自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展
材料物理学中的自旋电子学研究
材料物理学中的自旋电子学研究自旋电子学是材料物理学的一个重要领域，研究的是自旋在电子输运和磁性行为中的角色。
自旋电子学研究旨在探索和利用电子自旋在材料中的属性和交互作用，以开发出新颖的器件和技术。
在本文中，我将介绍自旋电子学的背景、研究领域和一些典型的研究成果。
自旋是电子的量子性质之一，类似于旋转角动量。
自旋电子学的关注点在于电子自旋的控制和操纵。
传统的电子学中，主要研究电子的荷电性质，而忽视了自旋对电子行为的影响。
然而，近年来的研究表明，自旋在电子材料中起着重要的角色，可以用来控制和传输信息。
自旋电子学的研究目标之一是实现自旋转换器件，将自旋作为信息的载体，而不是仅仅利用电荷。
在自旋电子学中，研究的一个重要问题是自旋注入。
自旋注入是将自旋极化的电子注入到材料中的过程。
通过调节外部磁场或电流，可以实现自旋电子的注入，并在材料中传输和操纵自旋。
自旋注入技术为自旋电子学研究提供了基础，并在实现自旋器件和自旋存储器方面取得了重要进展。
另一个研究方向是自旋霍尔效应。
自旋霍尔效应是一种自旋依赖的电荷输运现象，它在材料中产生横向自旋极化和电荷分离。
自旋霍尔材料可以实现自旋电流的导向和控制，并且在自旋电子学应用中具有重要意义。
自旋霍尔效应的研究成果也为自旋电子学提供了许多新的材料和器件设计思路。
还有一些其他重要的自旋电子学研究方向，如自旋电流激发的磁性行为、磁性材料中的自旋输运和磁矩动力学等。
这些研究方向都涉及到电子自旋在材料中的相互作用和传输，以及其对材料性质的影响。
通过研究这些现象，可以深入理解自旋电子学的基本原理，并开发出一系列具有潜在应用的新材料和器件。
在自旋电子学领域已经取得了一些重要的研究成果。
例如，利用自旋注入技术，已经实现了自旋转换器件，用于传输和操纵自旋信息。
另外，利用自旋霍尔效应，实现了自旋电流的控制和导向，为自旋电子学应用提供了新的途径。
此外，还有一些研究成果表明，通过控制材料结构和界面，可以实现自旋相关现象的调控和增强。
凝聚态物理中的自旋电子学：探索自旋电子学材料与器件在信息存储与处理中的应用
凝聚态物理中的自旋电子学：探索自旋电子学材料与器件在信息存储与处理中的应用摘要自旋电子学作为凝聚态物理的前沿领域，利用电子的自旋自由度，为信息存储和处理带来了革命性的突破。
本文深入探讨自旋电子学材料与器件的特性、工作原理以及在信息存储与处理中的应用。
通过分析巨磁阻效应、自旋注入、自旋霍尔效应等关键技术，以及磁性随机存储器（MRAM）、自旋场效应晶体管（SFET）等新型器件的研发进展，本文旨在展示自旋电子学在提高存储密度、降低功耗、实现新型计算架构等方面的巨大潜力。
引言传统的电子学主要利用电子的电荷自由度进行信息的存储和处理。
然而，随着器件尺寸的不断缩小，摩尔定律逐渐逼近极限，电荷存储和传输面临着功耗、发热等问题。
自旋电子学（Spintronics）应运而生，通过利用电子的自旋自由度，为信息存储和处理提供了新的思路和方法。
自旋电子学不仅可以克服传统电子学的瓶颈，还具有非易失性、高速度、低功耗等优势，为未来信息技术的发展带来了新的机遇。
自旋电子学材料自旋电子学材料是指具有自旋相关特性的材料，如铁磁材料、反铁磁材料、亚铁磁材料、半导体材料等。
这些材料的自旋特性可以通过外加磁场或电流进行调控，从而实现对电子自旋的操控。
1. 铁磁材料：铁磁材料具有自发磁化强度，其电子自旋方向在宏观上呈现一致性。
常见的铁磁材料包括铁、钴、镍及其合金。
2. 反铁磁材料：反铁磁材料的相邻原子磁矩方向相反，宏观上不表现出磁性。
反铁磁材料在自旋电子学中具有重要的应用，如自旋阀、自旋霍尔效应器件等。
3. 亚铁磁材料：亚铁磁材料的相邻原子磁矩方向相反，但大小不等，宏观上表现出较弱的磁性。
亚铁磁材料在磁存储器件中具有重要应用。
4. 半导体材料：半导体材料的自旋特性可以通过掺杂磁性杂质或利用自旋轨道耦合效应进行调控。
自旋电子学半导体材料在自旋场效应晶体管、自旋发光二极管等器件中具有重要应用。
自旋电子学器件自旋电子学器件是指利用电子自旋特性进行信息存储和处理的器件。
磁性材料的自旋电子学
磁性材料的自旋电子学自旋电子学是一门研究自旋与电子相互作用的学科，它在磁性材料的研究中扮演着重要的角色。
磁性材料是一类具有自发磁化特性的材料，它们可以通过外加磁场使其自旋有序排列，从而改变其电子的输运性质。
本文将从自旋电子学的基本概念入手，探讨磁性材料在该领域中的应用和研究进展。
一、自旋电子学的基本概念自旋电子学是自旋和电子之间相互作用的研究领域，在该领域中，自旋被认为是电子的一个内禀属性，类似于电荷。
自旋可以理解为电子围绕自身轴心旋转而产生的磁矩，它决定着电子在磁场中的相互作用和运动方式。
在自旋电子学中，通过调控自旋的状态，可以控制电子的自旋输运和磁性行为，从而实现新型电子器件的设计和应用。
二、磁性材料由于其自发磁化的特性，成为自旋电子学研究中的重要对象。
这些材料中的电子自旋可以通过外加磁场、电场或光激发等方式进行控制。
其中一种常见的磁性材料是铁磁体，它具有较高的自旋极化率和磁滞回线特性。
通过调控铁磁体中的自旋，可以实现快速的磁性翻转，从而提高数据存储和处理的速度和密度。
除了铁磁体，自旋电子学还涉及到其他类型的磁性材料，例如反铁磁体和拓扑绝缘体。
反铁磁体具有相邻原子自旋方向相反的特点，对电子自旋的调控有着独特的应用。
拓扑绝缘体则是一种特殊的材料，其表面存在特殊的拓扑结构，导致自旋与电子的耦合产生新奇的现象，例如自旋电荷分离和自旋霍尔效应。
三、自旋电子学的应用自旋电子学的研究不仅仅局限于基础物理理论，还涉及到许多重要应用。
其中之一是自旋电子学器件的设计与制备。
通过结合磁性材料和半导体材料的特性，可以制备出自旋二极管、自旋场效应晶体管等新型电子器件，这些器件具有快速响应和低功耗的特点，可以在信息存储、传感器等领域得到广泛应用。
另外，磁性材料在磁存储领域中也起着重要作用。
自旋电子学的发展使得磁存储器件的存储密度不断提高，并且能够实现单个磁位的读写操作。
这为大容量、高速度的数据存储提供了可能，为信息技术的进一步发展提供了强有力的支持。
自旋电子学的发展及其应用
自旋电子学的发展及其应用自旋电子学是一种新兴的研究领域，它涉及到自旋在电子学中的应用。
自旋电子学的发展可以追溯到20世纪60年代，当时科学家发现自旋可以在半导体中传递电信号。
然而，这个领域的真正飞跃是在21世纪初，随着新型材料和技术的发展，自旋电子学开始迎来了蓬勃的发展。
本文将从自旋电子学的基础原理、材料和技术发展、以及自旋电子学在实际应用中的优势等方面，详细介绍自旋电子学的发展及其应用。
一、自旋电子学的基础原理自旋电子学是基于自旋的量子属性，研究自旋在材料中的行为和特性，包括自旋的产生、传输、控制和检测。
自旋是电子的一种固有属性，可以看作是电子围绕自身旋转的一种特殊运动状态。
自旋有两种可能的取向，即上自旋和下自旋。
在外磁场的作用下，上自旋和下自旋的能量不同，因此可以通过磁场来控制自旋的取向。
二、自旋电子学的材料和技术发展随着自旋电子学的不断发展，研究人员已经发现了一些材料，这些材料具有优异的自旋特性，例如：铁磁性材料、半导体材料、自旋霍尔效应材料等。
在技术方面，研究人员已经发明了一些新的技术，例如：磁隧道结构技术、磁电阻技术、磁性记忆技术等，这些技术为自旋电子学的发展提供了有力的支持。
三、自旋电子学的应用自旋电子学已经被广泛应用于电子学和信息技术领域，具有广泛的应用前景。
下面列举了一些自旋电子学的应用：磁性存储器：磁性存储器是自旋电子学应用的一种重要形式，它可以实现高速读写、高密度存储和低功耗等优点。
自旋电子器件：自旋电子器件是利用自旋电子学的原理设计的器件，它具有高速、低功耗、稳定性好等特点，可以应用于处理器、存储器和通信设备等领域。
自旋电子输运：自旋电子输运是指利用自旋电子学的原理，设计实现一些新型的电子器件和传感器，用于探测、测量和传输电信号，例如自旋电荷泵、自旋输运晶体管等。
自旋电子学在量子计算中的应用：量子计算是一种全新的计算方式，自旋电子学中的自旋量子位可以用来存储量子信息，实现量子计算。
自旋电子学中的自旋转移矩效应与自旋电子器件研究新进展
自旋电子学中的自旋转移矩效应与自旋电子器件研究新进展自旋电子学是一门相对较新的物理学分支，涉及自旋电子的操控和应用。
自旋转移矩效应是自旋电子学中的一个重要现象，它在自旋电子器件的研究和应用中发挥着关键作用。
本文将详细解读自旋转移矩效应的基本定律、实验准备和过程，并探讨其在自旋电子器件研究中的新进展和应用。
自旋转移矩效应（spin-transfer torque，简称STT）是指自旋极化电流对磁矩的转移作用。
在自旋电子学中，电流携带的自旋极化可引起磁矩的移动和翻转，从而实现自旋信息的读写和存储。
STT的研究对于自旋电子器件的发展具有重要意义。
首先，我们可以从磁体的逆磁电阻效应（GMR）开始解读STT的基本定律。
GMR现象表明，当电流通过一个具有磁性层的金属多层膜时，由于自旋极化电流的存在，电阻将与磁自旋方向有关。
这一效应被用于读取磁性存储介质中的自旋信息。
STT则进一步利用了这种磁性层中的自旋极化电流，通过施加一个垂直磁场，使得磁矩沿着特定方向旋转，实现了自旋信息的写入。
在进行STT实验前，我们需要准备一些实验装置和材料。
首先，需要制备一些磁性多层薄膜样品，其中包含磁性层和非磁性层，用于观察STT效应。
其次，需要配置一台实验仪器，如霍尔效应测量仪，用于测量和分析自旋极化电流和磁矩的变化。
最后，还需要一些实验材料，如电路板、导线和稳压电源等。
实验的过程如下：首先，将制备好的磁性多层薄膜样品固定在实验装置中，并连接电路板和电流源。
然后，通过电流源施加一定大小的电流并选择合适的频率，以产生自旋极化电流。
接着，通过霍尔效应测量仪测量电流和磁矩的变化，以获得STT效应的相关数据。
最后，根据实验数据分析自旋极化电流对磁矩的转移作用，并进一步探究其在读写自旋信息中的应用。
自旋转移矩效应在自旋电子器件的研究中有着广泛的应用。
例如，自旋转移矩随机存储器（ST-RAM）利用STT效应实现了高速、低功耗和非易失性的自旋极化数据存储。
自旋电子学与自旋电子器件
自旋电子学与自旋电子器件自旋电子学是一门研究将电子的自旋运动作为信息的载体进行存储、传输和操作的学科。
自旋电子器件则是应用自旋电子学原理开发的电子器件。
自旋电子学与自旋电子器件的发展具有重要的科学意义和应用价值，本文将从理论原理、器件分类以及未来发展方向等方面进行阐述。
一、理论原理自旋电子学是基于电子的自旋运动而建立的一种新型电子学理论。
电子除了具有电荷属性外，还具有自旋属性，自旋可以理解为电子围绕自身轴的旋转运动。
在经典物理学中，自旋可以类比为地球绕自转轴旋转。
自旋的特点在于它具有两种取向，分别为上旋（spin up）和下旋（spin down）。
这两种取向可以表示为"1"和"0"，即可以用来储存和传输信息。
二、器件分类根据实际应用需求，自旋电子器件可以分为几个不同的分类。
常见的自旋电子器件包括自旋电子存储器、自旋场效应晶体管（spin field-effect transistor, Spin-FET）以及自旋逻辑门等。
1. 自旋电子存储器自旋电子存储器是一种利用自旋自由度实现信息存储的设备。
其中最典型的是自旋隧穿磁阻（spin-tunneling magnetoresistance, STT-MRAM）存储器。
其原理是通过调控自旋电子在磁隧道结构中的隧穿电流，实现对存储信息的读写操作。
STT-MRAM存储器具有非易失性、高速写入和低功耗等优势，被广泛应用于电子产品的存储领域。
2. 自旋场效应晶体管自旋场效应晶体管是一种利用自旋转移效应进行电子输运的器件。
通过在半导体材料中引入磁性材料，在电场调控下实现自旋电子流的控制。
自旋场效应晶体管具有高速、低功耗和可控性强等特点，被广泛应用于自旋逻辑电路和自旋电子通信等领域。
3. 自旋逻辑门自旋逻辑门是一种基于自旋操控实现逻辑运算的器件。
传统的电子逻辑门是基于电荷操控的，而自旋逻辑门则是利用自旋电子的上旋和下旋状态作为输入和输出。
凝聚态物理学中的自旋电子学研究毕业论文
凝聚态物理学中的自旋电子学研究毕业论文自旋电子学是凝聚态物理学中的一个重要研究领域，它探索并利用电子自旋（spin）在固体中的特殊性质，如自旋磁矩（magnetic moment）和自旋角动量（spin angular momentum）。
自旋电子学旨在开发能够在微纳尺度上操作和控制自旋的新型材料和器件，为信息存储、计算和通信等领域的技术革新提供支持。
一、引言自旋电子学作为凝聚态物理学的重要研究方向，其在当代科学技术中的地位不可忽视。
本论文将系统介绍自旋电子学的基本原理、研究方法以及最新的研究成果，并探讨其在信息技术领域的应用前景。
二、自旋电子学的基本原理1. 自旋电子学的定义和背景2. 自旋磁矩和自旋角动量的概念3. 自旋轨道耦合和自旋哈密顿量4. 自旋电子学中的量子力学效应5. 自旋电子学的基本原理总结三、自旋电子学的研究方法1. 自旋电子学实验的基本原理和装置2. 自旋电子学实验中的关键技术和方法3. 自旋电子学中的理论模拟和计算方法4. 自旋电子学研究方法的发展趋势四、自旋电子学研究领域与应用1. 自旋电子学在信息存储中的应用a. 自旋转為记忆体和自旋霍尔效应b. 硬磁体和软磁体的自旋电子学应用c. 新型自旋电子学存储材料的研究进展2. 自旋电子学在量子计算中的应用a. 自旋量子比特和自旋量子门b. 自旋相干和自旋纠缠的产生和操控c. 自旋量子计算机的实现原理和挑战3. 自旋电子学在信息通信中的应用a. 自旋激元和自旋波的传播与调控b. 自旋电子学在光电器件中的应用c. 自旋电子学在量子通信中的应用五、自旋电子学研究的前沿与挑战1. 强自旋-轨道耦合体系下的非平凡性质2. 自旋热稳定性和自旋输运中的噪声问题3. 自旋电子学中的新材料与新器件4. 自旋电子学实验与理论方法的改进5. 自旋电子学领域的前景展望六、结论自旋电子学作为凝聚态物理学的重要研究方向，不断推动着信息技术领域的发展。
本论文从自旋电子学的基本原理、研究方法、应用领域以及前沿问题等方面进行了详细的介绍和讨论。
自旋电子学中的一些新进展
自旋电子学中的一些新进展近年来，自旋电子学这个领域受到了越来越多的关注。
自旋电子学的基础是电子的自旋，既可以作为电子自由度的扩展，也可以作为一种新的信息储存和传输方式。
自旋电子学应用在磁学、半导体、量子信息等领域，为这些领域的发展带来了新的契机。
在这篇文章中，我们来探讨一些自旋电子学的新进展。
一、磁化反转的动力学过程磁电子学是自旋电子学的一个重要应用领域。
磁性材料在外加磁场的作用下会发生磁化反转，这个过程是由磁矩朝着外加磁场方向旋转的。
磁化反转的动力学过程是很复杂的，近年来，科学家们通过自旋动力学模拟来研究磁化反转的过程。
他们发现，在磁化反转的过程中，磁矩会先发生预转动，然后才会开始实际的翻转。
预转动是在磁矩和外场方向之间产生的能垒被扫除之后发生的。
磁矩的预转动对于磁矩翻转的速度和磁矩的能量耗散起到了重要的作用。
二、新型材料的设计金属自旋电子学是自旋电子学的另一个重要应用领域。
与传统的半导体相比，金属自旋电子学的一个优点是电子的动力学时间比较短，因此，可以获得更高的操作速度。
研究人员们设计了一种新型的平面磁化存储器。
这种存储器的设计基于铁、铬和铂三种金属的叠层结构。
这个结构具有极高的磁性，可以在高温下稳定工作，还具有很高的热稳定性。
三、注入自旋的研究自旋注入是自旋电子学中的一个非常重要的领域。
自旋注入是将自旋电子引入材料中，从而实现新型电子元器件和存储器等的制造。
近年来，研究人员们在自旋注入的研究中做出了一定的进展。
他们提出了一种新的自旋注入机制，即在光场中引入电场。
这种机制可以增强电子和光子之间的耦合，从而实现更高效的注入。
四、磁性材料的快速交换磁性材料的快速交换是实现自旋电子学应用中的一个重要问题。
近年来，科学家们发现了一种新型的磁性材料，在这种材料中，磁矢的快速交换比在普通磁性材料中要快得多。
这种材料的优势在于，可以用来制造能够更快地进行翻转的磁性存储器和转换器。
五、量子自旋交叉的研究量子自旋交叉是自旋电子学中一个新的领域。
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中国科学院物理研究所成立 21 周年
自旋电子学材料、 物理和器件设计原理的研究进展
韩秀峰 4
（ 中国科学院物理研究所 磁学国家重点实验室- 北京- 511561 ）
摘- 要- - 文章介绍了作者所在实验室在巨磁电阻 （ 789） 、 隧穿磁电阻 （ :89） 、 庞磁电阻 （ ;89 ） 和反铁磁钉扎薄膜 材料以及单晶金属氧化物、 高自旋极化率材料、 <=> 异质结和纳米环磁随机存储器原理型演示器件设计等研究方面取 得的一些重要研究成果和进展& 例如： 在 ?(=@ 势垒磁性隧道结材料体系里， 获得室温磁电阻超过 21A 的国际最好结 果； 获得两种高性能层状反铁磁钉扎材料体系； 发现具有大的电致电阻效应的 ;89 薄膜材料， 并可期望用于电流直 接进行磁信息写和读操作的磁存储介质； 发现双势垒磁性隧道结中的量子阱态共振隧穿和磁电阻振荡效应， 以及纳 米器件体系中自旋翻转长度的观测新方法， 可用于新型自旋电子学材料及相关器件的人工辅助设计； 利用电子自旋 共振谱探测和研究了金属氧化物的微观自旋结构和各向异性； 在 ［ ;BCD E <" ］ 观测到超高灵敏度 ! 磁性金属多层膜中， 的反常霍尔效应； 利用纳米环状磁性隧道结作为存储单元， 研制出一种新型纳米环磁随机存储器 89?8 原理型演示 器件& 关键词- - 自旋电子学， 巨磁电阻， 隧穿磁电阻， 庞磁电阻， 磁随机存储器， 自旋转移力矩， 电子自旋共振
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研究， 加速研发和生产相关重要产品- KO5 等公司在 $%%B 年已 做 到 了 7’ 580) 56C5 演 示 器 件， 美国 5P)PLP/1 和 ML>>Q21/> 公司在 $%%’ 年已推出了 B 580) 美国 R>1S,1T 和 56C5 标准器件产品并进入市场， 51?KU 公司生产的 B 580) 56C5 标准器件产品预计 $%%& 年将进入市场- 高密度和高容量 56C5 芯片的 实现， 以其低功耗、 断电下信息不丢失、 抗辐射、 高速 度、 高稳定、 使用寿命长等优点， 将会使计算机科学 和信息产业以及人们日常生活中使用的众多电器产 品进入一个新的智能化时代因此， 研究和发展自旋电子学材料、 物理及其自 旋相关器件， 探索和研究新的人工磁电阻结构和功 能材料及其器件应用， 不仅是过去 $% 年也是当前和 今后一个相当长时期的国际研究热点和重要领域之 一- 新型和高性能的自旋电子学人工合成材料及其 新的物理效应的进一步发现， 能给自旋电子学材料 及其自旋相关器件的研制， 提供新的生长点， 注入新 的发展动力- 正是在这样一个国内外热点研究持续 发展的环境下， 在国家自然科学基金委基金项目、 国 家科技部 <#" 《 自旋电子学材料、 物理和器件研究》 项目、 中国科学院 “ 知识创新工程” 等相关项目的支 持下， 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室 有关研究人员， 在巨磁电阻 （ 456 ） 材料、 隧穿磁电 阻（ @56） 材料、 钙钛矿锰氧化物庞磁电阻（ U56 ） 薄膜材料、 高自旋极化率材料和半金属 R.Q/>L 合金 及其单晶材料的制备和功能特性等研究方面， 开展 了深入系统的研究工作， 取得了丰硕的研究成果， 通 过十几年的努力和积累， 目前建立了以自旋电子学 材料的制备、 微结构和磁结构表征、 自旋相关输运性 质研究、 原理型器件设计为主要发展方向的研究基 地和实验平台过去 二 十 年 来， 作 者 所 在 实 验 室 在 以 456、 @56、 U56 等材料体系为发展主线的自旋电子学研 究领域， 取得了一系列有代表性的研究成果和显著 进展， 受到国内外同行的高度关注和积极评价， 促进 了国内外有关自旋电子学材料、 物理和器件设计原 理的研究工作的开展- 文章仅以本实验室最近五年 获得的一些有代表性的最新研究进展为例， 达到抛 砖引玉的目的-
0112 _ 1U _ 0U 收到 4\Q*)(： [O!*,‘ *#!I& )#!I& *+& +,
，这些具有里程碑意义的人工合成磁性材料
・ :98・ຫໍສະໝຸດ !""#： $$%%%& %’()& *+& +,- - - - - - - - - - - - - - - - - - 物理・./ 卷（ 0112 年） 3期
中国科学院物理研究所成立 &% 周年 化电子输运相关的磁电阻材料和新型自旋电子学器 件的研制和应用例如， 巨磁电阻 （ 456） 是自旋电子学成功应用 的范例之一， 它从物理发现到材料制备， 直至最后器 件大规模产业化仅用了不到 7% 年的时间- 计算机硬 盘在 456 读出头的推动下， 其磁记录密度已从过 去 ’% 580) 9 032( 发展到目前 : "%% 480) 9 032(（ 74 ; 7% ， 美国 =>1?1)> @>2(- 公司公布的数据） ， 提高了近 A%%% 倍- $%%$ 年， 它仅在硬盘驱动器方面创造的收 入就突破 B%% 亿美元- 基于非晶 C/$ D" 势垒材料的 磁性隧道结 （ 5@E ） 和隧穿磁电阻效应 （ @56 ） 是自 旋电子学的另一个成功应用的范例之一， 它从物理 发现 （ 7<<A 年发现 $%F 的室温隧穿磁电阻效应） 到 材料制备和 $%%A 年 @56 磁读出头器件大规模生产 化 （ G $#% 480) 9 032( ） 也 仅 用 了 不 到 7% 年 时 间$%%# 年美国西部数据公司 （ HI ）采用基于单晶 5? （ %%7 ） 势垒的磁性隧道结材料和 @56 读出头技术 结合垂直磁记录介质， 实现了 A$% 480) 9 032( 磁硬盘 面记录密度的演示从 7<<# 年至今， 基于以上 456 和 @56 效应的 磁读出头产品及其硬磁盘已经被广泛地应用到网络 服务器和台式计算机、 手提电脑、 数字照相机以及 5J" 、 5JB 等音乐播放器中， 显著促进了计算机和信 息技术的进步， 充分体现了基础科学研究对丰富人 类文化生活的作用- 自从 7<<# 年以来， 已经有 A% 亿 只 456 磁读出头被生产和投放市场， 而且至今仍 然被广泛使用； 自从 $%%B 年开始， 大约每年生产 B 亿个隧穿磁电阻 （ @56 ） 磁读出头， 并不断地被投入 市场， 进入最终用户， 正在产生巨大的科技和社会经 济效益- 磁性金属材料的基础物理研究及其器件应 用， 已经为磁硬盘工业以及信息技术 （ K@ ） 的发展带 来了革命性的技术更新- 正因为如此， $%%# 年诺贝 尔物理学奖授予了巨磁电阻 456 的发现者 C/8>L) M>L) 和 J>)>L 4LN38>L?， 以表彰他们为当代凝聚态物 理和信息科学技术发展所做出的杰出贡献- 可以说， 分别于 7<&& 年和 7<<A 年发现的 456 和 @56 新材 料， 导致计算机信息存储技术在 $7 世纪进入了一个 456 和 @56 时代目前， 基于 456 和 @56 磁电阻材料的各种磁 敏传感器， 成为国际上众多公司大力开发和研制的 高新技术产品目标， 特别是为发展基于磁性隧道结 材料和 @56 效应的 $A’ 580) 以上的实用型磁随机 存储器 （ 56C5 芯片） ， 美国、 日本等发达国家竞相 巨额投资， 全面开展了相关的材料、 物理和器件应用
- - 自从 5622 年在磁性多层膜中发现了巨磁电阻 效应 （ 789） ， 566. 和 566] 在钙钛矿锰氧化物 （ <5 _ = > = 8,@. ， < 为稀土元素， > 为二价碱土金属） 中发现 了庞磁电阻效应 （ ;89 ） ， 特别是 566U 年在铁磁性 隧道结材料中发现了室温高隧穿磁电阻效应 （ :89 ）以 及 后 续 形 成 的 稀 磁 半 导 体 等 研 究 热 潮
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