内存发展历史及未来趋势
内存技术的发展趋势与未来展望(二)
内存技术的发展趋势与未来展望随着科技的不断进步与日新月异的信息时代的来临，内存技术变得越来越重要。
我们需要更高速、更大容量的内存来满足日益增长的数据处理需求。
本文将探讨内存技术的发展趋势，并对未来的展望做一些猜测。
首先，让我们回顾一下内存技术的发展历程。
早期的计算机主要使用磁鼓作为内存存储介质。
然而，磁鼓的存取速度慢，容量有限，难以满足迅猛增长的需求。
随后，随着集成电路的兴起，动态随机存取存储器（DRAM）成为主流。
DRAM具有较高的速度和较大的容量，但也存在着刷新和电源依赖等问题，限制了其进一步发展。
随后，静态随机存取存储器（SRAM）出现，它不需要刷新，具有更高的速度和更低的能耗，但也有容量较小和成本较高的问题。
在这之后，出现了闪存存储器，它在手机和固态硬盘中得到了广泛应用。
接下来，我们来看一些内存技术的发展趋势。
首先，NAND闪存存储器在过去几年里取得了巨大的突破。
它具有高存储密度、快速读取和擦除、低功耗等优点。
未来，NAND闪存存储器的容量将继续增加，价格将进一步下降，这有助于推动移动设备和云计算等领域的发展。
其次，非易失性存储器（NVM）正在成为下一个大热点。
NVM具有随机访问和非易失性的特点，支持大规模并行操作。
它的出现有望解决传统存储器在速度、容量和能耗上的瓶颈问题。
磁阻存储器（MRAM）和相变存储器（PCRAM）等技术已经取得了一定的突破，未来有望在高性能计算和嵌入式系统等领域得到更广泛的应用。
另外，量子存储器也是一个备受关注的领域。
量子存储器利用量子力学的原理来储存和读取信息，具有极高的存储密度和处理能力。
目前，量子存储器还存在着很多技术难题，但其巨大的潜力使得研究人员对其充满期待，希望在未来能够实现商业化应用。
除了以上几种新型内存技术，还有一些改进和完善传统内存技术的研究正在进行中。
例如，对DRAM的改进和优化是一个重要的研究方向。
人们正在探索如何提高DRAM的速度、写入耐久性和能耗效率。
DRAM的发展
DRAM的发展DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种常见的计算机内存类型，它在计算机系统中扮演着重要的角色。
本文将详细介绍DRAM的发展历程、特点、应用领域以及未来的发展趋势。
一、发展历程DRAM的发展可以追溯到上世纪60年代末期。
当时，计算机内存主要采用的是静态随机存储器（SRAM），但SRAM的成本较高，容量有限。
为了解决这一问题，DRAM应运而生。
最早的DRAM由Intel公司于1969年推出，容量仅为1KB。
随着技术的发展，DRAM的容量不断增加，速度不断提高，成本也逐渐降低。
到了20世纪80年代，DRAM已经成为计算机内存的主流产品。
二、特点1. 容量大：DRAM的容量通常比SRAM大得多，可以存储更多的数据。
2. 成本低：相比于其他内存类型，DRAM的生产成本较低，使其成为大规模应用的理想选择。
3. 高速度：DRAM的读写速度相对较快，可以满足大部份计算机应用的需求。
4. 需要刷新：DRAM是一种动态存储器，需要定期刷新来保持数据的稳定性。
这也是它与SRAM的主要区别之一。
三、应用领域DRAM广泛应用于各种计算机系统和电子设备中，包括个人电脑、服务器、手机、平板电脑等。
由于其容量大、成本低的特点，DRAM被广泛用于存储大量的数据和程序，为计算机提供高效的运行环境。
同时，DRAM也被用于图形处理、人工智能、云计算等领域，为这些应用提供强大的计算和存储能力。
四、未来发展趋势随着计算机技术的不断发展，DRAM也在不断演进。
未来，DRAM的发展趋势主要体现在以下几个方面：1. 容量增加：随着数据量的不断增加，对内存容量的需求也在增加。
未来的DRAM将不断提高存储密度，提供更大的容量。
2. 速度提升：计算机应用对内存速度的要求越来越高，未来的DRAM将进一步提高读写速度，以满足高性能计算的需求。
3. 节能环保：随着节能环保意识的提高，未来的DRAM将更加注重能耗控制，采用更加节能的设计和创造工艺。
DRAM的发展
DRAM的发展DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种计算机内存，用于存储暂时数据以供处理器使用。
随着计算机技术的不断发展，DRAM也在不断演进和改进。
本文将探讨DRAM的发展历程及其未来趋势。
一、DRAM的起源1.1 1960年代，IBM推出了第一款DRAM芯片，取代了传统的静态RAM （SRAM）。
1.2 DRAM采用了动态存储单元，使得存储密度更高、成本更低。
1.3 DRAM的浮现极大地推动了计算机技术的发展，使得计算机性能得到了显著提升。
二、DRAM的技术演进2.1 1980年代，DRAM开始采用更先进的制程工艺，提高了存储容量和速度。
2.2 1990年代，浮现了SDRAM（Synchronous DRAM），提高了数据传输效率。
2.3 2000年代，DDR（Double Data Rate）技术的引入使得DRAM的速度再次提升。
三、DRAM的应用领域3.1 DRAM广泛应用于个人电脑、服务器、挪移设备等各种计算机设备。
3.2 在人工智能、大数据等新兴领域，DRAM的需求也在不断增加。
3.3 DRAM还被用于虚拟现实、云计算等高性能计算场景，为数据处理提供支持。
四、DRAM的挑战与未来4.1 随着计算机技术的不断进步，对DRAM的性能和容量要求也在不断提高。
4.2 DRAM的功耗和散热问题成为了发展的瓶颈，需要寻觅新的解决方案。
4.3 未来，随着新型存储技术的发展，DRAM可能会面临更大的竞争压力，需要不断创新。
五、结语DRAM作为计算机内存的重要组成部份，随着技术的不断发展，其性能和容量也在不断提升。
未来，随着新兴技术的涌现，DRAM将继续发挥重要作用，为计算机技术的发展提供支持。
希翼本文对DRAM的发展历程有所启示，读者也能对未来DRAM的发展趋势有更深入的了解。
内存技术的发展趋势与未来展望(三)
内存技术的发展趋势与未来展望近年来，随着信息技术的迅猛发展，内存技术作为核心的计算机硬件之一，也取得了长足的进步。
本文将从四个方面探讨内存技术的发展趋势与未来展望。
一、非易失性内存的兴起传统的内存技术如DRAM和SRAM都是易失性内存，也就是在断电后数据会丢失。
然而，非易失性内存（NVM）的出现改变了这一局面。
NVM既具备了内存的高速访问能力，又能在断电后保持数据。
随着NVM 的商业化应用逐渐成熟，它将为数据存储和处理带来全新的可能性。
比如，NVM可以广泛应用于移动设备、物联网以及人工智能等领域，提升设备的性能和用户体验。
二、高带宽内存的需求增加随着大数据时代的到来，数据处理的速度和效率成为了更为迫切的需求。
当前的内存技术在数据带宽方面已经存在瓶颈，难以满足快速数据处理的需求。
因此，高带宽内存（HBM）成为了未来内存技术的发展趋势之一。
HBM具有带宽高、能耗低的特点，通过垂直结构将多个内存芯片堆叠在一起，可以达到更高的数据传输速度。
预计未来几年内，HBM将成为主流内存技术，广泛应用于高性能计算和人工智能等领域。
三、异构内存系统的崛起传统的计算机系统中，内存和处理器处于相对独立的位置，数据传输需要经过长时间的延迟。
而异构内存系统的发展则将内存集成到处理器内部，极大地缩短了数据传输的时间，提高了计算机系统的整体性能。
例如，英特尔的3D Xpoint技术以及AMD的Infinity Fabric 技术，都是异构内存系统的重要代表。
未来，随着异构内存系统的广泛应用，计算机的性能将得到进一步提升，为各种复杂任务提供更快的计算能力。
四、内存容量的不断增加随着信息技术的快速发展，数据的规模与复杂度越来越大，对内存容量的需求也在不断增加。
目前，DDR4技术已经普及，而DDR5技术也正在不断推进中。
DDR5内存将带来更高的存储容量和更快的数据传输速度，满足未来数据处理的需求。
此外，随着硅技术的进步，3D堆叠技术的发展，内存容量将会进一步扩大，满足大规模数据存储和处理的需求。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存技术，它以其高密度和低成本而闻名。
本文将探讨DRAM的发展历程，包括其原理、发展趋势以及未来可能的创新。
一、DRAM的原理DRAM是一种基于电容的存储器技术。
每个DRAM存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成。
电容用于存储数据位，而访问晶体管用于控制读取和写入操作。
当电容充电时，表示存储的是1，而当电容放电时，表示存储的是0。
由于电容会逐渐失去电荷，因此DRAM需要定期刷新以保持数据的完整性。
二、DRAM的发展历程1. 早期发展：DRAM最早出现在上世纪60年代，当时的DRAM容量较小，速度较慢，并且需要更高的电压。
然而，随着技术的进步，DRAM的容量逐渐增加，速度也得到了提升。
2. 增加容量和速度：随着DRAM技术的不断发展，DRAM的容量和速度得到了显著提升。
通过改进电路设计和制造工艺，DRAM的容量从最初的几千字节增加到了现在的几十兆字节甚至几百兆字节。
同时，DRAM的速度也从几十纳秒提高到了几纳秒。
3. 增加集成度：随着半导体技术的进步，DRAM的集成度也得到了大幅提高。
通过缩小电路元件的尺寸，DRAM芯片可以容纳更多的存储单元，从而增加了存储容量。
目前，DRAM芯片的集成度已经达到了千兆字节级别。
4. 降低功耗：随着节能意识的增强，DRAM制造商致力于降低DRAM的功耗。
通过改进电路设计和采用低功耗工艺，现代DRAM芯片在保持高性能的同时，能够降低功耗，延长电池寿命。
三、DRAM的发展趋势1. 增加存储容量：随着数据量的不断增加，对存储容量的需求也在增加。
未来，DRAM的存储容量将继续增加，以满足日益增长的数据存储需求。
2. 提高速度：随着计算机应用的需求不断增加，对内存访问速度的要求也在提高。
未来的DRAM技术将进一步提高存取速度，以满足高性能计算的需求。
3. 降低功耗：随着绿色环保理念的普及，DRAM制造商将继续努力降低功耗。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存类型，广泛应用于各种电子设备中。
本文将详细探讨DRAM的发展历程，包括其起源、技术进步、应用领域和未来发展趋势等方面。
1. 起源：DRAM最早出现于20世纪60年代，由于其高集成度和低成本的特点，很快取代了传统的磁芯存储器。
最早的DRAM只能存储几千个位，但随着技术的进步，存储容量不断增加，达到了几GB的水平。
2. 技术进步：随着时间的推移，DRAM的技术不断改进。
首先是DRAM的制造工艺从早期的4微米发展到现在的10纳米，使得存储单元的密度大幅提高。
其次是DRAM的速度和带宽也得到了显著提升，从最初的几百KB/s发展到现在的几十GB/s。
此外，DRAM还经历了多种技术演进，如SDRAM、DDR、DDR2、DDR3和DDR4等，每一代技术都带来了更高的性能和更低的功耗。
3. 应用领域：DRAM广泛应用于各种电子设备中，包括个人电脑、服务器、智能手机、平板电脑和游戏机等。
在这些设备中，DRAM扮演着临时存储数据的重要角色，能够高速读写数据，提供快速的运行速度和响应能力。
特别是在大数据处理、人工智能和虚拟现实等领域，对DRAM的需求更加迫切。
4. 未来发展趋势：随着科技的不断进步，DRAM仍将继续发展壮大。
未来的发展趋势包括以下几个方面：- 高密度：DRAM的存储密度将继续提高，以满足大数据处理和存储需求的增长。
- 高速度：DRAM的读写速度将进一步提升，以适应更高的数据传输速率和处理需求。
- 低功耗：DRAM的功耗将继续降低，以提高设备的能效和续航时间。
- 新技术：新型存储技术如3D XPoint和MRAM等有望取代传统的DRAM，提供更高的性能和更低的功耗。
结论：DRAM作为一种重要的计算机内存类型，经历了多年的发展和演进。
随着技术的不断进步，DRAM的存储容量、速度和功耗都得到了显著提升。
它广泛应用于各种电子设备中，为其提供快速的数据存储和处理能力。
DRAM的发展
DRAM的发展DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种常见的计算机内存芯片，用于存储和读取数据。
随着科技的不断进步，DRAM的发展也在不断推进。
本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来的发展趋势。
一、发展历程DRAM最早出现在上世纪70年代，当时的DRAM容量较小，速度较慢，且价格昂贵。
然而，随着集成电路技术的进步，DRAM开始逐渐发展壮大。
在80年代，DRAM容量得到了显著提升，速度也有了明显改善，成为了主流的计算机内存产品。
二、技术特点1. 容量：DRAM的容量不断增大，从最初的几KB到现在的几GB，甚至更高。
这使得计算机能够处理更多的数据，提高了系统的性能。
2. 速度：DRAM的速度也在不断提高。
随着技术的进步，DRAM的访问速度大幅度增加，从而提高了数据的读取和写入效率。
3. 功耗：DRAM的功耗逐渐降低。
随着制程工艺的改进，DRAM芯片的功耗越来越低，这有助于降低整个系统的能耗。
4. 可靠性：DRAM的可靠性也得到了提高。
通过引入纠错码（ECC）等技术，DRAM能够检测和纠正内存中的错误，提高系统的稳定性和可靠性。
5. 成本：DRAM的成本逐渐降低。
随着技术的成熟和市场的竞争，DRAM的价格逐渐下降，使得更多的用户能够购买到高性能的内存产品。
三、未来发展趋势1. 容量持续增加：随着计算机应用的不断扩大，对内存容量的需求也在不断增加。
未来，DRAM的容量将持续增加，以满足大数据处理、人工智能等领域的需求。
2. 速度进一步提升：随着计算机处理速度的提高，对内存速度的要求也越来越高。
未来，DRAM的速度将进一步提升，以满足高性能计算的需求。
3. 低功耗设计：随着节能环保意识的增强，DRAM的低功耗设计将成为未来的发展方向。
通过采用新的材料和结构设计，降低DRAM芯片的功耗，以提高系统的能效。
4. 新技术的应用：未来，随着新的技术的涌现，如3D堆叠技术、新型存储器技术等，将会对DRAM的发展产生重要影响。
内存发展历史及未来趋势
内存发展历史及未来趋势1. 内存发展历史内存（Memory）是计算机中的重要组成部分，用于存储数据和指令。
下面将介绍内存发展的历史。
1.1 早期内存早期计算机并没有像现在这样的内存设备。
最早的计算机使用的是机械装置，如穿孔卡片或磁带，用于存储和读取数据。
这种存储方式非常慢且容量有限。
1.2 早期半导体内存20世纪50年代末和60年代初，半导体技术的发展带来了早期的半导体内存。
最早的半导体内存是使用磁芯存储单元构建的，每个存储单元只能存储一个位（0或1）。
这种内存速度较快，但容量仍然有限。
1.3 动态随机存取内存（DRAM）20世纪70年代，动态随机存取内存（DRAM）的出现改变了内存的发展。
DRAM使用电容来存储数据，每个存储单元可以存储一个位。
DRAM的容量远远超过了之前的内存技术，而且成本更低。
然而，DRAM需要定期刷新以保持数据的稳定性，这导致了一些性能问题。
1.4 静态随机存取内存（SRAM）为了解决DRAM的刷新问题，静态随机存取内存（SRAM）被开发出来。
SRAM使用触发器来存储数据，每个存储单元需要更多的晶体管来实现，因此成本更高。
然而，SRAM的读写速度比DRAM更快，而且不需要定期刷新。
1.5 其他内存技术随着技术的发展，还出现了其他内存技术，如闪存存储器、磁盘存储等。
这些内存技术在不同的应用场景中发挥着重要的作用。
2. 内存未来趋势随着计算机应用的不断发展，内存技术也在不断演进。
下面将介绍内存未来的趋势。
2.1 容量增加随着计算机应用对内存容量的需求不断增加，未来内存的主要趋势之一是容量的增加。
现代计算机已经开始使用大容量内存模块，而且随着技术的进步，内存的容量将进一步提高。
2.2 速度提升除了容量增加，内存的速度也是未来的发展方向。
随着处理器和其他硬件组件的速度提升，内存的速度也需要跟上。
新的内存技术和架构将被开发，以实现更快的读写速度。
2.3 能耗降低能耗是计算机系统中的一个重要问题。
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内存发展历史及未来趋势作为PC不可缺少的重要核心部件——内存，它伴随着DIY硬件走过了多年历程。
从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM 内存，到Pentium时代的EDODRAM内存、PII时代的SDRAM内存，到P4时代的DDR内存和目前9X5平台的DDR2内存。
内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。
不过我们有理由相信，内存的更新换代可谓万变不离其宗，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。
那么，内存在PC领域有着怎样的精彩人生呢？下面让我们一起来了解内存发展的历史吧。
一、历史起源——内存条概念如果你细心的观察，显存（或缓存）在目前的DIY硬件上都很容易看到，显卡显存、硬盘或光驱的缓存大小直接影响到设备的性能，而寄存器也许是最能代表PC硬件设备离不开RAM的，的确如此，如果没有内存，那么PC将无法运转，所以内存自然成为DIY用户讨论的重点话题。
在刚刚开始的时候，PC上所使用的内存是一块块的IC，要让它能为PC服务，就必须将其焊接到主板上，但这也给后期维护带来的问题，因为一旦某一块内存IC坏了，就必须焊下来才能更换，由于焊接上去的IC不容易取下来，同时加上用户也不具备焊接知识（焊接需要掌握焊接技术，同时风险性也大），这似乎维修起来太麻烦。
因此，PC设计人员推出了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，同时在主板上也设计相应的内存插槽，这样内存条就方便随意安装与拆卸了（如图1），内存的维修、升级都变得非常简单，这就是内存“条”的来源。
图1，内存条与内存槽的出现内存(Random Access Memory，RAM)的主要功能是暂存数据及指令。
我们可以同时写数据到RAM 内存，也可以从RAM 读取数据。
由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一，因此从某种角度而言，内存技术的改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激动二、开山鼻祖——SIMM 内存在80286主板发布之前，内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。
不过随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现，程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并扩大容量，内存必须以独立的封装形式出现，因而诞生了前面我们所提到的“内存条”概念。
在80286主板刚推出的时候，内存条采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb，必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个bank，正因如此，我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。
自1982年PC进入民用市场一直到现在，搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖（如图2）。
图2，30pin SIMM 内存随后，在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一个发展高峰，也就是386和486时代，此时CPU 已经向16bit 发展，所以30pin SIMM 内存再也无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈，所以此时72pin SIMM 内存出现了（如图3），72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，内存带宽得以大幅度提升。
72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ～2MB，而且仅要求两条同时使用，由于其与30pin SIMM 内存无法兼容，因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了。
图3，72pin SIMM内存72线的SIMM内存引进了一个FP DRAM（又叫快页内存），在386时代很流行。
因为DRAM需要恒电流以保存信息，一旦断电，信息即丢失，其刷新频率每秒钟可达几百次，但由于FP DRAM使用同一电路来存取数据，所以DRAM的存取时间有一定的时间间隔，这导致了它的存取速度并不是很快。
另外，在DRAM 中，由于存储地址空间是按页排列，所以当访问某一页面时，切换到另一页面会占用CPU额外的时钟周期。
三、徘徊不前——EDO DRAM内存EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外扩充数据模式存储器）内存，这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条，EDO-RAM同FP DRAM极其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。
工作电压为一般为5V，带宽32bit，速度在40ns以上，其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上（如图4）。
图4，不同规格的EDO DRAM内存在1991 年到1995 年中，让我们看到一个尴尬的情况，那就是这几年内存技术发展比较缓慢，几乎停滞不前，所以我们看到此时EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情况，事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴，不过它采用了全新的寻址方式。
EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着制作工艺的飞速发展，此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ～16MB 。
由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM与FPM RAM都必须成对使用（如图5）。
图5，EDO DRAM内存四、一代经典——SDRAM 内存自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。
第一代SDRAM 内存为PC66 规范（如图6），但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代（如图7），接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上（如图8）。
由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。
在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存。
图6，PC66 SDRAM内存图7，PC100 SDRAM内存图8，PC133 SDRAM内存不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存(如图9)。
图9，PC150 SDRAM内存五、曲高和寡——Rambus DRAM内存尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。
与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高（如图10）。
图10，Rambus DRAM内存在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU 的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器，因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手剑，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。
尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上（如图11），无法获得大众用户拥戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前。
图11，PC800 Rambus RDRAM内存六、再续经典——DDR内存DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意思。
DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。
由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。
至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。
DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。
第一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存（如图12），其后来的DDR333内存也属于一种过度（如图13），而DDR400内存成为目前的主流平台选配（如图14），双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象（如图15）。
图12，DDR266内存图13，DDR333内存图14，DDR400内存图15，DDR533内存七、再续经典二——DDR2内存随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。
不可否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。