之间的区别一、定义及区别emmc：全称为embeded MultiMedia Card，是一种嵌入式非易失性存储器系统，由Nand flash和Nand flash控制器组成，以BGA方式封装在一款chip上。
Nand flash：一种存储数据介质；若要读取其中的数据，需要外接的主控电路。
Nor flash：也是一种存储介质；它的存储空间一般比较小，但它可以不用初始化，可以在其内部运行程序，一般在其存储一些初始化内存的固件代码；这里主要重点讲的是emmc 和Nand flash 之间的区别，主要区别如下：(1)、在组成结构上：emmc存储芯片简化了存储器的设计，将NAND Flash芯片和控制芯片以MCP技术封装在一起，省去零组件耗用电路板的面积，同时也让手机厂商或是计算机厂商在设计新产品时的便利性大大提高。
而NAND Flash仅仅只是一块存储设备，若要进行数据传输的话，只能通过主机端的控制器来进行操作，两者的结构图如下：(2)、在功能上：eMMC则在其内部集成了Flash Controller，包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。
相比于直接将NAND Flash接入到Host 端，eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性，可以减少 Host 端软件的复杂度，让 Host 端专注于上层业务，省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。
同时，eMMC通过使用Cache、Memory Array 等技术，在读写性能上也比NAND Flash要好很多。
而NAND Flash 是直接接入Host 端的，Host 端通常需要有 NAND Flash Translation Layer，即NFTL 或者 NAND Flash 文件系统来做坏块管理、ECC等的功能。
另一方面，emmc的读写速度也比NAND Flash的读写速度快，emmc 的读写可高达每秒50MB到100MB以上；二、emmc的初始化和数据通信emmc与主机之间通信的结构图：其中包括Card Interface（CMD，DATA，CLK）、Memory core interface、总线接口控制（Card Interface Controller）、电源控制、寄存器组。
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Nand Flash与Nor Flash 芯片区别
Nand Flash与Nor Flash经常在一些地方被提到,一直没认真去理解它们的区别,因此,今天花了一段时间仔细理解了一下,下面把我的笔记放在这里:
1、NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place,这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。
优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵,NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
优点:大存储容量,而且便宜。
缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。
另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。
任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行
(1NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。
(2擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s, NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4MFLASH,有的SECTOR 擦除时间为60ms,而有的需要最大6S。
与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms
(3当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
●NOR的读速度比NAND稍快一些。
●NAND的写入速度比NOR快很多。
●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
●大多数写入操作需要先进行擦除操作。
●NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
(4接口差别
NORflash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。
8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,因此,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
(5容量差别:
NORflash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NANDflash只是用在
8~128MB 的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储。
(6可靠性和耐用性
-寿命(耐用性
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。
NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
-位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。
位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC算法。
位反转的问题更多见于NAND闪存,在使用NAND闪存的时候,应使用
EDC/ECC算法。
用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。
当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
-坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的,NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。
在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。
(7易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存。
在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。
向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
(8软件支持
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD,NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
(9在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序,但是必须有NOR FLASH来启动。
除了SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。
因此,必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器,在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行。