《模拟电子技术基础》复习资料与答案
《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分别受杂质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是硅、锗和砷化镓。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入 III 族元素，例如B、Al ，得到P型半导体。
7.本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越_多，而少数载流子应是__空穴__，掺杂越多，则其数量一定越少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的__空穴__和带负电的_电子。
9.N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
10.杂质半导体分 N型（电子）和 P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
P型半导体多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
12.杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的，有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由一个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特性。
19.二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述，其数学式是I=I S(e U/UT-1) ，其曲线又可分三部分：正向特性、反向特性、击穿特性。
20.晶体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的低，击穿区的交流电阻又比正向区的小。
21.有两个晶体二极管A管的β=200，I CEO=200µA；B管的β=50，I CEO=10µA，其他参数大致相同，相比之下B 管的性能较好。
22.点接触二极管的主要优点是结电容小，多用于高频检波、小电流整流及小功率开关电路。
23.稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在击穿区，所以当反向电压大于稳定电压U Z时，它才能产生稳压作用。
24.变容二极管是利用PN结的势垒电容随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。
25.双极型三极管有两种极性的载流子参与导电；场效应管有一种极性的载流子参与导电。
26.三极管有两个PN结，即发射结和集电结，在放大电路中发射结必须正偏，集电结必须反偏。
27.三极管个电极电流的分配关系是I E= I B+I C。
28.三极管有_NPN_型和__PNP__型，前者在电路中使用的符号是______，后者在电路中使用的符号是________。
29.晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需重掺杂，基区宽度要窄；外部条件是：发射结要正向偏置，集电结要反向偏置。
30.处于放大状态的三极管I C与I B的关系是_I C=β I B_，处于饱和状态的三极管I C不受I B的控制，_失去_了放大作用，处在截止状态的三极管I C≈0__。
31. 电流放大系数β的定义是 ≈ I C /I B 。
32. 当NPN 锗管工作在放大区时，在E 、B 、C 三个电极中，以 集电极 电位最高，_发射极_的电位最低；U BEQ 约等于 0.2V 。
33. 当PNP 型硅三极管处于放大状态时，在E 、B 、C 三个电极中，以_发射_极电位最高，_集电_极的电位最低。
34. 三极管的反向饱和电流I CBO 随温度的升高而_升高__，穿透电流I CEO 随温度升高而__增加__，U BE 随温度的升高而__下降__，β值随温度的升高而__增加___。
35. 三极管的三个主要极限参数是__P CM ___、____I CM ____和___反向击穿电压____。
36. 从三极管的输出特性曲线看，三极管可分成 放大区 、 饱和区 、__截止区___和击穿区四个工作区域。
当三极管工作在__放大___区时，关系式I C =βI B 才成立；当三极管工作在___截止___区时，I C ≈0；当三极管工作在___饱和____区时，U CE ≈0。
37. 三极管有三个电极，分别是 集电极 、 发射极 和 基极 。
38. 用直流电压表测得某放大器中NPN 型三极管的三个极对地的电位分别为V B =+10.7V, V C =+10.3V,V E =+10V ，则该管工作在_饱和__区。
39. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为V A =+3.1V, V B =+2.9V, V C =-2V ，则从材料看为 锗 管，从结构上看为 PNP 型管，且A 为 发射 极，B 为 基 极，C 为 集电 极。
40. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为V A =+7V, V B =+1.8V, V C =+6.3V ，则从材料看为 硅 管，从结构上看为 PNP 型管，且A 为 发射 极，B 为 集电 极，C 为 基极 极。
41. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为V A =+7V, V B =+1.8V, V C =+2.5V ，则从材料看为 硅 管，从结构上看为 NPN 型管，且A 为 集电 极，B 为 发射 极，C 为 基极 极。
42. 在放大状态下，三极管的1，2，3三个电极的电流分别为I 1=1.5mA ，I 2=30µA ，I 3=1.53mA ，则电极 1 为集电极，电极 2 为基极，电极 3 为发射极。
β= 50 ，α= 0.98 。
43. 从输出特性上分析单级PNP 管组成的放大电路，如果静态工作点在负载线上设置偏高，有可能导致__饱和__失真，从示波器上看输出电压波形是 顶部 失真；工作点设置偏低，则有可能导致_截止__失真。
44. 交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的变化（或交流）量，而放大电路设置静态工作点的目的是为了使输出信号的变化线性地跟随输入信号而变化（如输入信号为正弦波，输出信号也为正弦波）。
45. 如图一(a)是NPN 管共射放大电路。
若其输出波形如图一(b)、(c)所示，则图一(b)是__饱和__失真，解决办法是将基极偏置电流调 小 ；图一(c)是 截止 失真，解决办法是将基极偏置电流调 大 。
46. 放大电路有两种工作状态，U i =0时的直流状态称为___静__态；当有交流信号U i 输入时，放大电路的工作状态称为___动__态，此时，三极管各极电压、电流均有__直流__分量和___交流___分量两部分叠加而成。
47. 在画低频放大电路的交流通路时，通常将电路中的__电容 和 直流电源___视为短路。
(b)图一 +V CCR b R CR LU OU i(a) (c)48.交流放大电路的基本分析方法有__图解法和微变等效电路法__两种。
49.对于电压放大电路，输入电阻越_大__，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越__小__，放大电路带负载的能力越强。
50.影响放大电路工作点稳定的主要因素是温度的变化，稳定工作点常用的措施是在电路中引入直流负反馈。
51.在单级共射放大电路中，如果静态工作点在负载线上设置偏高，容易出现___饱和失真，常通过调整基极偏置电阻元件来消除失真。
52.在单级共射放大电路中（如图一(a)电路所示），如果输出信号的波形产生了截止失真，常通过调整__基极偏置电阻R b元件来消除失真，且应__减小__其阻值。
53.在单级共射放大电路中，无论是NPN型还是PNP型晶体三极管，当静态工作点在负载线上设置偏高时，容易出现___饱和失真，过低时容易产生截止失真。
若采用基极上偏置电阻R b来消除失真，对于前者应使R b增大，对于后者应使R b减小。
54.反映双极型晶体三极管（BJT管）放大能力的参数是β，反映场效应管（FET管）放大能力的参数是跨导g m。
55.BJT管是电流控制器件，而FET管则是电压控制器件。
56.当BJT管发射结正偏，集电结反偏时，放大电路工作在放大区；当BJT管发射结和集电结均正偏时，放大电路工作在饱和区；当BJT管发射结和集电结均反偏时，放大电路工作在截止区。
57.双极型晶体三极管放大电路有共基、共集和共射三种连接方式。
58.放大电路中的三极管有___共基、共集和共射___三种接法，其中电压、电流放大倍数都比较大的是__共射__接法。
所谓共射放大电路，是指在电路的交流通路中，以___发射___极作为输入输出信号的共同参考点。
59.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，共射放大电路同时具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数；共集放大电路的电压放大倍数最低。
60.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，共射放大电路既有电压放大，又有电流放大；共集放大电路只有电流放大，而无电压放大；共基放大电路只有电压放大，而无电流放大。
61.在共射、共基和共集三种组态的单管放大电路中，欲要带负载能力强的应选共集电路，欲要电压放大且频率响应好的应选共基电路。
62.共集电极电路的特点是：输入电阻很大，输出电阻很小，电压放大倍数小于近似等于1 ，动态范围较大。
63.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，共集放大电路的输入电阻最高；__共集__放大电路的输出电阻最低。
64.在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中，共集和共基电路输入输出电压同相，共射电路输入输出电压反相。
65.在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中，当待处理的信号是电流时，可采用共基放大电路，利用的是该电路的输入电阻小、输出电阻大的特点。
66.直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路比较，存在着三个主要特殊问题是：各级静态工作点相互影响、需要电平配置和零点漂移。
67.零点漂移一般都是折合到输入端来衡量的。
若A u=1000，输出端最大漂移为50mV，则该放大电路的漂移为 50µV 。
68.多级放大器的耦合方式有：直接耦合、阻容耦合和变压器耦合三种。
69.多级交流放大电路的极间耦合方式有__直接耦合__、___阻容耦合和变压器耦合__三种，在低频电压放大电路中常采用__阻容__耦合方式，___直接_耦合电路存在零点漂移问题。
70.多级放大电路中，第一级电压增益为40dB，第二级电压增益为20dB，则总电压增益为 60dB ，折算为电压放大倍数为 1000 倍。
71.多级放大电路中，第一级电压放大倍数为100倍，第二级电压放大倍数为1000倍，则总电压放大倍数为 105倍，折算为电压增益为 100 dB。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电子技术基础试题库(附答案)
模拟电子技术基础试题库（附答案）一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称？A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案：A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路？A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案：A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用？A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案：A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相？A. common-emitter amplifier（共射放大器）B. common-base amplifier（共基放大器）C. common-collector amplifier（共集放大器）D. emitter-follower（发射极跟随器）答案：A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分？A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案：B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波？A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案：A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。
答案：发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。
答案：放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。
《模拟电子技术基础》基本概念复习题及答案
《模拟电⼦技术基础》基本概念复习题及答案《模拟电⼦技术基础》基本概念复习题⼀、判断题1、凡是由集成运算放⼤器组成的电路都可以利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、凡是运算电路都可利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、理想运放不论⼯作在线性区还是⾮线性区状态都有v N = v P 。
×4、当集成运放⼯作在闭环时，可运⽤虚短和虚断概念分析。
×5、在运算电路中，同相输⼊端和反相输⼊端均为“虚地”。
×6、在反相求和电路中，集成运放的反相输⼊端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输⼊电流之代数和。
√7、温度升⾼后，本征半导体中⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多，且增量相同。
√8、因为N 型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。
×9、因为P 型半导体的多⼦是空⽳，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管⼯作在截⽌区时，管⼦两端电压的变化很⼩。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放⼤电路必须加上合适的直流电源才可能正常⼯作。
√ 14、放⼤电路⼯作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放⼤电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、由于放⼤的对象是变化量，所以当输⼊信号为直流信号时，任何放⼤电路的输出都毫⽆变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放⼤作⽤。
√ 18、共集放⼤电路⽆电压放⼤作⽤，但有功率放⼤作⽤。
√ 19、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤。
× 20、放⼤电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放⼤电路，有电流和功率放⼤作⽤。
× 22、只要是共射放⼤电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。